JPH02311484A - 有機ケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
有機ケイ素化合物の製造方法Info
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- JPH02311484A JPH02311484A JP13006689A JP13006689A JPH02311484A JP H02311484 A JPH02311484 A JP H02311484A JP 13006689 A JP13006689 A JP 13006689A JP 13006689 A JP13006689 A JP 13006689A JP H02311484 A JPH02311484 A JP H02311484A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、一般式Si、1lx−t (但し、nはl、
2または3)で表されるシラン化合物と不飽和炭化水素
とから、一般式R”SiR’+aCI3−+a−mll
b(但し、mは0.lまたは2、には1または2、R1
は水素、アルキル基、アルケニル基、フェニル基、ナフ
チル基、アルコキシ基、アセチル基、アシル基、アルキ
ルアミノ基またはジアルキルアミノ基、1はアルキル基
またはアルケニル基)で表わされる有機ケイ素化合物を
製造する方法に関する。
2または3)で表されるシラン化合物と不飽和炭化水素
とから、一般式R”SiR’+aCI3−+a−mll
b(但し、mは0.lまたは2、には1または2、R1
は水素、アルキル基、アルケニル基、フェニル基、ナフ
チル基、アルコキシ基、アセチル基、アシル基、アルキ
ルアミノ基またはジアルキルアミノ基、1はアルキル基
またはアルケニル基)で表わされる有機ケイ素化合物を
製造する方法に関する。
従来の技術
従来、有機ケイ素工業において、LE[原料として用い
られてきたものは、金属ケイ素とCIhCl、ΦC1(
Φはフェニル基、以下同じ)またはHCI との反応(
例えばRocho−の直接法)によって得られたクロロ
シラン類((CHi)zsich 、 C)13sic
I3、(CHs)isicl、 Co)si)Icl、
、(CHs)tsixclm、(CHz)4SiC1
g 、Φz S t Cl t sΦ5iCI3 、Φ
5sicl 。
られてきたものは、金属ケイ素とCIhCl、ΦC1(
Φはフェニル基、以下同じ)またはHCI との反応(
例えばRocho−の直接法)によって得られたクロロ
シラン類((CHi)zsich 、 C)13sic
I3、(CHs)isicl、 Co)si)Icl、
、(CHs)tsixclm、(CHz)4SiC1
g 、Φz S t Cl t sΦ5iCI3 、Φ
5sicl 。
5iCIa 、HSiClsなど)である、このため本
発明にかかわる有機ケイ素化合物を得るにはこれらのア
ルキルクロロシラン類をLiAlH4等の高価な金属水
素化物で還元する方法が採用されてきた。このため得ら
れた有機ケイ素化合物は高価で、5i−H結合が優れた
反応性(Si−H結合は、C=C1C=CI等の種々の
官能基と反応する)を有するにもかかわらず、これら水
素化物の利用は殆ど考えられたことがなかった。一方、
本発明に用いるシラン化合物(Sil14.5iztl
i 、、 5iJJは、近年半導体産業の発展に伴い、
大量生産され安価になってきた原料である。
発明にかかわる有機ケイ素化合物を得るにはこれらのア
ルキルクロロシラン類をLiAlH4等の高価な金属水
素化物で還元する方法が採用されてきた。このため得ら
れた有機ケイ素化合物は高価で、5i−H結合が優れた
反応性(Si−H結合は、C=C1C=CI等の種々の
官能基と反応する)を有するにもかかわらず、これら水
素化物の利用は殆ど考えられたことがなかった。一方、
本発明に用いるシラン化合物(Sil14.5iztl
i 、、 5iJJは、近年半導体産業の発展に伴い、
大量生産され安価になってきた原料である。
発明が解決しようとする課題
本発明の課題は、有機ケイ素化合物の利用の可能性を考
慮し、その工業的製法を提供することである。
慮し、その工業的製法を提供することである。
5題を解決するための手段
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討した
結果、ケイ素化合物と不飽和炭化水素とを反応させ、次
いでシラン化合物を反応させることによって本発明の課
題が達成されることを見出し、本発明を完成させるに至
った。
結果、ケイ素化合物と不飽和炭化水素とを反応させ、次
いでシラン化合物を反応させることによって本発明の課
