JPH0245806B2 - Roodoseru - Google Patents
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- JPH0245806B2 JPH0245806B2 JP11199282A JP11199282A JPH0245806B2 JP H0245806 B2 JPH0245806 B2 JP H0245806B2 JP 11199282 A JP11199282 A JP 11199282A JP 11199282 A JP11199282 A JP 11199282A JP H0245806 B2 JPH0245806 B2 JP H0245806B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2206—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports
- G01L1/2243—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports the supports being parallelogram-shaped
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、たとえば電子秤等に用いられるロ
ードセルに関するものである。
ードセルに関するものである。
従来、ビームに四つのストレンゲージをブリツ
ジ回路として接続しつつ接着したロードセルが存
するが、接着層の厚を一定に保つことが難しく、
ストレンゲージとビームとの間に生ずる静電容量
の分布のバランスをとることができない。したが
つて、ブリツジ回路に駆動電源として交流電源を
印加したときに荷重に対して出力が正確に比例す
ることが難しく直線性が悪い。
ジ回路として接続しつつ接着したロードセルが存
するが、接着層の厚を一定に保つことが難しく、
ストレンゲージとビームとの間に生ずる静電容量
の分布のバランスをとることができない。したが
つて、ブリツジ回路に駆動電源として交流電源を
印加したときに荷重に対して出力が正確に比例す
ることが難しく直線性が悪い。
最近は、ビームの表面にストレンゲージや調整
用の諸抵抗をブリツジ回路として接続しつつ薄膜
法によりパターン化しつつ形成しているが、前述
したように静電容量の分布にバラツキがあり、直
線性が悪い点については解決されていない。
用の諸抵抗をブリツジ回路として接続しつつ薄膜
法によりパターン化しつつ形成しているが、前述
したように静電容量の分布にバラツキがあり、直
線性が悪い点については解決されていない。
この発明は上述のような点に鑑みなされたもの
で、ビームとビーム上のパターンとの間に生ずる
静電容量の分布のバランスを保ち精緻な計量を行
ないうるロードセルをうることを目的とするもの
である。
で、ビームとビーム上のパターンとの間に生ずる
静電容量の分布のバランスを保ち精緻な計量を行
ないうるロードセルをうることを目的とするもの
である。
この発明は、ビームの一面に形成された絶縁層
の表面に、四つのストレンゲージと、これらのス
トレンゲージをブリツジ回路として接続するリー
ド電極と、ブリツジ回路の入力側の一極にリード
電極を介して接続されるスパン温度補償抵抗及び
ブリツジ回路の入力側の他極にリード電極を介し
て接続されるスパン調整抵抗とを薄膜法によりパ
ターンをもつて形成し、このパターンとビームと
の間に生ずる静電容量の分布のバランスをパター
ンの面積を設定することによつて維持し、したが
つて、荷重に対する出力特性を直線に近ずけて精
緻な計量を行ないうるように構成したものであ
る。
の表面に、四つのストレンゲージと、これらのス
トレンゲージをブリツジ回路として接続するリー
ド電極と、ブリツジ回路の入力側の一極にリード
電極を介して接続されるスパン温度補償抵抗及び
ブリツジ回路の入力側の他極にリード電極を介し
て接続されるスパン調整抵抗とを薄膜法によりパ
ターンをもつて形成し、このパターンとビームと
