JPH0243791A - 埋め込み型半導体レーザ素子 - Google Patents
埋め込み型半導体レーザ素子Info
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- JPH0243791A JPH0243791A JP19491688A JP19491688A JPH0243791A JP H0243791 A JPH0243791 A JP H0243791A JP 19491688 A JP19491688 A JP 19491688A JP 19491688 A JP19491688 A JP 19491688A JP H0243791 A JPH0243791 A JP H0243791A
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- layer
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- etching
- semiconductor laser
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Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は埋め込み凰構造を有する半導体レーザ素子に関
する。
する。
ダブルへテロ接合型半導体レーザ素子は慣モード発振を
安定させ高田力とするために、第３図に示すような埋め
込み型）構造を右するものが知られている。第３図は素
子正面からみた模式断面図であり、絹３図（こおいてこ
の素子は、例えばｎ型ＧａＡｓ ７３１の上に膜厚１〜
２μｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層２．膜厚ｌ〜２μｍの
【］型Ａ（Ｊ ０４（３ａ Ｏ，６Ａｓ第１クラッド／
ｆｉ３．膜厚０． ｌ 〜０．２１ｒｍのｎまたはｐ型
（′ＴＸ］Ａｓ ？ｕ性！ ４ 、１％厚１〜２μｍの
ｐ型Ａ６ｇ、４（Ｊａｏ、６ＡＳ第２クラッド層５およ
び膜厚１μｍのｐ型ＧａＡｓキャップ層６がこの順に積
層形成されているが、第２クラッド層５とキャップ層６
からなるストライプ状メサ部を有し、このメサ部のレー
ザ光進行方向と平行な両側面にｎ型Ｑａ Ａ ｓ埋め込
み層７を備えた構造となっている。８はｐ側電極、９は
ｎ側電極である。このような構造をもつ半導体レーザ素
子は第２クラッド層５の薄い部分でしみ出した光が埋め
込み層７で吸収されるために５μｍ程度の比較的広いス
トライプ幅で単一モードの発撮が可能となる。
安定させ高田力とするために、第３図に示すような埋め
込み型）構造を右するものが知られている。第３図は素
子正面からみた模式断面図であり、絹３図（こおいてこ
の素子は、例えばｎ型ＧａＡｓ ７３１の上に膜厚１〜
２μｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層２．膜厚ｌ〜２μｍの
【］型Ａ（Ｊ ０４（３ａ Ｏ，６Ａｓ第１クラッド／
ｆｉ３．膜厚０． ｌ 〜０．２１ｒｍのｎまたはｐ型
（′ＴＸ］Ａｓ ？ｕ性！ ４ 、１％厚１〜２μｍの
ｐ型Ａ６ｇ、４（Ｊａｏ、６ＡＳ第２クラッド層５およ
び膜厚１μｍのｐ型ＧａＡｓキャップ層６がこの順に積
層形成されているが、第２クラッド層５とキャップ層６
からなるストライプ状メサ部を有し、このメサ部のレー
ザ光進行方向と平行な両側面にｎ型Ｑａ Ａ ｓ埋め込
み層７を備えた構造となっている。８はｐ側電極、９は
ｎ側電極である。このような構造をもつ半導体レーザ素
子は第２クラッド層５の薄い部分でしみ出した光が埋め
込み層７で吸収されるために５μｍ程度の比較的広いス
トライプ幅で単一モードの発撮が可能となる。
この半導体レーザ素子は通常次のようにして製造される
。第４図はその主な工程順を示したものであり、第３図
と共通部分は同一符号を用いである、まず基板１上に、
液相エピタキシアル成長法を用いてバッフ７層２．第１
クラッド層３．活性層４．第２クラッド層５．キャップ
層６を順次形成する〔第４図（ａ）〕。次に通常のフォ
トブ【Ｉセスによりメサを形成する部分のエツチングマ
