JPH0245490A - 有機ケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
有機ケイ素化合物の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、5iHaとアルケンまたはアルキン化合物と
を触媒の存在下においてヒドロシリル化反応(付加反応
)させ、アルキルシラン類またはアルケニルシラン類を
製造する方法に関する。
を触媒の存在下においてヒドロシリル化反応(付加反応
)させ、アルキルシラン類またはアルケニルシラン類を
製造する方法に関する。
有機ケイ素化合物とは、一般にSi C結合を有する
化合物の総称であり、現在シリコーン(ポリオルガノシ
ロキサン)に代表されるように、を機ケイ素化学工業の
発展はすさまじい。有機ケイ素化合物の製造法はいくつ
か知られ、代表的なものとして以下の方法があげられる
。
化合物の総称であり、現在シリコーン(ポリオルガノシ
ロキサン)に代表されるように、を機ケイ素化学工業の
発展はすさまじい。有機ケイ素化合物の製造法はいくつ
か知られ、代表的なものとして以下の方法があげられる
。
(1) Si+RC1→RzSiCI□、R3S+C
I、 R51CIz、1HC13 (2) nRMgX + 5iC1,−+ Rn5i
CIa−、l+nMgXCI(31Na+PCI +
=Si−C14=Si−R+NaC1(4) CHs
SiHCI□+RCH=CHオ →R−CHzCHzS
i (C1h)C1z+HCI (1)は、Rocho−の直接法で、金属ケイ素とハロ
ゲン化炭化水素とから直接有機ケイ素化合物を製造する
もので、現在の有機ケイ素工業において最も重要な基幹
原料であるアルキルクロロシランを製造する方法である
。ハロゲン化炭化水素PCI としては、メチルクロラ
イドやクロルベンゼンが工業化されていて、これ以外の
ハロゲン化炭化水素は収率も低い。
I、 R51CIz、1HC13 (2) nRMgX + 5iC1,−+ Rn5i
CIa−、l+nMgXCI(31Na+PCI +
=Si−C14=Si−R+NaC1(4) CHs
SiHCI□+RCH=CHオ →R−CHzCHzS
i (C1h)C1z+HCI (1)は、Rocho−の直接法で、金属ケイ素とハロ
ゲン化炭化水素とから直接有機ケイ素化合物を製造する
もので、現在の有機ケイ素工業において最も重要な基幹
原料であるアルキルクロロシランを製造する方法である
。ハロゲン化炭化水素PCI としては、メチルクロラ
イドやクロルベンゼンが工業化されていて、これ以外の
ハロゲン化炭化水素は収率も低い。
一方、(2)はグリニヤール法、(3)は金属ナトリウ
ムによる脱塩素反応であり、任意のアルキル基を導入で
きるが、グリニヤール試薬、金属ナトリウムが高価であ
る。
ムによる脱塩素反応であり、任意のアルキル基を導入で
きるが、グリニヤール試薬、金属ナトリウムが高価であ
る。
しかして、(4)は本発明に類似する方法であるが、原
料はH3iChや直接法で副生するCHsSiHChな
どに限定される。
料はH3iChや直接法で副生するCHsSiHChな
どに限定される。
その他、(5ン、(6)はいずれも高温反応で、原料も
やC)IiSiHClx等のごく限られたものに限定さ
れる。
やC)IiSiHClx等のごく限られたものに限定さ
れる。
以上述べたように、現在の有機ケイ素工業の基礎原料は
、メチルまたはフェニルクロロシラン類が大部分であり
、これらのケイ素化合物を出発原料に用いて、種々のシ
リコーン、シランカップリング剤、シリル化剤などの機
能性物質が開発されてきた。
、メチルまたはフェニルクロロシラン類が大部分であり
、これらのケイ素化合物を出発原料に用いて、種々のシ
リコーン、シランカップリング剤、シリル化剤などの機
能性物質が開発されてきた。
しかしながら、クロロシラン類を基礎原料とする従来の
有機ケイ素工業プロセスの特徴は、概して■塩化水素の
発生を伴うなどクロル系であるためプロセス腐食が大き
いこと、■反応工程が多く複雑であること、■原料的制
約からメチル系が中心で、アルキル基の少なくとも一個
はメチル基を含むものであること、等である。
有機ケイ素工業プロセスの特徴は、概して■塩化水素の