の間に生ずる静電容量の分布のバランスをパター
ンの面積を設定することによつて維持し、したが
つて、荷重に対する出力特性を直線に近ずけて精
緻な計量を行ないうるように構成したものであ
る。
この発明の一実施例を図面に基いて説明する。
１はSUS630等によるビームで、このビーム１に
は側面に孔２を形成することにより薄肉の起歪部
３，４が形成され、上面には樹脂による絶縁層５
が形成されている。さらに、ビーム１の一端には
ロードセル秤のベースの取付部に片持状態で取付
けられる取付孔６が形成され、他端には載せ皿が
取付けられる取付孔７が形成されている。
１はSUS630等によるビームで、このビーム１に
は側面に孔２を形成することにより薄肉の起歪部
３，４が形成され、上面には樹脂による絶縁層５
が形成されている。さらに、ビーム１の一端には
ロードセル秤のベースの取付部に片持状態で取付
けられる取付孔６が形成され、他端には載せ皿が
取付けられる取付孔７が形成されている。
しかして、絶縁層５の表面には、たとえばニツ
ケルクローム層と抵抗の小さい金箔層とを順次蒸
着法やスパツタリング法等の薄膜法により形成し
た後金箔層を選択エツチングすることにより、外
部回路に接続される金箔層による接続端子VE +，
VE -，VO +，VO -とリード電極８とが形成され、
さらに、金箔層をエツチングして下層のニツケル
クロム層を露出することにより四つのストレンゲ
ージR1，R2，R3，R4と二つのブリツジバランス
補正抵抗r02，r03とスパン温度補償抵抗RSとスパ
ン調整抵抗RXとが形成されている。ストレンゲ
ージR1，R2，R3，R4とブリツジバランス補正抵
抗r02，r03とはリード電極８によりブリツジ回路
９として接続され、ブリツジ回路９の入力側の一
極の接続点イはスパン温度補償抵抗RSを介して
接続端子VE +に接続され、ブリツジ回路９の入力
側の他極の接続点ロはスパン調整抵抗RXを介し
て接続端子VE -に接続されている。ブリツジ回路
９の出力側の接続点ハ，ニはそれぞれ接続端子
VO +，VO -に接続されている。スパン温度補償抵
抗RSとスパン調整抵抗RXとブリツジバランス補
正抵抗r02，r03とは、一部をトリミングして長さ
を変えて抵抗値を調整する一種の可変抵抗であ
る。
ケルクローム層と抵抗の小さい金箔層とを順次蒸
着法やスパツタリング法等の薄膜法により形成し
た後金箔層を選択エツチングすることにより、外
部回路に接続される金箔層による接続端子VE +，
VE -，VO +，VO -とリード電極８とが形成され、
さらに、金箔層をエツチングして下層のニツケル
クロム層を露出することにより四つのストレンゲ
ージR1，R2，R3，R4と二つのブリツジバランス
補正抵抗r02，r03とスパン温度補償抵抗RSとスパ
ン調整抵抗RXとが形成されている。ストレンゲ
ージR1，R2，R3，R4とブリツジバランス補正抵
抗r02，r03とはリード電極８によりブリツジ回路
９として接続され、ブリツジ回路９の入力側の一
極の接続点イはスパン温度補償抵抗RSを介して
接続端子VE +に接続され、ブリツジ回路９の入力
側の他極の接続点ロはスパン調整抵抗RXを介し
て接続端子VE -に接続されている。ブリツジ回路
９の出力側の接続点ハ，ニはそれぞれ接続端子
VO +，VO -に接続されている。スパン温度補償抵
抗RSとスパン調整抵抗RXとブリツジバランス補
正抵抗r02，r03とは、一部をトリミングして長さ
を変えて抵抗値を調整する一種の可変抵抗であ
る。
計量に際しては接続端子VE +，VE -を交流電源
に接続し、取付孔７に連結された載せ皿に品物を
置くと、ビーム１は一方の起歪部３が引張られ他
方の起歪部４が圧縮される状態でわずかに変形
し、起歪部３上のストレンゲージR1，R2の抵抗
値は（Ｒ＋ΔR）、起歪部４上のストレンゲージ
R3，R4の抵抗値は（Ｒ−ΔR）と変化する。した
がつて、ブリツジ回路９の出力vpは荷重に比例す
る値を示し、この電気信号に変換された出力を外
部回路により処理することによつて計量値が示さ
れる。
