JPH0237539B2 - - Google Patents
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- JPH0237539B2 JPH0237539B2 JP54047316A JP4731679A JPH0237539B2 JP H0237539 B2 JPH0237539 B2 JP H0237539B2 JP 54047316 A JP54047316 A JP 54047316A JP 4731679 A JP4731679 A JP 4731679A JP H0237539 B2 JPH0237539 B2 JP H0237539B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20091—Measuring the energy-dispersion spectrum [EDS] of diffracted radiation
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、冷間圧延され再結晶のために焼きな
まされる薄板ストリツプ及び極薄板ストリツプ
の、結晶学的な結晶集合組織に依存する異方性常
数rn値としての技術的特性値を非破壊検出する方
法であつて、入射Ｘ線１次放射ビームをストリツ
プに透過させ、ストリツプの結晶格子で、入射Ｘ
線１次放射ビームに対して所定の回折角度2θで回
折するＸ線放射ビームを検出し、放射ビーム路の
面に対する薄板平面の配向を示す角度α及び角度
β、即ち、格子面に対する垂線及び薄板平面に対
する垂線によつて決められる角度α及び格子面及
び圧延方向に対する垂線によつて決められる角度
βに依存する回折線の反射強度（回折強度）を測
定する、ストリツプの技術的特性値の非破壊検出
方法及び装置に関する。
まされる薄板ストリツプ及び極薄板ストリツプ
の、結晶学的な結晶集合組織に依存する異方性常
数rn値としての技術的特性値を非破壊検出する方
法であつて、入射Ｘ線１次放射ビームをストリツ
プに透過させ、ストリツプの結晶格子で、入射Ｘ
線１次放射ビームに対して所定の回折角度2θで回
折するＸ線放射ビームを検出し、放射ビーム路の
面に対する薄板平面の配向を示す角度α及び角度
β、即ち、格子面に対する垂線及び薄板平面に対
する垂線によつて決められる角度α及び格子面及
び圧延方向に対する垂線によつて決められる角度
βに依存する回折線の反射強度（回折強度）を測
定する、ストリツプの技術的特性値の非破壊検出
方法及び装置に関する。
回折線の反射強度（回折強度）が測定される
際、反射を生じる結晶の格子面の位置は、角度α
及びβによつて記載できる。角度αは格子面に対
する垂線及び薄板平面に対する垂線によつて決め
られる。角度βは格子面及び圧延方向に対する垂
線によつて決められる。
際、反射を生じる結晶の格子面の位置は、角度α
及びβによつて記載できる。角度αは格子面に対
する垂線及び薄板平面に対する垂線によつて決め
られる。角度βは格子面及び圧延方向に対する垂
線によつて決められる。
ちなみに、ここで言う回折線の反射強度（回折
強度）とは結晶材料でのＸ線放射ビームの散乱に
よつて生じる回折の強度ピークのことであり、ブ
ラツグ条件によると、所定の方向ないしエネルギ
によつて表示される。
強度）とは結晶材料でのＸ線放射ビームの散乱に
よつて生じる回折の強度ピークのことであり、ブ
ラツグ条件によると、所定の方向ないしエネルギ
によつて表示される。
Ｘ線写真による結晶集合組織の反射検出データ
とこのデータから導出される反転した極点図に基
いて強度の検出値を換算することにより、板やス
トリツプの異方性常数rnを検出することは公知で
ある。しかしこの方法では、個々の検出過程に長
時間が必要なだけでなく、被検査物を極めて薄い
表面層のみ検出できるに過ぎない。それ故被検査
物の厚み全体にわたる有効な検査結果を得ること
ができない。更に検出のためにはあらかじめ研削
と研磨により検出面を調整しておく必要があり、
コストアツプを招来するだけでなく、個別的な被
検査物のみ検査できるに過ぎない。以上の理由か
ら公知の方法は、製造工程中、例えば薄鋼板及び
薄鋼板ストリツプの冷間圧延中に、異方性常数の
検出・監視制御に使用することはできない。
とこのデータから導出される反転した極点図に基
