JPH0237611B2 - - Google Patents
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- JPH0237611B2 JPH0237611B2 JP56085428A JP8542881A JPH0237611B2 JP H0237611 B2 JPH0237611 B2 JP H0237611B2 JP 56085428 A JP56085428 A JP 56085428A JP 8542881 A JP8542881 A JP 8542881A JP H0237611 B2 JPH0237611 B2 JP H0237611B2
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- light beam
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光の旋光を利用した記録パターンの読
取光学系に関する。
取光学系に関する。
本発明はフアラデー（Faraday）効果、あるい
はカー（Kerr）効果と呼ばれる光磁気効果によ
り、垂直磁気記録体に記録されている記録パター
ンを検出あるいは観測するのに非常に有効であ
る。
はカー（Kerr）効果と呼ばれる光磁気効果によ
り、垂直磁気記録体に記録されている記録パター
ンを検出あるいは観測するのに非常に有効であ
る。
ここでフアラデー効果とは、光が磁気記録体を
透過する際に光・磁気効果により受ける偏光面の
回転（旋光）を云い、カー効果とは、反射する際
に受ける偏光面の回転（旋光）を云う。
透過する際に光・磁気効果により受ける偏光面の
回転（旋光）を云い、カー効果とは、反射する際
に受ける偏光面の回転（旋光）を云う。
従来、カー効果による垂直磁気記録体の記録パ
ターンの光学的観測、および電気的検出の方法
は、第１図Ａに示す光学系が使用されている。
ターンの光学的観測、および電気的検出の方法
は、第１図Ａに示す光学系が使用されている。
第１図Ａにおいて、２は偏光板、３は半透明
鏡、４は対物レンズ、５は垂直磁気記録体、６は
検光子、７はアイ・ピースレンズ、８は光電検出
器、あるいは磁気パターン観測面である。
鏡、４は対物レンズ、５は垂直磁気記録体、６は
検光子、７はアイ・ピースレンズ、８は光電検出
器、あるいは磁気パターン観測面である。
光束１は、偏光板２により直線偏光化された光
束となり、垂直磁気記録体５に入射する。ここ
で、従来の方式に用いる半透明鏡は偏光方向に関
係なくほぼ50％の透過及び反射率ものもが用いら
れている。垂直磁気記録体５の磁化方向（上向
き、あるいは下向き）に対応し、光束の偏光面が
カー効果により互いに反対方向の回転を受けて反
射される。例えば、下向き方向磁化部により反射
される光束の偏光面がθKの回転を受けたとする
と、上向き磁化部により反射される光束の偏光面
は−θKの回転を受ける。
束となり、垂直磁気記録体５に入射する。ここ
で、従来の方式に用いる半透明鏡は偏光方向に関
係なくほぼ50％の透過及び反射率ものもが用いら
れている。垂直磁気記録体５の磁化方向（上向
き、あるいは下向き）に対応し、光束の偏光面が
カー効果により互いに反対方向の回転を受けて反
射される。例えば、下向き方向磁化部により反射
される光束の偏光面がθKの回転を受けたとする
と、上向き磁化部により反射される光束の偏光面
は−θKの回転を受ける。
第１図Ｂに示す如く入射光束をＰ偏光とした場
合、検光子６の偏光透過方向を上記偏光方向−θK
と垂直方向（Ｑ方向）に配置すると、上向きの磁
化方向部からの反射光は、検光子６により遮断さ
れ、下向き磁化方向部からの反射光の検光子６の
透過成分△が検光子６を通過する。この現象によ
り、垂直磁化パターンが検出、あるいは観測出来
る。
合、検光子６の偏光透過方向を上記偏光方向−θK
と垂直方向（Ｑ方向）に配置すると、上向きの磁
化方向部からの反射光は、検光子６により遮断さ
れ、下向き磁化方向部からの反射光の検光子６の
透過成分△が検光子６を通過する。この現象によ
り、垂直磁化パターンが検出、あるいは観測出来
る。
従来の偏光方向に依存しない半透明鏡を用いた
光学系では、光束が２回も半透明鏡を通る事で振
幅が１／４に落ちる。更にカー効果による偏光回
転角θKは、一般には極く僅かで、大略1゜以下であ
るが従来の光学系では最終的にこの旋光角は変化
しない。従つて、従来方式には以下の欠点が存在