題が達成されることを見出し、本発明を完成させるに至
った。
すなわち、本発明は、
一般式H5iR’、C11−((旦し、mはO,、lま
たは2、R1は水素、アルキル基、アルケニル基、フェ
ニル基、ナフチル基、アルコキシ基、アセチル基、アシ
ル基、アルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基)で
表わされるケイ素化合物(1)と分子中に少なくとも1
個の炭素−炭素の二重結合(C=C)または三重結合(
C=C)を含む不飽和炭化水素とを付加反応させ、−m
式 R”SiR’aCIz−a (但し、R2はアルキル
基、またはアルケニル基)で表わされるケイ素化合物(
II)を合成し、しかる後に得られた該ケイ素化合物(
II)の塩素原子と一般式Si*Hz−z (但し、
nは1.2または3)で表わされるシラン化合物の水素
原子とを交換反応させることを特徴とする一般式R”S
iR’5CIi−a−J* (但し、kは1または2
)で表わされる有機ケイ素化合物の製造方法である。
たは2、R1は水素、アルキル基、アルケニル基、フェ
ニル基、ナフチル基、アルコキシ基、アセチル基、アシ
ル基、アルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基)で
表わされるケイ素化合物(1)と分子中に少なくとも1
個の炭素−炭素の二重結合(C=C)または三重結合(
C=C)を含む不飽和炭化水素とを付加反応させ、−m
式 R”SiR’aCIz−a (但し、R2はアルキル
基、またはアルケニル基)で表わされるケイ素化合物(
II)を合成し、しかる後に得られた該ケイ素化合物(
II)の塩素原子と一般式Si*Hz−z (但し、
nは1.2または3)で表わされるシラン化合物の水素
原子とを交換反応させることを特徴とする一般式R”S
iR’5CIi−a−J* (但し、kは1または2
)で表わされる有機ケイ素化合物の製造方法である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明において、原料として用いられるケイ素化合物H
5iR’aC1z−aとは、分子中に少なくとも1個の
5i−H結合と少な(とも1個のSi =CI結合を有
するもので、Illは=COOII−、−NIl、、−
011、などの官能基を含んでいても良い、具体的には
HSiCls、HlSiCIz、H,5iCI、Cl1
sSiHCh、CI(zsiHzcI 、 (CHs)
xsiHcl 、Φ5iHC1*、Φ5ill□C1、
Φzsillcl、Φ(CL)SiHCl、(CJs)
gsiHcI。
5iR’aC1z−aとは、分子中に少なくとも1個の
5i−H結合と少な(とも1個のSi =CI結合を有
するもので、Illは=COOII−、−NIl、、−
011、などの官能基を含んでいても良い、具体的には
HSiCls、HlSiCIz、H,5iCI、Cl1
sSiHCh、CI(zsiHzcI 、 (CHs)
xsiHcl 、Φ5iHC1*、Φ5ill□C1、
Φzsillcl、Φ(CL)SiHCl、(CJs)
gsiHcI。
CHs(CHz)ssillcIg 、CHs(Cll
□)ssillzcI、CHx(CL)tsiHch
、CH3(C1h)+ySillCh、CFs(CH
z)tsilCit 、として使用できる。
□)ssillzcI、CHx(CL)tsiHch
、CH3(C1h)+ySillCh、CFs(CH
z)tsilCit 、として使用できる。
これらのうち工業的に入手し易いll5iCls、H2
S1C1z 、CHsSiHClz 、Φ5illCh
が好ましい原料として用いられる。
S1C1z 、CHsSiHClz 、Φ5illCh
が好ましい原料として用いられる。
原料として用いられる不飽和炭化水素とは、分子中に少
なくとも一つの炭素−炭素の二重結合または三重結合を
含む化合物である。具体的にはCtlz=CHz、C)
1z=CII=Clls、C)It=CH’=C1b=
CL、Cl5=CトCH=CHz、CIl□=C(CH
3) t、 CHg=llH=CII=C1h 。
なくとも一つの炭素−炭素の二重結合または三重結合を
含む化合物である。具体的にはCtlz=CHz、C)
1z=CII=Clls、C)It=CH’=C1b=
CL、Cl5=CトCH=CHz、CIl□=C(CH
3) t、 CHg=llH=CII=C1h 。
CHz=CI=C00RSCHz=C(C113)CO
OR,、CHz・CHOOCClh、などで、末端に不
飽和結合を含むものが望ましい。
OR,、CHz・CHOOCClh、などで、末端に不
飽和結合を含むものが望ましい。
次に製造方法について述べる。
本発明は以下の2つの工程から成る。
