JPH0243369A - めっき液の濃度制御方法 - Google Patents
めっき液の濃度制御方法Info
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- JPH0243369A JPH0243369A JP19304388A JP19304388A JPH0243369A JP H0243369 A JPH0243369 A JP H0243369A JP 19304388 A JP19304388 A JP 19304388A JP 19304388 A JP19304388 A JP 19304388A JP H0243369 A JPH0243369 A JP H0243369A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 abstract 1
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1683—Control of electrolyte composition, e.g. measurement, adjustment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は無電解ニッケルめっき液の自動管理に用いられ
るめっき液の濃度制御方法に関するものである。
るめっき液の濃度制御方法に関するものである。
（従来の技術）
無電解ニッケルめっきを行う場合には一般的にめっき液
中のニッケル量を吸光光度法により測定し、硫酸ニッケ
ルや還元剤等を補充液ポンプにより補給している。とこ
ろがこのめっき液は約９゜°Ｃの高温であるうえにめっ
き作業中に大量の水素ガスが発生するため、吸光光度計
のフローセルに入る前にガス分離を行っても水素ガスの
気泡を完全に除去することは困難である。このためフロ
ーセル中にときどき流入する気泡によって測定値に大き
い変動が生じ、めっき液を適正に管理することができな
いことがあった。そこでめっき槽内がらめっき液をくみ
上げて静置したうぇでニッケル量の測定を行う方法も採
用されていたが、この場合にはタイムラグが生ずること
を避けられない欠点があった。
中のニッケル量を吸光光度法により測定し、硫酸ニッケ
ルや還元剤等を補充液ポンプにより補給している。とこ
ろがこのめっき液は約９゜°Ｃの高温であるうえにめっ
き作業中に大量の水素ガスが発生するため、吸光光度計
のフローセルに入る前にガス分離を行っても水素ガスの
気泡を完全に除去することは困難である。このためフロ
ーセル中にときどき流入する気泡によって測定値に大き
い変動が生じ、めっき液を適正に管理することができな
いことがあった。そこでめっき槽内がらめっき液をくみ
上げて静置したうぇでニッケル量の測定を行う方法も採
用されていたが、この場合にはタイムラグが生ずること
を避けられない欠点があった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は上記した従来の欠点を解決して、めっき液中に
気泡が混入している場合にも気泡による測定値の変動に
影響されることなくめっき液の濃度を適正に管理するこ
とができるめっき液の濃度制御方法を提供するために完
成されたものである。
気泡が混入している場合にも気泡による測定値の変動に
影響されることなくめっき液の濃度を適正に管理するこ
とができるめっき液の濃度制御方法を提供するために完
成されたものである。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するためになされた本発明は、ｎ個の
データを順次記憶できる第１メモリーと第２メモリーと
を設けておき、めっき液濃度の測定値ｄが第１メモリー
のｎ個のデータの平均値から許容誤差αの範囲内にある
ときには第１メモリーにその測定（！！ｄを入力したう
え平均値を算出してその平均値により補充液ポンプを制
御し、また測定値ｄが許容誤差αの範囲外となったとき
には異常値として第２メモリーにその値を入力し、連続
してｎ個の異常値が第２メモリーに入力されかつその各
データのばらつきが許容誤差αの範囲内にあるときには
第１メモリーの内容を第２メモリーの内容と置換したう
え、その平均値により補充液ポンプを制御することを特
