JPH01221383A - 有機ケイ素化合物 - Google Patents
有機ケイ素化合物Info
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- JPH01221383A JPH01221383A JP4462288A JP4462288A JPH01221383A JP H01221383 A JPH01221383 A JP H01221383A JP 4462288 A JP4462288 A JP 4462288A JP 4462288 A JP4462288 A JP 4462288A JP H01221383 A JPH01221383 A JP H01221383A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
(CHl)−5inHt、14+
(ただし、mは5乃至20の正の整数、nは1.2もし
くは3)で表される有機ケイ素化合物およびその製造方
法に関する。
くは3)で表される有機ケイ素化合物およびその製造方
法に関する。
従来の技術
有機ケイ素化合物とは、一般に5i−C結合を有する化
合物の総称であり、現在シリコーン(ポリオルガノシロ
キサン)に代表されるように、有機ケイ素化学工業の発
展はすさまじい、有機ケイ素化合物の製造法はいくつか
知られ、代表的なもの七して以下の方法があげられる。
合物の総称であり、現在シリコーン(ポリオルガノシロ
キサン)に代表されるように、有機ケイ素化学工業の発
展はすさまじい、有機ケイ素化合物の製造法はいくつか
知られ、代表的なもの七して以下の方法があげられる。
(1) Si+RC1−* Rx5iC1t、Ra5i
CI、 R51C1s、R51C1s (2) nRMgX +5iC14−+ Rn5iC1
a−、+nMgXC1(3) Na+RC1+ミ5i−
CI 45t−R+NaC1(4) C)IxSt)
IC1t +RCH−CHt−4R−C8意CH*Si
(CHs)C1i(1)は、Rocho−の直接法で、
金属ケイ素とハロゲン化炭化水素とから直接有機ケイ素
化合物を製造するもので、現在の有機ケイ素工業におい
て最も重要な基幹原料であるアルキルクロロシランを製
造する方法である。ハロゲン化炭化水素RCI として
は、メチルクロライドやクロルベンゼンが工業化されて
いて、これ以外のハロゲン化炭化水素は収率も低く工業
的ではない。
CI、 R51C1s、R51C1s (2) nRMgX +5iC14−+ Rn5iC1
a−、+nMgXC1(3) Na+RC1+ミ5i−
CI 45t−R+NaC1(4) C)IxSt)
IC1t +RCH−CHt−4R−C8意CH*Si
(CHs)C1i(1)は、Rocho−の直接法で、
金属ケイ素とハロゲン化炭化水素とから直接有機ケイ素
化合物を製造するもので、現在の有機ケイ素工業におい
て最も重要な基幹原料であるアルキルクロロシランを製
造する方法である。ハロゲン化炭化水素RCI として
は、メチルクロライドやクロルベンゼンが工業化されて
いて、これ以外のハロゲン化炭化水素は収率も低く工業
的ではない。
一方、(2)はグリニヤール法、(3)は金属ナトリウ
ムによる脱塩素反応であり、任意のアルキル基を導入で
きるが、グリニヤール試薬、金属ナトリウムが高価で経
済的でない。
ムによる脱塩素反応であり、任意のアルキル基を導入で
きるが、グリニヤール試薬、金属ナトリウムが高価で経
済的でない。
しかして、(4)は本発明に類似する方法であるが、原
料はH3iC1sや直接法で副生するCHsSiHCI
□などに限定されるという大きな問題点がある。
料はH3iC1sや直接法で副生するCHsSiHCI
□などに限定されるという大きな問題点がある。
その他、(5)、(6)はいずれも高温反応で、原料も
やCHzSiHCIz等のごく限られたものに限定され
る。
やCHzSiHCIz等のごく限られたものに限定され
る。
以上述べたように現在の有機ケイ素工業の基礎原料はメ
チルもしくはフェニルクロロシラン類が大部分であり、
これらのケイ素化合物を出発原料に用いて、種々のシリ
コーン、シランカップリング剤、シリル化剤などの機能
性物質が開発されてきた。
チルもしくはフェニルクロロシラン類が大部分であり、
これらのケイ素化合物を出発原料に用いて、種々のシリ
コーン、シランカップリング剤、シリル化剤などの機能
性物質が開発されてきた。
しかしながら、クロロシラン類を基礎原料とする従来の
有機ケイ素工業プロセスの問題点は、概して■塩化水素
の発生を伴うなどクロル系であるためプロセス腐食が大
