JPH0240378A - 新規なテトラチアフルバレン誘導体及びこれを用いた導電性電荷移動錯体 - Google Patents

新規なテトラチアフルバレン誘導体及びこれを用いた導電性電荷移動錯体

Info

Publication number
JPH0240378A
JPH0240378A JP18802888A JP18802888A JPH0240378A JP H0240378 A JPH0240378 A JP H0240378A JP 18802888 A JP18802888 A JP 18802888A JP 18802888 A JP18802888 A JP 18802888A JP H0240378 A JPH0240378 A JP H0240378A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge transfer
tetrathiafulvalene
transfer complex
derivative
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18802888A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Mizutani
眞 水谷
Keiji Tanaka
田中　啓治
Kazue Kawabata
和重 川端
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP18802888A priority Critical patent/JPH0240378A/ja
Publication of JPH0240378A publication Critical patent/JPH0240378A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は新規なテトラチアフルバレン誘導体、及びこれ
を用いた導電性電荷移動錯体に関するものである。さら
に詳しくいえば、本発明は、粉末状態でも高い導電性を
もつ電荷移動錯体を与えるなど、電子供与体として極め
て有用な新規なテトラチアフルバレン誘導体、及びこれ
を用いた導電性の良好な電荷移動錯体に関するものであ
る。
［従来の技術］ 近年、電子供与体と電子受容体間の電荷移動力によって
２種の分子が結合した電荷移動錯体は、導電性や常磁性
、電子ビームに対する感応性、湿度に対する電気的感応
性などの特性を有し、例えば電子材料やレジスト材料、
あるいは電極活性物質、感湿素子、エレクトロミック表
示素子などとしての応用が可能であることから注目され
、積極的な研究がなされている。
このような電荷移動錯体の中で、特に電子供与体として
、テトラチアフルバレン、テトラメチルテトラチアフル
バレン、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレンなど
のフルバレン骨格ヲ有する化合物を用い、これと種々の
電子受容体とから成る錯体は、良好な導電性を示すこと
が知られている「「化学総説」第４２巻、第５９ページ
（１９８３年）］。しかしながら、該電荷移動錯体は、
例えば（１）り四ロベンゼンなどの溶媒中に、電子供与
体と電子受容体とを溶解し、その中に白金電極を入れて
ｌμＡ程度の電流を流して結晶を成長させる電解結晶成
長法、（２）容器内に仕切り板を設け、溶媒に電子供与
体を溶解させた溶液を一方の室に、溶媒に電子受容体を
溶解した溶液を他方の室に入れたのち、該仕切り板を取
り除いて、両者の拡散により結晶を得る拡散法、（３）
溶媒に電子供与体と電子受容体を少量溶かし、該溶媒を
徐々に蒸発させて結晶を生成させる徐冷法などの結晶成
長法により作製された単結晶体であり、良好な導電性を
有するものの、作製するのに操作が煩雑で、かつ長時間
を要するのを免れないという欠点を有している。
一方、前記電子供与体に、気相又は液相でノ・ロゲン元
素を反応させる直接法によると、容易に短時間で電荷移
動錯体を得ることができるが、この錯体は粉末状であっ
て、電気伝導度が、例えば１０−ｓシーソ２１フ 欠点を有している。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、このような事情のもとで、操作が簡単で、か
つ所要時間の短い直接法によっても良好な導電性を有す
る電荷移動錯体を与えるなど、電子供与体として極めて
有用な新規なテトラチアフルバレン誘導体、及びこれを