する。
光学系では、光束が２回も半透明鏡を通る事で振
幅が１／４に落ちる。更にカー効果による偏光回
転角θKは、一般には極く僅かで、大略1゜以下であ
るが従来の光学系では最終的にこの旋光角は変化
しない。従つて、従来方式には以下の欠点が存在
する。
１ 旋光角が非常に小さい為、変調光束から情報
を有する偏光成分を分離する為には、極めて高
い検光性能を有する検光子を高い精度で位置合
わせして配置せねばならず、コスト及び耐久性
からも好ましくない。
を有する偏光成分を分離する為には、極めて高
い検光性能を有する検光子を高い精度で位置合
わせして配置せねばならず、コスト及び耐久性
からも好ましくない。
２ 旋光角が非常に小さい為、非情報成分に比べ
て情報を有する偏光成分が小さい為、パターン
の明暗の差が小さくて検出しにくい。
て情報を有する偏光成分が小さい為、パターン
の明暗の差が小さくて検出しにくい。
本発明は以上の従来の読取光学系の問題点を解
決し、明暗の差が大きくて読取りやすい再生パタ
ーンを得る事が可能な記録パターン読取光学系を
提供することを目的とする。
決し、明暗の差が大きくて読取りやすい再生パタ
ーンを得る事が可能な記録パターン読取光学系を
提供することを目的とする。
本発明の上記目的は、光源から発した所定の方
向に偏光した光束を磁気記録体に入射せしめると
ともに、該記録体からの反射光をビームスプリツ
タで前記入射光束と分離し、該分離された反射光
の光磁気効果による旋光を、検出手段で光強度変
化に変換して検出することにより、前記記録体に
記録されたパターンを読取る記録パターン読取光
学系において、前記光源が、この光源から発する
光束が光学系に対しＳ偏光となるように配置され
ていること、前記ビームスプリツタが光源からの
光束を反射して前記記録体に入射させるととも
に、この記録体からの反射光を透過して前記検出
手段に導くこと、及び、このビームスプリツタが
前記反射光の内、Ｓ偏光成分に比べてＰ偏光成分
を相対的に増加させることにより、反射光の旋光
角を実質的に拡大する偏光ビームスプリツタであ
ることを特徴とする記録パターン読取光学系によ
つて達成される。
向に偏光した光束を磁気記録体に入射せしめると
ともに、該記録体からの反射光をビームスプリツ
タで前記入射光束と分離し、該分離された反射光
の光磁気効果による旋光を、検出手段で光強度変
化に変換して検出することにより、前記記録体に
記録されたパターンを読取る記録パターン読取光
学系において、前記光源が、この光源から発する
光束が光学系に対しＳ偏光となるように配置され
ていること、前記ビームスプリツタが光源からの
光束を反射して前記記録体に入射させるととも
に、この記録体からの反射光を透過して前記検出
手段に導くこと、及び、このビームスプリツタが
前記反射光の内、Ｓ偏光成分に比べてＰ偏光成分
を相対的に増加させることにより、反射光の旋光
角を実質的に拡大する偏光ビームスプリツタであ
ることを特徴とする記録パターン読取光学系によ
つて達成される。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
先ず、垂直磁気記録体からの反射光、即ちカー
効果による検出及び観測の基本原理を、第２図、
第３図及び第４図で説明する。
効果による検出及び観測の基本原理を、第２図、
第３図及び第４図で説明する。
第２図に示した光学系において、光学素子９に
対し偏光板１２を光束の偏光方向が紙面に平行な
Ｐ偏光入射状態にする。
対し偏光板１２を光束の偏光方向が紙面に平行な
Ｐ偏光入射状態にする。
第３図は第２図の光学系におけるそれぞれの位
置での光束の偏光状態を示したものである。偏光
板１２を通つた入射光束ａは、第３図イに示す如
く光学素子９に対しＰ成分のみの偏光成分を持
つ。また、その振幅をV0とする。本実施例に用
いる光学素子９は、従来の半透明鏡とは異なり、
後に述べるような、偏光方向によつて透過及び反
射率が異なる性質を有する。光学素子９のＰ偏光
成分の振幅透過率tP、振幅反射率rP、Ｓ偏光成分
（第２図において、紙面に垂直な偏光成分）の振
幅透過率tS、振幅反射率rSとし、また、説明を簡
単にするため入射光束は記録体１０に垂直に入射
するものとし、その振幅反射率をＲとする。
置での光束の偏光状態を示したものである。偏光
板１２を通つた入射光束ａは、第３図イに示す如
く光学素子９に対しＰ成分のみの偏光成分を持
つ。また、その振幅をV0とする。本実施例に用