きいこと、■反応工程が多く複雑であること、■原料的
制約からメチル系が中心で、アルキル基の少なくとも一
個はメチル基を含むものであること、等である。
有機ケイ素工業プロセスの問題点は、概して■塩化水素
の発生を伴うなどクロル系であるためプロセス腐食が大
きいこと、■反応工程が多く複雑であること、■原料的
制約からメチル系が中心で、アルキル基の少なくとも一
個はメチル基を含むものであること、等である。
一方、シリル基類(−StnHz*++)を含有する化
合物は、従来トリクロロシリル基を有する化合物を還元
することで合成は可能であったが、還元剤が高価なこと
もあり、その利用が考えられることは殆どなかった。
SiH,とアルケンまたはアルキンとのヒドロシリル化
反応(付加反応)により、アルキルシランやアルケニル
シランを合成することは可能であるが、従来SiH4の
入手が困難で高価であったことからその研究も少なかっ
た。わずかにツァイトシュリフト フェア ナチュール
フォルシュンク(Z、 Naturforsch、)
、n、 444(1950) ;同、76、 207
(1952) ;ツァイトシュリフト フェア アノル
ガニッシエ ラント アルゲマイネヘミ−(Z、Ano
rg、Allgem、Chem、)273 、275(
1953) ;ジャーナル オブ アメリカン ケミ
カル ソサイアテI (J、lls、Chem、Soc
、) lfi、 3897(1954) iU、S、P
at、2786862(1957)等に報告例が散見さ
れるに過ぎない、これらの報告によれば、この反応は反
応温度が400乃至500℃と高く、無触媒、熱分解反
応であり、かつ収率も低く、生成するシラン化合物の選
択性のコントロールも不十分であった。
合物は、従来トリクロロシリル基を有する化合物を還元
することで合成は可能であったが、還元剤が高価なこと
もあり、その利用が考えられることは殆どなかった。
SiH,とアルケンまたはアルキンとのヒドロシリル化
反応(付加反応)により、アルキルシランやアルケニル
シランを合成することは可能であるが、従来SiH4の
入手が困難で高価であったことからその研究も少なかっ
た。わずかにツァイトシュリフト フェア ナチュール
フォルシュンク(Z、 Naturforsch、)
、n、 444(1950) ;同、76、 207
(1952) ;ツァイトシュリフト フェア アノル
ガニッシエ ラント アルゲマイネヘミ−(Z、Ano
rg、Allgem、Chem、)273 、275(
1953) ;ジャーナル オブ アメリカン ケミ
カル ソサイアテI (J、lls、Chem、Soc
、) lfi、 3897(1954) iU、S、P
at、2786862(1957)等に報告例が散見さ
れるに過ぎない、これらの報告によれば、この反応は反
応温度が400乃至500℃と高く、無触媒、熱分解反
応であり、かつ収率も低く、生成するシラン化合物の選
択性のコントロールも不十分であった。
SIJ&、SiJ@に関しては報告例はない。
発明が解決しようとする課題
本発明の目的は、かかる問題点のない、機能性にすぐれ
た新しい有機ケイ素化合物およびその製造法を提供する
ものである。
た新しい有機ケイ素化合物およびその製造法を提供する
ものである。
課題を解決するための手段および作用
本発明者らは、有機ケイ素工業用原料としてのSign
に着目、SiH4から有機ケイ素化合物を合成する工業
的ルートの開発に鋭意努力し、特定の原料を使用するこ
とによって本発明の目的が達成されることを見出し、本
発明を完成させるに至った。
に着目、SiH4から有機ケイ素化合物を合成する工業
的ルートの開発に鋭意努力し、特定の原料を使用するこ
とによって本発明の目的が達成されることを見出し、本
発明を完成させるに至った。
すなわち本発明は、
一最大〇〇、−C1(
暑
(CHt)、 5inHt−、+
(ただし、mは5乃至20の正の整数、nは1.2もし
くは3)で表される有機ケイ素化合物であり、更に、 一般式 CH=CHz−’(CHl)a−z−CH=C
Ht (ただし、mは5乃至20の正の整数)で表され
る不飽和炭化水素を、−最大5tJts*z (ただ
し、nは1.2もしくは3)で表される水素化ケイ素化
合物でヒドロシリル化することを特徴とする一般式%式
%) (ただし、mは5乃至20の正の整数、nは1.2もし
くは3)で表される有機ケイ素化合物の製造方法である
。
くは3)で表される有機ケイ素化合物であり、更に、 一般式 CH=CHz−’(CHl)a−z−CH=C
Ht (ただし、mは5乃至20の正の整数)で表され
る不飽和炭化水素を、−最大5tJts*z (ただ