用いた導電性の良好な電荷移動錯体を提供することを目
的としてなされたものである。
［課題を解決するｔ；めの手段］ 本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、テトラチアフルバレンカルボン酸のＮ−炭化
水素基置換アンモニウム塩が、電子供与体として、直接
法によっても導電性の良好な電荷移動錯体を与えること
を見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
すなわち、本発明は、 一般式 ％式％（） （式中のＲ１，Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ水素原
子又はカルボキシル基であるが、それらのすべてが水素
原子となることはない） で表されるテトラチアフルバレンカルボン酸の少なくと
も１つのカルボキシル基が、Ｎ−炭化水素基置換アンモ
ニウム塩を形成して成るテトラチアフルバレン誘導体、
及び該テトラチアフルバレン誘導体を電子供与体とし、
これに電子受容体を反応させて成る導電性電荷移動錯体
を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明のテトラチアフルバレン誘導体は０．前記一般式
（Ｉ）で表されるテトラチアフルバレンカルボン酸の少
なくとも１つのカルボキシル基が、Ｎ−炭化水素基置換
アンモニウム塩を形成して成る構造を有している。
このテトラチアフルバレン誘導体は、前記一般式（１）
で表されるテトラチアカルボン酸のアルカリ金属塩と、
一般式 （式中のＸはハロゲン原子、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８
は、それぞれ水素原子又は炭化水素基であり、それらは
同一であってもよいし、たがいに異なっていてもよいが
、それらのすべてが水素原子となることはなく、まＩ；
それらの少なくとも２つがたがいに結合して窒素原子を
ペテロ原子とする複素環式基を形成してもよい） で表されるＮ−炭化水素基置換ハロゲン化アンモニウム
塩とを反応させることにより製造することができる。
前記−数式（Ｉ）で表されるテトラチアフルバレンカル
ボン酸のアルカリ金属塩は、公知の方法、例えば対応す
るテトラチアフルバレンカルボン酸の低級アルキルエス
テルをアルカリ金属の水酸化物で加水分解することによ
り、あるいはテトラチアフルバレンカルボン酸を酸で加
水分解や一部脱炭酸したのち、アルカリ金属化合物を添
加することにより製造することができる。
前記−数式（Ｉ）で表されるテトラチアフルバレンカル
ボン酸としては、例えばテトラチアフルバレン−２，３
，６，７−テトラカルボン酸、テトラチアフルバレン−
２，３，６−トリカルボン酸、テトラチアフルバレン−
２，６又は３．６−ジカルボン酸、テトラチアフルバレ
ン−２，３−ジカルボン酸、テトラチアフルバレン−２
−カルボン酸などが挙げられる。
これらのテトラチアフルバレンカルボン酸のアルカリ金
属塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩
、ルビジウム塩、セシウム塩などが挙げられるが、これ
らの中で特にナトリウム塩及びカリウム塩が好適である
。
一方、前記−数式（…）で表されるＮ−炭化水素基置換
ハロゲン化アンモニウム塩における炭化水素基としては
、例えば炭素数１〜２ｏのアルキル基、アルケニル基若
しくはアルキニル基又はフェニル基などであり、また該
窒素原子をヘテロ原子とする複素環式基としては、例え
ばピリジン残基やピペリジン残基を挙げることができる
。さらに、ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭
素原子及びヨウ素原子を好ましく挙げることができる。
このようなＮ−炭化水素基置換ハロゲン化アンモニウム
塩の具体例としては、テトラメチルアンモニウムクロリ
ド、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラプロピ
ルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムク
ロリド、テトラペンチルアンモニウムクロリド、テトラ
ヘキシτ長ンモニウムクロリド、テトラヘプチルアンモ
ニウムクロリド、テトラオクチルアンモニウムクロリド
、テトラノニルアンモニウムクロリド、テトラデシルア
ンモニウムクロリド、テトラウンデシルアンモニウムク
ロリド、テトララウリルアンモニウムクロリド、テトラ