に接続し、取付孔７に連結された載せ皿に品物を
置くと、ビーム１は一方の起歪部３が引張られ他
方の起歪部４が圧縮される状態でわずかに変形
し、起歪部３上のストレンゲージR1，R2の抵抗
値は（Ｒ＋ΔR）、起歪部４上のストレンゲージ
R3，R4の抵抗値は（Ｒ−ΔR）と変化する。した
がつて、ブリツジ回路９の出力vpは荷重に比例す
る値を示し、この電気信号に変換された出力を外
部回路により処理することによつて計量値が示さ
れる。
しかし、交流電源駆動の場合にはビーム１と絶
縁層５上のパターンとの間に生ずる静電容量の分
布のバランスが保たれていないと計量誤差を生ず
る。すなわち、第４図にビーム１とパターンの各
部との間に生ずる静電容量の分布を示すが、分布
のバランスはパターンの面積に左右される。ブリ
ツジ回路９は接続点ハ，ニを境としてスパン温度
補償抵抗RSに接続される半分のパターンとスパ
ン調整抵抗RXに接続される半分のパターンとに
二分される。また、接続点イ，ロ，ハ，ニの点で
分けることにより四つに分けられる。ストレンゲ
ージR1を含む一つの領域のパターンの静電容量
はストレンゲージR1の部分とその両端に接続さ
れたリード電極８の部分とを含む（C11＋C12＋
C13）である。同様に、ストレンゲージR2を含む
第二の領域のパターンの静電容量は（C21＋C22＋
C23）、ストレンゲージR3を含む第三の領域のパ
ターンの静電容量は（C31＋C32＋C33）、ストレン
ゲージR4を含む第四の領域のパターンの静電容
量は（C41＋C42＋C43）、スパン温度補償抵抗RSを
含む領域のパターンの静電容量はC5、スパン調
整抵抗RXを含む領域のパターンの静電容量はC6、
接続点ハから接続端子VO +に至るリード電極８の
領域のパターンの静電容量はC7、接続点ニから
接続端子VO -に至るリード電極８の領域のパター
ンの静電容量はC8である。それぞれの領域区分
は第４図に仮想線をもつて示しておく。
縁層５上のパターンとの間に生ずる静電容量の分
布のバランスが保たれていないと計量誤差を生ず
る。すなわち、第４図にビーム１とパターンの各
部との間に生ずる静電容量の分布を示すが、分布
のバランスはパターンの面積に左右される。ブリ
ツジ回路９は接続点ハ，ニを境としてスパン温度
補償抵抗RSに接続される半分のパターンとスパ
ン調整抵抗RXに接続される半分のパターンとに
二分される。また、接続点イ，ロ，ハ，ニの点で
分けることにより四つに分けられる。ストレンゲ
ージR1を含む一つの領域のパターンの静電容量
はストレンゲージR1の部分とその両端に接続さ
れたリード電極８の部分とを含む（C11＋C12＋
C13）である。同様に、ストレンゲージR2を含む
第二の領域のパターンの静電容量は（C21＋C22＋
C23）、ストレンゲージR3を含む第三の領域のパ
ターンの静電容量は（C31＋C32＋C33）、ストレン
ゲージR4を含む第四の領域のパターンの静電容
量は（C41＋C42＋C43）、スパン温度補償抵抗RSを
含む領域のパターンの静電容量はC5、スパン調
整抵抗RXを含む領域のパターンの静電容量はC6、
接続点ハから接続端子VO +に至るリード電極８の
領域のパターンの静電容量はC7、接続点ニから
接続端子VO -に至るリード電極８の領域のパター
ンの静電容量はC8である。それぞれの領域区分
は第４図に仮想線をもつて示しておく。
第５図はビーム１及び接続端子VO -を接地して
使用する場合の等価回路である。ここで、ブリツ
ジバランス補正抵抗r02，r03、スパン温度補償抵
抗RSスパン調整抵抗RXの電位勾配を無視すれば、
第４図に示した各領域のパターンの静電容量と第
５図に等価回路として示したC′1、C′2、C0との関
係は近似的に次の式で表わされる。
使用する場合の等価回路である。ここで、ブリツ
ジバランス補正抵抗r02，r03、スパン温度補償抵
抗RSスパン調整抵抗RXの電位勾配を無視すれば、
第４図に示した各領域のパターンの静電容量と第
５図に等価回路として示したC′1、C′2、C0との関
係は近似的に次の式で表わされる。