いて強度の検出値を換算することにより、板やス
トリツプの異方性常数rnを検出することは公知で
ある。しかしこの方法では、個々の検出過程に長
時間が必要なだけでなく、被検査物を極めて薄い
表面層のみ検出できるに過ぎない。それ故被検査
物の厚み全体にわたる有効な検査結果を得ること
ができない。更に検出のためにはあらかじめ研削
と研磨により検出面を調整しておく必要があり、
コストアツプを招来するだけでなく、個別的な被
検査物のみ検査できるに過ぎない。以上の理由か
ら公知の方法は、製造工程中、例えば薄鋼板及び
薄鋼板ストリツプの冷間圧延中に、異方性常数の
検出・監視制御に使用することはできない。
本発明の基本的課題は、結晶集合組織に依存す
る異方性常数rn値としての技術的特性値を、連続
的に供給され冷間圧延され再結晶のために焼きな
まされるストリツプにおいて検出することができ
る、簡単で正確な検出方法及び装置を提供するこ
とである。
る異方性常数rn値としての技術的特性値を、連続
的に供給され冷間圧延され再結晶のために焼きな
まされるストリツプにおいて検出することができ
る、簡単で正確な検出方法及び装置を提供するこ
とである。
本発明によればこの課題は次のようにして解決
される。即ち20keV以上のエネルギの多色１次放
射ビームを使用し、測定中固定された角度α及び
角度βのもとで、即ち、放射検知器による回折Ｘ
線の測定中当該測定方向が変わらないようにして
回折したＸ線放射ビームを放射検知器によつて検
出し、回折したＸ線放射ビームを先ず放射検知器
においてエネルギに比例する電圧パルスに変換
し、電圧パルスを評価用電子回路（マルチチヤン
ネル分析器）でパルス波高値により弁別し、積分
により発生頻度分布のピークを生成し、このピー
クは回折線の反射強度のピークであり、前記の測
定された回折線の反射強度と、既に記憶済みの強
度値と比較し、この記憶済みの強度値は異方性常
数rn値としての技術的特性値が既知である被検物
から得られたものであり、前記の回折線の反射強
度の測定値と記憶済み値との比較により検査すべ
き薄板ストリツプ及び極薄板ストリツプの異方性
常数rn値としての技術的特性値を求めて表示する
ようにし、その際、被検物から得られた記憶済み
の異方性常数rn値としての技術的特性値及び該異
方性常数rn値としての技術的特性値に対応の強度
を最初の測定以前に１度求めておき、後続の測定
の際比較のために繰返し使用するのである。
される。即ち20keV以上のエネルギの多色１次放
射ビームを使用し、測定中固定された角度α及び
角度βのもとで、即ち、放射検知器による回折Ｘ
線の測定中当該測定方向が変わらないようにして
回折したＸ線放射ビームを放射検知器によつて検
出し、回折したＸ線放射ビームを先ず放射検知器
においてエネルギに比例する電圧パルスに変換
し、電圧パルスを評価用電子回路（マルチチヤン
ネル分析器）でパルス波高値により弁別し、積分
により発生頻度分布のピークを生成し、このピー
クは回折線の反射強度のピークであり、前記の測
定された回折線の反射強度と、既に記憶済みの強
度値と比較し、この記憶済みの強度値は異方性常
数rn値としての技術的特性値が既知である被検物
から得られたものであり、前記の回折線の反射強
度の測定値と記憶済み値との比較により検査すべ
き薄板ストリツプ及び極薄板ストリツプの異方性
常数rn値としての技術的特性値を求めて表示する
ようにし、その際、被検物から得られた記憶済み
の異方性常数rn値としての技術的特性値及び該異
方性常数rn値としての技術的特性値に対応の強度
を最初の測定以前に１度求めておき、後続の測定
の際比較のために繰返し使用するのである。
１次放射線を平行光線束とし（コリメート化
し）、隣接する２つの反射を分離すれば好都合で
ある。
し）、隣接する２つの反射を分離すれば好都合で
ある。
連続して供給されるストリツプで強度を連続的
に検出すれば、従来では不可能とされた高速度で
しかもストリツプの全長にわたりストリツプの技
術的特性値の検出を行うことができる。α＝0゜か
つβ＝0゜にある220−回折線の極の反射強度を検
出すれば、技術的特性値の検出を簡単にすること
ができる。
に検出すれば、従来では不可能とされた高速度で
しかもストリツプの全長にわたりストリツプの技
術的特性値の検出を行うことができる。α＝0゜か