スクとして５ｉ０２膜１０を形成する〔第４図（ｂ）〕
。次にＳｉＯ２’Ｉｔ’ ｔａをマスクとしてウェット
エツチングにより１表面から第２クラッド層５が約０，
５μｍ の厚さになるまでエツチング除去し、第２クラ
ッドＩｆ１５．キャップ層６，５ｉ０２膜１０を含むス
トライプ状メサを形成する〔第４図（Ｃ）〕。次いで再
び液相エピタキシアル成長法を用いてメサ部の両側面に
埋め込み層７を、成長させた後、５ｉ０２膜ｌＯをエツ
チング除去する〔第４図；ｄ）〕。この後は通常のレー
ザダイオードのプロセスをこしたがい、上下両電極８．
９を設けることにより、第３図に丞した？ｇ遺の半導体
レーザ素子を得ることができる。
。第４図はその主な工程順を示したものであり、第３図
と共通部分は同一符号を用いである、まず基板１上に、
液相エピタキシアル成長法を用いてバッフ７層２．第１
クラッド層３．活性層４．第２クラッド層５．キャップ
層６を順次形成する〔第４図（ａ）〕。次に通常のフォ
トブ【Ｉセスによりメサを形成する部分のエツチングマ
スクとして５ｉ０２膜１０を形成する〔第４図（ｂ）〕
。次にＳｉＯ２’Ｉｔ’ ｔａをマスクとしてウェット
エツチングにより１表面から第２クラッド層５が約０，
５μｍ の厚さになるまでエツチング除去し、第２クラ
ッドＩｆ１５．キャップ層６，５ｉ０２膜１０を含むス
トライプ状メサを形成する〔第４図（Ｃ）〕。次いで再
び液相エピタキシアル成長法を用いてメサ部の両側面に
埋め込み層７を、成長させた後、５ｉ０２膜ｌＯをエツ
チング除去する〔第４図；ｄ）〕。この後は通常のレー
ザダイオードのプロセスをこしたがい、上下両電極８．
９を設けることにより、第３図に丞した？ｇ遺の半導体
レーザ素子を得ることができる。
しかしながら、以上のような構造を有する半導体レーザ
素子は次のような問題がある。すなわち、レーナ発奈す
るための最小電流（しきい値電流）はＷＪ２クラッド層
５の薄い部分の厚さｊこよって大きく変化することであ
る。この第２クラッド層５の形状は第４図（Ｃ）の過程
で形成されるが、このとき前述のように第２クラッド層
５の薄い部分が０．５μｍｌこなるようにウェットエツ
チングが行なわれる。しかし、ウェットエツチングはエ
ツテング液を一定状態に保つための特理かむつかしく１
例えはエッチツク後の厚さがＯ１５ｐｍの設定に対して
±０．３ｐｍの誤差を生ずる。このため素子のしきい値
゛電流は３０〜１２０ ｍＡの範囲にわたって大きく変
動し％ ０．７μｍを超えたときはレーザ発憑は高次モ
ードに移行し、元学的特性は悪化し、その結果素子の製
造歩留りも低下するようになる。
素子は次のような問題がある。すなわち、レーナ発奈す
るための最小電流（しきい値電流）はＷＪ２クラッド層
５の薄い部分の厚さｊこよって大きく変化することであ
る。この第２クラッド層５の形状は第４図（Ｃ）の過程
で形成されるが、このとき前述のように第２クラッド層
５の薄い部分が０．５μｍｌこなるようにウェットエツ
チングが行なわれる。しかし、ウェットエツチングはエ
ツテング液を一定状態に保つための特理かむつかしく１
例えはエッチツク後の厚さがＯ１５ｐｍの設定に対して
±０．３ｐｍの誤差を生ずる。このため素子のしきい値
゛電流は３０〜１２０ ｍＡの範囲にわたって大きく変
動し％ ０．７μｍを超えたときはレーザ発憑は高次モ
ードに移行し、元学的特性は悪化し、その結果素子の製
造歩留りも低下するようになる。
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目
的はとくに第２クラッド層の寸法粘度が高く、特性良好
な埋め込み型半導体レーザ索子を提供することにある。
的はとくに第２クラッド層の寸法粘度が高く、特性良好
な埋め込み型半導体レーザ索子を提供することにある。
上記課題を解決するため４こ１本発明の埋め込み型半導
体レーザ素子は５半尋４．＋基板上に１１ｐ欠形成した
バッファ層、紀１クラッド層、活注力、婦２クラッド層
およびキーＪ７１ｊ聾を有する積層体を選択エツチング
して形成した紀２クラッド層とキャップ層からなるスト
ライプ状メサの両側面に埋め込み１嗜を備え、第２クフ
