JPH0236075B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、導電性金属をその上に無電解メツ
キするために誘電体基板の少なくとも１つの表面
を調整するための方法に関する。

［従来技術］ 誘電体基板上に金属（銅）を無電解メツキする
工程が例えば米国特許第RE28042号に記載されて
いる。この工程の一つとして基板上に金属を被着
する前に基板表面を触媒処理又はシーデイングす
る工程がある。この工程は誘電体基板が不導体で
あるため必要である。

基板を触媒処理するためにより広く用いられて
いる工程の中に、表面を塩化第一スズ増感化溶液
と塩化パラジウム活性剤で処理する工程がある。
例えば、誘電体基板を触媒処理するための一つの
方法が米国特許第3011920号に示されている。こ
の方法は、初めコロイダル金属溶液による処理に
より基板の反応性を高め、反応性の高まつた誘電
体基板から保護コロイドを取り除くための選択的
な溶剤によりその処理を促進し、そして反応性の
高まつた基板上に金属、例えば銅を銅塩と還元剤
の溶液から無電解的に被着する工程を含む。

米国特許第4008343号及び3562038号には、Pd
及びSn塩を含む溶液で表面を触媒反応的に活性
化する方法が記載されている。

ある表面活性剤でもつて基板を処理することの
示唆が特許文献中にある。特に、米国特許第
4301190号には、非貴金属触媒の基板への付着を
増強するために基板を“吸着モデフアイヤー”に
より前処理することが示唆されている。ある表面
活性剤、酸素水素化物ゾル及びある錯化剤は“吸
着モデフアイヤー”として示唆されている。

米国特許第3563784号には、表面をある単官能
表面活性剤で処理し、すすぎ、そして“２工程塩
化第１スズ−塩化パラジウム処理又は／工程酸、
スズ−パラジウムヒドロゾル処理”のいずれかで
活性化する工程を含む、メツキのために非導電体
を前処理する方法が示唆されている。

米国特許第3684572号には、エツチング後に表
面の触媒処理の前の非導電体表面をある第４アミ
ン単官能又は単一荷電表面活性剤で処理する工程
を含む、非導電体をメツキする方法が記載されて
いる。

米国特許第3575957号には、不導体基板にメツ
キする為の工程が記載されている。塩化第一スズ
で反応性を高め、塩化パラジウムで活性化する前
にある洗剤で基板をすすぐ工程が含まれている。

米国特許第3515649号、第3877981号及び第
3930072号には触媒を被着する前に表面活性剤を
用いることが示されている。

米国特許第4008343号には、触媒的に準備され
た表面が、PH値が1.5以下の酸性水溶液でもつて
すすがれるという無電解被着の工程が示されてい
る。用いられる酸は、塩酸、過塩素酸及び硝酸で
ある。

米国特許第3421922号には、樹脂を形成する陽
イオン・フイルム、特にメラミン−ホルムアルデ
ヒド樹脂、ポリアルキリン−アミン、アルキレー
テツド−メチオール−メラニン、トリアジン−ホ
ルムアルデヒド及び尿素ホルムアルデヒド樹脂
を、ひき続いてメツキが行なわれる基板表面上に
塗布することが記載されている。

本出願人の特公昭63−21752号に対応する特願
昭58−68499号明細書には、無電解メツキのため
に誘電体基板の表面を調整する方法が記載されて
いる。ここでは、活性化の前の基板表面に、塩酸
などの希無機酸中に溶解した複数電荷官能性を持
つテトラ−アルキル−アンモニウム化合物の短い
鎖が付着したポリアクリルアミドの不反応性中枢
鎖の共重合体を塗布することが記載されている。

［発明が解決しようとする問題点］ 特に、最後に述べた方法を用いると、非常に均
質で、かつ基板への付着特性が優れた金属層を得
ることができる。しかし、基板表面上に加法的
（アデイテイブ）に回路配線が形成される場合
（即ち、メツキ前の活性化された表面上にホトレ
ジスト・マスクを形成することにより回路配線を
形成する場合）、現像工程後の基板表面上の不所
望の残留レジストの問題（レジスト・ブリスタリ
ング）と、メツキされた回路配線が基板表面の近
くで広くなる傾向（ライン・テイリング）とがあ
る。