発生を伴うなどクロル系であるためプロセス腐食が大き
いこと、■反応工程が多く複雑であること、■原料的制
約からメチル系が中心で、アルキル基の少なくとも一個
はメチル基を含むものであること、等である。
しかして、本発明は、近年、半導体産業の発展に伴い安
価に工業生産されるようになった5iHaを出発物質と
する、経済的で、機能性にすぐれた有機ケイ素化合物原
料の新しい製造法を提供するものである。
価に工業生産されるようになった5iHaを出発物質と
する、経済的で、機能性にすぐれた有機ケイ素化合物原
料の新しい製造法を提供するものである。
5iHaとアルケンまたはアルキンとのヒドロシリル化
反応(付加反応)により、アルキルシランやアルケニル
シランを合成する方法については、従来5iHaの入手
が困難で高価であったことからその研究も少なかつた。
反応(付加反応)により、アルキルシランやアルケニル
シランを合成する方法については、従来5iHaの入手
が困難で高価であったことからその研究も少なかつた。
わずかにツアイトシェリフト ヒュア ナチュールフォ
ルシュンク(Z。
ルシュンク(Z。
Naturforsch、1Jfi、444(1950
) ;同J、207(1952) ;ツァイトシュリフ
ト フユア アルケニルシラント アルゲマイネ ヘミ
−(Z、^norg。
) ;同J、207(1952) ;ツァイトシュリフ
ト フユア アルケニルシラント アルゲマイネ ヘミ
−(Z、^norg。
Allges、Chem、) 釘L275(1953)
iジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサ
イアティ(J、Am、Chem、Soc、)76.38
97(1954) ;υ、S、Pat、2786862
(1957)等に報告例が散見されるに過ぎない、これ
らの報告によれば、反応温度が400〜500℃と高(
、無触媒、熱分解反応である。
iジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサ
イアティ(J、Am、Chem、Soc、)76.38
97(1954) ;υ、S、Pat、2786862
(1957)等に報告例が散見されるに過ぎない、これ
らの報告によれば、反応温度が400〜500℃と高(
、無触媒、熱分解反応である。
かつ収率も低く、生成するシラン化合物の選択性のコン
トロールが困難であった。
トロールが困難であった。
本発明の課題は、有機ケイ素工業用原料としてS+Ha
に着目、SiLから有機ケイ素化合物を合成する工業的
ルートを提供することにある。
に着目、SiLから有機ケイ素化合物を合成する工業的
ルートを提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した
結果、Sin、とアルケンまたはアルキン化合物とをラ
ジカル触媒の存在下においてヒドロシリル化反応(付加
反応)させることによって、本発明の課題が達成される
ことを見出し、本発明を完成させるに至った。
結果、Sin、とアルケンまたはアルキン化合物とをラ
ジカル触媒の存在下においてヒドロシリル化反応(付加
反応)させることによって、本発明の課題が達成される
ことを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、Sin、と、分子内に少なくとも一個
の炭素と炭素の二重結合(C−Cff′および/または
炭素と炭素の三重結合(CミC)を有する炭化水素化合
物とを、ラジカル開始剤の存在下に、−50〜400’
Cの温度範囲でヒドロシリル化反応させることを特徴と
するケイ素−炭素結合(Si−C)を有する有機ケイ素
化合物の製造方法である。
の炭素と炭素の二重結合(C−Cff′および/または
炭素と炭素の三重結合(CミC)を有する炭化水素化合
物とを、ラジカル開始剤の存在下に、−50〜400’
Cの温度範囲でヒドロシリル化反応させることを特徴と
するケイ素−炭素結合(Si−C)を有する有機ケイ素
化合物の製造方法である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明において原料として用いられる5iHaは、近年
の半導体産業の著しい発展に伴い、半導体用ガスとして
大量生産され、最近、工業的に安価に入手できるように