ツド層内のストライプ状メサの底部に、メサ形ｇ時のす
ａｊ曽不の選択エツチングの進行を１′？口止するエツ
チング停止層を介在させた悶遺としたものである。
体レーザ素子は５半尋４．＋基板上に１１ｐ欠形成した
バッファ層、紀１クラッド層、活注力、婦２クラッド層
およびキーＪ７１ｊ聾を有する積層体を選択エツチング
して形成した紀２クラッド層とキャップ層からなるスト
ライプ状メサの両側面に埋め込み１嗜を備え、第２クフ
ツド層内のストライプ状メサの底部に、メサ形ｇ時のす
ａｊ曽不の選択エツチングの進行を１′？口止するエツ
チング停止層を介在させた悶遺としたものである。
不発明の半導体レーザぶ子を１第１図に示したようにス
トライプ状メサ形状をもつ第２クラッド層５のメサ底部
すｆＳわち５ａと５ｂの間に第２クラッド１ｖ４５とは
組成の異ｆｌるエツチング停止Ｊａｎが介在するように
構成してあり、このエツチング停止１＠は第２図の主な
製造工程図に示したごとく埋め込み届７を設けるための
選択エツチングに対して。
トライプ状メサ形状をもつ第２クラッド層５のメサ底部
すｆＳわち５ａと５ｂの間に第２クラッド１ｖ４５とは
組成の異ｆｌるエツチング停止Ｊａｎが介在するように
構成してあり、このエツチング停止１＠は第２図の主な
製造工程図に示したごとく埋め込み届７を設けるための
選択エツチングに対して。
第２クラッド層互の薄い部分５ａ）５−所足の厚さでエ
ツチングの進行を停止させる作用をもち、素子構造上は
エツチング停止層１１として第２クラッド層５内に残さ
れたものである。したがってこのエツチング停止！＠１
１を第２クラッド層５内に介在させることによって第２
クラッド層５の薄い部分５ａの厚さ寸法を設定値に対し
て極めて高精度に制御することができるっ 〔実施例〕 以下本発明を実施例に基づき説明する。
ツチングの進行を停止させる作用をもち、素子構造上は
エツチング停止層１１として第２クラッド層５内に残さ
れたものである。したがってこのエツチング停止！＠１
１を第２クラッド層５内に介在させることによって第２
クラッド層５の薄い部分５ａの厚さ寸法を設定値に対し
て極めて高精度に制御することができるっ 〔実施例〕 以下本発明を実施例に基づき説明する。
第１図は本発明の埋め込み型半導体レーザ素子の正面か
らみた模式断面図であり、基本的な構造は第３図に示し
たものとほとんど同じであるから。
らみた模式断面図であり、基本的な構造は第３図に示し
たものとほとんど同じであるから。
第３図と共通の部分は同じ符号で表わしであるっただ第
１図が第３図と異γｊる所は両図の比較から明らかなよ
うに、第１図では５ａ、５ｂで表わした第２クラッド層
５のメサ、底部すなわち５ａと５ｂの間にエツチング停
止層１１を介在させていることである。このように本発
明の半導体レーザ素子はストライプ状メサを有する第２
クラッド層５の甲ｌこエツチング停止層１１が挾み込ま
れている点に竹徴をもつものである。
１図が第３図と異γｊる所は両図の比較から明らかなよ
うに、第１図では５ａ、５ｂで表わした第２クラッド層
５のメサ、底部すなわち５ａと５ｂの間にエツチング停
止層１１を介在させていることである。このように本発
明の半導体レーザ素子はストライプ状メサを有する第２
クラッド層５の甲ｌこエツチング停止層１１が挾み込ま
れている点に竹徴をもつものである。
次に本発明の半導体レーザ素子を製造する方法について
述べる。第２図はその主な製造工程図を示したものであ
り、第２図の場合も素子を構成する各層に同一符号を用
い、また第３図と共通な各層の組成、膜厚は同じにしで
ある。
述べる。第２図はその主な製造工程図を示したものであ
り、第２図の場合も素子を構成する各層に同一符号を用
い、また第３図と共通な各層の組成、膜厚は同じにしで
ある。
第２図においてまずｎ Ｃ３ａＡＳ基板１上にＭＯＣ
ＶＤ法を用いてｎ−ＧａＡｓバッファ層２ ＃ ｎ−Ａ
Ｊ３Ｑ、４ＧａＱ、＠ｋＳ第１クラッド層３＋ ｎま
たはｐ −Ｇａ Ａ ｓ活性層４゜膜厚０．３ ｐｍ
Ｏ） ｐ ＝ＡＪｌ？ｏ、４Ｇａ ０．６ＡＳ 第２ク
ラッド層５ａ＋膜厚０．０５ ｐｍ （１） ｐ−Ｊ’
５−１３ｏ、ｓ Ｇａ ｏ、７ Ａｓ ｘ ｙチング停