つβ＝0゜にある220−回折線の極の反射強度を検
出すれば、技術的特性値の検出を簡単にすること
ができる。
本発明によれば、放射ビーム源は多色Ｘ線放射
ビームの送出用に構成され、かつ検知器と共に製
造ライン中に配置されており、検知器はエネルギ
分散性の検知器であり、検知器に波高分析器及び
指示器が接続されている。
ビームの送出用に構成され、かつ検知器と共に製
造ライン中に配置されており、検知器はエネルギ
分散性の検知器であり、検知器に波高分析器及び
指示器が接続されている。
この場合放射源としてタングステン陽極又は金
陽極のＸ線管を設ければ有利である。
陽極のＸ線管を設ければ有利である。
複数の回折線の反射強度を同時に測定する必要
がある場合には、多色光源を放射源として使用
し、検知器をエネルギ分散性の検知器から構成す
れば有利である。この場合複数の検知器を設ける
こともできる。
がある場合には、多色光源を放射源として使用
し、検知器をエネルギ分散性の検知器から構成す
れば有利である。この場合複数の検知器を設ける
こともできる。
放射源として放射性放射源（例えばアメリシウ
ム241放射源）を使用すれば、所定の厚さの薄板
の測定のために最適のエネルギを発生ししかも簡
単な装置で実現することができるという利点があ
る。この場合検知器としてパルス電離計数管を設
ければ簡単である。
ム241放射源）を使用すれば、所定の厚さの薄板
の測定のために最適のエネルギを発生ししかも簡
単な装置で実現することができるという利点があ
る。この場合検知器としてパルス電離計数管を設
ければ簡単である。
エネルギ分散性の検知器として半導体検知器
（例えば純粋ゲルマニウム検知器）を設け、所望
エネルギ領域で最適な量子効率が得られるように
することもできる。
（例えば純粋ゲルマニウム検知器）を設け、所望
エネルギ領域で最適な量子効率が得られるように
することもできる。
更に本発明の方法の利点は、ストリツプの結晶
集合組織に依存する異方性常数rnとしての技術的
特性値を、比較的簡単にしかも低コストかつ高速
度で製造プロセス中に連続的に検出することがで
きるという点にある。特に検出に先立つて、付加
的作業を伴ないしかも時間を浪費する素材の予備
的調整を行う必要がない。更に亜鉛めつきされた
ストリツプやスズめつきされたストリツプなど表
面が被覆されたストリツプでも本発明の方法を使
用することができる。また板の種々の厚さ位置で
種々の結晶集合組織を平均値として検出できるの
で、結果が一層正確である。
集合組織に依存する異方性常数rnとしての技術的
特性値を、比較的簡単にしかも低コストかつ高速
度で製造プロセス中に連続的に検出することがで
きるという点にある。特に検出に先立つて、付加
的作業を伴ないしかも時間を浪費する素材の予備
的調整を行う必要がない。更に亜鉛めつきされた
ストリツプやスズめつきされたストリツプなど表
面が被覆されたストリツプでも本発明の方法を使
用することができる。また板の種々の厚さ位置で
種々の結晶集合組織を平均値として検出できるの
で、結果が一層正確である。
本発明のストリツプの異方性常数rn値としての
技術的特性値の非破壊検出方法及び装置の場合、
入射Ｘ線１次放射ビームをストリツプに透過さ
せ、このストリツプで回折するＸ線放射ビームを
検出し、この回折線をマルチチヤンネル分析器を
用いて先ずエネルギに比例する電圧パルスに変換
し、かつ積分によつて発生頻度分布のピークを形
成し、更に本発明特有の手法で評価が行われ、そ
の際、20keV以上のエネルギの多色１次放射ビー
ムが使用される。本発明の場合、公知技術には何
ら示唆されていない次のような本発明特有の新規
な手法でストリツプの異方性常数rn値としての技
術的特性値の非破壊検出が行われる。即ち、 １ 格子面に対する垂線及び薄板平面に対する垂
線によつて決められる角度α及び格子面及び圧
延方向に対する垂線によつて決められる角度β
を測定中固定すること（変らないようにしてお
くこと）。
技術的特性値の非破壊検出方法及び装置の場合、
入射Ｘ線１次放射ビームをストリツプに透過さ
せ、このストリツプで回折するＸ線放射ビームを
検出し、この回折線をマルチチヤンネル分析器を
用いて先ずエネルギに比例する電圧パルスに変換
し、かつ積分によつて発生頻度分布のピークを形
成し、更に本発明特有の手法で評価が行われ、そ