レジスト・ブリスタリングは金属配線中の切断
を生じ、ライン・テイリングは近接した金属配線
間の短絡を生ずる。

この発明の目的は、無電解メツキのための基板
表面を調整する改良された方法を提供することで
ある。

この発明の別の目的は、選択的に無電解メツキ
するために基板表面を調整する改良された方法を
提供することである。

この発明のさらに別の目的は、レジスト・ブリ
スタリング及びライン・テイリングを防止するた
めの効果的な工程を提供することである。

［問題点を解決するための手段］ これらの目的は、必要な処理工程の数を増加さ
せることなく達成される。

これらの目的の達成は、ホトレジスト・マスク
を形成するのに先立つて基板の少くとも１つの表
面を、少くとも２つの有効なイオン部分を含む多
官能陽イオン共重合体と硫酸H₂SO₄とを有し且
つPH値を約０乃至約３とした組成物に触媒させ、
そしてこの表面を塩化パラジウム及び塩化第１ス
ズを含む組成物と接触させて活性化させる工程を
含む方法で行なわれる。

特願昭58−68499号において誘電体基板の少な
くとも１つの面に接触させる組成物に含められた
塩化水素HClを硫酸H₂SO₄に代え、且つ該組成物
のPHを約０乃至約３とすることが、この発明の方
法によるレジスト・ブリスタリング及びライン・
テイリングの事実上の除去の原因であると思われ
る。

この発明の方法は、好ましくはエポキシ・カー
ドやボードなどの熱硬化性及び熱可塑性樹脂、及
びガラスの基板上に、金属回路を製造する工程に
応用できる。この方法はさらにすでに銅メツキを
受けた後に欠陥があるためにはねられた基板を修
繕するのにも応用できる。

［実施例］ この発明は次の詳細な説明より明らかとなるで
あろう。

この発明の方法は、金属、例えば銅、の無電解
メツキのために多くの種類の誘電体基板を調整す
るのに応用できる。ガラス及び熱可塑性又は熱硬
化性樹脂を含む誘電体基板は、この発明に従つて
処理することができる。

典型的な熱硬化性重合体材料は、エポキシ、フ
エノール・ベース材料及びポリアミドを含む。誘
電体材料は、グラスが充填されたエポキシ又はフ
エノール・ベース材料のように充填材及び／又は
補強材を含んだ重合体をモールドした部品であつ
てよい。適当な熱可塑性重合体材料の例として
は、ポリプロピレン、ポリスルホン、ポリカーボ
ナート、ニトリルゴム及びABS重合体などのポ
リオレフインを含む。

ここで用いられる“表面”という語は、基板の
主表面と同様に貫通孔の内側の表面をも指す。例
えば、この発明は、剥取り銅の薄層上に加法的に
めつきされることにより、又は減法的プロセスに
より、回路が設けられつつある場合に、貫通孔を
シーデイングするのに有用である。この発明はさ
らに、無電解直接結合（EDB）工程中に於てシ
ーデイングするのに有用である。この場合、回路
が基板表面上に選択的に塗布されたホトレジス
ト・マスクの開口に露呈された表面の領域上およ
び孔中の両方に、付加的にメツキされる。

この発明の方法の開始の前に、もし必要なら
ば、回路板の所望の位置に貫通孔が形成され、そ
して、貫通孔が形成された誘電体は適当に洗浄さ
れ、前調整される。例えば、前調整はサンド・ブ
ラステイング及び／又はベーパ・ブラステイング
の物理的手段及び／又は溶剤膨潤などの化学的方
法により活動的箇所（アクテイブ・サイト）を形
成することを含む。典型的な溶剤はＮ−メチル−
ピロリドンである。基板はさらにスルホクロミツ
ク酸混合物で前処理することもできる。

この発明の方法が基板表面上に銅などの金属を
選択的に無電解メツキするのに応用される場合、
次の工程が表面を前調整するのに好ましく適用さ
れる。

誘電体基板表面上に、粗な表面を有する金属シ
ートが基板表面に金属シートの粗な表面をプレス
することにより積層される。金属シートは約
25.4μｍの厚さを有する。その後で、金属シート
は完全に食刻される。明らかに、この処理工程に
於て銅に対するアンカー・ポイントがメツキされ
るべき表面上に発達される。このアンカー・ポイ
ントは後の金属メツキを容易にし、その表面への
付着を改良する。