(1)付加反応(ヒドロシリル化反応)例えばH5jR
’aC11−a+ctlt=cH−R’→R’=CHx
=CHx−3iR’、CI 2−(但し、R1は水素、
アルキル基、アルケニル基、フェニル基、ナフチル基、
アルコキシ基、アセチル基、アシル基、アルキルアミノ
基またはジアルキルアミノ基) (2)交換反応(不均化反応) 例えばR3=CHz=CHz−3iR’aCIi−a+
SiH4→R”=CHl=CHt−3iR’=C1s−
−−ml(m÷SiH,−ICI、 (1)の工程は、5i−H結合によるヒドロシリル化反
応であり、5i−H結合を含むケイ素化合物と炭素−炭
素二重結合または炭素−炭素三重結合を含む不飽和炭化
水素とを、例えば、加熱下で反応させる、光照射下で反
応させる、以下に示すものの存在下で反応させるなどの
方法によって行われる。
’aC11−a+ctlt=cH−R’→R’=CHx
=CHx−3iR’、CI 2−(但し、R1は水素、
アルキル基、アルケニル基、フェニル基、ナフチル基、
アルコキシ基、アセチル基、アシル基、アルキルアミノ
基またはジアルキルアミノ基) (2)交換反応(不均化反応) 例えばR3=CHz=CHz−3iR’aCIi−a+
SiH4→R”=CHl=CHt−3iR’=C1s−
−−ml(m÷SiH,−ICI、 (1)の工程は、5i−H結合によるヒドロシリル化反
応であり、5i−H結合を含むケイ素化合物と炭素−炭
素二重結合または炭素−炭素三重結合を含む不飽和炭化
水素とを、例えば、加熱下で反応させる、光照射下で反
応させる、以下に示すものの存在下で反応させるなどの
方法によって行われる。
本発明において用いられる遷移金属は、周期律表(新実
験化学講座、丸善株式会社発jテ(1977))におけ
る第1族、第VIA族、第■A族、第VA族、第rVA
族、第DIA族の金属またはこれらの金属の化合物を構
成成分に含むものである。その他にラジカル開始剤も本
発明において使用される。
験化学講座、丸善株式会社発jテ(1977))におけ
る第1族、第VIA族、第■A族、第VA族、第rVA
族、第DIA族の金属またはこれらの金属の化合物を構
成成分に含むものである。その他にラジカル開始剤も本
発明において使用される。
例えば、Fe、 Co、 Ni、 Ru、、Rh、 P
d、 Os、 Ir、PL、Cr、 MO% H、Mn
、 Tc、 Re、 Sc、 Ti、 V 、 Y 、
Zr。
d、 Os、 Ir、PL、Cr、 MO% H、Mn
、 Tc、 Re、 Sc、 Ti、 V 、 Y 、
Zr。
Nb、 HfもしくはTa ; LaやCeなどのラン
タン系列の金71. ; AcやThなどのアクチニウ
ム系列の金属;Fe(CO)5 s Cot(CO)s
、LzNi (オレフィン)(但し、φはフェニル、L
はPφ、またはPl?3 、以下、同じ) 、LJiC
lz、RuCl3、LJhCl、 L、Pd。
タン系列の金71. ; AcやThなどのアクチニウ
ム系列の金属;Fe(CO)5 s Cot(CO)s
、LzNi (オレフィン)(但し、φはフェニル、L
はPφ、またはPl?3 、以下、同じ) 、LJiC
lz、RuCl3、LJhCl、 L、Pd。
L2PdC1□、IrC1z 、LsPt。
((オレフィン)PtCh)z、
11zPtcli ・611zO1Ru(Co)z 、
RuCIz(Pφ2)2、Cr (Co) h、 Mn
z(Co)+o 、(CsHs)zTicIz、(Cs
Hs) di (CH3) t 、(Cslls) z
Ti (CIlzCJIs) 2、TiCl4、Tt
(OCdls) a、Til!□、Ti(OCmllJ
t(CIIzCOCHCOCL)z 、TiCIz 、
Ti0(CHsCOCHCOCHコ)よ、 Ti (O
CII (CHz)z)4、(CsHs) zZrch
、(CsHs) zZr(CHs) z、ZrH,、Z
rC1a、Zr (OCJ5) a、Zr (C83C
OCHCOC1+ 3) 4、(Cslls) zZr
Ht、(CsHs) zZr41cl、 (Cstb
) zVclz 、(Cslls) tv(C1lzh
−V (CHIC0C)ICOCH2) 1、 C3H
3V(CO)4 、V(Co)i、VCI、、 VO
(CI13COCHCOCHz)z、 Na(CJ+J
i)tv(Co)*、VO(:li、Ta(:IsS
Ta6% Ta(OCHs)n、S+++(OOCCH
x)s ・ XHxO,、5TaCCHxCOCII
COCIIx)x、SmCh、(CsL) ttlfc
Iz、CeCI 2、Ce(OOCCllz) z、C
e(CIIxCOCHCOC!la) x ’ xHz
o、Y(CtlzCOCHCOClh) 3、MCl1
、Y(OOCC+eHt)a、5c(OOCCIb)
