JPH0236199Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0236199Y2 JPH0236199Y2 JP1981173457U JP17345781U JPH0236199Y2 JP H0236199 Y2 JPH0236199 Y2 JP H0236199Y2 JP 1981173457 U JP1981173457 U JP 1981173457U JP 17345781 U JP17345781 U JP 17345781U JP H0236199 Y2 JPH0236199 Y2 JP H0236199Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photodiodes
- receiver
- output
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Burglar Alarm Systems (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、投光器より発した光(赤外光線を含
む)を物体で反射させ、この反射光を受光器で受
光し、この受光量の変化を検出して信号を出す、
主に侵入者検知として用いる反射型光電スイツチ
に関する。
む)を物体で反射させ、この反射光を受光器で受
光し、この受光量の変化を検出して信号を出す、
主に侵入者検知として用いる反射型光電スイツチ
に関する。
従来の反射型光電スイツチとしては、投光器と
受光器を一つの容器内に納めた一体形が一般で、
投光器と受光器間のループをとるために反射鏡を
用いないものでは検知距離が短く、また該反射鏡
を用いるものでは検知距離はのびるけれども、反
射率が大きい被検知物体はこれを確実に検知しな
いといつた欠点があり、さらに両者共その構造上
検知範囲が狭く、受光量の短時間における変化率
を検出する微分検出形であるから被検知物体が停
止状態を継続の場合は、検出信号を出力しなくな
り、侵入者検知に用いるには難があつた。
受光器を一つの容器内に納めた一体形が一般で、
投光器と受光器間のループをとるために反射鏡を
用いないものでは検知距離が短く、また該反射鏡
を用いるものでは検知距離はのびるけれども、反
射率が大きい被検知物体はこれを確実に検知しな
いといつた欠点があり、さらに両者共その構造上
検知範囲が狭く、受光量の短時間における変化率
を検出する微分検出形であるから被検知物体が停
止状態を継続の場合は、検出信号を出力しなくな
り、侵入者検知に用いるには難があつた。
微分検出形とは、短時間(例えば1秒以内)に
所定の受光量変化があつた時に、一定時間(例え
ば2〜3秒)検出信号を出力するというような信
号処理を行わせたものであり、被検出物体の移動
速度が遅い場合は、当然受光素子の受ける光の変
化率も小さくなり、検出信号が出力されにくくな
る。また、被検出物体が停止状態を継続する場合
は、検出信号は出ないことになる。
所定の受光量変化があつた時に、一定時間(例え
ば2〜3秒)検出信号を出力するというような信
号処理を行わせたものであり、被検出物体の移動
速度が遅い場合は、当然受光素子の受ける光の変
化率も小さくなり、検出信号が出力されにくくな
る。また、被検出物体が停止状態を継続する場合
は、検出信号は出ないことになる。
本考案は、上記従来の諸欠点を解消したもの
で、検知範囲が広く、被検知物体をその移動速度
に関係なく確実に検知する反射型光電スイツチの
提供を目的とし、以下に詳述する。
で、検知範囲が広く、被検知物体をその移動速度
に関係なく確実に検知する反射型光電スイツチの
提供を目的とし、以下に詳述する。
第1図は、本考案の基本形を示し、投光器1の
光学系としては凸レンズ3を用い、その焦点もし
くは焦点の近くには発光源として発光素子D1が
配置されている。受光器2の光学系にも凸レンズ
3′を用い、その焦点もしくは焦点の近くに2つ
のホトダイオードR1,R2を並置し、ホトダイ
オードR1とホトダイオードR2の受光視野Z
1,Z2は異なつている。投光器1と受光器2の
レンズ3,3′はそれぞれ壁面4に向けられ、受
光器2は壁面4で反射された受光器1から光(変
調光の場合もある)Pを受ける位置に取り付けら
れている。この場合一方の受光視野Z1と他方の
受光視野Z2の異なりは、投光器1からの光が壁
面4等で反射される位置で受光視野Z1,Z2の
境界が互いに近接する程度が望ましい。
光学系としては凸レンズ3を用い、その焦点もし
くは焦点の近くには発光源として発光素子D1が
配置されている。受光器2の光学系にも凸レンズ
3′を用い、その焦点もしくは焦点の近くに2つ
のホトダイオードR1,R2を並置し、ホトダイ
オードR1とホトダイオードR2の受光視野Z
1,Z2は異なつている。投光器1と受光器2の
レンズ3,3′はそれぞれ壁面4に向けられ、受
光器2は壁面4で反射された受光器1から光(変
