JPH06290502A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
- Publication number
- JPH06290502A JPH06290502A JP4070707A JP7070792A JPH06290502A JP H06290502 A JPH06290502 A JP H06290502A JP 4070707 A JP4070707 A JP 4070707A JP 7070792 A JP7070792 A JP 7070792A JP H06290502 A JPH06290502 A JP H06290502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reflecting surface
- optical pickup
- optical
- grating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Moving Of The Head For Recording And Reproducing By Optical Means (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学情報記録装置に用いる光ピックアップに
おいて、光路長を確保して小型・軽量にすることを目的
とする。 【構成】 同一面上に配設された第一の反射面のホログ
ラム光学素子１５と集光グレーティングレンズ１６が第
二の反射面１７と相対するように一体形成されたガラス
素子１４と、グレーティング１９がプロトン交換で製作
されているＬｉＮｂＯ3基板１８と樹脂２１で接着固定
した半導体レーザ１および多分割光検出器２０を一体構
成とし、相対する２つの反射面により、半導体レーザ１
からの射出光およびディスク７からの反射光がその２つ
の反射面を往復することにより、光路長を確保できると
ともに全部品が一体構成となり、小型，軽量にできる。
おいて、光路長を確保して小型・軽量にすることを目的
とする。 【構成】 同一面上に配設された第一の反射面のホログ
ラム光学素子１５と集光グレーティングレンズ１６が第
二の反射面１７と相対するように一体形成されたガラス
素子１４と、グレーティング１９がプロトン交換で製作
されているＬｉＮｂＯ3基板１８と樹脂２１で接着固定
した半導体レーザ１および多分割光検出器２０を一体構
成とし、相対する２つの反射面により、半導体レーザ１
からの射出光およびディスク７からの反射光がその２つ
の反射面を往復することにより、光路長を確保できると
ともに全部品が一体構成となり、小型，軽量にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光によって情報を記録
または再生する光学情報記録装置に用いる光ピックアッ
プに関する。
または再生する光学情報記録装置に用いる光ピックアッ
プに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光磁気ディスク装置は、ハードデ
ィスク装置やフロッピーディスク装置にかわる高密度・
大容量の情報記憶装置として期待されている。光磁気デ
ィスク装置の光ピックアップの小型・軽量化は、装置全
体の小型化だけでなく、アクセス時間の短縮などの性能
向上に有利であり、技術開発が活発に行われている。
ィスク装置やフロッピーディスク装置にかわる高密度・
大容量の情報記憶装置として期待されている。光磁気デ
ィスク装置の光ピックアップの小型・軽量化は、装置全
体の小型化だけでなく、アクセス時間の短縮などの性能
向上に有利であり、技術開発が活発に行われている。
【０００３】以下に従来の光磁気ディスク装置の光ピッ
クアップについて説明する。図９において、１は光源で
ある半導体レーザ、２はコリメータレンズ、３はプリズ
ムアナモルフィックで半導体レーザ１からの楕円光束を
平行円光束に変換する。４はＰＢＳプリズムでプローブ
光と信号光を分離する。５ははね上げミラー、６は対物
レンズでディスク７に光束を集光する。８は半波長板で
信号光の偏光方向を９０度回転させる。９はレンズ、１
０はホログラム素子、１１は検光子、１２は６分割光検
出器、１３は２分割光検出器で信号光を電気信号に変換
する。
クアップについて説明する。図９において、１は光源で
ある半導体レーザ、２はコリメータレンズ、３はプリズ
ムアナモルフィックで半導体レーザ１からの楕円光束を
平行円光束に変換する。４はＰＢＳプリズムでプローブ
光と信号光を分離する。５ははね上げミラー、６は対物
レンズでディスク７に光束を集光する。８は半波長板で
信号光の偏光方向を９０度回転させる。９はレンズ、１
０はホログラム素子、１１は検光子、１２は６分割光検
出器、１３は２分割光検出器で信号光を電気信号に変換
する。
【０００４】上記構成要素よりなる光ピックアップにつ
いて、各構成要素の関係と動作を説明する。半導体レー
ザ１からの光束は、コリメータレンズ２，プリズムアナ