トリデシルアンモニウムクロリド、テトラミリスチルア
ンモニウムクロリド、テトラステアリルアンモニウムク
ロリド、テトラエイコシルアンモニウムクロリド、ステ
アリルトリメチルアンモニウムクロリド、ブチルトリメ
チルアンモニウムクロリド、ピリジニウムクロリド、テ
トラベンジルアンモニウムクロリド、メチルトリベンジ
ルアンモニウムクロリド、メチルトリスチリルアンモニ
ウムクロリド、アリルトリメチルアンモニウムクロリド
、プロパルギルアンモニウムクロリドなど、及びこれら
に対応するプロミドやヨーシトなどを挙げることができ
る。
本発明のテトラチアフルバレン誘導体は水性媒体中にお
いて、前記−数式（Ｉ）で表されるテトラチアフルバレ
ンカルボン酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩
に、それに対して実質上当量の前記−数式（ｎ）で表さ
れるＮ−炭化水素基置換ハロゲン化アンモニウム塩とを
、通常常圧下に０〜１００℃の範囲の温度において、数
分ないし１０時間程度撹拌し、必要ならば酸性になるま
で酸を加え、反応させたのち、析出した沈殿をろ過など
の手段により、取り出し、乾燥することによって製造す
ることができる。この際原料の濃度は０　、０１　ｍｍ
ｏｌｌ／　ｆＬないし１ｍｏｎ／ｎの範囲が好ましく、
また、得られた該テトラチアフルバレン誘導体は、通常
精製しなくてもよいが、必要ならば精製してもよい。
このようにして得られた本発明のテトラチアフルバレン
誘導体の代表例としては、以下に示す構造のものを挙げ
ることができる。
このような本発明のテトラチアフルバレン誘導体は新規
な化合物であり、電子供与体としての特性を有している
ので、これに電子受容体を反応させることにより、本発
明の電荷移動錯体を得ることができる。
該電子受容体は有機系及び無機系のいずれであってもよ
く、有機系電子受容体としては、例えば７．７．８．８
−テトラシアノキノジメタン、２−メチル−７，７，８
，８−テトラシアノキノジメタン、２，５−ジメチル−
７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２，５−
ジエチル＝７　７．８．８−テトラシアノキノジメタン
、２−メトキシ−７，７，８，８−テトラシアノキノジ
メタン、２，５−ジメトキシ−７，７，８，８−テトラ
ンアノキノジメタン、２−メトキシ−５−エトキシ−７
，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２−メトキ
シジヒドロジオキサベンゾ−７，７，８，８−テトラシ
アノキノジメタン、２−クロロ−７，７，８，８−テト
ラシアノキノジメタン、２−プロモーフ　、７．８．８
−テトラシアノキノジメタン、２．５−ジブロモ−７，
７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２，５−ショ
ート−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２
−クロロ−５−メチル−７，７，８，８−テトラシアノ
キノジメタン、２−ブロモ−５−メチル−７，７，８，
８−テトラシアノキノジメタン、２−ヨード−５−メチ
ル−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、１１
，１１，１２．１２−テトラシアノ−２，６−ナフドキ
ノジメタン、１．１．２’、３．４．４−ヘキサシアノ
ブタジェン、ナトリウム１３，１３，１４．１４−テト
ラシアノジフェノキノジメタン、テトラシアノエチレン
、０−ベンゾキノン、ｐ−ペンツキノン、２．６−ナフ
ドキノン、ジフェノキノン、テトラシアノエチレン、ｐ
−フルオラニル、テトラクロロジフェノキノンなどが挙
げられる。また、無機系電子受容体としてはヨウ素、臭
素、塩素などのハロゲン元素が挙げられる。
本発明のテトラチアフルバレン誘導体から成る電子供与
体と前記電子受容体との反応は直接法で行うのが望まし
く、この直接法としては気相法及び液相法のいずれの方
法も用いることができる。
気相法においては、電子受容体として臭素、塩素及びヨ
ウ素を用いることができる。電子受容体としてヨウ素を
用い、気相法によってヨウ素と該電子供与体とを反応さ
せる好適な方法の１例について説明すると、まず該電子
供、与体に対して通常１〜１００当量倍、好ましくは１
．５〜４当量倍のヨウ素粉末を該電子供与体と共に密閉
容器中に入れ、通常室温ないし５０℃の範囲の温度にお