いる光学素子９は、従来の半透明鏡とは異なり、
後に述べるような、偏光方向によつて透過及び反
射率が異なる性質を有する。光学素子９のＰ偏光
成分の振幅透過率tP、振幅反射率rP、Ｓ偏光成分
（第２図において、紙面に垂直な偏光成分）の振
幅透過率tS、振幅反射率rSとし、また、説明を簡
単にするため入射光束は記録体１０に垂直に入射
するものとし、その振幅反射率をＲとする。
光学素子９を透過した時の光束ｂは第３図ロに
示す如く、その偏光方向はイの状態と変わらず、
振幅はtPV0となる。
示す如く、その偏光方向はイの状態と変わらず、
振幅はtPV0となる。
光学素子９を通過した光束ｂが垂直磁気記録体
１０により反射される際、カー効果により、光束
が照明している領域の磁化方向に応じてθKまたは
−θKの偏光面の回転を受ける。
１０により反射される際、カー効果により、光束
が照明している領域の磁化方向に応じてθKまたは
−θKの偏光面の回転を受ける。
この時の光束の状態を第３図ハに示す。光束の
振幅成分はtPRV0、偏光面の方向は当初の偏光方
向を基準軸として、その軸に対し＋θKまたは−θK
である。従つて、光束のＰ成分の振幅はtP
RV0cos（±θK）、Ｓ成分の振幅はtPRV0sin（±θK）、
である。
振幅成分はtPRV0、偏光面の方向は当初の偏光方
向を基準軸として、その軸に対し＋θKまたは−θK
である。従つて、光束のＰ成分の振幅はtP
RV0cos（±θK）、Ｓ成分の振幅はtPRV0sin（±θK）、
である。
記録体１０で変調された光束Ｃが光学素子９に
て反射された後の光束ｄの状態を第３図ニに示
す。この光束の偏光状態は光学素子９の反射によ
り光束Ｃの状態から変化し、光学素子９の持つそ
れぞれの成分の反射率によりＰ成分の振幅はtPrP
RV0cos（±θK）、Ｓ成分はtPrPRV0sin（±θK）とな
る。
て反射された後の光束ｄの状態を第３図ニに示
す。この光束の偏光状態は光学素子９の反射によ
り光束Ｃの状態から変化し、光学素子９の持つそ
れぞれの成分の反射率によりＰ成分の振幅はtPrP
RV0cos（±θK）、Ｓ成分はtPrPRV0sin（±θK）とな
る。
従つて、光束ｄの振幅は各成分の振幅を合成
し、 であり、変調光束の偏光面の基準軸となす角φ
は、 ±φ＝tan-1（rS／rPtan（±θK）） ……(2) となる。（基準軸はこの光学系において入射光束
の偏光面と等価な面内にある。）即ち、偏光面の
回転角θKは角φに変換される。この時rS＞rPであ
れば（(2)式から容易に判るように）カー回転角θK
は角φに拡大される。
し、 であり、変調光束の偏光面の基準軸となす角φ
は、 ±φ＝tan-1（rS／rPtan（±θK）） ……(2) となる。（基準軸はこの光学系において入射光束
の偏光面と等価な面内にある。）即ち、偏光面の
回転角θKは角φに変換される。この時rS＞rPであ
れば（(2)式から容易に判るように）カー回転角θK
は角φに拡大される。
光束ｄが検光子１１を通過する様子を第４図に
示す。検光子１１の透過偏光方向を第４図の如く
光束ｄの偏光方向−φに垂直に配置すると−φ方
向に偏光方向を持つ光束は遮断され、φ方向偏光
光束の検光子１１の透過方向に対する斜影成分の
みが検光子１１を透過する。従つて検光子１１を
透過する成分の振幅Veは、 Ve＝Vdcos（90゜−2φ） ……(3) となる。光学素子９の吸収が無視できるものとす
るとtP 2＝１−rP 2であるから、(1)、(2)を用いて、
(3)式は、 が得られる。従つて、強度Ｉは、 Ｉ＝Ve 2＝（１−rP 2）rP 2R2V0 2［１＋（rS 2／rP 2−１）
sin2θK］sin22［tan-1（rS／rPtanθK）］……(5) である。強度Ｉは、光学素子の特性rP，rSに依存
しているからrP，rSをＩが最大となるように設定
し、光学素子を作製すれば、最も明るい磁気記録
パターンが検出あるいは観察出来る。第５図にrP
２≧１％の範囲での(5)式の計算結果をグラフとし
て示す。この結果からrS 2が高い程、またrPが小さ
い程強度Ｉは大きくなる事が判る。従来のrS約50
％の半透明鏡を用いた場合に比べ、rS 290％の光
学素子９を用いた場合の方が同一のrP 2の値に対
し約２倍明るい磁気パターンが検出出来る。この
ような特性の光学素子は一般の偏光ビームスプリ
ツターと同様に作製する事が可能である。
示す。検光子１１の透過偏光方向を第４図の如く