し、nは1.2もしくは3)で表される水素化ケイ素化
合物でヒドロシリル化することを特徴とする一般式%式
%) (ただし、mは5乃至20の正の整数、nは1.2もし
くは3)で表される有機ケイ素化合物の製造方法である
。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明は、一般弐CHx=CH(CHz) m Sin
Hgn*+で示される新規な有機ケイ素化合物を提供す
るものである。具体的には、 CHz=CH−(CHz) 5siHz、CHz=CI
(−(CHz) hsiHz、CHz=CI−(CHz
) tsiHz、CH2=CH−(Ctli) asi
Hs、CHz=CH−(C1b) IosiHz、co
、=cn−(CHz) + zsiH3、CL・CI(
−(CL) r 4siHs、CH2=CH−(CL)
+ ssi!b、CH2=CH−(CHz) 5Si
Js、CHz=CH−(CL) 1sizHs、CH2
=CH−(CHz) 5Si2Hs、CH2=CH−(
CHi) xsiJt、CHz=(H−((:th)s
siJtなどである。
Hgn*+で示される新規な有機ケイ素化合物を提供す
るものである。具体的には、 CHz=CH−(CHz) 5siHz、CHz=CI
(−(CHz) hsiHz、CHz=CI−(CHz
) tsiHz、CH2=CH−(Ctli) asi
Hs、CHz=CH−(C1b) IosiHz、co
、=cn−(CHz) + zsiH3、CL・CI(
−(CL) r 4siHs、CH2=CH−(CL)
+ ssi!b、CH2=CH−(CHz) 5Si
Js、CHz=CH−(CL) 1sizHs、CH2
=CH−(CHz) 5Si2Hs、CH2=CH−(
CHi) xsiJt、CHz=(H−((:th)s
siJtなどである。
類似の化合物としては、古い過去にアリルシラン(CH
z=CH−CHz−3t)Is)のチーグラー型触媒の
重合例が見られるに過ぎない(ジャーナル オブボリマ
ー サイエンス(Journal of Polyme
rScience)、 Vol 31. k122.
181(195B)、イタリア特許606018)。
z=CH−CHz−3t)Is)のチーグラー型触媒の
重合例が見られるに過ぎない(ジャーナル オブボリマ
ー サイエンス(Journal of Polyme
rScience)、 Vol 31. k122.
181(195B)、イタリア特許606018)。
これらの化合物に含まれるシリル基類は反応性に冨み、
c=c 、c=c 、c=o、C=N、N=C=O1C
ミN、C=CI。
c=c 、c=c 、c=o、C=N、N=C=O1C
ミN、C=CI。
ハ
C−C,O−Hなどの種々の結合と反応し得る。これら
の化合物はこの反応性を利用してシランカップリング剤
、シリル化剤、擾水剤等に用いられ、また分子内の二重
結合の重合性を利用してシリ、ル基頚を有するポリマー
の重合用七ツマ−として用いられる。シリル基類を含有
するポリマーは更にコーティング剤、架橋剤、ハードコ
ート剤、TPNなど種々の機能性材料として利用できる
。更に本発明にかかわる化合物は非クロル系であり、腐
食等のプロセス上の問題は全くない。
の化合物はこの反応性を利用してシランカップリング剤
、シリル化剤、擾水剤等に用いられ、また分子内の二重
結合の重合性を利用してシリ、ル基頚を有するポリマー
の重合用七ツマ−として用いられる。シリル基類を含有
するポリマーは更にコーティング剤、架橋剤、ハードコ
ート剤、TPNなど種々の機能性材料として利用できる
。更に本発明にかかわる化合物は非クロル系であり、腐
食等のプロセス上の問題は全くない。
次に本発明にかかわる化合物の製造方法について述べる
。製造方法はいくつかあり、例えば下式(Hに示すよう
に還元剤LiA[4を用いてクロコシラン化合物を還元
する方法がある。
。製造方法はいくつかあり、例えば下式(Hに示すよう
に還元剤LiA[4を用いてクロコシラン化合物を還元
する方法がある。
CHz・CH−(CHz)−5inC1z、l−+ +
((2n+1)/4)LiAIHn→CHz−CI−
(CHg)−5inHz−、++((2n+1)/4)
LiCl +((2n+1)/4)AICLs
(r)しかしこの方法は、還元剤が高価であること、
原料とするクロロシランが得がたいことから望ましい方
法とは言えない。
((2n+1)/4)LiAIHn→CHz−CI−
(CHg)−5inHz−、++((2n+1)/4)
LiCl +((2n+1)/4)AICLs
(r)しかしこの方法は、還元剤が高価であること、
原料とするクロロシランが得がたいことから望ましい方