徴とするものである。
データを順次記憶できる第１メモリーと第２メモリーと
を設けておき、めっき液濃度の測定値ｄが第１メモリー
のｎ個のデータの平均値から許容誤差αの範囲内にある
ときには第１メモリーにその測定（！！ｄを入力したう
え平均値を算出してその平均値により補充液ポンプを制
御し、また測定値ｄが許容誤差αの範囲外となったとき
には異常値として第２メモリーにその値を入力し、連続
してｎ個の異常値が第２メモリーに入力されかつその各
データのばらつきが許容誤差αの範囲内にあるときには
第１メモリーの内容を第２メモリーの内容と置換したう
え、その平均値により補充液ポンプを制御することを特
徴とするものである。
以下に本発明を図面を参照しつつ更に詳細に説明する。
第２図において、（１）はめっき槽、（２）はガス分離
器、（３）は吸光光度計のフローセル、（４）は循環ポ
ンプ、（５）は補充液タンク、（６）は補充液ポンプ、
（７）は制御器である。フローセル（３）にはガス分離
器（２）によりガス分離されためっき液が送られて、例
えば３０秒ごとにニッケル濃度が測定されるが、前述し
たようにめっき液中にときどき気泡が混入することがあ
り、その影響を排除するため制御器（７）の内部で第１
図のフローシートに示されるとおりの制御が行われる。
器、（３）は吸光光度計のフローセル、（４）は循環ポ
ンプ、（５）は補充液タンク、（６）は補充液ポンプ、
（７）は制御器である。フローセル（３）にはガス分離
器（２）によりガス分離されためっき液が送られて、例
えば３０秒ごとにニッケル濃度が測定されるが、前述し
たようにめっき液中にときどき気泡が混入することがあ
り、その影響を排除するため制御器（７）の内部で第１
図のフローシートに示されるとおりの制御が行われる。
以下に各工程につき説明するが、ニッケル濃度の設定値
は５ ｇ ／ ｉ！、、各測定値の許容誤差αは０゜５
ｇ／Ｉ！、、第１メモリーと第２メモリーのデータ個数
ｎは５と仮定して説明を行う。また単位の記載は省略す
る。
は５ ｇ ／ ｉ！、、各測定値の許容誤差αは０゜５
ｇ／Ｉ！、、第１メモリーと第２メモリーのデータ個数
ｎは５と仮定して説明を行う。また単位の記載は省略す
る。
まず電源投入時には第１メモリー、第２メモリーともに
その内容はゼロであり、従って各メモリーの平均値もゼ
ロである。ここで１回目の測定を行いその測定値ｄが例
えば４．５であったとすると、第１メモリーの平均値（
ゼロ）との差が許容誤差α（０，５）の範囲外であるか
ら異常値と判断され、このデータは第２メモリーのＢ、
に入力される。以下４．６．４．７．４．８．４．９の
測定値が順次得られたとするとこれらのデータはすべて
異常値として第２メモリーに入力される。このようにし
て第２メモリーに連続してｎ個（５個）のデータが入力
されるとその平均イ直（Ｂｌ ＋８２十Ｂ３ ＋８４
＋ ＢＳ） ／ ５が４．７と算出され、しかも各デー
タのこの平均値に対するばらつきは全て許容誤差α−０
，５の範囲内にあるので、第１メモリーのＡ１−八、に
これらの第２メモリー８１〜Ｂ５の内容が置換される。
その内容はゼロであり、従って各メモリーの平均値もゼ
ロである。ここで１回目の測定を行いその測定値ｄが例
えば４．５であったとすると、第１メモリーの平均値（
ゼロ）との差が許容誤差α（０，５）の範囲外であるか
ら異常値と判断され、このデータは第２メモリーのＢ、
に入力される。以下４．６．４．７．４．８．４．９の
測定値が順次得られたとするとこれらのデータはすべて
異常値として第２メモリーに入力される。このようにし
て第２メモリーに連続してｎ個（５個）のデータが入力
されるとその平均イ直（Ｂｌ ＋８２十Ｂ３ ＋８４
＋ ＢＳ） ／ ５が４．７と算出され、しかも各デー
タのこの平均値に対するばらつきは全て許容誤差α−０
，５の範囲内にあるので、第１メモリーのＡ１−八、に
これらの第２メモリー８１〜Ｂ５の内容が置換される。
この結果、第１メモ、り一へ、〜Ａ、の平均値も４．７
となり、この値に基いて補充液ポンフ責６）の制御を行
う。即ち、この場合には設定値である５よりも第１メモ
リーの平均値４．７の方が小さいので補充液ポンプ（６
）はオンとされ、補充液が一定量めっき槽（１）に供給
される。
となり、この値に基いて補充液ポンフ責６）の制御を行