光束ｄの偏光方向−φに垂直に配置すると−φ方
向に偏光方向を持つ光束は遮断され、φ方向偏光
光束の検光子１１の透過方向に対する斜影成分の
みが検光子１１を透過する。従つて検光子１１を
透過する成分の振幅Veは、 Ve＝Vdcos（90゜−2φ） ……(3) となる。光学素子９の吸収が無視できるものとす
るとtP 2＝１−rP 2であるから、(1)、(2)を用いて、
(3)式は、 が得られる。従つて、強度Ｉは、 Ｉ＝Ve 2＝（１−rP 2）rP 2R2V0 2［１＋（rS 2／rP 2−１）
sin2θK］sin22［tan-1（rS／rPtanθK）］……(5) である。強度Ｉは、光学素子の特性rP，rSに依存
しているからrP，rSをＩが最大となるように設定
し、光学素子を作製すれば、最も明るい磁気記録
パターンが検出あるいは観察出来る。第５図にrP
２≧１％の範囲での(5)式の計算結果をグラフとし
て示す。この結果からrS 2が高い程、またrPが小さ
い程強度Ｉは大きくなる事が判る。従来のrS約50
％の半透明鏡を用いた場合に比べ、rS 290％の光
学素子９を用いた場合の方が同一のrP 2の値に対
し約２倍明るい磁気パターンが検出出来る。この
ような特性の光学素子は一般の偏光ビームスプリ
ツターと同様に作製する事が可能である。
以上、第６図イに示す系について説明したが、
磁気記録パターンの検出には、他に第６図ロ〜ニ
に示す系が考えられる。以下に、これら他の系に
関し説明する。
磁気記録パターンの検出には、他に第６図ロ〜ニ
に示す系が考えられる。以下に、これら他の系に
関し説明する。
第６図ロに示すように、光学素子９に対し、光
束がＳ偏光状態として入射する場合について考察
する。検光子１１を抜ける光量は、第６図イの場
合と全く同じ導出過程を経て、 Ｉ＝（１−rS 2）rS 2R2V0 2［１＋（rP 2／rS 2−１）sin2
θK］sin22［tan-1（rP／rStanθK）］……(6) が得られる。(5)式のrPをrSに、rSをrPに置き代え
れば両式は全く一致する。この結果から第５図と
同様のrP，rSに対する光量のグラフが描け、rPが
大きい程、またrSが小さい程明るい磁気パターン
が検出あるいは観察出来る事が判る。
束がＳ偏光状態として入射する場合について考察
する。検光子１１を抜ける光量は、第６図イの場
合と全く同じ導出過程を経て、 Ｉ＝（１−rS 2）rS 2R2V0 2［１＋（rP 2／rS 2−１）sin2
θK］sin22［tan-1（rP／rStanθK）］……(6) が得られる。(5)式のrPをrSに、rSをrPに置き代え
れば両式は全く一致する。この結果から第５図と
同様のrP，rSに対する光量のグラフが描け、rPが
大きい程、またrSが小さい程明るい磁気パターン
が検出あるいは観察出来る事が判る。
以上の２つのケースにおいては、光束が光学素
子を透過し、記録体１０、再び光学素子９に入り
反射された光束を検光子１１にてパターンを可視
化する場合である。
子を透過し、記録体１０、再び光学素子９に入り
反射された光束を検光子１１にてパターンを可視
化する場合である。
次に上記の逆、即ち、光束が光学素子９により
反射され、更に記録体１０により反射された後、
光学素子９を透過する場合について説明する。
反射され、更に記録体１０により反射された後、
光学素子９を透過する場合について説明する。
第６図ハに示す如く、光学素子９に対し、光束
の偏光状態がＰ偏光で入射する場合、前と同じ考
察で、検光子１１を透過する光量は、 Ｉ＝（１−tP 2）tP 2R2V0 2［１＋（tS 2／tP 2−１）sin2
θK］sin22［tan-1（tS／tPtanθK）］……(7) となる事が判る。(5)式rSをtSに、rPをtPに置き代
えれば(7)式に一致し、tSを大きく（即ちrSを小さ
く）またtPを小さく（即ちrPを大きく）取れば、
明るい磁気パターンが検出または観測出来る。
の偏光状態がＰ偏光で入射する場合、前と同じ考
察で、検光子１１を透過する光量は、 Ｉ＝（１−tP 2）tP 2R2V0 2［１＋（tS 2／tP 2−１）sin2
θK］sin22［tan-1（tS／tPtanθK）］……(7) となる事が判る。(5)式rSをtSに、rPをtPに置き代
えれば(7)式に一致し、tSを大きく（即ちrSを小さ
く）またtPを小さく（即ちrPを大きく）取れば、
明るい磁気パターンが検出または観測出来る。
第６図ニに示す如く、光学素子９に対し、光束