法とは言えない。
経済的な方法は下式(II)に示すように、SiH4,
5iJi 、5iJaによるジエンのヒドロシリル化で
ある。
5iJi 、5iJaによるジエンのヒドロシリル化で
ある。
CH2=CH−(CH2)−z−CH=CL + 51
)14→CHz=CH−(CHz)a−*−CHz−C
Hz−3ins (I[)SiJ* 、5iJsの場合
も同様である。
)14→CHz=CH−(CHz)a−*−CHz−C
Hz−3ins (I[)SiJ* 、5iJsの場合
も同様である。
原料として用いられるSign、5izHi 、5is
Haは、近年の半導体産業の著しい発展に伴い、半導体
用ガスとして大量生産され、最近、工業的に安価に人手
できるようになったものである。 5HIaの製造方法
としては、例えば、ケイ素のマグネシウム合金(Mgt
st等)をハロゲン化水素酸の水溶液と反応させる方法
、四塩化ケイ素を水素化リチウム等の還元剤で還元する
方法、トリクロロシランの不均化反応による方法等が公
知であるが、例えば、本発明においては、この何れの方
法で生産されたものも好適に使用することが可能である
。一方のα、ω−ジエン頻も近年、種々不飽和化合物の
二重結合の異性化、もしくは不均化反応の開発により様
々のものが工業的に製造されるようになってきている。
Haは、近年の半導体産業の著しい発展に伴い、半導体
用ガスとして大量生産され、最近、工業的に安価に人手
できるようになったものである。 5HIaの製造方法
としては、例えば、ケイ素のマグネシウム合金(Mgt
st等)をハロゲン化水素酸の水溶液と反応させる方法
、四塩化ケイ素を水素化リチウム等の還元剤で還元する
方法、トリクロロシランの不均化反応による方法等が公
知であるが、例えば、本発明においては、この何れの方
法で生産されたものも好適に使用することが可能である
。一方のα、ω−ジエン頻も近年、種々不飽和化合物の
二重結合の異性化、もしくは不均化反応の開発により様
々のものが工業的に製造されるようになってきている。
ヒドロシリル化反応は前述のように熱、光などの方法に
よっても行い得るが、好ましく本発明者らが別に提案し
ているように(特願昭62−88871、同62−89
888、同62−307492 )触媒を用いる方法が
好ましい、触媒としては、周期律表(新実験化学講座、
丸善株式会社発行(1977) )における第■族、第
VIA族、第■A族、第VA族、第1VA族、第■A族
の金属からなる触媒またはこれらの金属の化合物を触媒
構成成分に含む触媒である0例えば、Fe、 Co、
Ni、 Ru、 Rh、 Pd、 Os、 Ir、 P
t、 Cr、 Mo、W 、Mn、 Tc5Re、 S
c、 Ti5V 、 Y 、 Zr、 Nb、 Hfも
しくはTaまたはLaやCeなどのランタン系列の金属
、AcやThなどのアクチニウム系列の金属などの金属
; Fe(Co)s 、C0z(Co)s、LzNi(オレ
フィン)、LJiClz 、RuC15、LJhCl、
L4Pd、 LxPdClz、夏rc1z 、LaP
t、 ((オレフィン) PtC1z ) 意、Hz
PtCli ・ 6HzO1Ru(Co)z 、
RuCl*(Pφ コ)コ 、Cr(Co)i 、M
n1(Co)+o (ただしφはフェニル、LはPR
h3もしくはPR,)、 (CsHs) xTiclg、(CsHs) zTi
(CH3) z、(CsHs)zTi(CHzCJs)
i 、 TiC1n 、Ti(OCJs)4、TiTo
、Ti(OCJw)i(CHzCOCHCOCHs)i
、TiC1s、Ti0(CHsCOCHCOCth)
t、T i (OCR(Cl x) t) 4、(C
sHs)zZrCh、(CsHs)xZr(CI(z)
z 、ZrHa、ZrC1a、Zr(OCJs)4、Z
r(CHzCOCHCOCI(s)a 、(CsHs)
tZrHz、(CsHs)xZrHcl、 (Csl(
s)2vC1z 、(CsHs)zV(CHs)i−V
(CHsCOCl(COCHz) s、(C,Hs)
V(Co)4、V(Co)i、VCt、、VO(CHs
COCHCOCHs)x 、Na(CJ+aOs)tV
(Co)&、VOCl2 、↑acIB 、TaH、T
a(OCHx)a、5Ll(OOCCHs)s ・x
HxO1S+m (CH5cOcllcOcHs) s
、S+aC1s 、(CJs)tHfclz、CeC1
5、Ce(OOCCIIs)s、Ce(CHsCOCH
COCHs)s ・xHlo、 Y(CIIICOC
HCOCH3)i、YCI 2、Y (OOCCl。H
?)5、Sc (OOCCHコ)、・xHto。
よっても行い得るが、好ましく本発明者らが別に提案し