う。即ち、この場合には設定値である５よりも第１メモ
リーの平均値４．７の方が小さいので補充液ポンプ（６
）はオンとされ、補充液が一定量めっき槽（１）に供給
される。
このようにして成分が補充され、次の測定（ｉ ｄが５
．０であれば平均値４．７との差が０．５以下であるか
ら正常値と判断され、第１メモリーのＡ、にこのデータ
が入力され、第１メモリーの内部のデータは１つずつシ
フトされる。この結果、Ａ１〜Ａ５の内容は４．６．４
．７．４．８．４．９．５．０となり、その平均値が４
．８として算出される。このようにして算出された平均
値により前記と同様に補充液ポンプの制御が行われる。
．０であれば平均値４．７との差が０．５以下であるか
ら正常値と判断され、第１メモリーのＡ、にこのデータ
が入力され、第１メモリーの内部のデータは１つずつシ
フトされる。この結果、Ａ１〜Ａ５の内容は４．６．４
．７．４．８．４．９．５．０となり、その平均値が４
．８として算出される。このようにして算出された平均
値により前記と同様に補充液ポンプの制御が行われる。
またこれとともに、第１メモリーのＡ、〜へ、の内容が
第２メモリーのＢ ＋ ”−Ｂ ｓへ送うれ、それまで
のＢ、〜Ｂ５の内容はＡ１〜Ａ５の内容により置換され
る。
第２メモリーのＢ ＋ ”−Ｂ ｓへ送うれ、それまで
のＢ、〜Ｂ５の内容はＡ１〜Ａ５の内容により置換され
る。
更に次回の測定値がめつき液中の気泡の影響によりｄ＝
６．０であったとすると、この値はそれまでの第１メモ
リーの平均値である４、８に対して０゜５以上の差があ
り許容誤差範囲外となるから異常値と判断され、第２メ
モリーの８５に入力される。
６．０であったとすると、この値はそれまでの第１メモ
リーの平均値である４、８に対して０゜５以上の差があ
り許容誤差範囲外となるから異常値と判断され、第２メ
モリーの８５に入力される。
このときＢ、〜Ｂ、は４．７．４．８．４．９．５．０
．６．０となり、その平均値が５．０８と算出されるが
、Ｂ５の６．０がその平均値５．０８から０．５以上外
れているので補充液ポンプ（６）の制御にはへ、〜Ａ、
の平均値がそのまま使用され、補充液ポンプ（６）はそ
れまでの運転状態を維持する。
．６．０となり、その平均値が５．０８と算出されるが
、Ｂ５の６．０がその平均値５．０８から０．５以上外
れているので補充液ポンプ（６）の制御にはへ、〜Ａ、
の平均値がそのまま使用され、補充液ポンプ（６）はそ
れまでの運転状態を維持する。
次に５．１が測定されたとするとこれは第１メモリーの
Ａ、〜へ、の平均値４．８から許容誤差αの０．５以内
にあるから正常値と判断され、第１メモリーのＡ５にこ
のデータ５．１が入力される。そして新しい平均値が４
．９として算出され、この平均値により補充液ポンプが
制御されるとともに、第２メモリーのＢ、〜Ｂ、の内容
を新しい八〇〜Δ５の内容（４，７，４，８，４，９，
５，０，５，１）で置換する。
Ａ、〜へ、の平均値４．８から許容誤差αの０．５以内
にあるから正常値と判断され、第１メモリーのＡ５にこ
のデータ５．１が入力される。そして新しい平均値が４
．９として算出され、この平均値により補充液ポンプが
制御されるとともに、第２メモリーのＢ、〜Ｂ、の内容
を新しい八〇〜Δ５の内容（４，７，４，８，４，９，
５，０，５，１）で置換する。
以上に説明したように、異常値がｎ個連続して測定され
ない限り第２メモリーのＢ１〜Ｂ、の内容が第１メモリ
ーの＾１〜＾５に切換わることがなく、異常値は補充液
ポンプを制御するためのデータとしては取扱われること
がない。従ってフローセル内のめっき液中にｎ個連続し
て気泡が混入するという極めて特殊な事態が生じないか
ぎり、気泡による異常値によって影響を受けることなく
めっき液の濃度管理を適正に行うことができる。
ない限り第２メモリーのＢ１〜Ｂ、の内容が第１メモリ
ーの＾１〜＾５に切換わることがなく、異常値は補充液
ポンプを制御するためのデータとしては取扱われること
がない。従ってフローセル内のめっき液中にｎ個連続し
て気泡が混入するという極めて特殊な事態が生じないか
ぎり、気泡による異常値によって影響を受けることなく
めっき液の濃度管理を適正に行うことができる。
（発明の効果）
本発明は以上に説明した工程によってめっき液の濃度制
御を行うものであるから、次のとおりの利点を有する。