の偏光状態がＳ偏光で入射する場合、全く同様に
検光子１１を通過する光量は、 Ｉ＝（１−tS 2）tS 2V0 2R2［１＋（tP 2／tS 2−１）sin2
θK］sin22［tan-1（tP／tStanθK）］……(8) が導出出来る。(5)式のrSをtPに、rPをtSに置き代
えれば(8)式に一致し、tPを大きく（即ちrPを小さ
く）tSを小さく（即ちrSを大きく）取れば明るい
磁気パターンが検出または観測出来る。
の偏光状態がＳ偏光で入射する場合、全く同様に
検光子１１を通過する光量は、 Ｉ＝（１−tS 2）tS 2V0 2R2［１＋（tP 2／tS 2−１）sin2
θK］sin22［tan-1（tP／tStanθK）］……(8) が導出出来る。(5)式のrSをtPに、rPをtSに置き代
えれば(8)式に一致し、tPを大きく（即ちrPを小さ
く）tSを小さく（即ちrSを大きく）取れば明るい
磁気パターンが検出または観測出来る。
以上、磁気記録パターンの検出には、第６図イ
〜ニの系が考えられるが、本発明はこの内、第６
図ニのように構成したことを特徴とする。以下
に、第６図イ〜ハの比較例に対する、第６図ニに
示す実施例の利点に関して説明する。
〜ニの系が考えられるが、本発明はこの内、第６
図ニのように構成したことを特徴とする。以下
に、第６図イ〜ハの比較例に対する、第６図ニに
示す実施例の利点に関して説明する。
前述のように、本発明は光学素子９の偏光特性
を利用して、変調光束の旋光角を実質的に増大さ
せるものである。従つて、装置の構成によつて、
光学素子９に望まれる特性が異なつてくる。例え
ば、第６図イの場合には、Ｓ偏光を100％反射し、
Ｐ偏光を一部反射一部透過する特性、また、第６
図ニの場合には、Ｐ偏光を100％透過し、Ｓ偏光
を一部反射一部透過する特性が望まれる。
を利用して、変調光束の旋光角を実質的に増大さ
せるものである。従つて、装置の構成によつて、
光学素子９に望まれる特性が異なつてくる。例え
ば、第６図イの場合には、Ｓ偏光を100％反射し、
Ｐ偏光を一部反射一部透過する特性、また、第６
図ニの場合には、Ｐ偏光を100％透過し、Ｓ偏光
を一部反射一部透過する特性が望まれる。
一方、上記の如き光学素子は、通常、ガラスの
貼り合わせ面に、誘電大膜を多層コートすること
によつて作成される。この多層膜の反射率は、久
保田広著「波動光学」第207頁に記載されている
ように、以下のように示される。
貼り合わせ面に、誘電大膜を多層コートすること
によつて作成される。この多層膜の反射率は、久
保田広著「波動光学」第207頁に記載されている
ように、以下のように示される。
Ｒ＝r0＋r1e-i〓1＋r2e-i(〓1+〓2)＋……
δj＝2π／λ・（2nj dj cos ij）
但し、ここでδjはｊ番目の誘電体層において干
渉する光の位相差、njは同誘電体層の屈折率、dj
は同誘電体層の厚さ、ijは同誘電体層中の屈折角
である。また、上記文献の第26頁には、誘電体層
の境界面におけるＰ偏光反射率rPj及びＳ偏光反
射率rSjが、夫々以下のように表されることが開
示されている。
渉する光の位相差、njは同誘電体層の屈折率、dj
は同誘電体層の厚さ、ijは同誘電体層中の屈折角
である。また、上記文献の第26頁には、誘電体層
の境界面におけるＰ偏光反射率rPj及びＳ偏光反
射率rSjが、夫々以下のように表されることが開
示されている。
rPj＝tan（ij−ij+1）／tan（ij＋ij+1）
rSj＝sin（ij−ij+1）／sin（ij＋ij+1）
通常、多層膜は、設計上或いは膜厚コントロー
ルのし易さから、２種の誘電体層の繰り返しで、
且つ、δ1＝δ2＝…＝δo＝π／２と設定される。こ
の時、Ｒ＝r0＋r2−r4＋…ｉ（r1−r3＋r5＋…）か
ら、強度反射率｜Ｒ｜2は以下のように示される。
ルのし易さから、２種の誘電体層の繰り返しで、
且つ、δ1＝δ2＝…＝δo＝π／２と設定される。こ
の時、Ｒ＝r0＋r2−r4＋…ｉ（r1−r3＋r5＋…）か
ら、強度反射率｜Ｒ｜2は以下のように示される。
｜Ｒ｜2＝（r0＋r2−r4＋…r2o）2＋（r1−r3＋r5＋…
r2o-1）2 今、ij＋ij+1≒π／２となるように誘電体の材
料を選ぶと、tan（ij＋ij+1）≒∞となるので、rPj
＝０、即ち、Ｐ偏光を10％透過する構成が容易に
得られる。また、rSj≒sin（ij＋ij+1）となり、｜Ｒ
｜2の式により、層数を重ねるだけで、Ｐ偏光成