C′1＝C5＋C41＋C11＋C42／２＋C12／２………
C′3＝C6＋C21＋C31＋C22／２＋C32／２………
C0＝C7＋C43＋C23
第４図に示したC8、C13、C33の静電容量はビー
ム１及び接続端子VO -を接地すると云う条件から
等価回路では無視しうる。また、四つのストレン
ゲージR1，R2，R3，R4も基本的に同一のパター
ンであるから、 C12／２＝C22／２＝C32／２＝C42／２ と云う関係式が成立する。
ム１及び接続端子VO -を接地すると云う条件から
等価回路では無視しうる。また、四つのストレン
ゲージR1，R2，R3，R4も基本的に同一のパター
ンであるから、 C12／２＝C22／２＝C32／２＝C42／２ と云う関係式が成立する。
（仮定１） 出力側の静電容量C0は計算上無視
する。
する。
（仮定２） ブリツジバランス補正抵抗r02，r03
は計算上無視する。
は計算上無視する。
（仮定３） ブリツジバランス（ゼロバランス）
状態の時のストレンゲージR1，R2，R3，R4の
抵抗値はそれぞれ等しくＲとして示し、荷重時
の抵抗値の変化をテンシヨン側では（R1＝R2
＝Ｒ＋ΔR）コンプレツシヨン側では（R3＝R4
＝Ｒ−ΔR）として示す。
状態の時のストレンゲージR1，R2，R3，R4の
抵抗値はそれぞれ等しくＲとして示し、荷重時
の抵抗値の変化をテンシヨン側では（R1＝R2
＝Ｒ＋ΔR）コンプレツシヨン側では（R3＝R4
＝Ｒ−ΔR）として示す。
以上の仮定を設けてブリツジ回路９の出力を計
算すると、 式にR1＝R2＝Ｒ＋ΔR、R3＝R4＝Ｒ−ΔRを
代入し、ΔR／Ｒ＝ｘと置き換えて整理すると、 vp＝〔ｘ＋ω2R2（C′1＋C′3）（C′3−C′1）（１−x
2）2／２｛４＋ω2R2（C′＋C′3）2（１−x2）2｝−ω
2R2（C′1＋C3）2x（１−x2）2／２｛４＋ω2R2（C′1
＋C′3）2（１−x2）2｝ ＋ｊ｛ωR（C′3−C′1）（１−x2）／４＋ω2R2（C
′1＋C′3）2（１−x2）2−ωR（C′1＋C′3）ｘ（１−
x2）／４＋ω2R2（C′1＋C′3）2（１−x2）2｝〕v′e
……… 式において、C′1＝C′3＝Ｏとおけば vp＝ｘ ve′＝ΔR／Ｒv′e となる。したがつて、式において、 第１項のｘはストレンゲージの抵抗変化率であ
り荷重に比例する。
算すると、 式にR1＝R2＝Ｒ＋ΔR、R3＝R4＝Ｒ−ΔRを
代入し、ΔR／Ｒ＝ｘと置き換えて整理すると、 vp＝〔ｘ＋ω2R2（C′1＋C′3）（C′3−C′1）（１−x
2）2／２｛４＋ω2R2（C′＋C′3）2（１−x2）2｝−ω
2R2（C′1＋C3）2x（１−x2）2／２｛４＋ω2R2（C′1
＋C′3）2（１−x2）2｝ ＋ｊ｛ωR（C′3−C′1）（１−x2）／４＋ω2R2（C
′1＋C′3）2（１−x2）2−ωR（C′1＋C′3）ｘ（１−
x2）／４＋ω2R2（C′1＋C′3）2（１−x2）2｝〕v′e
……… 式において、C′1＝C′3＝Ｏとおけば vp＝ｘ ve′＝ΔR／Ｒv′e となる。したがつて、式において、 第１項のｘはストレンゲージの抵抗変化率であ
り荷重に比例する。
第２項の
ω2R2（C′1＋C′3）（C′3−C′1）（１−x2）2／２｛
４＋ω2R2（C′1＋C′3）2（１−x2）2｝と、 第４項のωR（C′3−C′1）（１−x2）／４＋ω2R2（
C′1＋C′3）2（１−x2）2とは、 等価回路として示したC′1、C′3のアンバランスに
よつて発生する項である。また、 第３項のω2R2（C′1＋C′3）2x（１−x2）2／２｛４
＋ω2R2（C′1＋C′3）2（１−x2）2｝ と、 第５項のωR（C′1＋C′3）ｘ（１−x2）／４＋ω2R2
（C′1＋C′3）2（１−x2）2とは、 静電容量C′1、C′3が存在するために発生する項で
ある。
ω2R2（C′1＋C′3）（C′3−C′1）（１−x2）2／２｛
４＋ω2R2（C′1＋C′3）2（１−x2）2｝と、 第４項のωR（C′3−C′1）（１−x2）／４＋ω2R2（
C′1＋C′3）2（１−x2）2とは、 等価回路として示したC′1、C′3のアンバランスに