3 ’ xHzo。
RuCIz(Pφ2)2、Cr (Co) h、 Mn
z(Co)+o 、(CsHs)zTicIz、(Cs
Hs) di (CH3) t 、(Cslls) z
Ti (CIlzCJIs) 2、TiCl4、Tt
(OCdls) a、Til!□、Ti(OCmllJ
t(CIIzCOCHCOCL)z 、TiCIz 、
Ti0(CHsCOCHCOCHコ)よ、 Ti (O
CII (CHz)z)4、(CsHs) zZrch
、(CsHs) zZr(CHs) z、ZrH,、Z
rC1a、Zr (OCJ5) a、Zr (C83C
OCHCOC1+ 3) 4、(Cslls) zZr
Ht、(CsHs) zZr41cl、 (Cstb
) zVclz 、(Cslls) tv(C1lzh
−V (CHIC0C)ICOCH2) 1、 C3H
3V(CO)4 、V(Co)i、VCI、、 VO
(CI13COCHCOCHz)z、 Na(CJ+J
i)tv(Co)*、VO(:li、Ta(:IsS
Ta6% Ta(OCHs)n、S+++(OOCCH
x)s ・ XHxO,、5TaCCHxCOCII
COCIIx)x、SmCh、(CsL) ttlfc
Iz、CeCI 2、Ce(OOCCllz) z、C
e(CIIxCOCHCOC!la) x ’ xHz
o、Y(CtlzCOCHCOClh) 3、MCl1
、Y(OOCC+eHt)a、5c(OOCCIb)
3 ’ xHzo。
5CC13,5c(OCII(CHs) z) !、N
bCl5、Nb(OCzlls)s、NbH,、Th
(CI13COCHCOC1ls) 4、ThC14な
どの金属鎖体;または活性炭やシリカ、アルミナなどの
金属酸化物に担持させ前記金属などが本発明において触
媒として使用できる。
bCl5、Nb(OCzlls)s、NbH,、Th
(CI13COCHCOC1ls) 4、ThC14な
どの金属鎖体;または活性炭やシリカ、アルミナなどの
金属酸化物に担持させ前記金属などが本発明において触
媒として使用できる。
クメンパーオキサイド、シクロへキサンパーオキサイド
、メチルエチルケトンパーオキサイド、ジ−t−ブチル
ペルオキシド、ジクミルペルオキシド、【−ブチルヒド
ロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシドなど、過酸
化ベンゾイル、過酸化ラウロイル、次亜硝酸【−ブチル
、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレ
ロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、
過硫酸アンモン、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩、過酸
化水素−鉄(II)塩、過硫酸塩−亜硫酸水素ナトリウ
ム、クメンヒドロペルオキシド−鉄(■)塩、過酸化ベ
ンゾイル−ジメチルアニリンなど、ジイソプロピルベル
オキシジカルボナート、ジシクロヘキシルベルオキシジ
カルポナートなど、過酸化物(過酸化水素、ヒドロペル
オキシドなど)−金属アルキル(トリエチルアルミニウ
ム、トリエチルホウ素、ジエチル亜鉛)、酸素−金属ア
ルキル、過酸化t−ジブチル、過酸化アセチル、アゾビ
スシクロヘキサンカルボニトリル、アゾビスイソ酪酸メ
チル、アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩、アブビスシ
アノ吉草酸などのラジカル開始剤が本発明において使用
できる。
、メチルエチルケトンパーオキサイド、ジ−t−ブチル
ペルオキシド、ジクミルペルオキシド、【−ブチルヒド
ロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシドなど、過酸
化ベンゾイル、過酸化ラウロイル、次亜硝酸【−ブチル
、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレ
ロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、
過硫酸アンモン、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩、過酸
化水素−鉄(II)塩、過硫酸塩−亜硫酸水素ナトリウ
ム、クメンヒドロペルオキシド−鉄(■)塩、過酸化ベ
ンゾイル−ジメチルアニリンなど、ジイソプロピルベル
オキシジカルボナート、ジシクロヘキシルベルオキシジ
カルポナートなど、過酸化物(過酸化水素、ヒドロペル
オキシドなど)−金属アルキル(トリエチルアルミニウ
ム、トリエチルホウ素、ジエチル亜鉛)、酸素−金属ア