ているように(特願昭62−88871、同62−89
888、同62−307492 )触媒を用いる方法が
好ましい、触媒としては、周期律表(新実験化学講座、
丸善株式会社発行(1977) )における第■族、第
VIA族、第■A族、第VA族、第1VA族、第■A族
の金属からなる触媒またはこれらの金属の化合物を触媒
構成成分に含む触媒である0例えば、Fe、 Co、
Ni、 Ru、 Rh、 Pd、 Os、 Ir、 P
t、 Cr、 Mo、W 、Mn、 Tc5Re、 S
c、 Ti5V 、 Y 、 Zr、 Nb、 Hfも
しくはTaまたはLaやCeなどのランタン系列の金属
、AcやThなどのアクチニウム系列の金属などの金属
; Fe(Co)s 、C0z(Co)s、LzNi(オレ
フィン)、LJiClz 、RuC15、LJhCl、
L4Pd、 LxPdClz、夏rc1z 、LaP
t、 ((オレフィン) PtC1z ) 意、Hz
PtCli ・ 6HzO1Ru(Co)z 、
RuCl*(Pφ コ)コ 、Cr(Co)i 、M
n1(Co)+o (ただしφはフェニル、LはPR
h3もしくはPR,)、 (CsHs) xTiclg、(CsHs) zTi
(CH3) z、(CsHs)zTi(CHzCJs)
i 、 TiC1n 、Ti(OCJs)4、TiTo
、Ti(OCJw)i(CHzCOCHCOCHs)i
、TiC1s、Ti0(CHsCOCHCOCth)
t、T i (OCR(Cl x) t) 4、(C
sHs)zZrCh、(CsHs)xZr(CI(z)
z 、ZrHa、ZrC1a、Zr(OCJs)4、Z
r(CHzCOCHCOCI(s)a 、(CsHs)
tZrHz、(CsHs)xZrHcl、 (Csl(
s)2vC1z 、(CsHs)zV(CHs)i−V
(CHsCOCl(COCHz) s、(C,Hs)
V(Co)4、V(Co)i、VCt、、VO(CHs
COCHCOCHs)x 、Na(CJ+aOs)tV
(Co)&、VOCl2 、↑acIB 、TaH、T
a(OCHx)a、5Ll(OOCCHs)s ・x
HxO1S+m (CH5cOcllcOcHs) s
、S+aC1s 、(CJs)tHfclz、CeC1
5、Ce(OOCCIIs)s、Ce(CHsCOCH
COCHs)s ・xHlo、 Y(CIIICOC
HCOCH3)i、YCI 2、Y (OOCCl。H
?)5、Sc (OOCCHコ)、・xHto。
5cC1z 、Sc(OCR(CHs)g)s、NbC
l5 、Nb(OCJs)s、NbHs−Th(CHs
COC1lCOCH3)a 、ThC14などの金属
錯体、または活性炭やシリカ、アルミナなどの金属酸化
物に担持させた金属もしくは過酸化ベンゾイル、アゾビ
スイソブチルニトリル等の過酸化物などがあげられる。
l5 、Nb(OCJs)s、NbHs−Th(CHs
COC1lCOCH3)a 、ThC14などの金属
錯体、または活性炭やシリカ、アルミナなどの金属酸化
物に担持させた金属もしくは過酸化ベンゾイル、アゾビ
スイソブチルニトリル等の過酸化物などがあげられる。
触媒は均−系または不均一系のものであり、これらは大
部分は市販されていて容易に入手可能である。もちろん
、これらは容易に合成することもでき、る0本発明は上
述の金属またはその化合物を触媒の必須成分とするもの
で、これ以外の触媒成分を同時に含むことは勿論可能で
ある。
部分は市販されていて容易に入手可能である。もちろん
、これらは容易に合成することもでき、る0本発明は上
述の金属またはその化合物を触媒の必須成分とするもの
で、これ以外の触媒成分を同時に含むことは勿論可能で
ある。
本発明において、5iHaと上述の炭化水素との反応は
上記のような触媒の存在下に0〜400°Cで行われる
。
上記のような触媒の存在下に0〜400°Cで行われる
。
この反応は、上記の反応温度と触媒を使用することを除
くと特に制限はなく、気相、液相のいずれでも行い得る
。
くと特に制限はなく、気相、液相のいずれでも行い得る
。
反応温度は0〜400°Cで、好ましくは50〜200
゛Cの範囲であり、触媒は均一、不均一のいずれでも良
い。
゛Cの範囲であり、触媒は均一、不均一のいずれでも良
い。
反応を気相で行う場合には、5iHaとガス状アルケン
、アルキン等の炭化水素化合物を固体触媒表面に導入し
反応させる方法、液相で行う場合には、例えば触媒を含
む液状の炭化水素化合物にSiH4を吹き込むなどの方
法が採用できる。後者の場合には、ベンゼン、ヘプタン
、ヘキサン、トルエンなどの5iHaまたはアルケン、
アルキン化合物と反応しない存機化合物を溶媒に用いる