いて、ｌ〜２４時間程度反応させたのち、過剰のヨウ素
をメチレンクロリドなどの溶剤を用いて洗い落とし、反
応生成物を乾燥することにより、所望の粉末状電荷移動
錯体が得られる。
一方、液相法においては、電子受容体として、前記の有
機系電子受容体及びヨウ素を用いることができる。電子
受容体としてヨウ素を用い、液相法によってヨウ素と該
電子供与体とを反応させる好適な方法の１例について説
明すると、まず、メチレンクロリドなどの溶媒中に該電
子供与体を溶解し、この溶液と、該電子供与体に対し、
通常１〜１００当量倍、好ましくは１．５〜４当量倍の
ヨウ素粉末をメチレンクロリドなどの溶媒に溶解した溶
液とを混合し、通常常圧下、室温にて０．１〜１０時間
程時間窓させたのち、析出物をろ過し、メチレンクロリ
ドなどで洗浄後、乾燥することにより、所望の粉末状電
荷移動錯体が得られる。
このようにして得られた本発明の電荷移動錯体は、直接
法により作製したにもかかわらず、通常１０−”〜１０
−１シーメンス／ｍの良好な電気伝導度を有している。
なお、直接法により得られた従来の電荷移動錯体の電気
伝導度は、通常１ｏ−５シ一メンス／ｍ以下で、極めて
小さい。
［実施例］ 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
実施例１ テトラチアフルバレン−２，３，６，７−テトラカルボ
ン酸ジ（テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）塩（以下、
ＴＤＢＡ−ＴＴＦと略す）の製造。
テトラチアフルバレン−２，３，６，７−テトラカルボ
ン酸テトラメチルエステル４．０４９（９，２７ｍｍｏ
Ｑ）をＫＯＨ／！タノール（５，９３９／１５０ｍ１）
溶液に懸濁し、２時間還流したのち、ろ過してアセトン
で洗浄後乾燥し、テトラチアフルバレン−２，３，６，
７−テトラカルボン酸カリウム塩を得た。
次に、該カリウム塩１ｇを純水１００ｍｔに溶解したの
ち、撹拌しながら、これにテトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムプロミド４．８ｇを加え、塩酸酸性にしたところ、
赤色の沈澱物が生成した。この沈澱物をろ別し、アセト
ン洗浄後乾燥した。
このものについて、融点測定、元素分析及び目Ｃ−ＮＭ
Ｒ（アセトン、ｌｏＯＭＨｚ）分析を行った。元素分析
結果を第１表に、１３Ｃ−ＮＭＲチャートを第１図に、
”Ｃ−ＮＭＲデータを以下に示す。また、このものの融
点は１５８°Ｃであつ！：　。
以上の結果から、このものは次に示す構造のＴＤＢＡ−
ＴＴＦであることが確認された。
目Ｃ−ＮＭＲデータ σ値（ｐｐｍ）　　帰属 １４　　　　　　　　　　　　　ａ ２１　　　　　　　　　　　ｂ ２５　　　　　　　　　　　　　Ｃ ６０ｄ １０６　　　　　　　　　　　ｅ ｌ　４１　　　　　　　　　　ｆ ｌ　６３　　　　　　　　　　　ｇ 実施例２ テトラチアフルバレン−２，３，６，７−テトラカルボ
ン酸ジ（テトラエチルアンモニウム）塩（以下、ＴＤＥ
Ａ−ＴＴＦと略す）の製造。
テトラチアフルバレン−２，３，６，７−テトラカルボ
ン酸テトラメチルエステル４ｇを、ＫＯＨ／エタノール
（５，９ｙ／　１５０ｍ（１）溶液中に懸濁して２時間
還流したのち、酸性になるまで塩酸を加え、生成した沈
殿をろ別し、乾燥した。
この沈殿１ｇを純水１００ｍＡに溶解したのち、これに
、撹拌しながら、テトラエチルアンモニウムプロミド４
，８ｇを加えたところ、紫色の沈殿が生成した。次いで
これをろ別し、アセトン洗浄後、乾燥した。
このものについて、実施例１と同様にして同定を行った
ところ、次に示す構造のＴＤＥＡ−ＴＴＦであることが
確認された。
実施例３ テトラチアフルバレン−２，３，６，７−テトラカルリ
ボン酸ジ（テトラ−ｎ−ヘプチルアンモニウム）塩（以
下、ＴＤＨＡ−ＴＴＦと略す）の製造。
実施例１と同様にして、テトラチアフルバレン−２，３
，６，７−テトラカルボン酸カリウム塩を得、このカリ
ウム塩１ｇを純水１００９に溶解したのち、この溶液を
テトラ−ｎ−ヘプチルアンモニウムプロミド６．５９を
熱水に溶かしｔ；溶液中に加え、塩酸酸性にしたところ
、赤紫色の沈殿が生成した。次いで、これをろ別し、ア
セトン洗浄後、乾燥した。
このものについて、実施例１と同様にして同定を行った
ところ、次に示す構造のＴＤＭＡ−ＴＴＦであることを
確認した。
なお、このものの融点は１６３℃であった。まｔ；元素
分析結果を第１表に示す。