調光の場合もある)Pを受ける位置に取り付けら
れている。この場合一方の受光視野Z1と他方の
受光視野Z2の異なりは、投光器1からの光が壁
面4等で反射される位置で受光視野Z1,Z2の
境界が互いに近接する程度が望ましい。
第2図は、投光器1および受光器2の光学系を
複数の凹面鏡(曲面鏡、放物面鏡等)5,5′と
したもので、各光軸X1,X2……,x1,x2
……は異方向を向いており、受光器2の光学系
5′の焦点もしくは焦点の近くには2つのホトダ
イオードR1,R2を並置してある。
複数の凹面鏡(曲面鏡、放物面鏡等)5,5′と
したもので、各光軸X1,X2……,x1,x2
……は異方向を向いており、受光器2の光学系
5′の焦点もしくは焦点の近くには2つのホトダ
イオードR1,R2を並置してある。
第3図は両ホトダイオードR1,R2を、逆極
性とし、並列に接続した状態を示した図である。
性とし、並列に接続した状態を示した図である。
本考案の構成は以上で、両視野Z1,Z2内に
被検知物体(遮光物体)が存在しない場合は、ホ
トダイオードR1,R2には発光素子D1からの
光が壁面4に反射して、同程度の光量が入射して
いるため、ホトダイオードR1の出力とR2の出
力の絶対値はほぼ等しくなり、第3図の構成によ
れば出力は出ないが、どちらか一方の受光視野Z
1あるいはZ2内に被検知物体が存在すると受光
素子R1とR2に入射する光量のバランスがくず
れるため、2つの受光素子に出力差が生じ、第3
図の構成によると出力信号としてとり出せるので
ある。
被検知物体(遮光物体)が存在しない場合は、ホ
トダイオードR1,R2には発光素子D1からの
光が壁面4に反射して、同程度の光量が入射して
いるため、ホトダイオードR1の出力とR2の出
力の絶対値はほぼ等しくなり、第3図の構成によ
れば出力は出ないが、どちらか一方の受光視野Z
1あるいはZ2内に被検知物体が存在すると受光
素子R1とR2に入射する光量のバランスがくず
れるため、2つの受光素子に出力差が生じ、第3
図の構成によると出力信号としてとり出せるので
ある。
本実施例で使用したホトダイオードは開放電圧
0.4V、短絡電流15μA、暗電流0.5μAのものを使
用し、負荷抵抗Rとして1MΩの抵抗を使用した。
ホトダイオードには、入射光の強さに応じた電流
が流れ、これが負荷抵抗に流れその両端に電圧が
発生する。ホトダイオードは順電圧が一定の値
(本実施例に使用したものでは0.4V)を越えると
光電流が流れなくなるため、本考案のように何個
も並列に接続してもホトダイオードが破壊された
り、動作しなくなるといつたことはない。第3図
に示す受光部の出力は増幅部へ送られ、増幅され
た後判定される。全ホトダイオードに均一に光が
入射している時は出力はゼロ(基準レベル)であ
るが、これを基準としてプラス側、あるいはマイ
ナス側に一定値以上変化した時に検出信号を出力
するという判定を行なう。投光器から発する光が
パルス光である場合はホトダイオードから出力す
るパルス信号を増幅し、最終的にパルスのピーク
値に対応する直流レベルの信号に変換して前記判
定を行う。上記では2つのホトダイオードについ
て述べたが、より多数のホトダイオードを用いる
場合でも、偶数個であれば第4図の接続例によつ
て同様に検出信号が得られる。以上の如く、本願
では異なる受光視野を持つ複数のホトダイオード
を用い、いずれかひとつのホトダイオードから出
力が出されたときに検知信号が出され、全ホトダ
イオードから同じ大きさの出力が出されたときに
は、検知信号を出さないように全ホトダイオード
を接続したので、これらのホトダイオードと光学
系とにより形成される受光視野に、被検知物体が
存在すれば検出信号が得られる。また、検知範囲
は各受光視野の総和となり、広くとれる利点があ
る。また、この接続によれば、被検知物体の反射
率やその移動、停止に関係なく確実にこれを検出
する。
0.4V、短絡電流15μA、暗電流0.5μAのものを使
用し、負荷抵抗Rとして1MΩの抵抗を使用した。
ホトダイオードには、入射光の強さに応じた電流
が流れ、これが負荷抵抗に流れその両端に電圧が
発生する。ホトダイオードは順電圧が一定の値
(本実施例に使用したものでは0.4V)を越えると
光電流が流れなくなるため、本考案のように何個
も並列に接続してもホトダイオードが破壊された
り、動作しなくなるといつたことはない。第3図
に示す受光部の出力は増幅部へ送られ、増幅され
た後判定される。全ホトダイオードに均一に光が
入射している時は出力はゼロ(基準レベル)であ
るが、これを基準としてプラス側、あるいはマイ
ナス側に一定値以上変化した時に検出信号を出力
するという判定を行なう。投光器から発する光が
パルス光である場合はホトダイオードから出力す
るパルス信号を増幅し、最終的にパルスのピーク
値に対応する直流レベルの信号に変換して前記判
定を行う。上記では2つのホトダイオードについ
て述べたが、より多数のホトダイオードを用いる
場合でも、偶数個であれば第4図の接続例によつ