よつて発生する項である。また、 第３項のω2R2（C′1＋C′3）2x（１−x2）2／２｛４
＋ω2R2（C′1＋C′3）2（１−x2）2｝ と、 第５項のωR（C′1＋C′3）ｘ（１−x2）／４＋ω2R2
（C′1＋C′3）2（１−x2）2とは、 静電容量C′1、C′3が存在するために発生する項で
ある。
そして、式の〔 〕内の項はｊを含む虚数部
とｊを含まない実数部とに分けられるが、実数部
をＡ、虚数部をＢとおき、v′e＝（E′esinωt）とす
れば、 vp＝√2＋2E′esin（ωt＋）；＝tan-1Ｂ／Ａ ……… なる式が成立する。すなわち、虚数部と実数部の
比はv′eに対してなる位相角を与える。
とｊを含まない実数部とに分けられるが、実数部
をＡ、虚数部をＢとおき、v′e＝（E′esinωt）とす
れば、 vp＝√2＋2E′esin（ωt＋）；＝tan-1Ｂ／Ａ ……… なる式が成立する。すなわち、虚数部と実数部の
比はv′eに対してなる位相角を与える。
本発明はブリツジ回路９を接続点ハ，イ，ニに
わたる半分の領域のパターンと接続点ハ，ロ，ニ
にわたる半分の領域のパターンとに二分し、接続
端子VE +から接続点イに至る領域のパターンの面
積及びブリツジ回路９を二分した一方の領域のパ
ターンの面積の和と、接続端子VE -から接続点ロ
に至る領域のパターンの面積及びブリツジ回路９
を二分した他方の領域のパターンの面積の和とを
等しく定めたものである。そのために、各ストレ
ンゲージR1，R2，R3，R4の面積を一致させ、ブ
リツジバランス補正抵抗r02，r03の面積を一致さ
せ、しかもリード電極８の膜厚を大きくし太さを
細くして面積を縮少してブリツジ回路９の接続点
イ〜ニ、接続点イ〜ハ、接続点ロ〜ハ、接続点ロ
〜ニに等分した四つの領域のパターンの面積を一
致させ、さらにスパン温度補償抵抗RSとスパン
調整抵抗RXの面積を一致させたものである。
わたる半分の領域のパターンと接続点ハ，ロ，ニ
にわたる半分の領域のパターンとに二分し、接続
端子VE +から接続点イに至る領域のパターンの面
積及びブリツジ回路９を二分した一方の領域のパ
ターンの面積の和と、接続端子VE -から接続点ロ
に至る領域のパターンの面積及びブリツジ回路９
を二分した他方の領域のパターンの面積の和とを
等しく定めたものである。そのために、各ストレ
ンゲージR1，R2，R3，R4の面積を一致させ、ブ
リツジバランス補正抵抗r02，r03の面積を一致さ
せ、しかもリード電極８の膜厚を大きくし太さを
細くして面積を縮少してブリツジ回路９の接続点
イ〜ニ、接続点イ〜ハ、接続点ロ〜ハ、接続点ロ
〜ニに等分した四つの領域のパターンの面積を一
致させ、さらにスパン温度補償抵抗RSとスパン
調整抵抗RXの面積を一致させたものである。
すなわち、第４図に細分したパターンに対応し
てそれぞれの領域のパターンとビーム１との間に
生ずる静電容量を示したが、（C11＋C12＋C13）
と、（C21＋C22＋C23）と、（C31＋C32＋C33）と、
（C41＋C42＋C43）とは等しい。また、C5とC6とは
等しい。したがつて、式においてC′1及びC′3
を求めたときに（C′1＝C′3）が成立する。
てそれぞれの領域のパターンとビーム１との間に
生ずる静電容量を示したが、（C11＋C12＋C13）
と、（C21＋C22＋C23）と、（C31＋C32＋C33）と、
（C41＋C42＋C43）とは等しい。また、C5とC6とは
等しい。したがつて、式においてC′1及びC′3
を求めたときに（C′1＝C′3）が成立する。
第６図は荷重（ΔR／Ｒ）に対する出力vpの関係を
示したグラフである。荷重時テンシヨン側のスト
レンゲージR1及びR2の抵抗は（Ｒ＋ΔR）と変化
し、コンプレツシヨン側のストレンゲージR3及
びR4の抵抗は（Ｒ−ΔR）と変化するが、Ｒ＝2K
Ω、C′1＋C′3＝20pFとしたときに、C′1＝C′3＝
100pFでは荷重の変化に対して出力が直線的に変
化することが分る。C′1とC′2とがアンバランスの
ときは±５％と±20％と二通りのケースを示した