の際、20keV以上のエネルギの多色１次放射ビー
ムが使用される。本発明の場合、公知技術には何
ら示唆されていない次のような本発明特有の新規
な手法でストリツプの異方性常数rn値としての技
術的特性値の非破壊検出が行われる。即ち、 １ 格子面に対する垂線及び薄板平面に対する垂
線によつて決められる角度α及び格子面及び圧
延方向に対する垂線によつて決められる角度β
を測定中固定すること（変らないようにしてお
くこと）。
２ 公知のマルチチヤネル分析器等内の積分回路
を用いて異方性常数rn値としての技術的特性値
の既知である被検物において強度を決定してお
くこと。
を用いて異方性常数rn値としての技術的特性値
の既知である被検物において強度を決定してお
くこと。
３ この被検物の値（試験値）を記憶しておくこ
と。
と。
４ 記憶した値を薄板ストリツプからの測定値と
比較し、この比較から薄板ストリツプ及び極薄
板ストリツプの異方性常数rn値としての技術的
特性値を求めること。
比較し、この比較から薄板ストリツプ及び極薄
板ストリツプの異方性常数rn値としての技術的
特性値を求めること。
次に本発明を実施例について図面により詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の検出装置の実施例の略図であ
る。第１図において、検出装置は例えば冷間圧延
機のスキンパススタンドの背後に圧延方向に配置
されており、１次放射ビームを発生する放射源
（例えばＸ線管１）とエネルギ分散性放射検知器
３を有する。Ｘ線管１はコリメータ装置を具備す
る。放射検知器３はストリツプ２に対しＸ線管１
とは反対側に配置してある。Ｘ線管１は60KVの
電圧で駆動される。60KVの動作電圧ではエネル
ギ上限値が60keVのＸ線制動放射が１次放射とし
て発生する。
る。第１図において、検出装置は例えば冷間圧延
機のスキンパススタンドの背後に圧延方向に配置
されており、１次放射ビームを発生する放射源
（例えばＸ線管１）とエネルギ分散性放射検知器
３を有する。Ｘ線管１はコリメータ装置を具備す
る。放射検知器３はストリツプ２に対しＸ線管１
とは反対側に配置してある。Ｘ線管１は60KVの
電圧で駆動される。60KVの動作電圧ではエネル
ギ上限値が60keVのＸ線制動放射が１次放射とし
て発生する。
Ｘ線管１から生ずる１次放射は、貫通するかも
しくは近傍を通過する厚さ１mmのストリツプ２を
通過する。そして回折角2θ＝16゜で放射検知器３
に入射する。放射源１と放射検知器３との相対的
な角度位置をこのように設定すれば、回折線の反
射強度220は44keVの放射エネルギを発生する
（第２図参照）。薄板ないしストリツプの深絞り性
の目易である材料特性値、即ち、異方性常数rnと
相関関係にある回折線220の強度Ａを測定する場
合、回折角度2θのほかに角度α、βも重要であ
る。角度2θは放射源１に対する放射検知器３の配
向を示す。他方角度αと角度βは放射ビーム路の
面に対する薄板面の配向を示す。検出を行う場合
にはα＝0゜及びβ＝0゜ないし180゜に固定する。但
しβ＝0゜は圧延方向に相当し、β＝180゜は圧延方
向とは反対方向に相当する。即ち、当該の検知器
による測定中測定方向の変らない状態のもとで回
折したＸ線放射ビームを放射検知器によつて検出
する。角度が連続的に変化し、かつその変化する
角度が測定される角度分散性の測定とは異なり、
本発明のエネルギ分散性の測定の場合、特性が連
続的に変化する。特開昭52−123935号公報記載の
装置の場合、角度分散性の測定が行われている。
しくは近傍を通過する厚さ１mmのストリツプ２を
通過する。そして回折角2θ＝16゜で放射検知器３
に入射する。放射源１と放射検知器３との相対的
な角度位置をこのように設定すれば、回折線の反
射強度220は44keVの放射エネルギを発生する
（第２図参照）。薄板ないしストリツプの深絞り性
の目易である材料特性値、即ち、異方性常数rnと
相関関係にある回折線220の強度Ａを測定する場
合、回折角度2θのほかに角度α、βも重要であ
る。角度2θは放射源１に対する放射検知器３の配
向を示す。他方角度αと角度βは放射ビーム路の
面に対する薄板面の配向を示す。検出を行う場合
にはα＝0゜及びβ＝0゜ないし180゜に固定する。但
しβ＝0゜は圧延方向に相当し、β＝180゜は圧延方