ことができる。
、アルキン等の炭化水素化合物を固体触媒表面に導入し
反応させる方法、液相で行う場合には、例えば触媒を含
む液状の炭化水素化合物にSiH4を吹き込むなどの方
法が採用できる。後者の場合には、ベンゼン、ヘプタン
、ヘキサン、トルエンなどの5iHaまたはアルケン、
アルキン化合物と反応しない存機化合物を溶媒に用いる
ことができる。
反応圧には特に制限はないが、平衡上高圧であることが
望ましく、また水素、アルゴン、窒素、ヘリウムなどの
ガス共存下で行うこともできる。
望ましく、また水素、アルゴン、窒素、ヘリウムなどの
ガス共存下で行うこともできる。
反応温度は上記したように0〜400℃、反応圧力は反
応の平衡上、高圧であることが望ましいが、通常0〜1
000気圧、好ましくは0〜100気圧である。また仕
込モル比は目的とする生成物の種類により、任意に変更
することが可能であり、特に臨界的に制限するものでは
ないが、通常、(不飽和炭化水素/ S i Ha )
・0.01〜100の範囲である。また反応時間は、数
分〜数十時間の範囲で任意に選択することが可能である
。
応の平衡上、高圧であることが望ましいが、通常0〜1
000気圧、好ましくは0〜100気圧である。また仕
込モル比は目的とする生成物の種類により、任意に変更
することが可能であり、特に臨界的に制限するものでは
ないが、通常、(不飽和炭化水素/ S i Ha )
・0.01〜100の範囲である。また反応時間は、数
分〜数十時間の範囲で任意に選択することが可能である
。
5iJi、5iiHsの場合もこれに順する。
実施例
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例1
500 mのオートクレーブに、SiH4を705mm
ol、1.7−オクタジエンを1350ms+ol 、
触媒としてPt(PΦ、)4を0.23amol仕込み
、撹拌しながら反応温度80℃で20時間反応させた。
ol、1.7−オクタジエンを1350ms+ol 、
触媒としてPt(PΦ、)4を0.23amol仕込み
、撹拌しながら反応温度80℃で20時間反応させた。
この時の反応圧は40Kg/cdであった0反応終了後
、生成物をガスクロマトグラフで分析したところ、主生
成物はCHg=CI(CHi) 1−3iHsで、収量
は295+smol (Siベースでの収率42%)で
あった。
、生成物をガスクロマトグラフで分析したところ、主生
成物はCHg=CI(CHi) 1−3iHsで、収量
は295+smol (Siベースでの収率42%)で
あった。
分離後のC1,・CH(CHz)i−5iH*に関し以
下の結果を得た。
下の結果を得た。
元素分析C67,49,H12,84,Si 19.6
3 wt%理論値C67,52,H12,75,Si
19.73 wt%IR2150CI−’ (シ5i−
H) 990cm−’ (δC−1C−11)920
’ (δSi−H) NMR0,8ppm (−Cjjl−5iHz)、i、
4opp曙(−(印、) 、−)、2.10pp+m(
=(H−印z−) 、3.50pp+n(−5iH2)
、4690〜5.30ppm(Kc−ct+−)Mas
s 142 (M” ) 上記化合物30su++olをLtOCJsを含むcz
usou溶液で分解させ、水素ガス発生量を定量したと
ころ1963a+1(理論値1971 d、”)であっ
た。
3 wt%理論値C67,52,H12,75,Si
19.73 wt%IR2150CI−’ (シ5i−
H) 990cm−’ (δC−1C−11)920
’ (δSi−H) NMR0,8ppm (−Cjjl−5iHz)、i、
4opp曙(−(印、) 、−)、2.10pp+m(
=(H−印z−) 、3.50pp+n(−5iH2)
、4690〜5.30ppm(Kc−ct+−)Mas
s 142 (M” ) 上記化合物30su++olをLtOCJsを含むcz
usou溶液で分解させ、水素ガス発生量を定量したと
ころ1963a+1(理論値1971 d、”)であっ
た。
実施例2
実施例1において、1.7−オクタジエンのかわりに1
.9−デカジエン715m+aolを用いた以外は実施
例1と同様に実験を行った。得られた主生成物はCHz
=CH(CHz) 5−5iHsで、収量は317mm
ol (Siベースでの収率44%)であった。
.9−デカジエン715m+aolを用いた以外は実施
例1と同様に実験を行った。得られた主生成物はCHz
=CH(CHz) 5−5iHsで、収量は317mm
ol (Siベースでの収率44%)であった。
元素分析C70,11,HL3.22. Si 16.