もし、基板中に貫通接続が形成される場合（例
えば、もし平らな基板の両方の面上の印刷回路を
接続しなければならない場合）、好ましくはレー
ザ・ビーム又は機械的切削により基板を貫通して
孔が切削される。その後に孔がベーパ・ブラステ
イング、又は溶剤膨潤などの化学的方法により清
浄にされる。銅シートを除去する前に孔を作るこ
とも可能である。

次の工程は清浄工程で、基板は好ましくはリン
酸ナトリウム及びケイ酸ナトリウムを含みPH値13
を有する溶液から成るアルカリ洗剤でもつて45℃
乃至60℃の間の温度で約５分間の間洗浄される。
洗剤は45℃乃至60℃の間の温度を有する脱イオン
水ですすぎ落される。

この発明によれば、基板は多官能陽イオン共重
合体と硫酸H₂SO₄とを含む水溶液で処理される。
共重合体は、少くとも２つの活性な又は有効な陽
イオン官能部分を含む多官能陽イオン物質であ
る。好ましいイオン部分は第４ホスホニウム群及
び第４アンモニウム群である。少くとも２つの陽
イオン部分を含む共重合体は商業的に入手可能で
あり、ここで詳細に述べる必要はない。商業的に
入手可能な多官能溶イオン共重合体の例として、
HERCULESから入手可能なReten210及び
Reten220がある。これらについての発明が、
“Water−Soluble Polymers”、Bulletin VC−
482A、HERCULES Inc.、Wilmington、
Delaware19899に記載されている。参考のために
ここにその内容を記載する。

Reten210は、粉末形状で、アクリルアミドと
ベータメタアクリルオキシエチルトリメチルアン
モニウム 硫酸メチルとの共重合体で、１％溶液
中のブルツクフイールド粘性が600−1000cpsを有
する。

Reten220は、粉末形状で、アクリルアミドと
ベータメタアクリルオキシエチルトリメチルアン
モニウム 硫酸メチルとの共重合体で、１％溶液
中のブルツクフイールド粘性が800−1200cpsであ
る。

Retenポリマーの分子量は、普通比較的高く、
約50000乃至約1000000又はそれ以上に及ぶ。これ
ら高い分子量の重合体は固体であつて、それらの
主な化学的骨組構造物はポリアクリルアミドであ
る。ポリアクリルアミドに種々のテトラ・アルキ
ル・アンモニウム化合物が付着することができ
る。これら第４アンモニウム群は多くの重合体の
正電荷を与える。

陽イオン共重合体は、共重合体の重量が約0.01
％乃至約１％好ましくは約0.05％乃至0.5％の薄
い水溶液として使用される。水溶液はさらに硫酸
を含み、PH値を約０乃至約３、好ましくは約１に
している。低いPH値は、重合体の塗布を容易にす
るために重合体溶液の粘性を比較的低くするのに
好まれる。酸は普通、重量で約２％乃至約４％、
好ましくは重量で約２％、の量存在する。

陽イオン共重合体での処理は一般に、約１分間
乃至約10分間、好ましくは約１分間乃至２分間を
必要とする。多官能陽イオン共重合体は正の極性
を表面に与える。一方、後に表面に塗布される触
媒粒子は負の極性を有している。この極性の差
は、触媒粒子へ静電的引力を与える。