がアンバランスの量が増える程直線性が悪くな
り、小荷重程計量誤差が大きくなることがよく分
る。
レンゲージR1及びR2の抵抗は（Ｒ＋ΔR）と変化
し、コンプレツシヨン側のストレンゲージR3及
びR4の抵抗は（Ｒ−ΔR）と変化するが、Ｒ＝2K
Ω、C′1＋C′3＝20pFとしたときに、C′1＝C′3＝
100pFでは荷重の変化に対して出力が直線的に変
化することが分る。C′1とC′2とがアンバランスの
ときは±５％と±20％と二通りのケースを示した
がアンバランスの量が増える程直線性が悪くな
り、小荷重程計量誤差が大きくなることがよく分
る。
第７図は、C′1＝110pF、C′3＝90pFすなわちC′1
とC′3とのアンバランス量が±10％の場合におい
て、荷重に対する出力の変化を示したものである
が、いずれも直線性が悪い。とくにストレンゲー
ジの抵抗値が大きくなる程直線性が悪くなる。
とC′3とのアンバランス量が±10％の場合におい
て、荷重に対する出力の変化を示したものである
が、いずれも直線性が悪い。とくにストレンゲー
ジの抵抗値が大きくなる程直線性が悪くなる。
さらに、第８図は、C′1＝110pF、C′3＝90pFす
なわちC′1とC′3とのアンバランス量が±10％の場
合において、荷重に対する出力の変化を示したも
のであるが、交流駆動電圧の周波数が高くなる程
ゼロ付近の直線性が悪くなる。
なわちC′1とC′3とのアンバランス量が±10％の場
合において、荷重に対する出力の変化を示したも
のであるが、交流駆動電圧の周波数が高くなる程
ゼロ付近の直線性が悪くなる。
しかし、本発明によれば、C′1＝C′3の条件が満
されるため微小荷重においても直線性が優れ正確
な計量を行ないうる。
されるため微小荷重においても直線性が優れ正確
な計量を行ないうる。
この発明は上述のように構成したので、ビーム
とパターンとの間に静電容量が生ずるが、静電容
量の分布をバランスさせて荷重に対するブリツジ
回路の出力を直線的に変化させることができ、し
たがつて、微小荷重においても精緻な計量を行な
うことができる効果を有するものである。
とパターンとの間に静電容量が生ずるが、静電容
量の分布をバランスさせて荷重に対するブリツジ
回路の出力を直線的に変化させることができ、し
たがつて、微小荷重においても精緻な計量を行な
うことができる効果を有するものである。
図面はこの発明の一実施例を示すもので、第１
図は斜視図、第２図はビーム上のパターンを拡大
して示した平面図、第３図は電気回路図、第４図
はビーム上のパターンを領域別に分割しそれぞれ
の領域で発生する静電容量を示す分布図、第５図
は等価回路図、第６図は荷重の変化に対する出力
の変化を静電容量の分布のバランス状態毎に示し
たグラフ、第７図は荷重の変化に対する出力の変
化をストレンゲージの抵抗値毎に示したグラフ、
第８図は荷重の変化に対する出力の変化を示すグ
ラフである。 １……ビーム、３〜４……起歪部、５……絶縁
層、８……リード電極、９……ブリツジ回路、
R1〜R4……ストレンゲージ、RS……スパン温度
補償抵抗、RX……スパン調整抵抗。
図は斜視図、第２図はビーム上のパターンを拡大
して示した平面図、第３図は電気回路図、第４図
はビーム上のパターンを領域別に分割しそれぞれ
の領域で発生する静電容量を示す分布図、第５図
は等価回路図、第６図は荷重の変化に対する出力
の変化を静電容量の分布のバランス状態毎に示し
たグラフ、第７図は荷重の変化に対する出力の変
化をストレンゲージの抵抗値毎に示したグラフ、
第８図は荷重の変化に対する出力の変化を示すグ
ラフである。 １……ビーム、３〜４……起歪部、５……絶縁
層、８……リード電極、９……ブリツジ回路、
R1〜R4……ストレンゲージ、RS……スパン温度
補償抵抗、RX……スパン調整抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 起歪部が形成されたビームに絶縁層を形成
し、この絶縁層の表面に、四つのストレンゲージ
とこれらのストレンゲージをブリツジ回路として