止層１１、膜厚１．５ｐｍのＩ） Ａ−ｅｏ４Ｇａｏ、
６Ａｓ第２クラッド層５ｂ％よびｐ−（ｊａＡｓキャッ
プ層６をこの順番こエピタキシアル成長させる。ここで
は５ａと５ｂを合わせて第２クラッド層５として表わし
ているが。
ＶＤ法を用いてｎ−ＧａＡｓバッファ層２ ＃ ｎ−Ａ
Ｊ３Ｑ、４ＧａＱ、＠ｋＳ第１クラッド層３＋ ｎま
たはｐ −Ｇａ Ａ ｓ活性層４゜膜厚０．３ ｐｍ
Ｏ） ｐ ＝ＡＪｌ？ｏ、４Ｇａ ０．６ＡＳ 第２ク
ラッド層５ａ＋膜厚０．０５ ｐｍ （１） ｐ−Ｊ’
５−１３ｏ、ｓ Ｇａ ｏ、７ Ａｓ ｘ ｙチング停
止層１１、膜厚１．５ｐｍのＩ） Ａ−ｅｏ４Ｇａｏ、
６Ａｓ第２クラッド層５ｂ％よびｐ−（ｊａＡｓキャッ
プ層６をこの順番こエピタキシアル成長させる。ここで
は５ａと５ｂを合わせて第２クラッド層５として表わし
ているが。
これは第３図、第４図の第２クラッド層５に対応するも
のである〔第２図（ａ）〕。
のである〔第２図（ａ）〕。
次にキャップ層６の上にＳ ｉｏｚ膜ｌＯを付着させ通
常のフォトリソグラフィにより８μＩｎ ｌ−のストラ
イプ状エツチングマスクを形成する〔第２図（ｂ）〕。
常のフォトリソグラフィにより８μＩｎ ｌ−のストラ
イプ状エツチングマスクを形成する〔第２図（ｂ）〕。
次にＳ ｉ０２膜１０で保護されていない部分をＮＨ４
ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：ＨｚＯの１ ： ２ ： ２５０溶液
を用いて表面からエツチングし、第２クラッド層５ｂが
０．４μｍの厚さになるまで除去する。このとき、とく
にこのエツチングによる寸法精度を考慮する必要はなく
。
ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：ＨｚＯの１ ： ２ ： ２５０溶液
を用いて表面からエツチングし、第２クラッド層５ｂが
０．４μｍの厚さになるまで除去する。このとき、とく
にこのエツチングによる寸法精度を考慮する必要はなく
。
単に第２クラッドＮ５ｂの厚さが０．４ｐｍに近い任意
の位置でエツチングを停止すればよい〔第２図（Ｃ）〕
。続いてＫ Ｉ ： Ｉ２ ： ＨｚＯの２ ： １
： ３００ 浴液を用いて第２クラッド層５ｂをスト
ライプ幅を残して全てエツチング除去する。このエツチ
ング版はん％ （ｉａ （−ｘＡｓのＭ組成比に対して
選択性をもっており％に−１３＊、＋ Ｇａ ｏ、７
Ａ Ｓの組成をもつエツチング停止層１１でエツチング
を停止することができる〔第２図（ｄ）〕。さらにこの
エツチング停止層１１ヲストライプ幅を残して除去する
ことｌこより、所定の厚さを保持した第２クラッド７ｍ
５ａと、その上のメサ底部にエツチング停止層１１の介
在した第２クラ７ド層５ｂとからなる第２クラッド層５
か形成される〔第２図（ｅｌ ］ ｏ次いで貴びＭＯＣ
ＶＤ法を用いて、ストライプ状メサ部の両側に埋め込み
層７をエピタキシアル成長させ、その後Ｓ ｉｏｚ膜１
０を除去した状態が第２図（ｆ）である。最後にｐ側電
極８゜ｎ １ＩＪｌｌ電啄９を設けることにより、第１
図の構造を有する埋め込み型半導体レーザ素子を得るこ
とができるっ 以上の製造過程かられかるように本発明の半導体レーザ
素子に言まれるエツチング停止層１１は第２クラッド層
５の薄い部分５ａを嶋精度に形成するためのものである
。このエツチング停止層１１の厚さは５ｆＪｎｍを超え
ると素子の）’ＦＰ （Ｆａｒ Ｆｉａｔ４・す Ｆａｔｔｅｎ ）特喫が双峰性となり元学時註が悪化し
。
の位置でエツチングを停止すればよい〔第２図（Ｃ）〕
。続いてＫ Ｉ ： Ｉ２ ： ＨｚＯの２ ： １
： ３００ 浴液を用いて第２クラッド層５ｂをスト
ライプ幅を残して全てエツチング除去する。このエツチ
ング版はん％ （ｉａ （−ｘＡｓのＭ組成比に対して
選択性をもっており％に−１３＊、＋ Ｇａ ｏ、７
Ａ Ｓの組成をもつエツチング停止層１１でエツチング
を停止することができる〔第２図（ｄ）〕。さらにこの
エツチング停止層１１ヲストライプ幅を残して除去する
ことｌこより、所定の厚さを保持した第２クラッド７ｍ
５ａと、その上のメサ底部にエツチング停止層１１の介
在した第２クラ７ド層５ｂとからなる第２クラッド層５