解したのち、この溶液に塩酸ピリジニウム１．０９を加
え、さらに塩酸０．４ｍｌを添加して酸性にしたところ
、沈殿が生成した。次いでこれをろ別し、アセトン洗浄
後、乾燥した。
このものについて、実施例１と同様にして同定を行った
ところ、次に示す構造のＴＤＰｒ−ＴＴＦであることが
確認された。
なお、このものの融点は９３℃であった。また元素分析
結果を第１表に、”Ｃ−ＮＭＲチャートを第２図に示す
。
実施例４ テトラチアフルバレン−２，３，６，７−テトラカルボ
ン酸ジ（ピリジニウム）塩（以下、Ｔ　Ｄ　Ｐ　ｒ　−
Ｔ　Ｔ　Ｆと略す）の製造。
実施例１と同様にして、テトラブチルバレ。
ンー２．３．６．７−テトラカルボン酸カリウム塩を得
、このカリウム塩０．２９を純水１００ａｊｌに溶なお
、このものの融点は３００℃以上であった。
また元素分析結果を第１表に示す。
実施例５ テトラチアフルバレン−ジカルボン酸モノ（テトラブチ
ルアンモニウム）塩（以下、ＤＭＢＡ−ＴＴＦと略す）
の製造。
テトラチアフルバレン−２，３，６，７〜テトラカルボ
ン酸テトラメチルエステル３−２ｇを、、ｔｌｋ塩酸５
０ｍ１、酢酸１５０ｍ１及び水５０ｍ１の混合液中に懸
濁し、３時間還流したのち、固形分をろ別し、乾燥した
。次にこの１．３２ｙを純水５０ｒＲ１に溶かしたのち
、この溶液に水酸化カリウム０．９１９を添加して１時
間撹拌し、次いでテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムプロ
ミド１４９を添加し、さらに塩酸で酸性にしたのち、生
成した沈殿をろ別し、アセトン洗浄後、乾燥した。
このものについて、実施例１と同様にして同定を行った
ところ、次に示す構造のＤＭＢＡ−ＴＴＦであることが
確認された。
なお、このものの融点は１６５℃であった。また元素分
析結果を第１表に示す。
実施例６ テトラチアフルバレン−２，３，６，７−テトラカルボ
ン酸ジ（ステアリルトリメチルアンモニウム）塩（以下
、ＴＤＳＡ−ＴＴＦと略す）の製造。
実施例１と同様にして得られｔ；テトラチアフルバレン
−２，３，６，７−テトラカルボン酸カリウム塩１ｇを
純水ｔｏｏｍａに溶解したのち、この溶液を、ステアリ
ルトリメチルアンモニウムブロミドロ、５９を熱水に溶
解した溶液中に加え、塩酸酸性にしたところ、紫色の沈
殿が生成した。次いで、これをろ別し、アセトン洗浄後
、乾燥した。
このものについて、実施例１と同様にして同定を行った
ところ、次に示す構造のＴＤＳＡ−ＴＴＦであることが
確認された。
モニウム）塩（以下、ＴＴＢＡ−ＴＴＦと略す）の製造
。
実施例１で得たＴＤＢＡ−ＴＴＦ７．を純水３００＋１
１に溶解したのち、これに、テトラ−ｎ−ブチルアンモ
ニウムヒドロキシドの１０１Ｌ量％水溶液３０ｄを滴下
し、撹拌した。全量溶解し、次いで水を留去したのち、
これにメタノールを加えて溶かし、さらにこれをジエチ
ルエーテル中に再沈させた。この沈殿をろ別し、アセト
ン洗浄後、乾燥した。
このものについて、実施例１と同様にして同定を行った
ところ、次に示す構造のＴＴＥＡ−ＴＴＦであることが
確認された。
なお、このものの融点は１５７℃であった。また、元素
分析結果を第１表に示す。
実施例７ テトラチアフルバレン−２，３，６，７−テトラカルボ
ン酸テトラキス（テトラ−ｎ−ブチルアンなお、このも
のの融点は１６４℃であった。また元素分析値を第１表
に示す。
（以下余白） 実施例８ 実施例１で得られたＴＤＢＡ−ＴＴＦ　１ｙをメチレン
クロリド２０ｍａに溶かし、これにヨウ素１ｇをメチレ
ンクロリド３０ｍ１ｌに溶解した溶液を添加して、２時
間撹拌したのち、析出物をろ別し、メチレンクロリド洗
浄後、乾燥し、粉末状の電荷移動錯体を得た。
このものについて、次に示す方法により電気抵抗を測定
した。この結果を第２表に示す。
電気抵抗の測定法 粉末状錯体を径１ｍｒｒ＋のガラスセルに入れ、シリン
ダーで圧力約１３０　ｋｇ／　ｃｍ２で加圧成形し、径
１　ｍｍ、長さ５ｍ＋＋＋の電気抵抗測定用の試料とし
た。
この試料に銀ペーストで金電極をつけ、４端子法により
電気抵抗を測定した。なお、定電流源及び電圧測定器は
、それぞれＫＥＩＴＨＬＥＹ２２０．１８１型を用いｌ
；。
また、生成錯体の同定については、電気伝導度が高くな
ったこと、メチレンクロリドに対して不溶性になったこ
と及びＸ線マイクロアナライザーニヨリ、ヨウ素の存在
が認められたことにより、錯体の生成を確認した。
Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）の測定結果を第３