接続するリード電極と、前記ブリツジ回路の入力
側にそれぞれ極毎にリード電極を介して接続され
るスパン温度補償抵抗及びスパン調整抵抗とを薄
膜法により所定のパターンをもつて形成し、前記
ブリツジ回路を入力側の両極の中間部において二
分し、前記ブリツジ回路の入力側の一極に至る前
記リード電極を含むスパン温度補償抵抗のパター
ンの面積及び前記ブリツジ回路を二分した一方の
領域のパターンの面積の和と、前記ブリツジ回路
の入力側の他極に至る前記リード電極を含む前記
スパン調整抵抗のパターンの面積及び前記ブリツ
ジ回路を二分した他方の領域のパターンの面積の
和とを等しく設定したことを特徴とするロードセ
ル。 ２ 起歪部が形成されたビームに絶縁層を形成
し、この絶縁層の表面に、四つのストレンゲージ
とこれらのストレンゲージをブリツジ回路として
接続するリード電極と、前記ブリツジ回路の入力
側にそれぞれ極毎にリード電極を介して接続され
るスパン温度補償抵抗及びスパン調整抵抗とを薄
膜法により所定のパターンをもつて形成し、前記
ブリツジ回路を個々に前記ストレンゲージのひと
つを含む四つの領域に等分してこれらの領域のパ
ターンの面積を等しく定めるとともに、前記ブリ
ツジ回路の入力側の一極に至るリード電極を含む
前記スパン温度補償抵抗のパターンの面積と、前
記ブリツジ回路の入力側の他極に至るリード電極
を含む前記スパン調整抵抗のパターンの面積とを
等しく定めたことを特徴とするロードセル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11199282A JPH0245806B2 (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | Roodoseru |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11199282A JPH0245806B2 (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | Roodoseru |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593218A JPS593218A (ja) | 1984-01-09 |
| JPH0245806B2 true JPH0245806B2 (ja) | 1990-10-11 |
Family
ID=14575227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11199282A Expired - Lifetime JPH0245806B2 (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | Roodoseru |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245806B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226029A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Tokyo Electric Co Ltd | ロ−ドセルの温度補正方法 |
| JPH02258061A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Osaka Gas Co Ltd | ＮＯｘ分解触媒、及び、その触媒を利用した燃焼装置 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11199282A patent/JPH0245806B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS593218A (ja) | 1984-01-09 |
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