モフィック３で平行円光束に変換され、ＰＢＳプリズム
４，はね上げミラー５を経由し、対物レンズ６によりデ
ィスク７に集光される。集光された光束は記録信号をピ
ックアップし、信号光として反射される。このとき、記
録信号は磁化方向の違いにより記録されているので、信
号光はカー効果の作用でその信号により偏光面の回転力
方向が異なる。信号光は対物レンズ６，はね上げミラー
５を経由し、ＰＢＳプリズム４で主光軸外に分離された
後、信号光の偏光がホログラム素子１０に対してＴＭ波
になるように半波長板８で偏光方向が９０度回転され、
レンズ９で集光されながらホログラム素子１０にブラッ
ク角で入射する。ホログラム素子１０で回析された１次
回析光は、６分割光検出器１２に結像され、焦点誤差お
よびトラッキング誤差よりなり、焦点誤差信号は、焦点
位置でのデフォーカスにともなう結像パターンの変化を
４分割センサで検出するダブルナイフエッジ法で、トラ
ッキング誤差信号は、２つのホログラムに入射する光強
度の変化を２分割センサで検出するプッシュプル法を用
いて行う。０次回析光は検光子１１を経て２分割光検出
器１３に入射され信号読み取りに用いられる。
いて、各構成要素の関係と動作を説明する。半導体レー
ザ１からの光束は、コリメータレンズ２，プリズムアナ
モフィック３で平行円光束に変換され、ＰＢＳプリズム
４，はね上げミラー５を経由し、対物レンズ６によりデ
ィスク７に集光される。集光された光束は記録信号をピ
ックアップし、信号光として反射される。このとき、記
録信号は磁化方向の違いにより記録されているので、信
号光はカー効果の作用でその信号により偏光面の回転力
方向が異なる。信号光は対物レンズ６，はね上げミラー
５を経由し、ＰＢＳプリズム４で主光軸外に分離された
後、信号光の偏光がホログラム素子１０に対してＴＭ波
になるように半波長板８で偏光方向が９０度回転され、
レンズ９で集光されながらホログラム素子１０にブラッ
ク角で入射する。ホログラム素子１０で回析された１次
回析光は、６分割光検出器１２に結像され、焦点誤差お
よびトラッキング誤差よりなり、焦点誤差信号は、焦点
位置でのデフォーカスにともなう結像パターンの変化を
４分割センサで検出するダブルナイフエッジ法で、トラ
ッキング誤差信号は、２つのホログラムに入射する光強
度の変化を２分割センサで検出するプッシュプル法を用
いて行う。０次回析光は検光子１１を経て２分割光検出
器１３に入射され信号読み取りに用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の構成では、バルク部品を組み合わせた構成である
ことと、所定の光路長を必要とするところからピックア
ップの小型・軽量化に限界があるとともに部品の位置調
整が困難であるという問題点を有していた。
従来の構成では、バルク部品を組み合わせた構成である
ことと、所定の光路長を必要とするところからピックア
ップの小型・軽量化に限界があるとともに部品の位置調
整が困難であるという問題点を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、光路長が確保でき、かつ、光学部品が一体構成でき
て小型・軽量にした光ピックアップを提供することを目
的とする。
で、光路長が確保でき、かつ、光学部品が一体構成でき
て小型・軽量にした光ピックアップを提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の光ピックアップは、レーザ発生装置と、レー
ザ発生装置からの射出光を反射する第一の反射面と、第
一の反射面と相対して配設した第一の反射面からの光束
を反射する第二の反射面と、第一の反射面と同一面上に
配設した第二の反射面からの光束をディスク上に集光す
る集光光学素子と、ディスクからの反射光を偏光分離す
る偏光素子と、光検出器を備えた構成としたものであ
る。
に本発明の光ピックアップは、レーザ発生装置と、レー
ザ発生装置からの射出光を反射する第一の反射面と、第
一の反射面と相対して配設した第一の反射面からの光束
を反射する第二の反射面と、第一の反射面と同一面上に
配設した第二の反射面からの光束をディスク上に集光す
る集光光学素子と、ディスクからの反射光を偏光分離す
る偏光素子と、光検出器を備えた構成としたものであ
る。
【０００８】
【作用】この構成によって、光学部品が一体構成される
とともに相対する第一と第二の反射面により半導体レー
ザからの射出光およびディスクからの反射光ともに、そ
の二つの反射面間を往復することにより光路長を確保す
ることができ、小型・軽量にできる。
とともに相対する第一と第二の反射面により半導体レー
ザからの射出光およびディスクからの反射光ともに、そ
の二つの反射面間を往復することにより光路長を確保す
ることができ、小型・軽量にできる。
【０００９】
（実施例１）以下、本発明の一実施例について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１０】図１において、１は光源である半導体レー