33 wt%理論値C70,50,H13,02,Si
16.49 wt%IR2150cm−’ (シ5i
−H) 990C11−’ (δC−H)920C1
1−’ (δSi−H) NMRO,8ppm (−Ch−5iHs)、 1.
40ppm(−CHz−) 、2.10ppm(−C
I−CHx−) 、 3.50ppm(−5i且、)
、4.90〜5.30pp−(jjlG−旦且−)Ma
ss 170 (M” ) 上記化合物3〇−園o1をLi0C,H5を含むCtH
sOH溶液で分解させ、水素ガス発生量を定量したとこ
ろ1954IIdl(理論値1971 d)であった。
33 wt%理論値C70,50,H13,02,Si
16.49 wt%IR2150cm−’ (シ5i
−H) 990C11−’ (δC−H)920C1
1−’ (δSi−H) NMRO,8ppm (−Ch−5iHs)、 1.
40ppm(−CHz−) 、2.10ppm(−C
I−CHx−) 、 3.50ppm(−5i且、)
、4.90〜5.30pp−(jjlG−旦且−)Ma
ss 170 (M” ) 上記化合物3〇−園o1をLi0C,H5を含むCtH
sOH溶液で分解させ、水素ガス発生量を定量したとこ
ろ1954IIdl(理論値1971 d)であった。
実施例3
実施例1において、1.7−オクタジエンのかわりに1
.13−テトラデカジエン723mmolを用いた以外
は実施例1と同様に実験を行った。得られた主生成物は
CUt・CH(CHz) +z−5iH3で、収量は2
98m+nol (Siベースでの収率41%)であっ
た。
.13−テトラデカジエン723mmolを用いた以外
は実施例1と同様に実験を行った。得られた主生成物は
CUt・CH(CHz) +z−5iH3で、収量は2
98m+nol (Siベースでの収率41%)であっ
た。
元素分析C74,04,H13,44,Si 12.3
2 wt%理論値C74,25,H13,35,St
12.40賀t%IR2150CI11−’ (シ5i
−H) 990c+a−’ (δC−H)920cm
−’ (δSi−H) NMR0,8ppm (−C3jl−5iHs)、
1.40ppm(−CHt−) 、2.10pp−(
−CH−旦旦!−) 、 3.50ppm+(−3i
旦、)、4.90〜5.30ppm(LLC−用一)M
ass 226 (M” ) 上記化合物30m*olをLi0CJ5を含むC,H,
O1!溶液で分解させ、水素ガス発生量を定量したとこ
ろ1955aN (理論値1971 m)であった。
2 wt%理論値C74,25,H13,35,St
12.40賀t%IR2150CI11−’ (シ5i
−H) 990c+a−’ (δC−H)920cm
−’ (δSi−H) NMR0,8ppm (−C3jl−5iHs)、
1.40ppm(−CHt−) 、2.10pp−(
−CH−旦旦!−) 、 3.50ppm+(−3i
旦、)、4.90〜5.30ppm(LLC−用一)M
ass 226 (M” ) 上記化合物30m*olをLi0CJ5を含むC,H,
O1!溶液で分解させ、水素ガス発生量を定量したとこ
ろ1955aN (理論値1971 m)であった。
実施例4
実施例1において、SiH4のかわりに5iJa 71
3m+−01%触媒に活性炭にptを5wt%担持させ
たものを0.42@mol (Ptのモル数)を用いた
以外は実施例1と同様に実験を行った。得られた主生成
物はCHzgCH(CHx) 1−5iJiで、収量は
93騙■ol (Siベースでの収率13%)であった
。
3m+−01%触媒に活性炭にptを5wt%担持させ
たものを0.42@mol (Ptのモル数)を用いた
以外は実施例1と同様に実験を行った。得られた主生成
物はCHzgCH(CHx) 1−5iJiで、収量は
93騙■ol (Siベースでの収率13%)であった
。
元素分析C11,47,H55,81,Si 32.3
9 wt%理論値C11,69,H55,73,Si
32.58 wt%IR2150C1−’ (シ5i−
H) 990cm−’ (δC−H)920C11−
’ (δSi−H) NMR0,8ppm (−Cjjl−3iHs)、1.