なったものである。 5iHaの製造方法としては、例
えば、ケイ素のマグネシウム合金(MgzSi等)をハ
ロゲン化水素酸の水溶液と反応させる方法、四塩化ケイ
素を水素化リチウム等の還元剤で還元する方法、トリク
ロロシランの不均化反応による方法等が公知であるが、
例えば、本発明においては、この何れの方法で生産され
たものも好適に使用することが可能である。
の半導体産業の著しい発展に伴い、半導体用ガスとして
大量生産され、最近、工業的に安価に入手できるように
なったものである。 5iHaの製造方法としては、例
えば、ケイ素のマグネシウム合金(MgzSi等)をハ
ロゲン化水素酸の水溶液と反応させる方法、四塩化ケイ
素を水素化リチウム等の還元剤で還元する方法、トリク
ロロシランの不均化反応による方法等が公知であるが、
例えば、本発明においては、この何れの方法で生産され
たものも好適に使用することが可能である。
もうひとつの原料は、分子内に少なくとも一個の炭素と
炭素の二重結合(C−C)および/または炭素と炭素の
三重結合(C=C)を存する化合物、すなわちアルケン
またはアルキンであって、C0OH、−NHt、−C)
10、−CEN 、−NGO5−CH−CHz゛\1 等の官能基を有することもできる。具体例としては、C
)lzl+cHz 、CHz=C)I−CHz、CHz
=CH−CJs 。
炭素の二重結合(C−C)および/または炭素と炭素の
三重結合(C=C)を存する化合物、すなわちアルケン
またはアルキンであって、C0OH、−NHt、−C)
10、−CEN 、−NGO5−CH−CHz゛\1 等の官能基を有することもできる。具体例としては、C
)lzl+cHz 、CHz=C)I−CHz、CHz
=CH−CJs 。
CHz=C(C)Is) i 、CHzl+CII−C
H=CHz 、CL=CH−C3H?、CH3−CH=
CH−CH3、CHz=CH−CaHq 、CHz=C
H−CsHx、CHz=C=CHz 、CI(z=cH
−(C)lx)n−CH=CHz、CHz=CH−(C
Hz) 6−CH=CH2、CHz=CH−(CHz)
8−CH=CH1、CL−CI−CL−C)IヤCH
−C)1.、CH−’CH,C)l=c−CHs、CH
z;CHCl、 C)Iz=CH−CHzCI、CHz
l=CH−CHt−NHz、CHz!+CHCHzNH
CHよC)I!NH,、CHgeCHCJC)IzSH
,CHz=CHCHJHCONHz、CHICHCHJ
COl υ CHz=CH−(CHz) z−C)10 、C)I=
CL などがあげられる。勿論これらは2種類以上同時に用い
ることもできる。
H=CHz 、CL=CH−C3H?、CH3−CH=
CH−CH3、CHz=CH−CaHq 、CHz=C
H−CsHx、CHz=C=CHz 、CI(z=cH
−(C)lx)n−CH=CHz、CHz=CH−(C
Hz) 6−CH=CH2、CHz=CH−(CHz)
8−CH=CH1、CL−CI−CL−C)IヤCH
−C)1.、CH−’CH,C)l=c−CHs、CH
z;CHCl、 C)Iz=CH−CHzCI、CHz
l=CH−CHt−NHz、CHz!+CHCHzNH
CHよC)I!NH,、CHgeCHCJC)IzSH
,CHz=CHCHJHCONHz、CHICHCHJ
COl υ CHz=CH−(CHz) z−C)10 、C)I=
CL などがあげられる。勿論これらは2種類以上同時に用い
ることもできる。
本発明において用いられるラジカル開始剤とは、クメン
パーオキサイド、シクロヘキサンパーオキサイド、メチ
ルエチルケトンパーオキサイド、ジt−ブチルペルオキ
シド、ジクミルペルオキシド、t−ブチルヒドロペルオ
キシド、クメンヒドロペルオキシドなど、過酸化ベンゾ
イル、過酸化ラウロイル、次亜硝酸L−ブチル、アブビ
スイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリ
ル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、過硫酸ア
ンモン、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩、過酸化水素−
鉄(II)塩、過硫酸塩−亜硫酸水素ナトリウム、クメ