ザ、１４はガラス素子、１５は第一の反射面のホログラ
ム光学素子である。１６はレーザ光束をディスク７に集
光するグレーティングレンズで、ホログラム光学素子１
５とガラス素子１４の同一面上に配設されている。１７
は反射ミラー膜よりなる第二の反射面、１９はＬｉＮｂ
Ｏ3基板１８にプロトン交換法で製作されるグレーティ
ング、２０は多分割光検出器である。半導体レーザ１お
よび多分割光検出器２０はＬｉＮｂＯ3基板１８に樹脂
２１で接着固定されており、上記の全部品が一体構成さ
れている。ＬｉＮｂＯ3基板１８にプロトン交換法で製
作されるグレーティング１９について図２を用いて説明
する。ＬｉＮｂＯ3基板１８上に周期的にプロトン交換
を施したグレーティング１９を形成し、その上に誘電体
膜２２を形成した構造で、偏光分離機能がある。この構
造で、結晶光学軸方向と直交する偏光光に対してプロト
ン交換領域とプロトン交換領域外で位相差が生じないよ
うに誘電体膜の厚さを調整すると、図２に示すように、
常光２３は０次回析光２４として透過し、また、入射光
の結晶光学軸方向の偏光光２５は１次回析光２６として
回析する。
ザ、１４はガラス素子、１５は第一の反射面のホログラ
ム光学素子である。１６はレーザ光束をディスク７に集
光するグレーティングレンズで、ホログラム光学素子１
５とガラス素子１４の同一面上に配設されている。１７
は反射ミラー膜よりなる第二の反射面、１９はＬｉＮｂ
Ｏ3基板１８にプロトン交換法で製作されるグレーティ
ング、２０は多分割光検出器である。半導体レーザ１お
よび多分割光検出器２０はＬｉＮｂＯ3基板１８に樹脂
２１で接着固定されており、上記の全部品が一体構成さ
れている。ＬｉＮｂＯ3基板１８にプロトン交換法で製
作されるグレーティング１９について図２を用いて説明
する。ＬｉＮｂＯ3基板１８上に周期的にプロトン交換
を施したグレーティング１９を形成し、その上に誘電体
膜２２を形成した構造で、偏光分離機能がある。この構
造で、結晶光学軸方向と直交する偏光光に対してプロト
ン交換領域とプロトン交換領域外で位相差が生じないよ
うに誘電体膜の厚さを調整すると、図２に示すように、
常光２３は０次回析光２４として透過し、また、入射光
の結晶光学軸方向の偏光光２５は１次回析光２６として
回析する。
【００１１】図３に示すように、本実施例のホログラム
光学素子１５は、少なくとも２つのホログラム領域２７
からなり、また、ホログラム光学素子１５の直径の１／
３を直径とする中央部２８は光束が反射しないように遮
光されている。
光学素子１５は、少なくとも２つのホログラム領域２７
からなり、また、ホログラム光学素子１５の直径の１／
３を直径とする中央部２８は光束が反射しないように遮
光されている。
【００１２】以上のように構成された光ピックアップに
ついて、以下その動作を説明する。図１に示すように、
半導体レーザ１からの光束は、まずホログラム光学素子
１５で回析反射されるが、情報の再生に利用されるのは
０次回析光なので、鏡面反射と考えてよい。ここで回析
反射された光束は第二の反射面１７で再び反射され、グ
レーティングレンズ１６に入射し、グレーティングレン
ズ１６の集光作用によりディスク７に集光される。この
とき、グレーティングレンズ１６への入射光束の中心部
分がホログラム光学素子１５で遮光されるので、超解像
現象により集光される光スポットは小さくなる。ディス
ク７に集光された光束は、記録信号をピックアップして
反射される。この反射光は、図４に示すように、カー効
果により入射光の偏光方向２９から回転した信号光３０
となるが、記録信号は磁化方向の違いにより記録されて
いるので、その信号により入射光の偏光方向を基準とし
て回転方向が逆になる。信号光はグレーティングレンズ
１６，第二の反射面１７を経由した後、ホログラム光学
素子１５に入射し、回析反射される。ホログラム光学素
子の２つの領域での１次回析光は、それぞれ半導体レー
ザ１からの射出光の偏光に対してＬｉＮｂＯ3基板１８
の結晶光学軸を４５度傾けたプロトン交換法で製作され
たグレーティング１９で回析され、２個の多分割光検出
器２０に入射する。このときＬｉＮｂＯ3基板１８にプ
ロトン交換法で製作されたグレーティング１９で回析さ
れる１次回析光３１は、半導体レーザ１からの射出光束
の偏光に対して４５度傾いた方向の偏光光であり、０次
回析光３２は、前記方向に直交する方向の偏光光であ
る。このようにグレーティング１９は、その入射光に対
して検光子機能を付随した偏光分離を行うので、０次回
析光と１次回析光の差動検出によりカー信号を検出す
る。
ついて、以下その動作を説明する。図１に示すように、
半導体レーザ１からの光束は、まずホログラム光学素子
１５で回析反射されるが、情報の再生に利用されるのは
０次回析光なので、鏡面反射と考えてよい。ここで回析
反射された光束は第二の反射面１７で再び反射され、グ
レーティングレンズ１６に入射し、グレーティングレン
ズ１６の集光作用によりディスク７に集光される。この