て同様に検出信号が得られる。以上の如く、本願
では異なる受光視野を持つ複数のホトダイオード
を用い、いずれかひとつのホトダイオードから出
力が出されたときに検知信号が出され、全ホトダ
イオードから同じ大きさの出力が出されたときに
は、検知信号を出さないように全ホトダイオード
を接続したので、これらのホトダイオードと光学
系とにより形成される受光視野に、被検知物体が
存在すれば検出信号が得られる。また、検知範囲
は各受光視野の総和となり、広くとれる利点があ
る。また、この接続によれば、被検知物体の反射
率やその移動、停止に関係なく確実にこれを検出
する。
さらに受光器の各素子に対して光学系の光軸を
複数とることができ、前記検知範囲をさらに広く
し得る特徴もある。
複数とることができ、前記検知範囲をさらに広く
し得る特徴もある。
第1図は本考案に係る光電スイツチのふかん
図、第2図は他の実施例による同ふかん図、第3
図は2つのホトダイオードを用いた場合の実施例
図、第4図は4つ以上(偶数個)のホトダイオー
ドを使用した場合の実施例図である。 1……投光器、2……受光器、3……凸レン
ズ、4……壁面、D1……受光素子、R1,R
2,R3,R4……ホトダイオード。
図、第2図は他の実施例による同ふかん図、第3
図は2つのホトダイオードを用いた場合の実施例
図、第4図は4つ以上(偶数個)のホトダイオー
ドを使用した場合の実施例図である。 1……投光器、2……受光器、3……凸レン
ズ、4……壁面、D1……受光素子、R1,R
2,R3,R4……ホトダイオード。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 投光器より発した光を物体で反射させ、この
反射光を受光器で受光し、この受光量の変化を
検出して信号を出す反射型光電スイツチにおい
て、受光器の光学系の焦点もしくは焦点の近く
に、それぞれ受光視野が異なるように偶数個の
ホトダイオードを並置し、全ホトダイオードの
うち半数を逆極性とし、全ホトダイオードを並
列接続し、これらの合成出力を増幅部へ接続し
たことを特徴とする反射型光電スイツチ。 2 投光器および/または受光器の光学系は光軸
を複数の異方向とした実用新案登録請求の範囲
第1項記載の反射型光電スイツチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17345781U JPS5878538U (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 反射型光電スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17345781U JPS5878538U (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 反射型光電スイツチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5878538U JPS5878538U (ja) | 1983-05-27 |
JPH0236199Y2 true JPH0236199Y2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=29965320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17345781U Granted JPS5878538U (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 反射型光電スイツチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5878538U (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5619307U (ja) * | 1979-07-24 | 1981-02-20 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5137172Y2 (ja) * | 1971-09-22 | 1976-09-11 |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP17345781U patent/JPS5878538U/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5619307U (ja) * | 1979-07-24 | 1981-02-20 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5878538U (ja) | 1983-05-27 |
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