基板が陽イオン共重合体組成物に接触された
後、基板は基板表面に吸収されなかつた添加の共
重合体を除去するためにすすがれる。

次に、基板表面及び／又は貫通孔表面は、塩化
パラジウム、塩化第１スズ及び塩酸を含むコロイ
ダル溶液によつて活性化される。活性化は、無電
解メツキ工程を開始するための役を果す。表面は
コロイダル溶液と好ましくは５分間の間接触され
る。しかし、接触時間は１分間から10分間の間を
変化することができる。シード槽を作るために、
２つの溶液（Ａ及びＢ）が準備される。約60Kgの
SnCl₂・2H₂Oが20リツタの濃い（37％）塩酸中
にかきまわしながら溶解される。濃塩酸中に
SnCl₂・2H₂Oを溶解することが大変重要である。
この条件下では、Sn塩の加水分解は生じない。
塩が全て溶解した時、さらに37％塩酸が50リツタ
の体積に達するまで加えられる（溶液Ａ）。約１
KgのPdCl₂が15リツタの37％塩酸中に溶解され
る。この溶液は50リツタの体積に達するまで脱イ
オン水で薄められる（溶液Ｂ）。溶液Ｂは溶液Ａ
へゆつくりとかくはんされながら加えられる。混
合物は２時間の間、沸騰される。冷却後に、約70
グラムのフルオロカーボン表面活性剤、例えば
FC−95という商品名でミネソタ・マイニング・
アンド・マニユフアクチユアリングCo.から売ら
れているペルフルオルアルキルスルホン酸塩から
成るものを、加える。この溶液は、数カ月間貯え
ることができる。実際のシード槽を準備するため
に、約130mlのこの溶液と約175グラムの塩化ナト
リウムを取り出して、脱イオン水を加えることに
より１リツタの体積にされる。このシード槽は、
溶液１リツタ当り、約80グラムのSnCl₂・2H₂O
と約1.2グラムのPdCl₂と約85mlの37％塩酸と、約
0.09グラムのFC−95と塩化ナトリウムを含む。
しばらく使用した後、シード槽を再び満すため
に、新鮮な溶液を加えることができる。もし、溶
液１リツタ当りSnCl₂・2H₂Oの量が80グラム乃
至150グラムの間を変化し、PdCl₂の量が1.2グラ
ム乃至2.6グラムの範囲であり、37％塩酸が85ml
乃至300mlの間範囲であり、表面活性剤が0.09乃
至0.16グラムの範囲にある場合、シード槽は満足
に働くことがわかつた。

これは、重量比が１：３のパラジウム及びスズ
の核と塩化物イオンの殻とを有するコロイダル粒
子を含む。

表面は、室温で５分間コロイダル溶液と接触さ
せられる。しかし、接触時間は１分間乃至10分間
の間で変化させてよい。

負の塩化物イオンの殻を有するコロイダル粒子
は、Retenの処理により正の電荷を有する誘電体
表面へ静電引力により付着する。

調整された表面上に、金属、例えば銅又はニツ
ケルが、空気乾燥以外にメツキ工程の前にこれ以
上の処理をすることなくメツキされる。調整され
た表面は、メツキ前に脱イオンで洗浄し、希塩酸
で処理し、そして加熱して乾燥してもよい。これ
らの工程に加えて、メツキ前の活性化された表面
上に所望の金属パターンのネガに相当するホトレ
ジスト・マスクを形成してもよい。もし、メツキ
前にホトレジスト・マスクが付着される場合は、
水洗、塩酸処理及び乾燥工程の一連が特に重要で
ある。

これ以上の前処理をすることなくメツキを行う
ことは、調整された表面が貫通孔に限定される場
合、特に適用できる。ニツケル又は銅などの金属
は、所望の厚さに到達するまで、処理された表面
上に無電解メツキによりメツキされる。使用され
るのに好ましい金属は銅である。好ましい銅無電
解メツキ槽及びその応用の方法が、米国特許第
3844799号及び第4152467号に開示されている。

銅無電解メツキ槽は一般に、第２銅イオン源、
還元剤、第２銅イオンのための錯化剤及びPH調整
剤を含んだ水様の組成物である。メツキ槽は好ま
しくはさらにシアンイオン源及び表面活性剤を含
む。

一般に用いられる第２銅イオン源は、硫酸第２
銅である。10グラム／リツタとして用いるのが好
まれるが、８グラム／リツタ乃至12グラム／リツ
タの間が最も好ましい。最も普通に用いられる還
元剤はホルムアルデヒドであつて約0.7グラム／
リツタ乃至約７グラム／リツタの量で用いられ
る。最も好ましいのは、約0.7グラム／リツタか
ら約2.2グラム／リツタである。最も普通の錯化
剤は、エチレンジアミン四酢酸（EDTA）であ
る。錯化剤の量は溶液中に在存する第２銅イオン
の量に依存していて、一般に約20グラム／リツタ
乃至約50グラム／リツタ、又は３−４倍モルだけ
多い。メツキ槽はさらにメツキされるべき表面を
ぬらすのを助ける表面活性剤を含むことができ
る。満足な表面活性剤は、例えば商品名Gafac
RE−610で入手可能な有機リン酸エステルであ
る。一般に、表面活性剤は約0.02グラム／リツタ
乃至約0.3グラム／リツタの量存在する。