ルキル、過酸化t−ジブチル、過酸化アセチル、アゾビ
スシクロヘキサンカルボニトリル、アゾビスイソ酪酸メ
チル、アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩、アブビスシ
アノ吉草酸などのラジカル開始剤が本発明において使用
できる。
これらは均一系または不均一系のものであり、これらは
大部分は市販されていて容易に入手可能である。もちろ
ん、これらは容易に合成することもできる0本発明にお
いては上述のもの以外の成分を同時に含むものの使用は
勿論可能である。
大部分は市販されていて容易に入手可能である。もちろ
ん、これらは容易に合成することもできる0本発明にお
いては上述のもの以外の成分を同時に含むものの使用は
勿論可能である。
反応温度は0°C〜400℃で、好ましくは50〜20
0℃の範囲である0反応は気相、液相のいずれでも行い
得る0反応圧には特に制限はなく、水素、アルゴン、窒
素、ヘリウムなどのガス共存下で行うこともできる。
0℃の範囲である0反応は気相、液相のいずれでも行い
得る0反応圧には特に制限はなく、水素、アルゴン、窒
素、ヘリウムなどのガス共存下で行うこともできる。
反応を気相で行う場合には、例えば該ケイ素化合物(1
)とガス状のアルケン、アルキル等の炭化水素化合物を
固体触媒表面上に導入し反応させる方法、液相で行う場
合には、例えば触媒を含む液状の炭化水素化合物にS
i If aを吹き込むなどの方法が採用できる。後者
の場合には、ベンゼン、ヘプタン、ヘキサン、トルエン
などの該ケイ素化合物(Nまたはアルケンもしくはアル
キン化合物と反応しない有機化合物を溶媒に用いること
ができる。 得られた反応生成物は、通常、蒸留によっ
て分離され、目的とするケイ素化合物(U)が得られる
。未反応のケイ素化合物(1)と不飽和炭化水素は分離
後循環再使用される。
)とガス状のアルケン、アルキル等の炭化水素化合物を
固体触媒表面上に導入し反応させる方法、液相で行う場
合には、例えば触媒を含む液状の炭化水素化合物にS
i If aを吹き込むなどの方法が採用できる。後者
の場合には、ベンゼン、ヘプタン、ヘキサン、トルエン
などの該ケイ素化合物(Nまたはアルケンもしくはアル
キン化合物と反応しない有機化合物を溶媒に用いること
ができる。 得られた反応生成物は、通常、蒸留によっ
て分離され、目的とするケイ素化合物(U)が得られる
。未反応のケイ素化合物(1)と不飽和炭化水素は分離
後循環再使用される。
(2)の工程は、(1)の工程で得られたケイ素化合物
(n)の塩素原子とシラン化合物の水素原子を交換する
工程である。この場合触媒を用いることが望ましく、触
媒としては、例えばトリエチルアミン、オキソアミン、
尿素、ポリビニルピロリドンなどの含チッ素化合物、陰
イオン交換樹脂、アミン化合物で処理した陽イオン交換
樹脂、MgOなどの固体塩基、シリカ−アルミナなどの
固体酸が用いられる0反応は気相、液相のいずれでも良
く、反応蒸留などの方法を採用することもできる0反応
゛温度は用いる触媒によっても異なるが、0〜300℃
、好ましくは0〜200 ’Cである。
(n)の塩素原子とシラン化合物の水素原子を交換する
工程である。この場合触媒を用いることが望ましく、触
媒としては、例えばトリエチルアミン、オキソアミン、
尿素、ポリビニルピロリドンなどの含チッ素化合物、陰
イオン交換樹脂、アミン化合物で処理した陽イオン交換
樹脂、MgOなどの固体塩基、シリカ−アルミナなどの
固体酸が用いられる0反応は気相、液相のいずれでも良
く、反応蒸留などの方法を採用することもできる0反応
゛温度は用いる触媒によっても異なるが、0〜300℃
、好ましくは0〜200 ’Cである。
得られた反応生成物は、通常、蒸留によって分離され、
目的とする有機ケイ素化合物が得られる。
目的とする有機ケイ素化合物が得られる。
未反応のケイ素化合物(■)、シラン化合物およびその
他の生成物は分離後循環再使用される。
他の生成物は分離後循環再使用される。
本発明に基づくプロセスを第1図に示す。
反応は以下の反応式に従って進行する。
(1) R’CH=CL+H5iC3→R’CIb=
CHzSiCh(2) R”CHz=CHiSiCh
◆SiH,→R3C)lx=CHzSiHi÷H5iC
I。
CHzSiCh(2) R”CHz=CHiSiCh
◆SiH,→R3C)lx=CHzSiHi÷H5iC
I。
(1) + (2) R’CHz=CHz+511
1m→R’C1h=CHzSiHz第1図において、l
はヒドロシリル化反応塔であり、得られた生成物は蒸留
塔2により分離され、未反応のR3CH,CHxとll
5iCIzは再びヒドロシリル化反応塔に供給される。
1m→R’C1h=CHzSiHz第1図において、l