御を行うものであるから、次のとおりの利点を有する。
■めっき液中に混入する気泡に影響されることなく、適
正にめっき液の濃度管理を行うことができる。
正にめっき液の濃度管理を行うことができる。
■従来のようにフローセルの前段階におけるガス分離を
慎重に行う必要がなく、ガス分離器を簡略化することが
できる。
慎重に行う必要がなく、ガス分離器を簡略化することが
できる。
■ガス分離のためのタイムラグを小さくすることができ
、リアルタイムでめっき液の濃度制御を行うことができ
る。
、リアルタイムでめっき液の濃度制御を行うことができ
る。
よって本発明は従来の問題点を一掃しためつき液の濃度
制御方法として、産業の発展に寄与するところは極めて
大である。
制御方法として、産業の発展に寄与するところは極めて
大である。
第１図は本発明の制御プロセスを示すフローシート、第
２図はめっき液の濃度制御装置全体の配管系統図である
。 （１）：めっき槽、（３）：フローセル、（５）：補充
液タンク、（６）：補充液ポンプ、（７）二制御器。
２図はめっき液の濃度制御装置全体の配管系統図である
。 （１）：めっき槽、（３）：フローセル、（５）：補充
液タンク、（６）：補充液ポンプ、（７）二制御器。
Claims (1)
- ｎ個のデータを順次記憶できる第１メモリーと第２メモ
リーとを設けておき、めっき液濃度の測定値ｄが第１メ
モリーのｎ個のデータの平均値から許容誤差αの範囲内
にあるときには第１メモリーにその測定値ｄを入力した
うえ平均値を算出してその平均値により補充液ポンプを
制御し、また測定値ｄが許容誤差αの範囲外となったと
きには異常値として第２メモリーにその値を入力し、連
続してｎ個の異常値が第２メモリーに入力されかつその
各データのばらつきが許容誤差αの範囲内にあるときに
は第１メモリーの内容を第２メモリーの内容と置換した
うえ、その平均値により補充液ポンプを制御することを
特徴とするめっき液の濃度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19304388A JPH0243369A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | めっき液の濃度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19304388A JPH0243369A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | めっき液の濃度制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243369A true JPH0243369A (ja) | 1990-02-13 |
| JPH0260756B2 JPH0260756B2 (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=16301222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19304388A Granted JPH0243369A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | めっき液の濃度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243369A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101434118B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2014-08-26 | 스마트전자 주식회사 | 퓨즈 저항기 |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP19304388A patent/JPH0243369A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0260756B2 (ja) | 1990-12-18 |
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