分とは独立に、所望のＳ偏光反射率を得ることが
出来る。
r2o-1）2 今、ij＋ij+1≒π／２となるように誘電体の材
料を選ぶと、tan（ij＋ij+1）≒∞となるので、rPj
＝０、即ち、Ｐ偏光を10％透過する構成が容易に
得られる。また、rSj≒sin（ij＋ij+1）となり、｜Ｒ
｜2の式により、層数を重ねるだけで、Ｐ偏光成
分とは独立に、所望のＳ偏光反射率を得ることが
出来る。
一方、Ｓ偏光を100％反射させる為には、ij＋
ij+1はπ／２の近傍とはならず、単に層数を重ね
るだけでは、Ｐ偏光及びＳ偏光の反射率を同時に
満足させるのは難しい。これは、誘電体材料の選
択及び膜厚の両方のフアクターを考慮しなければ
ならないからである。また、たとえ、コンピユー
タを用い、最適条件を見い出すことが出来ても、
作製上、膜厚管理が複雑になつてしまう。
ij+1はπ／２の近傍とはならず、単に層数を重ね
るだけでは、Ｐ偏光及びＳ偏光の反射率を同時に
満足させるのは難しい。これは、誘電体材料の選
択及び膜厚の両方のフアクターを考慮しなければ
ならないからである。また、たとえ、コンピユー
タを用い、最適条件を見い出すことが出来ても、
作製上、膜厚管理が複雑になつてしまう。
このように、本発明の構成を取ることによつ
て、他の系に比べ、安価で特性の優れた光学素子
を簡単に作成できるという利点がある。また、本
発明においては、読取光学系中に配する光学素子
の、透過率を各偏光成分毎に異ならせて透過又は
反射量を制御する事により、入射光束の偏光方向
の偏光成分に比べてそれと垂直な偏光成分を相対
的に増加させ、その結果旋光角を実質的に拡大し
て従来の欠点を解消している。
て、他の系に比べ、安価で特性の優れた光学素子
を簡単に作成できるという利点がある。また、本
発明においては、読取光学系中に配する光学素子
の、透過率を各偏光成分毎に異ならせて透過又は
反射量を制御する事により、入射光束の偏光方向
の偏光成分に比べてそれと垂直な偏光成分を相対
的に増加させ、その結果旋光角を実質的に拡大し
て従来の欠点を解消している。
次に、本発明を適用し得る光磁気記録方式のデ
イスクメモリー、ビデオ・デイスク等の構成例を
第７図により説明する。
イスクメモリー、ビデオ・デイスク等の構成例を
第７図により説明する。
図中１３は半導体レーザーHe−Neレーザー等
の光源である。１４は光源からの光束を平行光束
にするためのコリメート光学系である。１５は偏
光板で先の実施例で説明した光学素子１９に対
し、入射偏光面がＰ偏光となるようにその軸を配
置する。１６は位相回折格子で、トラツキング検
出用のサブ・スポツトを対物レンズ２０にて垂直
磁気記録体２１上に結ばせる為の光束角度分離を
行なう。レンズ１７は、この回折格子１６を対物
レンズ２０の瞳面近傍に結像する作用を持ち、こ
れにより、角度分離された光束の対物レンズ２０
までの系での遮れを防ぐ事が出来る。１８はミラ
ーで光軸を90゜曲げ対物レンズ２０へ光束を向け
る。従来使用されていた半透明鏡の位置に本発明
の光学素子１９を配置する。光束は対物レンズ２
０により、回転する垂直磁気記録体２１上にスポ
ツトを結像する。スポツトは、回折格子１６の角
度分離作用により、トラツキング信号検出用の２
コのスポツトとRF信号検出用のスポツト計３コ
のスポツトである。
の光源である。１４は光源からの光束を平行光束
にするためのコリメート光学系である。１５は偏
光板で先の実施例で説明した光学素子１９に対
し、入射偏光面がＰ偏光となるようにその軸を配
置する。１６は位相回折格子で、トラツキング検
出用のサブ・スポツトを対物レンズ２０にて垂直
磁気記録体２１上に結ばせる為の光束角度分離を
行なう。レンズ１７は、この回折格子１６を対物
レンズ２０の瞳面近傍に結像する作用を持ち、こ
れにより、角度分離された光束の対物レンズ２０
までの系での遮れを防ぐ事が出来る。１８はミラ
ーで光軸を90゜曲げ対物レンズ２０へ光束を向け
る。従来使用されていた半透明鏡の位置に本発明
の光学素子１９を配置する。光束は対物レンズ２
０により、回転する垂直磁気記録体２１上にスポ
ツトを結像する。スポツトは、回折格子１６の角
度分離作用により、トラツキング信号検出用の２
コのスポツトとRF信号検出用のスポツト計３コ
のスポツトである。
垂直磁気記録体によりカー回転を受け反射され
た光束は、光学素子１９により入射光束と分離
し、検光子２２で偏光成分の分離を行なう。２３
は非点収差を持つ光学系で、主として４分割受光