とき、グレーティングレンズ１６への入射光束の中心部
分がホログラム光学素子１５で遮光されるので、超解像
現象により集光される光スポットは小さくなる。ディス
ク７に集光された光束は、記録信号をピックアップして
反射される。この反射光は、図４に示すように、カー効
果により入射光の偏光方向２９から回転した信号光３０
となるが、記録信号は磁化方向の違いにより記録されて
いるので、その信号により入射光の偏光方向を基準とし
て回転方向が逆になる。信号光はグレーティングレンズ
１６，第二の反射面１７を経由した後、ホログラム光学
素子１５に入射し、回析反射される。ホログラム光学素
子の２つの領域での１次回析光は、それぞれ半導体レー
ザ１からの射出光の偏光に対してＬｉＮｂＯ3基板１８
の結晶光学軸を４５度傾けたプロトン交換法で製作され
たグレーティング１９で回析され、２個の多分割光検出
器２０に入射する。このときＬｉＮｂＯ3基板１８にプ
ロトン交換法で製作されたグレーティング１９で回析さ
れる１次回析光３１は、半導体レーザ１からの射出光束
の偏光に対して４５度傾いた方向の偏光光であり、０次
回析光３２は、前記方向に直交する方向の偏光光であ
る。このようにグレーティング１９は、その入射光に対
して検光子機能を付随した偏光分離を行うので、０次回
析光と１次回析光の差動検出によりカー信号を検出す
る。
【００１３】つぎに図５に示した多分割光検出器２０に
よる、焦点誤差，トラッキング誤差のそれぞれの誤差検
出方法を説明する。２個の多分割光検出器２０は、それ
ぞれ３個のセンサＳ１，Ｓ２，Ｓ３およびＴ１，Ｔ２，
Ｔ３で構成されていて、その出力はそれぞれＶ１，Ｖ
２，Ｖ３およびＷ１，Ｗ２，Ｗ３である。グレーティン
グ１９の０次回析光は、それぞれＳ１とＳ２，Ｔ２とＴ
３の境界線上に結像し、１次回析光はそれぞれＳ３，Ｔ
１に結像する。これにより焦点誤差信号は、１次回析光
の焦点位置でのデフォーカスにともなう結像パターンの
変化を検出するナイフエッジ法を用いて行う。つまりＳ
１とＴ３の和とＳ２とＴ２の和の差動信号、（Ｖ１＋Ｗ
３）−（Ｖ２＋Ｗ２）を検出する。また、トラッキング
誤差信号は、２つのプロトン交換領域に入射する光強度
の変化をその１次回析光の強度として検出するプッシュ
プル法を用いる。つまりＳ１とＳ２の和とＴ２とＴ３の
和の差動信号、（Ｖ１＋Ｖ２）−（Ｗ２＋Ｗ３）を検出
する。さらにカー信号検出は、Ｓ１とＳ２の和とＳ３の
差動信号、（Ｖ１＋Ｖ２）−Ｖ３を検出する。
よる、焦点誤差，トラッキング誤差のそれぞれの誤差検
出方法を説明する。２個の多分割光検出器２０は、それ
ぞれ３個のセンサＳ１，Ｓ２，Ｓ３およびＴ１，Ｔ２，
Ｔ３で構成されていて、その出力はそれぞれＶ１，Ｖ
２，Ｖ３およびＷ１，Ｗ２，Ｗ３である。グレーティン
グ１９の０次回析光は、それぞれＳ１とＳ２，Ｔ２とＴ
３の境界線上に結像し、１次回析光はそれぞれＳ３，Ｔ
１に結像する。これにより焦点誤差信号は、１次回析光
の焦点位置でのデフォーカスにともなう結像パターンの
変化を検出するナイフエッジ法を用いて行う。つまりＳ
１とＴ３の和とＳ２とＴ２の和の差動信号、（Ｖ１＋Ｗ
３）−（Ｖ２＋Ｗ２）を検出する。また、トラッキング
誤差信号は、２つのプロトン交換領域に入射する光強度
の変化をその１次回析光の強度として検出するプッシュ
プル法を用いる。つまりＳ１とＳ２の和とＴ２とＴ３の
和の差動信号、（Ｖ１＋Ｖ２）−（Ｗ２＋Ｗ３）を検出
する。さらにカー信号検出は、Ｓ１とＳ２の和とＳ３の
差動信号、（Ｖ１＋Ｖ２）−Ｖ３を検出する。
【００１４】以上のように本実施例によれば、相対する
２つの反射面により、半導体レーザ１からの射出光およ
びディスク７からの反射光が２つの反射面を往復するこ
とにより光路長を確保できることに加えて、全部品が一
体構成にでき、小型，軽量，コンパクトにできる。
２つの反射面により、半導体レーザ１からの射出光およ
びディスク７からの反射光が２つの反射面を往復するこ
とにより光路長を確保できることに加えて、全部品が一
体構成にでき、小型，軽量，コンパクトにできる。
【００１５】なお、信号検出方法において、２個の多分
割検出器をまとめた６つのセンサより形成される多分割
光検出器２０によりカー信号読み取りと焦点誤差，トラ
ッキング誤差それぞれの誤差信号の検出を行ってもよ
い。また、本実施例において偏光素子として用いたＬｉ
ＮｂＯ3基板１８にプロトン交換法で形設されるグレー
ティング１９は、入射光波長の１／２以下の周期構造で
ある回析素子でもよい。
割検出器をまとめた６つのセンサより形成される多分割
光検出器２０によりカー信号読み取りと焦点誤差，トラ
ッキング誤差それぞれの誤差信号の検出を行ってもよ
い。また、本実施例において偏光素子として用いたＬｉ
ＮｂＯ3基板１８にプロトン交換法で形設されるグレー
ティング１９は、入射光波長の１／２以下の周期構造で
ある回析素子でもよい。
【００１６】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】図６に示すように、本実施例は、前述第１