表に示す。
第３表 ＸＭＡによるヨウ素とイオウの強度比（１／Ｓ）は、６
６９８／２４５５０−０．０２であった。
このＩ／Ｓ比はヨウ素の存在を定性的に示す指標である
。この値も電気伝導度と共に第２表に示す。
実施例９ 実施例１で得られたＴＤＢＡ−ＴＴＦ　１９をすり栓付
きフラスコに入れ、さらにヨウ素粉末２９を入れて密栓
し、４０℃で１８時間放置した。その後、メチレンクロ
リドで洗浄したのち、室温で３時間真空乾燥し、粉末状
の電荷移動錯体を得た。
このものについて、実施例８と同様にして電気伝導度及
びＸＭＡによるＩ／Ｓ比を求めた。その結果を第２表に
示す。
実施例１Ｏ 実施例２で得られたＴＤＥＡ−ＴＴＦ　１９を用い、実
施例８と同様にして電荷移動錯体を得た。
このものの電気伝導度及びＸＭＡによるＩ／Ｓ比を第２
表に示す。
実施例１１ 実施例３で得られたＴＤＨＡ−ＴＴＦ　１９を用い、実
施例８と同様にして、電荷移動錯体を得た。
このものの電気伝導度及びＸＭＡによる■／Ｓ比を第２
表に示す。
実施例１２ 実施例４で得られたＴＤＰ　ｒ−ＴＴＦ　１９を用い実
施例８と同様にして電荷移動錯体を得た。このものの電
気伝導度及びＸＭＡによるＩ／Ｓ比をＭ２表に示す。
実施例１３ 実施例５で得られたＤＭＢＡ−ＴＴＦ１９を用い実施例
８と同様にして電荷移動錯体を得た。このものの電気伝
導度及びＸＭＡによるＩ／Ｓ比を第２表に示す。
実施例１４ 実施例６で得られたＴＤＳＡ−ＴＴＦ　１９を用い、実
施例８と同様にして電荷移動錯体を得た。
このものの電気伝導度及びＸＭＡによるＩ／Ｓ比を第２
表に示す。
実施例１５ 実施ｆｌＩ７で得られたＴＴＢＡ−ＴＴＦ　１ｇをメチ
レンクロリド２０ｍ１に溶かし、これに、ヨウ素１ｇを
メチレンクロリド３０ｍ１に溶かした溶液を加えて、１
２時間静置した。次いで析出した沈殿をろ別し、メチレ
ンクロリド洗浄後、乾燥して粉末状の電荷移動錯体を得
た。このものの電気伝導度及びＸＭＡによるＩ／Ｓ比を
第２表に示す。
比較例１ テトラチアフルバレン１ｇをすり栓付きフラスコに入れ
、さらにヨウ素粉末２ｇを入れて密栓し、４０°Ｃで１
８時間放置した。その後、メチレンクロリドで洗浄した
のち、室温で３時間真空乾燥して、粉末状の電荷移動錯
体を得た。このものの電気伝導度及びＸＭＡによりｒ／
Ｓ比を第２表に示す。
比較例２ テトラメチルテトラチアフルバレン１９をすり栓付きフ
ラスコに入れ、さらにヨウ素粉末２ｇを入れて密栓し、
４０’Ｏで１８時間放置した。その後メチレンクロリド
で洗浄しＩ；のち、室温で３時間真空乾燥して、粉末状
の電荷移動錯体を得た。
このものの電気伝導度及びＸＭＡによるＩ／Ｓ比を第２
表に示す。
（以下余白） ［発明の効果］ 本発明の新規なテトラチアフルバレン誘導体は、操作が
簡単で、かつ所要時間の短い直接法によっても、良好な
導電性を有する電荷移動錯体を与えるなど、電子供与体
として極めて有用である。
また、該テトラチアフルバレン誘導体から成る電子供与
体に、電子受容体を反応させて得られた電荷移動錯体は
、良好な導電性を有し例えば電子部品の導伝性材料など
として好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は、それぞれ本発明のテトラチアフル
バレン誘導体の異なった例のｌ　３０−ＮＭＲチャート
である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４は、それぞ
    れ水素原子又はカルボキシル基であるが、それらのすべ
    てが水素原子となることはない） で表されるテトラチアフルバレンカルボン酸の少なくと
    も１つのカルボキシル基が、Ｎ−炭化水素基置換アンモ
    ニウム塩を形成して成るテトラチアフルバレン誘導体。 ２　請求項１記載のテトラチアフルバレン誘導体を電子
    供与体とし、これに電子受容体を反応させて成る導電性
    電荷移動錯体。
JP18802888A 1988-07-29 1988-07-29 新規なテトラチアフルバレン誘導体及びこれを用いた導電性電荷移動錯体 Pending JPH0240378A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18802888A JPH0240378A (ja) 1988-07-29 1988-07-29 新規なテトラチアフルバレン誘導体及びこれを用いた導電性電荷移動錯体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18802888A JPH0240378A (ja) 1988-07-29 1988-07-29 新規なテトラチアフルバレン誘導体及びこれを用いた導電性電荷移動錯体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0240378A true JPH0240378A (ja) 1990-02-09