素子２６にて対物レンズのフオーカシング状態を
制御するための自動焦点合せ信号を検出する為に
必要なものである。
た光束は、光学素子１９により入射光束と分離
し、検光子２２で偏光成分の分離を行なう。２３
は非点収差を持つ光学系で、主として４分割受光
素子２６にて対物レンズのフオーカシング状態を
制御するための自動焦点合せ信号を検出する為に
必要なものである。
４分割受光素子で受光して得られる電気信号は
周波数分離器３０により適当な周波数帯で自動焦
点合せ信号とRF信号とに分離する。RF信号は増
幅器２７により増幅した後、信号復調系へ送り出
される自動焦点合せ信号はドライバー２８に送ら
れ、信号に従い対物レンズのフオーカス状態を制
御する。
周波数分離器３０により適当な周波数帯で自動焦
点合せ信号とRF信号とに分離する。RF信号は増
幅器２７により増幅した後、信号復調系へ送り出
される自動焦点合せ信号はドライバー２８に送ら
れ、信号に従い対物レンズのフオーカス状態を制
御する。
一方、光学系２３で分離された光束を光検出器
２４，２５で検出し、それらの信号を差分器２９
で差分した後ドライバーを経て対物レンズの水平
方向を制御しトラツキングを行なう。
２４，２５で検出し、それらの信号を差分器２９
で差分した後ドライバーを経て対物レンズの水平
方向を制御しトラツキングを行なう。
以上の構成により、垂直磁気記録体を用いたフ
アイル・メモリー、ビデオ・デイスク等の再生が
行なえる。
アイル・メモリー、ビデオ・デイスク等の再生が
行なえる。
本発明の効果は既に述べた如く、従来の半透明
鏡を用いた磁気パターン検出系に比べ、明暗の差
の大きいパターン検出及び観測出来る事更には、
光・磁気効果による偏光面の回転角、即ち旋光角
を拡大出来るため、各方向の偏光成分を検光子に
より分離する操作が容易となり、従来の検光子の
性能より低いもので良い事、従つて安価な検光子
の使用が可能となる事である。
鏡を用いた磁気パターン検出系に比べ、明暗の差
の大きいパターン検出及び観測出来る事更には、
光・磁気効果による偏光面の回転角、即ち旋光角
を拡大出来るため、各方向の偏光成分を検光子に
より分離する操作が容易となり、従来の検光子の
性能より低いもので良い事、従つて安価な検光子
の使用が可能となる事である。
また、光源からのＳ偏光を光学素子で反射して
記録体に導く構成としたことによつて、この光学
素子が安価で簡単に作成できるようになつた。
記録体に導く構成としたことによつて、この光学
素子が安価で簡単に作成できるようになつた。
第１図は従来の垂直磁気記録パターンの検出例
を示す図、第２図は本発明の検出原理を説明する
ための光学系の基本構成図、第３図及び第４図は
夫々第２図々示の光学系の作用を説明する図、第
５図は第２図々示の光学系に用いた光学素子の特
性と磁気パターンの明るさを示すグラフ図、第６
図は本発明の実施例と比較例を示す図、第７図は
本発明を適用し得るデイスク・メモリーの構成例
を示す図である。 ９…光学素子、１０…記録体、１１…検光子、
１２…偏光板。
を示す図、第２図は本発明の検出原理を説明する
ための光学系の基本構成図、第３図及び第４図は
夫々第２図々示の光学系の作用を説明する図、第
５図は第２図々示の光学系に用いた光学素子の特
性と磁気パターンの明るさを示すグラフ図、第６
図は本発明の実施例と比較例を示す図、第７図は
本発明を適用し得るデイスク・メモリーの構成例
を示す図である。 ９…光学素子、１０…記録体、１１…検光子、
１２…偏光板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光源から発した所定の方向に偏光した光束を
磁気記録体に入射せしめるとともに、該記録体か
らの反射光をビームスプリツタで前記入射光束と
分離し、該分離された反射光の光磁気効果による
旋光を、検出手段で光強度変化に変換して検出す
ることにより、前記記録体に記録されたパターン
を読取る記録パターン読取光学系において、 前記光源が、この光源から発する光束が光学系
に対しＳ偏光となるように配置されていること、
前記ビームスプリツタが光源からの光束を反射し
て前記記録体に入射させるとともに、この記録体
からの反射光を透過して前記検出手段に導くこ
と、及び、このビームスプリツタが前記反射光の
内、Ｓ偏光成分に比べてＰ偏光成分を相対的に増
加させることにより、反射光の旋光角を実質的に
拡大する偏光ビームスプリツタであることを特徴