向とは反対方向に相当する。即ち、当該の検知器
による測定中測定方向の変らない状態のもとで回
折したＸ線放射ビームを放射検知器によつて検出
する。角度が連続的に変化し、かつその変化する
角度が測定される角度分散性の測定とは異なり、
本発明のエネルギ分散性の測定の場合、特性が連
続的に変化する。特開昭52−123935号公報記載の
装置の場合、角度分散性の測定が行われている。
本発明の方法の場合、角度α及びβは測定中固
定される。有利には、α＝0゜かつβ＝0゜に固定さ
れる。このような最適な回折反射の位置は、第３
図に示したような極点図を用いて決定される。第
３図の実施例では角度α、βは極点図にプロツト
されている。第３図において被検出極領域に対す
る強度は単位CPS（単位秒当たりのパルス）で表
示されている。第３図に図示されている強度Ａは
α＝0゜、β＝0゜の場合の強度を示す。
定される。有利には、α＝0゜かつβ＝0゜に固定さ
れる。このような最適な回折反射の位置は、第３
図に示したような極点図を用いて決定される。第
３図の実施例では角度α、βは極点図にプロツト
されている。第３図において被検出極領域に対す
る強度は単位CPS（単位秒当たりのパルス）で表
示されている。第３図に図示されている強度Ａは
α＝0゜、β＝0゜の場合の強度を示す。
つまり、第３図に示したような極点図は、薄板
平面の回折反射の位置、即ち、角度α及びβを決
定するためだけに利用される。第３図の極点図
は、本発明とは主要部以外の周縁部で若干関係が
あるにすぎず、最適な回折反射の位置を前述の実
施例のように選定することの説明としてしか使わ
ず、通常の測定では、そのような選定を行う必要
はない。つまり、本発明では、通常の測定中、こ
の選定された回折反射の位置は保持固定されるの
である。前述の実施例では、この位置はα＝０、
β＝０に選定されている。
平面の回折反射の位置、即ち、角度α及びβを決
定するためだけに利用される。第３図の極点図
は、本発明とは主要部以外の周縁部で若干関係が
あるにすぎず、最適な回折反射の位置を前述の実
施例のように選定することの説明としてしか使わ
ず、通常の測定では、そのような選定を行う必要
はない。つまり、本発明では、通常の測定中、こ
の選定された回折反射の位置は保持固定されるの
である。前述の実施例では、この位置はα＝０、
β＝０に選定されている。
エネルギ分散性の放射検知器３は例えば純粋の
ゲルマニウム検知器から成る。放射検知器３では
到来するＸ線量子がエネルギに比例する電圧パル
スに変換される。次いで電圧パルスはマルチチヤ
ンネル分析器４において波高分析され弁別され
る。その際、電圧パルスは増幅器５を介してマル
チチヤンネル分析器４に加わる（第４図を参照）。
第２図は波高分析により検出される発生頻度分布
を放射エネルギに対してプロツトしてある。
ゲルマニウム検知器から成る。放射検知器３では
到来するＸ線量子がエネルギに比例する電圧パル
スに変換される。次いで電圧パルスはマルチチヤ
ンネル分析器４において波高分析され弁別され
る。その際、電圧パルスは増幅器５を介してマル
チチヤンネル分析器４に加わる（第４図を参照）。
第２図は波高分析により検出される発生頻度分布
を放射エネルギに対してプロツトしてある。
第２図に示されたピークと第２図にプロツトさ
れた回折線２１１，２２０との関係はブラツグの
式により定まる。
れた回折線２１１，２２０との関係はブラツグの
式により定まる。
マルチチヤンネル分析器４では、第２図に図示
した発生頻度分布から回折線２２０の積分反射強
度が導出される。このように、本発明での測定
中、回折反射の強度が測定される。この回折反射
の強度が、異方性常数rn値が公知である被検物
（試料）の反射強度と比較されて、検査すべき薄
板ストリツプの異方性常数rn値が求められる。そ
こで、種々のrn値を有するいくつかの被検物の反
射強度値を測定の際の比較のために最初の測定以
前に１度求めて予め記憶しておく必要がある。そ
の際、種々の厚さの被検物を使う必要がない。と
いうのは、厚さの、強度への影響は公知の法則に
よつて算出できるからである。つまり、導出され
た検出値Ａは、薄板の厚さが種々であることを考
慮するため、厚さに従つて電子計算機６（第４
図）で修正される。このようにして強度Ａと異方
性常数rn値との間の直線的関係が行われ、これが