ンヒドロペルオキシド−鉄(II)塩、i15酸化ベン
ゾイル−ジメチルアニリンなど、ジイソプロピルペルオ
キシジカルポナート、ジシクロヘキシルペルオキシジカ
ルボナートなど、過酸化物(過酸化水素、ヒドロペルオ
キシドなど)−金属アルキル(トリエチルアルミニウム
、トリエチルホウ素、ジエチル亜鉛)、酸素−金属アル
キル、過酸化t−ジブチル、過酸化アセチル、アゾビス
シクロヘキサンカルボニトリル、アゾビスイソ酪酸メチ
ル、アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩、アゾビスシア
ノ吉草酸などである。
パーオキサイド、シクロヘキサンパーオキサイド、メチ
ルエチルケトンパーオキサイド、ジt−ブチルペルオキ
シド、ジクミルペルオキシド、t−ブチルヒドロペルオ
キシド、クメンヒドロペルオキシドなど、過酸化ベンゾ
イル、過酸化ラウロイル、次亜硝酸L−ブチル、アブビ
スイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリ
ル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、過硫酸ア
ンモン、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩、過酸化水素−
鉄(II)塩、過硫酸塩−亜硫酸水素ナトリウム、クメ
ンヒドロペルオキシド−鉄(II)塩、i15酸化ベン
ゾイル−ジメチルアニリンなど、ジイソプロピルペルオ
キシジカルポナート、ジシクロヘキシルペルオキシジカ
ルボナートなど、過酸化物(過酸化水素、ヒドロペルオ
キシドなど)−金属アルキル(トリエチルアルミニウム
、トリエチルホウ素、ジエチル亜鉛)、酸素−金属アル
キル、過酸化t−ジブチル、過酸化アセチル、アゾビス
シクロヘキサンカルボニトリル、アゾビスイソ酪酸メチ
ル、アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩、アゾビスシア
ノ吉草酸などである。
また、この場合更に助触媒(促進剤)としてジメチルア
ニリン、COまたはMnnラフートなどを、賦活剤(還
元剤)として重亜硫酸ソーダ、チオ硫酸ソーダ、メルカ
プタン、第一鉄塩Fe″9、第一銅塩Cu”などを用い
ることができる。
ニリン、COまたはMnnラフートなどを、賦活剤(還
元剤)として重亜硫酸ソーダ、チオ硫酸ソーダ、メルカ
プタン、第一鉄塩Fe″9、第一銅塩Cu”などを用い
ることができる。
また、反応速度のコントロールには反応抑制剤としてメ
ルカプタン類、芳香族ニトロ化合物などを同時に用いる
ことができる。
ルカプタン類、芳香族ニトロ化合物などを同時に用いる
ことができる。
本発明は、5rHaと上述の炭化水素とを上記の如き触
媒の存在下に一50〜400℃で反応させるものであり
、目的とする反応温度に適したラジカル開始剤を使用す
る。
媒の存在下に一50〜400℃で反応させるものであり
、目的とする反応温度に適したラジカル開始剤を使用す
る。
該反応は、ラジカル開始剤を使用することを除くと特に
制限はなく、気相、液相のいずれでも、またバッチ、流
通のいずれでも行い得る。
制限はなく、気相、液相のいずれでも、またバッチ、流
通のいずれでも行い得る。
反応温度は一50〜400″Cで、好ましくは50〜2
00″Cの範囲であり、遷移金属またはその化合物の触
媒を併用することもできる。
00″Cの範囲であり、遷移金属またはその化合物の触
媒を併用することもできる。
反応方法の具体例をあげると、例えば気相で行う場合に
は、5insとガス状アルケン、アルキン等の炭化水素
化合物をラジカル開始剤に導入し反応させる方法、5i
Haとガス状の炭化水素化合物およびガス状のラジカル
開始剤を反応管に導入し反応させる方法、液相で行う場
合には、ラジカル開始剤を含む液状の炭化水素化合物に
5iHaを吹き込むなどの方法が採用でき、後者の場合
には、ベンゼン、ヘプタン、ヘキサン、トルエンなどの
5iHnまたはアルケン、アルキン化合物と反応しない
有機化合物を溶媒に用いることができる0反応圧力には
特に制限はないが、平衡上高圧であることが望ましく、
また水素、アルゴン、窒素、ヘリウムなどのガス共存下
で行うこともできる。