の実施例の構成で、ＬｉＮｂＯ3基板１８にプロトン交
換法で製作されるグレーティング１９を半導体レーザ１
の射出光路中に配設し、その結晶光学軸が半導体レーザ
１の射出光束の偏光面に対して４５度傾いた少なくとも
２つの領域からなるようにし、２個の多分割光検出器２
０を１個にして全部品が一体構成とされている。
の実施例の構成で、ＬｉＮｂＯ3基板１８にプロトン交
換法で製作されるグレーティング１９を半導体レーザ１
の射出光路中に配設し、その結晶光学軸が半導体レーザ
１の射出光束の偏光面に対して４５度傾いた少なくとも
２つの領域からなるようにし、２個の多分割光検出器２
０を１個にして全部品が一体構成とされている。
【００１８】以上のように構成された光ピックアップに
ついて、以下その動作を説明する。半導体レーザ１から
の射出光はＬｉＮｂＯ3基板１８，第一の反射面のホロ
グラム光学素子１５，第二の反射面１７，グレーティン
グレンズ１６を経てディスク７に集光され、記録信号を
ピックアップした後、グレーティングレンズ１６，第二
の反射面１７を経て第一の反射面のホログラム光学素子
１５に入射する。第一の反射面のホログラム素子１５か
らの０次回析光は、ＬｉＮｂＯ3基板１８にプロトン交
換法で製作されるグレーティング１９の２つの領域より
回析されるが、それぞれの１次回析光が、多分割光検出
器２０に結像され、カー信号読み取りと焦点誤差，トラ
ッキング誤差それぞれの誤差検出信号に用いられる。こ
の１次回析光は、第１の実施例で説明したように、Ｌｉ
ＮｂＯ3基板１８にプロトン交換法で製作されるグレー
ティング１９の入射光に対して４５度方向の偏光光とな
り、その強度がカー信号の偏光方向で変化することで、
カー信号の検出を行う。つぎに図７に示した多分割光検
出器２０による焦点誤差，トラッキング誤差のそれぞれ
の誤差検出方法を説明する。多分割光検出器２０は４個
のセンサＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４で構成されていて、そ
の出力はそれぞれＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４である。Ｌｉ
ＮｂＯ3基板１８にプロトン交換法で製作されるグレー
ティング１９の２つの領域での１次回析光は、それぞれ
センサＲ１とＲ３，Ｒ２とＲ４の境界線上に結像する。
これより焦点誤差信号は、焦点位置でのデフォーカスに
ともなう結像パターンの変化を検出するナイフエッジ法
を用いて行う。つまり、Ｒ１とＲ４の和とＲ２とＲ３の
和の差動信号、（Ｕ１＋Ｕ４）−（Ｕ２＋Ｕ３）を検出
する。また、トラッキング誤差信号は、２つのグレーテ
ィング領域に入射する光強度の変化をその１次回析光の
強度として検出するプッシュプル法を用いる。つまり、
Ｒ１とＲ３の和とＲ２とＲ４の和の差動信号、（Ｕ１＋
Ｕ３）−（Ｕ２＋Ｕ４）を検出する。
ついて、以下その動作を説明する。半導体レーザ１から
の射出光はＬｉＮｂＯ3基板１８，第一の反射面のホロ
グラム光学素子１５，第二の反射面１７，グレーティン
グレンズ１６を経てディスク７に集光され、記録信号を
ピックアップした後、グレーティングレンズ１６，第二
の反射面１７を経て第一の反射面のホログラム光学素子
１５に入射する。第一の反射面のホログラム素子１５か
らの０次回析光は、ＬｉＮｂＯ3基板１８にプロトン交
換法で製作されるグレーティング１９の２つの領域より
回析されるが、それぞれの１次回析光が、多分割光検出
器２０に結像され、カー信号読み取りと焦点誤差，トラ
ッキング誤差それぞれの誤差検出信号に用いられる。こ
の１次回析光は、第１の実施例で説明したように、Ｌｉ
ＮｂＯ3基板１８にプロトン交換法で製作されるグレー
ティング１９の入射光に対して４５度方向の偏光光とな
り、その強度がカー信号の偏光方向で変化することで、
カー信号の検出を行う。つぎに図７に示した多分割光検
出器２０による焦点誤差，トラッキング誤差のそれぞれ
の誤差検出方法を説明する。多分割光検出器２０は４個
のセンサＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４で構成されていて、そ
の出力はそれぞれＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４である。Ｌｉ
ＮｂＯ3基板１８にプロトン交換法で製作されるグレー
ティング１９の２つの領域での１次回析光は、それぞれ
センサＲ１とＲ３，Ｒ２とＲ４の境界線上に結像する。
これより焦点誤差信号は、焦点位置でのデフォーカスに
ともなう結像パターンの変化を検出するナイフエッジ法
を用いて行う。つまり、Ｒ１とＲ４の和とＲ２とＲ３の
和の差動信号、（Ｕ１＋Ｕ４）−（Ｕ２＋Ｕ３）を検出
する。また、トラッキング誤差信号は、２つのグレーテ
ィング領域に入射する光強度の変化をその１次回析光の
強度として検出するプッシュプル法を用いる。つまり、
Ｒ１とＲ３の和とＲ２とＲ４の和の差動信号、（Ｕ１＋
Ｕ３）−（Ｕ２＋Ｕ４）を検出する。