第５図に示したように指示装置７に指示される。
した発生頻度分布から回折線２２０の積分反射強
度が導出される。このように、本発明での測定
中、回折反射の強度が測定される。この回折反射
の強度が、異方性常数rn値が公知である被検物
（試料）の反射強度と比較されて、検査すべき薄
板ストリツプの異方性常数rn値が求められる。そ
こで、種々のrn値を有するいくつかの被検物の反
射強度値を測定の際の比較のために最初の測定以
前に１度求めて予め記憶しておく必要がある。そ
の際、種々の厚さの被検物を使う必要がない。と
いうのは、厚さの、強度への影響は公知の法則に
よつて算出できるからである。つまり、導出され
た検出値Ａは、薄板の厚さが種々であることを考
慮するため、厚さに従つて電子計算機６（第４
図）で修正される。このようにして強度Ａと異方
性常数rn値との間の直線的関係が行われ、これが
第５図に示したように指示装置７に指示される。
第１図は本発明の検出装置の実施例の略図、第
２図はエネルギに対しプロツトされた強度を示す
ダイヤグラム、第３図は極点図の略図、第４図は
本発明の検出装置の実施例の略図、第５図は強度
と異方性常数との関係を示すダイヤグラムであ
る。 １……Ｘ線管、２……ストリツプ、３……検知
器、４……波高分析器、６……電子計算機、７…
…指示器、２θ……回折角。
２図はエネルギに対しプロツトされた強度を示す
ダイヤグラム、第３図は極点図の略図、第４図は
本発明の検出装置の実施例の略図、第５図は強度
と異方性常数との関係を示すダイヤグラムであ
る。 １……Ｘ線管、２……ストリツプ、３……検知
器、４……波高分析器、６……電子計算機、７…
…指示器、２θ……回折角。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 冷間圧延され再結晶のために焼きなまされる
薄板ストリツプ及び極薄板ストリツプの、結晶学
的な結晶集合組織に依存する異方性常数rn値とし
ての技術的特性値を非破壊検出する方法であつ
て、入射Ｘ線１次放射ビームをストリツプに透過
させ、ストリツプの結晶格子で、入射Ｘ線１次放
射ビームに対して所定の回折角度2θで回折するＸ
線放射ビームを検出し、放射ビーム路の面に対す
る薄板平面の配向を示す角度α及び角度β、即
ち、格子面に対する垂線及び薄板平面に対する垂
線によつて決められる角度α及び格子面及び圧延
方向に対する垂線によつて決められる角度βに依
存する回折線の反射強度（回折強度）を測定す
る、ストリツプの技術的特性値の非破壊検出方法
において、20keV以上のエネルギの多色１次放射
ビームを使用し、上記測定中固定された角度α及
び角度βのもとで、即ち、放射検知器による回折
Ｘ線の測定中当該測定方向が変らないようにして
回折したＸ線放射ビームを放射検知器によつて検
出し、前記回折したＸ線放射ビームを先ず放射検
知器においてエネルギに比例する電圧パルスに変
換し、前記電圧パルスを評価用電子回路（マルチ
チヤンネル分析器）でパルス波高値により弁別
し、積分により発生頻度分布のピークを生成し、
該ピークは回折線の反射強度のピークであり、前
記の測定された回折線の反射強度と、既に記憶済
みの強度値とを比較し、この記憶済みの強度値は
異方性常数rn値としての技術的特性値が既知であ
る被検物から得られたものであり、前記の回折線
の反射強度の測定値と記憶済み値との比較により
検査すべき薄板ストリツプ及び極薄板ストリツプ
の異方性常数rn値としての技術的特性値を求めて
表示するようにし、その際、被検物から得られた
記憶済みの異方性常数rn値としての技術的特性値
及び該異方性常数rn値としての技術的特性値に対
応の強度を最初の測定以前に１度求めておき、後
続の測定の際比較のために繰返し使用することを
特徴とするストリツプの技術的特性値の非破壊検
出方法。 ２ １次放射ビームを平行光線束とした特許請求
の範囲第１項記載のストリツプの技術的特性値の
非破壊検出方法。 ３ 連続して送給されるストリツプで強度を連続
的に検出する特許請求の範囲第１項記載のストリ
ツプの技術的特性値の非破壊検出方法。 ４ α＝0゜かつβ＝0゜にある（220）−回折線の極
の反射強度を検出する特許請求の範囲第１項記載
のストリツプの技術的特性値の非破壊検出方法。 ５ 回折されたＸ線放射ビームの強度測定用の測