とする記録パターン読取光学系。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56085428A JPS57200958A (en) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | Recording pattern reading opticl system |
| US06/382,202 US4561032A (en) | 1981-06-02 | 1982-05-26 | Magnetooptic reproducing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56085428A JPS57200958A (en) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | Recording pattern reading opticl system |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4171173A Division JPH0748270B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 記録パターン読取光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57200958A JPS57200958A (en) | 1982-12-09 |
| JPH0237611B2 true JPH0237611B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=13858556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56085428A Granted JPS57200958A (en) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | Recording pattern reading opticl system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57200958A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2504734B2 (ja) * | 1983-11-08 | 1996-06-05 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶装置の光学装置 |
| JPS61122942A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-10 | Canon Inc | 光情報処理装置 |
| JP2505762B2 (ja) * | 1986-08-28 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | 回転ヘツド型記録または再生装置 |
| JPH03116567A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Canon Inc | 光磁気情報再生装置 |
| US5420848A (en) * | 1990-08-02 | 1995-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical system for optical information recording/reproducing apparatus having a galvano mirror |
| JP2510131B2 (ja) * | 1994-08-05 | 1996-06-26 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶装置 |
-
1981
- 1981-06-02 JP JP56085428A patent/JPS57200958A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57200958A (en) | 1982-12-09 |
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