これに加えて、槽のPHは一般に水酸化ナトリウ
ム又は水酸化カリウムなどの塩基化合物を所望の
量だけ加えて所望のPHに到達させることにより、
調節される。無電解メツキ槽の好ましいPHは11.6
と11.8の間である。また、好ましくは、メツキ槽
はシアン化ナトリウム又はシアン化アンモニウム
の形でシアン・イオンを含む。その量は、槽内に
0.0002モル乃至0.0004モルの範囲内のシアン濃度
を与えるために好ましくは約10mg／リツタ乃至約
25mg／リツタの間である。槽の温度は好ましくは
70℃乃至80℃の間に維持される。最も好ましいの
は、70℃乃至75℃の間である。槽中のO₂含有量
は好ましくは約2ppm乃至約4ppmの間、最も好ま
しくは約2.5ppm乃至約3.5ppmの間に維持され
る。O₂含有量は槽中に不活性ガスと酸素を注入
することにより調節できる。

上で列挙されたメツキ前の処理は、金属を基板
の主表面上に選択的又は連続的にメツキする場合
に有用である。

列挙された処理工程は、以下により詳細に説明
される。

基板は、脱イオン水ですすがれる。突然のPH値
の変化に起因して、塩素イオンの大部分はOH^-
イオンに置き換る。その後、基板は８％塩酸で処
理され、ここでスズが基板表面から選択的に除去
される。これは、メツキ工程中に増強された触媒
効果を持つPdに富んだ領域を残す。HClの処理
によりSnの量は1μgr／cm²以下となり、一方Pdの
量は３−4μgr／cm²の程度である。

もう一度脱イオン水ですすいだ後、基板は約60
℃乃至約70℃の間の温度で30分間オーブン中で乾
燥されるか、又は約100℃の温度で真空オーブン
中で乾燥される。乾燥工程中、全ての水は酸素の
殻を不溶性の酸化スズの形で残してコロイダル粒
子から不可逆的に追い出される。

もし、基板表面上の全面に金属被膜を形成する
ことが意図される場合、次の工程は上述した無電
解メツキである。もし、金属が乾燥された基板表
面上に加法的工程により付着される場合、ホトレ
ジスト層が基板表面上にスピン・コーテイング、
または好ましくはホトレジスト箔の基板表面上へ
の積層のいずれかにより付着される。

このような箔はネガテイブ・ホトレジストであ
つて、デユポンによりタイプ表面T168で売られ
ている。

基板に正確に整列された適当なマスクを通して
露光し、その後に現像することにより、所望の回
路パターンのネガがホトレジスト箔に作られる。
現像工程により、ホトレジストが除去された所望
のパターンに対応する領域に於て、基板表面の触
媒化された領域が露呈される。ホトレジスト工程
は、貫通孔中の表面をも含む触媒化された表面上
に有害な影響を与えない。レジスト・ブリスタリ
ングは所望のパターンに対応する領域に存在しな
い。

次に、金属が露呈された表面領域上に無電解メ
ツキによりメツキされる。メツキ工程が以下に金
属として銅をもちいて記載されている。しかし、
この工程は他の金属にも同様に適用可能である。
メツキは、工程時間と用いられる槽の組成が異な
る２つの工程により行なわれる。

両方の槽は、溶液１リツタ中に約８グラム乃至
10グラムの硫酸銅、約35グラム乃至約55グラムの
エチレンジアミン四酢酸（EDTA）、約２ml乃至
約３mlのホルムアルデヒド及び0.02グラム乃至約
0.03グラムの表面活性剤を含む。表面活性剤はメ
ツキされるべき表面をぬらすのを助ける。満足な
表面活性剤は、例えば商品名Gafac RE−610で
売られている有機リン酸エステルである。無電解
メツキ槽の好ましいPH値は25℃の温度で11.6乃至
11.8の間である。第１のメツキ工程に用いられる
槽は、シアンを含まず、酸素のレベルを2ppm以
下にしている。空気のような気体は、槽中をあわ
だたせられることがない。