定装置を具備した検知器とＸ線放射ビーム源とを
有しており、検知器は測定すべきストリツプの１
方の側に配置され、Ｘ線放射ビーム源は測定すべ
きストリツプの他方の側に配置されており、冷間
圧延され再結晶のために焼きなまされる薄板スト
リツプ及び極薄板ストリツプの、結晶学的な結晶
集合組織に依存する異方性常数rn値としての技術
的特性値を非破壊検出する装置であつて、入射Ｘ
線１次放射ビームを用いてストリツプを透過し、
ストリツプの結晶格子で、入射Ｘ線１次放射ビー
ムに対して所定の回折角度2θで回折するＸ線放射
ビームを検出し、放射ビーム路の面に対する薄板
面の配向を示す角度α及び角度β、即ち、格子面
に対する垂線及び薄板平面に対する垂線によつて
決められる角度α及び格子面及び圧延方向に対す
る垂線によつて決められる角度βに依存する回折
線の反射強度を測定するように構成された、スト
リツプの技術的特性値の非破壊検出装置におい
て、放射ビーム源は多色Ｘ線放射ビームの送出用
に構成され、かつ検知器と共に製造ライン中に配
置されており、検知器３はエネルギ分散性の検知
器として構成されており、検知器３に波高分析器
４及び指示器７が接続されていることを特徴とす
るストリツプの技術的特性値の非破壊検出装置。 ６ タングステン陽極又は金陽極のＸ線管を放射
源１として設けた特許請求の範囲第５項記載のス
トリツプの技術的特性値の非破壊検出装置。 ７ エネルギ分散性の検知器として半導体検知器
を設けた特許請求の範囲第５項から第６項までの
いずれか１項記載のストリツプの技術的特性値の
非破壊検出装置。 ８ 検知器３としてパルス電離計数管を設けた特
許請求の範囲第５項記載のストリツプの技術的特
性値の非破壊検出装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2817742A DE2817742C2 (de) | 1978-04-22 | 1978-04-22 | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen technologischer Kennwerte |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54141695A JPS54141695A (en) | 1979-11-05 |
| JPH0237539B2 true JPH0237539B2 (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=6037775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4731679A Granted JPS54141695A (en) | 1978-04-22 | 1979-04-19 | Method and device for nonndestructively detecting technical characteristic value of strip |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54141695A (ja) |
| AT (1) | AT381394B (ja) |
| BE (1) | BE875722A (ja) |
| DE (1) | DE2817742C2 (ja) |
| FR (1) | FR2423774A1 (ja) |
| GB (1) | GB2019559B (ja) |
| IT (1) | IT1114999B (ja) |
| LU (1) | LU81170A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3825830A1 (de) * | 1988-07-29 | 1990-02-01 | Hoesch Stahl Ag | Verfahren und vorrichtung zur texturanalyse |
| US5381458A (en) * | 1993-02-23 | 1995-01-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Method and apparatus for precisely measuring accelerating voltages applied to x-ray sources |