はヒドロシリル化反応塔であり、得られた生成物は蒸留
塔2により分離され、未反応のR3CH,CHxとll
5iCIzは再びヒドロシリル化反応塔に供給される。
得られた
R’CHtCH2SiC1zは、5IHaとともに不均
化反応塔3に供給され、この反応生成物は蒸留塔4にて
分離される。蒸留塔4で分離された生成物のうち、HS
+C1,はヒドロシリル化反応塔lにVa環され、5i
Hn、R’CHz(jlzsicLsおよびその他の生
成物(HtstClz、HsSiCl、 R’CHzC
HzSill、CI、R’C1ftCToSiHCIg
)は再び蒸留塔3に供給される。
化反応塔3に供給され、この反応生成物は蒸留塔4にて
分離される。蒸留塔4で分離された生成物のうち、HS
+C1,はヒドロシリル化反応塔lにVa環され、5i
Hn、R’CHz(jlzsicLsおよびその他の生
成物(HtstClz、HsSiCl、 R’CHzC
HzSill、CI、R’C1ftCToSiHCIg
)は再び蒸留塔3に供給される。
このプロセスにおいて、供給される原料はR’CM=C
H,と5iHnである。特に(2)の不均化反応は平衡
反応であり、目的とする有機ケイ素化合物の平衡値が小
さい場合には不均化反応塔と蒸留塔を更に増やして該不
均化反応を行う(第2図)。
H,と5iHnである。特に(2)の不均化反応は平衡
反応であり、目的とする有機ケイ素化合物の平衡値が小
さい場合には不均化反応塔と蒸留塔を更に増やして該不
均化反応を行う(第2図)。
実施例
以下の実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例1
第2図において、原料としてCI+よ・C11,とS
i It aを用い、CIHsSi)Isの製造を試た
。
i It aを用い、CIHsSi)Isの製造を試た
。
C1l□=C)1□+HSiCl3 → Cztls
SiCIsCJ5Si)I3+5iHa → CJs
SiL +HSiC12内容積10Zのオートクレーブ
に、溶媒としてキシレンを52、触媒として塩化白金酸 PtCl1 ・6H20を約2amol挿入し、温度を
50°Cとした。塔径50III11の不均化反応塔3
および5には陰イオン交換樹脂(ローム・アンド・ハー
ス社製アンバーリス) A−21)を約400戚充填し
、温度を70°Cとした。蒸留塔2.4.6にはレッジ
リングを充填した。
SiCIsCJ5Si)I3+5iHa → CJs
SiL +HSiC12内容積10Zのオートクレーブ
に、溶媒としてキシレンを52、触媒として塩化白金酸 PtCl1 ・6H20を約2amol挿入し、温度を
50°Cとした。塔径50III11の不均化反応塔3
および5には陰イオン交換樹脂(ローム・アンド・ハー
ス社製アンバーリス) A−21)を約400戚充填し
、温度を70°Cとした。蒸留塔2.4.6にはレッジ
リングを充填した。
C11z”Clh 、SiH4の供給速度を各々1.2
//sin 。
//sin 。
1.217m:nとし、CtH5Silhを約1.1戚
/minの割合で得た。
/minの割合で得た。
実施例2
原料としてCH,・CH,のかわりにCIICHを用い
た以外は実施例1と同様にしてC1(2・Cl−5it
(ffの製造を試た。
た以外は実施例1と同様にしてC1(2・Cl−5it
(ffの製造を試た。
co=co、 SiH4の供給速度を各々1,3IIi
/I!in 。
/I!in 。
1 、3 d / m i nとし、CH2・Cll−
5iHsを約1.2af/sinの割合で得た。
5iHsを約1.2af/sinの割合で得た。
発明の効果
本発明は5i−H結合を有する有機ケイ素化合物の経済
的な工業的製造法を従供するものである。
的な工業的製造法を従供するものである。
本発明によって得られる有機ケイ素化合物は反応性にす
ぐれた5i−H結合を有し、機能性モノマーとしての利
用価値は高い。
ぐれた5i−H結合を有し、機能性モノマーとしての利
用価値は高い。
第1図は、ヒドロシリル化反応が1段、不均化反応が1
段の場合の工程図である。 第2図は、ヒドロシリル化反応が1段、不均化反応が2
段の場合の工程図である。 図において、 l ヒドロシリル化反応塔、 2 蒸留塔、 3.5 不均化反応塔、 4.6 蒸留塔、 を示す。 又、不飽和炭化水素、ケイ素化合物(■)、ケイ素化合
物(■)、シラン化合物および有機ケイ素化合物は、そ
れぞれ明細書中で定義されたものを表す。
段の場合の工程図である。 第2図は、ヒドロシリル化反応が1段、不均化反応が2
段の場合の工程図である。 図において、 l ヒドロシリル化反応塔、 2 蒸留塔、 3.5 不均化反応塔、 4.6 蒸留塔、 を示す。 又、不飽和炭化水素、ケイ素化合物(■)、ケイ素化合