【００１９】以上のように本実施例によれば、第１の実
施例と同様の効果が得られる。なお、第二の反射面１７
として反射ミラーを用いてもよい。
施例と同様の効果が得られる。なお、第二の反射面１７
として反射ミラーを用いてもよい。
【００２０】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について、図面を参照しながら説明する。図８に示すよ
うに、本実施例は、前述第２の実施例の構成でＬｉＮｂ
Ｏ3基板１８にプロトン交換法で製作されるグレーティ
ング１９をガラス素子１４の側面部分に配設し、半導体
レーザ１は第二の反射面１７に、多分割光検出器２０は
ＬｉＮｂＯ 3基板１８にそれぞれ樹脂２１で接着固定さ
れ、全部品が一体構成とされている。
について、図面を参照しながら説明する。図８に示すよ
うに、本実施例は、前述第２の実施例の構成でＬｉＮｂ
Ｏ3基板１８にプロトン交換法で製作されるグレーティ
ング１９をガラス素子１４の側面部分に配設し、半導体
レーザ１は第二の反射面１７に、多分割光検出器２０は
ＬｉＮｂＯ 3基板１８にそれぞれ樹脂２１で接着固定さ
れ、全部品が一体構成とされている。
【００２１】以上のように構成された光ピックアップに
ついて、以下その動作を説明する。半導体レーザ１から
の射出光は第一の反射面のホログラム光学素子１５，第
二の反射面１７，グレーティングレンズ１６を経てディ
スク７に集光され、記録信号をピックアップした後、グ
レーティングレンズ１６，第二の反射面１７を経て第一
の反射面であるホログラム光学素子１５に入射し、回析
反射される。ホログラム光学素子１５の２つの領域での
１次回析光は第１の実施例と同様、それぞれ半導体レー
ザ１からの射出光の偏光に対してＬｉＮｂＯ3基板１８
の結晶光学軸を４５度傾けたプロトン交換法で製作され
たグレーティング１９で回析され、多分割光検出器２０
に結像される。また、第１の実施例と同様の方法で、カ
ー信号読み取りと焦点誤差、トラッキング誤差それぞれ
の誤差検出を行う。
ついて、以下その動作を説明する。半導体レーザ１から
の射出光は第一の反射面のホログラム光学素子１５，第
二の反射面１７，グレーティングレンズ１６を経てディ
スク７に集光され、記録信号をピックアップした後、グ
レーティングレンズ１６，第二の反射面１７を経て第一
の反射面であるホログラム光学素子１５に入射し、回析
反射される。ホログラム光学素子１５の２つの領域での
１次回析光は第１の実施例と同様、それぞれ半導体レー
ザ１からの射出光の偏光に対してＬｉＮｂＯ3基板１８
の結晶光学軸を４５度傾けたプロトン交換法で製作され
たグレーティング１９で回析され、多分割光検出器２０
に結像される。また、第１の実施例と同様の方法で、カ
ー信号読み取りと焦点誤差、トラッキング誤差それぞれ
の誤差検出を行う。
【００２２】以上のように本実施例によれば、第１の実
施例と同様の効果が得られる。なお、本実施例において
偏光素子として用いたＬｉＮｂＯ3基板１８にプロトン
交換法で製作されるグレーティング１９は、入射光波長
の１／２以下の周期構造である回析素子でもよい。
施例と同様の効果が得られる。なお、本実施例において
偏光素子として用いたＬｉＮｂＯ3基板１８にプロトン
交換法で製作されるグレーティング１９は、入射光波長
の１／２以下の周期構造である回析素子でもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上の実施例の説明からも明らかなよう
に本発明は、レーザ発生装置と、レーザ発生装置からの
射出光を反射する第一の反射面と、第一の反射面と相対
して配設した第二の反射面と、第一の反射面と同一面上
に配設した集光光学素子と、偏光素子と、光検出器を備
えた構成により、光路長が確保でき、かつ、光学部品が
一体構成できて小型・軽量にした優れた光ピックアップ
を実現できるものである。
に本発明は、レーザ発生装置と、レーザ発生装置からの
射出光を反射する第一の反射面と、第一の反射面と相対
して配設した第二の反射面と、第一の反射面と同一面上
に配設した集光光学素子と、偏光素子と、光検出器を備
えた構成により、光路長が確保でき、かつ、光学部品が
一体構成できて小型・軽量にした優れた光ピックアップ
を実現できるものである。
【図１】本発明の第１の実施例の光ピックアップの要部
の概念を示した断面略図
の概念を示した断面略図
【図２】同光ピックアップのグレーティングの概略斜視
図
図
【図３】同光ピックアップのホログラム光学素子の平面
図
図
【図４】同光ピックアップの信号検出方法の説明図
【図５】同光ピックアップの光検出器の要部平面図
【図６】本発明の第２の実施例の光ピックアップの要部
の概念を示した断面略図
の概念を示した断面略図
【図７】同光ピックアップの光検出器の要部平面図
【図８】本発明の第３の実施例の光ピックアップの要部
の概念を示した断面略図
の概念を示した断面略図
【図９】従来の光ピックアップの要部分解斜視図