| FR2833081B1 (fr) * | 2001-11-30 | 2004-05-07 | Centre Nat Rech Scient | Procede d'analyse volumique aux rayons x de caracteristiques cristallographiques de pieces |
| DE102016222644A1 (de) | 2016-03-14 | 2017-09-28 | Sms Group Gmbh | Verfahren zum Walzen und/oder zur Wärmebehandlung eines metallischen Produkts |
| DE102017208576A1 (de) | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Sms Group Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln einer Mikrostruktur eines Metallprodukts sowie metallurgische Anlage |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1329695A (en) * | 1970-09-09 | 1973-09-12 | Nutter J C | Diffractometry |
| JPS5332789A (en) * | 1976-09-08 | 1978-03-28 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for measuring of stress of white color x-ray |
-
1978
- 1978-04-22 DE DE2817742A patent/DE2817742C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-02-27 AT AT0149679A patent/AT381394B/de not_active IP Right Cessation
- 1979-03-13 GB GB7908877A patent/GB2019559B/en not_active Expired
- 1979-04-04 IT IT48613/79A patent/IT1114999B/it active
- 1979-04-19 JP JP4731679A patent/JPS54141695A/ja active Granted
- 1979-04-20 FR FR7910102A patent/FR2423774A1/fr active Granted
- 1979-04-20 LU LU81170A patent/LU81170A1/de unknown
- 1979-04-20 BE BE0/194724A patent/BE875722A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2019559B (en) | 1983-01-06 |
| BE875722A (fr) | 1979-10-22 |
| DE2817742C2 (de) | 1980-07-24 |
| AT381394B (de) | 1986-10-10 |
| IT1114999B (it) | 1986-02-03 |
| IT7948613A0 (it) | 1979-04-04 |
| JPS54141695A (en) | 1979-11-05 |
| ATA149679A (de) | 1986-02-15 |
| LU81170A1 (de) | 1979-11-07 |
| DE2817742B1 (de) | 1979-10-31 |
| FR2423774B1 (ja) | 1984-05-04 |
| FR2423774A1 (fr) | 1979-11-16 |
| GB2019559A (en) | 1979-10-31 |
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