か形成される〔第２図（ｅｌ ］ ｏ次いで貴びＭＯＣ
ＶＤ法を用いて、ストライプ状メサ部の両側に埋め込み
層７をエピタキシアル成長させ、その後Ｓ ｉｏｚ膜１
０を除去した状態が第２図（ｆ）である。最後にｐ側電
極８゜ｎ １ＩＪｌｌ電啄９を設けることにより、第１
図の構造を有する埋め込み型半導体レーザ素子を得るこ
とができるっ 以上の製造過程かられかるように本発明の半導体レーザ
素子に言まれるエツチング停止層１１は第２クラッド層
５の薄い部分５ａを嶋精度に形成するためのものである
。このエツチング停止層１１の厚さは５ｆＪｎｍを超え
ると素子の）’ＦＰ （Ｆａｒ Ｆｉａｔ４・す Ｆａｔｔｅｎ ）特喫が双峰性となり元学時註が悪化し
。
また加ｎｍ以下ではエツチングの選択性が悪（なり、エ
ツチングを停止させる役割を来たせすくする。したがり
てエツチング停止層１１の厚さを設定する範囲は加〜５
０ｎｍである。
ツチングを停止させる役割を来たせすくする。したがり
てエツチング停止層１１の厚さを設定する範囲は加〜５
０ｎｍである。
以上／Ｊようをこして得られた本発明の半導体レーザ素
子についてレーザ光を発儀させしきい値［流を測足した
所、しきい値電流は４０ ｍＡか安定な状態で得られ１
元出力２０ ｍＷで１５ＱｍＡまで単一モード発掘が可
能であった。また電気的特性およびし一ザスポット廿イ
ズｆ、＋１’どの光学内時１にすぐれた素子の歩留りは
＋５０％以上ζこ達したつ〔発明の効果〕 従来埋め込み型半導体レーザ素子は主電流通路を形成す
るメサエッチングの際に第２クラッド層の厚さが設定値
ｉこ比べて誤差が大きくなり、特性。
子についてレーザ光を発儀させしきい値［流を測足した
所、しきい値電流は４０ ｍＡか安定な状態で得られ１
元出力２０ ｍＷで１５ＱｍＡまで単一モード発掘が可
能であった。また電気的特性およびし一ザスポット廿イ
ズｆ、＋１’どの光学内時１にすぐれた素子の歩留りは
＋５０％以上ζこ達したつ〔発明の効果〕 従来埋め込み型半導体レーザ素子は主電流通路を形成す
るメサエッチングの際に第２クラッド層の厚さが設定値
ｉこ比べて誤差が大きくなり、特性。
歩留りともに満足するものが得られなかったのに対し、
本発明では実施例で述べたごとく、メサエツチングの進
行を停止する薄い層を設け、このエツチング停止層が第
２クラッド層内のメサ底部に残るように素子を構成した
ため、＄２クラッド層の厚さを所望の値に高精度に定め
ることが可能となり、第２クラッド層の厚さの制御のみ
で素子のしきい値電流を低い値ζこ安定させ、横モード
発憑制御ができるようになり、製造歩留りも高められた
ものであるう
本発明では実施例で述べたごとく、メサエツチングの進
行を停止する薄い層を設け、このエツチング停止層が第
２クラッド層内のメサ底部に残るように素子を構成した
ため、＄２クラッド層の厚さを所望の値に高精度に定め
ることが可能となり、第２クラッド層の厚さの制御のみ
で素子のしきい値電流を低い値ζこ安定させ、横モード
発憑制御ができるようになり、製造歩留りも高められた
ものであるう
第１図は本発明の埋め込み型半導体レーザ素子の模式断
面図、第２図はその主７．ｉ′製造工程図、第３図は通
常の埋め込み型半導体レーザ素子の模式断面図、第４図
はその主な製造工程図である。 １・・・基板、２・・・バッファ層、３・・・第１クラ
ッド層、４・・・活性層、５，５．５ａ、５ｂ・・・第
２クラッド層％ ６・・・キャップ層、７・・・埋め込
み層、８，９・・・電極、１０・・・５ｉ０２膜、１１
・・・エツチング停止層。
面図、第２図はその主７．ｉ′製造工程図、第３図は通
常の埋め込み型半導体レーザ素子の模式断面図、第４図
はその主な製造工程図である。 １・・・基板、２・・・バッファ層、３・・・第１クラ
ッド層、４・・・活性層、５，５．５ａ、５ｂ・・・第
２クラッド層％ ６・・・キャップ層、７・・・埋め込
み層、８，９・・・電極、１０・・・５ｉ０２膜、１１
・・・エツチング停止層。
Claims (1)
- １）半導体基板の一主面上に順次堆積したバッファ層、
第１クラッド層、活性層、第２クラッド層およびキャッ
プ層を有する積層体を選択エッチングして形成した前記