１ 半導体レーザ（レーザ発生装置） １５ ホログラム光学素子（第一の反射面） １６ グレーティングレンズ（集光光学素子） １７ 第二の反射面 １９ グレーティング（偏光素子） ２０ 多分割光検出器
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザ光を発生するレーザ発生装置と、
前記レーザ発生装置からの射出光を反射する第一の反射
面と、前記第一の反射面に相対して配設した前記第一の
反射面からの光束を反射する第二の反射面と、前記第一
の反射面と同一面上に配設した前記第二の反射面からの
光束をディスク上に集光する集光光学素子と、前記ディ
スクからの反射光を偏光分離する偏光素子と、光検出器
を備えた光ピックアップ。 - 【請求項２】 第一の反射面は集光光学素子の中央部に
配設されたホログラム光学素子である請求項１記載の光
ピックアップ。 - 【請求項３】 集光光学素子は、グレーティングレンズ
である請求項１記載の光ピックアップ。 - 【請求項４】 偏光素子はＬｉＮｂＯ3にプロトン交換
で形設されたグレーティングである請求項１記載の光ピ
ックアップ。 - 【請求項５】 レーザ発生装置，光検出器，第一および
第二の反射面，集光光学素子ならびに偏光素子が一体構
成である請求項１記載の光ピックアップ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4070707A JP2738204B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 光ピックアップ |
| US08/018,573 US5422870A (en) | 1991-09-27 | 1993-02-17 | Optical pickup for information recording/reproducing apparatus |
| US08/429,278 US5621716A (en) | 1991-09-27 | 1995-04-25 | Optical pickup having a transparent lens member with two reflecting surfaces |
| US08/514,709 US5566157A (en) | 1991-09-27 | 1995-08-14 | Optical pickup for information recording/reproducing apparatus having polygon prism, hologram, and grating lens |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4070707A JP2738204B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 光ピックアップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06290502A true JPH06290502A (ja) | 1994-10-18 |
| JP2738204B2 JP2738204B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=13439332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4070707A Expired - Lifetime JP2738204B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-03-27 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738204B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7209427B2 (en) | 2003-06-19 | 2007-04-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup with reduced size |
| JP2008198336A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ヘッド、光ディスク装置、コンピュータ、光ディスクプレーヤおよび光ディスクレコーダ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282756A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Seiko Epson Corp | 光ピックアップ |