は、5insとガス状アルケン、アルキン等の炭化水素
化合物をラジカル開始剤に導入し反応させる方法、5i
Haとガス状の炭化水素化合物およびガス状のラジカル
開始剤を反応管に導入し反応させる方法、液相で行う場
合には、ラジカル開始剤を含む液状の炭化水素化合物に
5iHaを吹き込むなどの方法が採用でき、後者の場合
には、ベンゼン、ヘプタン、ヘキサン、トルエンなどの
5iHnまたはアルケン、アルキン化合物と反応しない
有機化合物を溶媒に用いることができる0反応圧力には
特に制限はないが、平衡上高圧であることが望ましく、
また水素、アルゴン、窒素、ヘリウムなどのガス共存下
で行うこともできる。
本発明における反応式は、例えば一般に下式のように示
される。
される。
5iHa +nCHx−CH−R→(R−CH2−CH
l)* 5IHa−++5i)In +nC)I=C−
R−(R−CH=CH) 、 5iH4−。
l)* 5IHa−++5i)In +nC)I=C−
R−(R−CH=CH) 、 5iH4−。
nは反応温度、反応圧力、反応時間、ラジカル開始剤の
種類、SiHmと炭化水素との仕込みモル比などの反応
条件によって任意にコントロールすることができる。
種類、SiHmと炭化水素との仕込みモル比などの反応
条件によって任意にコントロールすることができる。
反応温度は上記したごと<−50〜400’C1反応圧
力は反応の平衡上、高圧であることが望ましいが、通常
O〜1000気圧、好ましくはO〜100気圧である。
力は反応の平衡上、高圧であることが望ましいが、通常
O〜1000気圧、好ましくはO〜100気圧である。
また仕込みモル比は目的とする生成物の種類により、任
意に変更することが可能であり、特に臨界的に制限する
ものではないが、通常、モル比(不飽和炭化水素/ S
iH4)・0.O1〜100の範囲である。また反応
時間には特に制限がないが、数分〜数十時間の範囲で任
意に選択することが可能である。
意に変更することが可能であり、特に臨界的に制限する
ものではないが、通常、モル比(不飽和炭化水素/ S
iH4)・0.O1〜100の範囲である。また反応
時間には特に制限がないが、数分〜数十時間の範囲で任
意に選択することが可能である。
以上のごとくして得られたアルキルシランやアルケニル
シランは反応性に富む5i−H結合を含有しでおり、こ
の反応性を利用することでシリコーン、シランカップリ
ング剤、シリル化剤、ポリマー用モノマーなどとしての
用途が期待でき、機能性材料の開発に大きく貢献できる
新規な有機ケイ素化合物である。
シランは反応性に富む5i−H結合を含有しでおり、こ
の反応性を利用することでシリコーン、シランカップリ
ング剤、シリル化剤、ポリマー用モノマーなどとしての
用途が期待でき、機能性材料の開発に大きく貢献できる
新規な有機ケイ素化合物である。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例1
5(ldのオートクレーブに、5iHaを7Q+s+m
ol、1−ヘキセンを42mmol、アゾビスイソブチ
ロニトリルを0.5wmol仕込み、120℃にて3時
間反応させた。
ol、1−ヘキセンを42mmol、アゾビスイソブチ
ロニトリルを0.5wmol仕込み、120℃にて3時
間反応させた。
反応中の圧力は約40Kg/cii Gであった0反応
終了後、反応液をベンゼン78液としてガスクロマトグ
ラフで分析した。
終了後、反応液をベンゼン78液としてガスクロマトグ
ラフで分析した。
生成物はCHz−(CHz)s−SiHs 7.51o
l (Siベースでの収率10.7mo1%)、 rCH3−(CHz)s−) zsilh 2.O
mmol (Siベースでの収率2.9鋼01%)で、 その他微量の生成物が認められた。
l (Siベースでの収率10.7mo1%)、 rCH3−(CHz)s−) zsilh 2.O
mmol (Siベースでの収率2.9鋼01%)で、 その他微量の生成物が認められた。
実施例2
実施例1において、1−ヘキセンのかわりに1゜5−ヘ
キサジエンを4211111olを用いた以外は実施例
1と同様に実験を行った。
キサジエンを4211111olを用いた以外は実施例
1と同様に実験を行った。
生成物は1z=cH−(CHz)a−SiHz 2.