Family

ID=16216400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18802888A Pending JPH0240378A (ja) 1988-07-29 1988-07-29 新規なテトラチアフルバレン誘導体及びこれを用いた導電性電荷移動錯体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0240378A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009102039A1 (ja) * 2008-02-15 2009-08-20 The University Of Tokyo 有機半導体化合物、半導体素子、太陽電池及び有機半導体化合物の製造方法
JP2010195699A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Tokyo Institute Of Technology 有機半導体および有機薄膜トランジスタ
JP2016129137A (ja) * 2012-10-13 2016-07-14 国立研究開発法人物質・材料研究機構 有機透明電極、有機透明電極の製造方法、タッチパネル、ディスプレイ、有機金属、有機金属の製造方法、化合物又はその塩、電線及び電子デバイス

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009102039A1 (ja) * 2008-02-15 2009-08-20 The University Of Tokyo 有機半導体化合物、半導体素子、太陽電池及び有機半導体化合物の製造方法
CN102007112A (zh) * 2008-02-15 2011-04-06 国立大学法人东京大学 有机半导体化合物、半导体器件、太阳能电池及有机半导体化合物的制造方法
US8501801B2 (en) 2008-02-15 2013-08-06 National Institute For Materials Science Organic semiconductor compound, semiconductor element, solar battery, and process for producing organic semiconductor compound
US8710263B2 (en) 2008-02-15 2014-04-29 National Institute For Materials Science Organic semiconductor compound, semiconductor device, solar cell and producing method of organic semiconductor compound
JP5728777B2 (ja) * 2008-02-15 2015-06-03 国立研究開発法人物質・材料研究機構 有機化合物、有機半導体化合物、半導体素子及び太陽電池
JP2010195699A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Tokyo Institute Of Technology 有機半導体および有機薄膜トランジスタ
JP2016129137A (ja) * 2012-10-13 2016-07-14 国立研究開発法人物質・材料研究機構 有機透明電極、有機透明電極の製造方法、タッチパネル、ディスプレイ、有機金属、有機金属の製造方法、化合物又はその塩、電線及び電子デバイス

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Umakoshi et al. The dinuclear palladium (II) complex of pyridine-2-thiol. Synthesis, structure, and electrochemistry