物(■)、シラン化合物および有機ケイ素化合物は、そ
れぞれ明細書中で定義されたものを表す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式HSiR^1_mCl_3_−_m(但し、
mは0、1または2、R^1は水素、アルキル基、アル
ケニル基、フェニル基、ナフチル基、アルコキシ基、ア
セチル基、アシル基、アルキルアミノ基またはジアルキ
ルアミノ基)で表わされるケイ素化合物( I )と分子
中に少なくとも1個の炭素−炭素の二重結合(C=C)
または三重結合(C≡C)を含む不飽和炭化水素とを付
加反応させ、一般式 R^2SiR^1_mCl_3_−_m(但し、R^2
はアルキル基、またはアルケニル基)で表わされるケイ
素化合物(II)を合成し、しかる後に得られた該ケイ素
化合物(II)の塩素原子と一般式Si_nH_2_n_
+_2(但し、nは1、2または3)で表わされるシラ
ン化合物の水素原子とを交換反応させることを特徴とす
る一般式R^2SiR^1_mCl_3_−_m_−_
kH_k(但し、kは1または2)で表わされる有機ケ
イ素化合物の製造方法。 2 遷移金属、遷移金属の化合物およびラジカル開始剤
からなる群から選ばれたいずれか一種の存在下に該付加
反応を行う請求項1に記載の方法。 3 含チッ素化合物の存在下に該交換反応を行なう請求
項1に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13006689A JPH02311484A (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13006689A JPH02311484A (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02311484A true JPH02311484A (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15025195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13006689A Pending JPH02311484A (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02311484A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011526890A (ja) * | 2008-07-01 | 2011-10-20 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 気体状の不飽和炭化水素のハイドロシリレーションプロセス |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63151611A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ハロゲン化シラン類の製造方法 |
JPS63303807A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-12 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ハロゲン化水素化シランの製造方法 |
-
1989
- 1989-05-25 JP JP13006689A patent/JPH02311484A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63151611A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ハロゲン化シラン類の製造方法 |
JPS63303807A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-12 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ハロゲン化水素化シランの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011526890A (ja) * | 2008-07-01 | 2011-10-20 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 気体状の不飽和炭化水素のハイドロシリレーションプロセス |
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