8mmol (Siベースでの収率4.Omo1%)で
、 その他微量の生成物が認められた。
8mmol (Siベースでの収率4.Omo1%)で
、 その他微量の生成物が認められた。
実施例3
実施例1において、1−ヘキセンのかわりにノルボルナ
ジェン42mmol、アゾビスイソブチロニトリルのか
わりに過酸化ベンゾイルを9.5+mmol仕込んだ以
外は実施例1と同様に実験を行った。
ジェン42mmol、アゾビスイソブチロニトリルのか
わりに過酸化ベンゾイルを9.5+mmol仕込んだ以
外は実施例1と同様に実験を行った。
実施例4
実施例1において、1−ヘキセンのかわりにジビニルベ
ンゼンを42mmol、アゾビスイソブチロニトリルの
かわりにアゾビスイソ酪酸メチル0.5mmo l仕込
んだ以外は、実施例1と同様に実験を行った。
ンゼンを42mmol、アゾビスイソブチロニトリルの
かわりにアゾビスイソ酪酸メチル0.5mmo l仕込
んだ以外は、実施例1と同様に実験を行った。
(Siベースでの収率3.7mmo1%)得た。
実施例5
250℃に設定した内径20a+11.長さ1000a
+mの反応管に5i)In (アルゴンによる希釈ガス
、濃度20vo1%)を1 、5111/la 4 n
、アセチレン(アルゴンによる希釈ガス、濃度20v
o1%)を1 、5 ad! / m i n 。
+mの反応管に5i)In (アルゴンによる希釈ガス
、濃度20vo1%)を1 、5111/la 4 n
、アセチレン(アルゴンによる希釈ガス、濃度20v
o1%)を1 、5 ad! / m i n 。
ジ−t−ブチルペルオキシド(アルゴンによる希釈ガス
)を0,08aii!/ll1nを一定速度で吹き込み
、常圧にて気相流通反応を行った。
)を0,08aii!/ll1nを一定速度で吹き込み
、常圧にて気相流通反応を行った。
生成ガスをガスクロマトグラフで分析したところ、主生
成物はCHz=CH−SiH3で、その生成割合は0.
15m1Ilol/sin (Siベースでの収率1
0s+o1%)であった。
成物はCHz=CH−SiH3で、その生成割合は0.
15m1Ilol/sin (Siベースでの収率1
0s+o1%)であった。
本発明は、近年の半導体産業の発展に伴い大量生産され
、安価に入手できるようになった5rHaを出発原料に
用い、新たな有機ケイ素工業用原料として期待されるア
ルキルシラン類、またはアルケニルシラン類の経済的で
新規な合成ルートを提供するものである。本発明にかか
わるシラン類は、従来のフルキルクロロシラン系の基礎
原料に好適に代替え可能なものであり、5i−H結合の
高い反応性に起因して高機能性の付与が可能であり、ま
た非クロル系で腐食の心配がないほど多くの利点を有す
る有機ケイ素工業プロセスの開発を実現させるものであ
る。
、安価に入手できるようになった5rHaを出発原料に
用い、新たな有機ケイ素工業用原料として期待されるア
ルキルシラン類、またはアルケニルシラン類の経済的で
新規な合成ルートを提供するものである。本発明にかか
わるシラン類は、従来のフルキルクロロシラン系の基礎
原料に好適に代替え可能なものであり、5i−H結合の
高い反応性に起因して高機能性の付与が可能であり、ま
た非クロル系で腐食の心配がないほど多くの利点を有す
る有機ケイ素工業プロセスの開発を実現させるものであ
る。
Claims (2)
- (1)SiH_4と、分子内に少なくとも一個の炭素と
炭素の二重結合(C=C)および/または炭素と炭素の
三重結合(C≡C)を有する炭化水素化合物とを、ラジ
カル開始剤の存在下に、−50〜400℃の温度範囲で
ヒドロシリル化反応させることを特徴とするケイ素−炭
素結合(Si−C)を有する有機ケイ素化合物の製造方
法。 - (2)有機ケイ素化合物が一般式R_nSiH_4_−
_n(ただしRは炭化水素基で、nは1、2、3または
4を表す)で表されるアルキルシラン類またはアルケニ
ルシラン類である請求項1に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19337788A JP2625513B2 (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19337788A JP2625513B2 (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0245490A true JPH0245490A (ja) | 1990-02-15 |
JP2625513B2 JP2625513B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=16306908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19337788A Expired - Lifetime JP2625513B2 (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2625513B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996025418A1 (en) * | 1995-02-17 | 1996-08-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Hydrosilylation of unsaturated compounds |
WO1996025419A1 (en) * | 1995-02-17 | 1996-08-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | A method for manufacturing organosilanes |
US5640854A (en) * | 1995-06-07 | 1997-06-24 | Copeland Corporation | Scroll machine having liquid injection controlled by internal valve |
KR20200043531A (ko) * | 2017-09-19 | 2020-04-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 산화규소 상의 유전체의 선택적 증착을 위한 방법들 |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP19337788A patent/JP2625513B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996025418A1 (en) * | 1995-02-17 | 1996-08-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Hydrosilylation of unsaturated compounds |
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JP2020534683A (ja) * | 2017-09-19 | 2020-11-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 酸化ケイ素上における誘電体の選択的堆積のための方法 |
US11371136B2 (en) | 2017-09-19 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Methods for selective deposition of dielectric on silicon oxide |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2625513B2 (ja) | 1997-07-02 |
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