| JPH03260604A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-20 | Hitachi Ltd | 光導波路及びその製造方法とこの導波路を用いた光偏向装置、光集積ヘッド並びに光情報記録再生装置 |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4070707A patent/JP2738204B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282756A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Seiko Epson Corp | 光ピックアップ |
| JPH03260604A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-20 | Hitachi Ltd | 光導波路及びその製造方法とこの導波路を用いた光偏向装置、光集積ヘッド並びに光情報記録再生装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7209427B2 (en) | 2003-06-19 | 2007-04-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup with reduced size |
| JP2008198336A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ヘッド、光ディスク装置、コンピュータ、光ディスクプレーヤおよび光ディスクレコーダ |
| JP2012155838A (ja) * | 2007-01-18 | 2012-08-16 | Panasonic Corp | 光学ヘッド、光ディスク装置、コンピュータ、光ディスクプレーヤおよび光ディスクレコーダ |
| US8477584B2 (en) | 2007-01-18 | 2013-07-02 | Panasonic Corporation | Optical head, optical disc drive, computer, optical discplayer and optical disc recorder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2738204B2 (ja) | 1998-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5621716A (en) | Optical pickup having a transparent lens member with two reflecting surfaces | |
| JP3732268B2 (ja) | 光ディスク装置用光学ヘッド | |
| JPH07176095A (ja) | 光磁気ヘッド装置 | |
| US6556532B2 (en) | Optical pickup device | |
| KR100286865B1 (ko) | 광헤드장치 | |
| JPS6117103A (ja) | 偏光ビ−ムスプリツタ | |
| JP3439903B2 (ja) | 光ディスク装置用光学ヘッド | |
| US4954702A (en) | Process for detecting a focal point in an optical head | |
| JPH06290502A (ja) | 光ピックアップ | |
| US5566157A (en) | Optical pickup for information recording/reproducing apparatus having polygon prism, hologram, and grating lens | |
| JP2790264B2 (ja) | 光ピックアップ | |
| EP0534373A2 (en) | Optical pickup device | |
| JPH08287510A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH0729233A (ja) | 光磁気ヘッド | |
| JPH05114185A (ja) | 光磁気記録再生装置における光ピツクアツプ装置 | |
| JPH0391133A (ja) | 光情報記録再生装置 | |
| JPH05334760A (ja) | 光ヘッド | |
| JPH0528571A (ja) | ホログラム光ヘツド | |
| JPH04298837A (ja) | 偏光ビームスプリッタ及び光磁気ヘッド装置 | |
| JPH04143935A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH0120498B2 (ja) | ||
| JPH05205339A (ja) | 光磁気記録用偏光光学系 | |
| JPH03152428A (ja) | 偏光検出装置 | |
| JPH0684226A (ja) | 光学ピックアップ装置 | |
| JPH01243257A (ja) | 光ピックアップ |