40ppm(−聾、−)、2.10ppm(=CH−C
Ht−) 、 3.50ppm(−3it且1)
、4.90〜5.30PPa(HC−CH−)Mass
1?3 (M” ) 上記化合物30mmolをLi0C,H5を含むCJs
OH溶液で分解させ、水素ガス発生量を定量したところ
3338d (理論値3360 m)であった。
9 wt%理論値C11,69,H55,73,Si
32.58 wt%IR2150C1−’ (シ5i−
H) 990cm−’ (δC−H)920C11−
’ (δSi−H) NMR0,8ppm (−Cjjl−3iHs)、1.
40ppm(−聾、−)、2.10ppm(=CH−C
Ht−) 、 3.50ppm(−3it且1)
、4.90〜5.30PPa(HC−CH−)Mass
1?3 (M” ) 上記化合物30mmolをLi0C,H5を含むCJs
OH溶液で分解させ、水素ガス発生量を定量したところ
3338d (理論値3360 m)であった。
発明の効果
本発明の方法によれば、近年の半導体産業の発展に伴い
大量生産され、安価に入手できるようになったSiH4
を出発原料に用い、新たな有機ケイ素工業用原料として
期待されるアルケニルシラン類およびその経済的で新規
な合成ルートを提供することができる0本発明にかかわ
るシラン類は、従来のアルキルクロロシラン系の基礎原
料に好適に代替え可能なものであり、5i−H結合の高
い反応性に起因して高機能性の付与が可能であり、また
非クロル系で腐食の心配がないなど多くの利点を有する
有機ケイ素工業プロセスの開発を実現させるものである
。
大量生産され、安価に入手できるようになったSiH4
を出発原料に用い、新たな有機ケイ素工業用原料として
期待されるアルケニルシラン類およびその経済的で新規
な合成ルートを提供することができる0本発明にかかわ
るシラン類は、従来のアルキルクロロシラン系の基礎原
料に好適に代替え可能なものであり、5i−H結合の高
い反応性に起因して高機能性の付与が可能であり、また
非クロル系で腐食の心配がないなど多くの利点を有する
有機ケイ素工業プロセスの開発を実現させるものである
。
特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (2)
- (1)一般式CH_2=CH (CH_2)_mSinH_2_n_+_1(ただし、
mは5乃至20の正の整数、nは1、2もしくは3)で
表される有機ケイ素化合物。 - (2)一般式CH=CH_2−(CH_2)_m_−_
2−CH=CH_2(ただし、mは5乃至20の正の整
数)で表される不飽和炭化水素を、一般式SinH_2
_n_+_2(ただし、nは1、2もしくは3)で表さ
れる水素化ケイ素化合物でヒドロシリル化することを特
徴とする一般式 CH_2=CH (CH_2)_m−SinH_2_n_+_1(ただし
、mは5乃至20の正の整数、nは1、2もしくは3)
で表される有機ケイ素化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4462288A JPH0813822B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 有機ケイ素化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4462288A JPH0813822B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 有機ケイ素化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01221383A true JPH01221383A (ja) | 1989-09-04 |
JPH0813822B2 JPH0813822B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12696533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4462288A Expired - Lifetime JPH0813822B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 有機ケイ素化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0813822B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02114959A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-04-27 | American Medical Syst Inc | 移植可能な人工ペニス |
WO2005087782A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | π電子共役系分子含有ケイ素化合物及びその製造方法 |
WO2005090365A1 (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機シラン化合物、その製造方法及びその用途 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP4462288A patent/JPH0813822B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02114959A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-04-27 | American Medical Syst Inc | 移植可能な人工ペニス |
WO2005087782A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | π電子共役系分子含有ケイ素化合物及びその製造方法 |
WO2005090365A1 (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機シラン化合物、その製造方法及びその用途 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0813822B2 (ja) | 1996-02-14 |
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