Yus et al. On the Mechanism of Arene‐Catalyzed Lithiation: The Role of Arene Dianions—Naphthalene Radical Anion versus Naphthalene Dianion
Perepichka et al. Engineering a Remarkably Low HOMO–LUMO Gap by Covalent Linkage of a Strong π‐Donor and a π‐Acceptor—Tetrathiafulvalene‐σ‐Polynitrofluorene Diads: Their Amphoteric Redox Behavior, Electron Transfer and Spectroscopic Properties
JPH0240378A (ja) 新規なテトラチアフルバレン誘導体及びこれを用いた導電性電荷移動錯体
Hashmall et al. Molecular structure of selected S-methylthiophenium tetrafluoroborates and dibenzothiophene 5-oxide
Bock et al. Electron transfer and ion pairing. 12.[(Benzosemiquinone-18-crown-6). bul.-Li+ Na+]. bul.+: a paramagnetic triple ion with two different counter cations
JPH02258778A (ja) テトラセレナフルバレン誘導体及びこれを用いた導電性錯体
JPH02258776A (ja) テトラチアフルバレン誘導体及びこれを用いた導電性錯体
Sandman et al. Synthesis and crystal, molecular, and electronic structure of the organosulfur. pi.-electron-donor 2-(thiopyran-4'-ylidene)-1, 3-dithiole
Arena et al. Thermodynamics of copper (II) dicarboxylate coordination in aqueous solution
Jackson et al. Synthesis and electrochemical properties of the naturally occurring free radical scavenger carazostatin
JPH02291602A (ja) 電気触媒のための導体としての金属ポルフィリンのポリマーフィルム
JPS61293962A (ja) ラジカルイオン塩
Yamashita et al. Conductive Salts of Tropylium Ions with Tetracyanoquinodimethan Anion Radical (TCNQ·‐) and Bisthiadiazolotetracyanoquinodimethan Anion Radical (BTDA‐TCNQ·‐).
Bent et al. The Conductance of Non-aqueous Solutions. I. Sodium Triphenylboron and Disodium Tri-α-naphthylboron in Diethyl Ether
JP2003040856A (ja) ｍ−フルオロベンゼンスルホン酸誘導体およびドーパント剤
JPS61106785A (ja) 電気伝導系の製法
JPH02258777A (ja) 銅含有導電性有機物の製造方法
Sandman et al. Donor Properties of the p-Tricyanovinylphenyldicyanomethide Ion
JPS61254561A (ja) 新規ｔｃｎｑ錯体
TW201538488A (zh) 雙性離子化合物及離子傳導體
JPH01315418A (ja) ポリアニリン類の製造方法
JP2522342B2 (ja) ジベンゾ−１，６，７，８，１３−ペンタチア［５．５．５］キナレン誘導体
Slocum et al. Substituent effects on alkylferrocenes in molten salt mixtures
JPS5947220A (ja) 電子吸引性の側鎖を有する導電性ポリアリ−レン化合物の製法及びその使用