第２クラッド層と前記キャップ層からなるストライプ状
メサのレーザ光進行方向と平行な両側面に埋め込み層を
備えた半導体レーザ素子であって、前記第２クラッド層
内の前記ストライプ状メサ底部に、メサ形成時の前記積
層体の選択エッチングの進行を阻止するエッチング停止
層を介在させてなることを特徴とする埋め込み型半導体
レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19491688A JPH0243791A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 埋め込み型半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19491688A JPH0243791A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 埋め込み型半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243791A true JPH0243791A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16332476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19491688A Pending JPH0243791A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 埋め込み型半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243791A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0477013A2 (en) * | 1990-09-20 | 1992-03-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor laser |
| US5170427A (en) * | 1989-02-03 | 1992-12-08 | L'etat Francais | Audio and video communications terminal with improved adjustments |
| US6033742A (en) * | 1997-03-31 | 2000-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220392A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP19491688A patent/JPH0243791A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220392A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5170427A (en) * | 1989-02-03 | 1992-12-08 | L'etat Francais | Audio and video communications terminal with improved adjustments |
| EP0477013A2 (en) * | 1990-09-20 | 1992-03-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor laser |
| US5210767A (en) * | 1990-09-20 | 1993-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US6033742A (en) * | 1997-03-31 | 2000-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
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