CN^-とO₂はPdと可溶な錯イオンを形成する。
O₂含有量の下限は、槽中に酸素と不活性ガスと
を注入することにより制御できる。メツキの第２
工程中に用いられる槽は、約10ppm乃至約20ppm
のシアン化物を含む。そして、その酸素含有量は
槽中に空気をあわ立たせることにより達成される
約3ppmである。基板を第１槽から取出して第２
槽へ入れる必要はない。第１メツキ期間が終了し
た後、シアン化ナトリウムを加えそして槽中に空
気をあわ立たせることにより第１槽を第２槽に変
えることも可能である。

メツキは70℃乃至80℃の間、好ましくは70℃乃
至75℃の間の温度で行なわれる。基板は第１工程
で約15分乃至約30分間メツキされ、第２メツキ工
程で約10時間乃至約20時間メツキされる。メツキ
された銅は、約37.5乃至50μｍの厚さである。

この発明によれば、貫通孔を含む基板表面の全
ての露呈された領域に均一な被膜が達成される。
メツキ後、ホトレジストが好ましくは塩化メチレ
ン又は類似の溶剤ではがされる。そして、銅でメ
ツキされていない領域中のPdは亜鉛素酸塩溶液
での処理により除去される。

この発明の方法は、ガラス及び熱可塑性樹脂及
び熱硬化性樹脂のような基板上に金属回路を形成
するための工程に特に応用できる。この発明の方
法は、高品質の銅メツキされたエポキシ・ボード
及びカードの製造に特に有用である。

この発明の方法は、さらに、既に無電解メツキ
を受けされらはハンダ付けまで受けた構造的には
正常であるが、欠陥、例えば開口、メツキ空隙、
ハンダ欠陥及び回路上の傷など、がある為にはね
られた基板を修膳する為の工程にも有利に応用で
きる。修繕されるべき基板は、選択的に銅などの
金属で覆われており、そして時にはまたホトレジ
スト及び／又はスズでも選択的に覆われている。

再処理の第１の工程において、ホトレジストが
好ましくは塩化メチレン又は類似の有機溶剤では
がされ、その後で基板が乾燥される。そして、金
属がメツキにより付着される。スズがもしあれ
ば、食刻により除去される。もし金属が銅である
ならば、好ましくはCnCl₂／HCl溶液が用いられ
る。なぜならば、この薬品は銅及びスズも食刻す
るからである。この段階で基板表面は外観上、銅
シートの粗な表面をメツキされるべき基板表面に
対して積層しその後でその銅シートを食刻し去る
という上述の方法により形成された粗さを呈す。
この工程から、再処理は上述したのと同じように
行なわれる（例えば、アルカリ溶液ですすぎ、
Reten溶液で表面を調整し、単一のシード工程に
於てパラジウム／スズ塩で表面をシーデイング
し、脱イオン水ですすぎ、８％HCl溶液で大部分
のスズを除去することにより促進し、所望の回路
パターンのネガに対応するホトレジスト・マスク
を形成し、そして最後に選択的に無電解メツキを
行う。） 次の２つの例は、この発明の方法の好実施例を
説明するためのものであり、この発明を制限する
ことを意図するものではない。

例 １ 前もつてアルコールで清浄にされたガラス基板
が、１リツタ当り0.05グラムのReten210を含む２
％H₂SO₄水溶液の槽中に約３分間浸される。そ
して、基板が脱イオン水ですすがれ、空気乾燥さ
れる。次に、被膜された基板が１リツタ当り
PdCl₂を約1.5グラム、SnCl₂を約100グラム、37％
HClを行106ミリリツトル及び表面活性剤を約0.1
グラムを含む槽中に約３分間適度室温で浸され
る。そして基板は空気乾燥される。基板はその上
に目で見えるPd触媒膜を有する。その後で、基
板は脱イオン水ですすがれ、室温で十分間８％
HClで処理され、室温で３分間脱イオン水ですす
がれ、そして100℃で30分間真空乾燥される。乾
燥された基板上に、ホトレジストT168の層が積
層される。マスクされた領域が所望の回路パター
ンのネガに対応する照射マスクが基板と整列さ
れ、そしてマスクを通じて基板は照射される。ト
リクロルエタン型の現像剤で現像され、所望のパ
ターンに対応したメツキされるべき基板のシーデ
イングされた領域が露呈される。所望のパターン
に対応する領域においては、レジスタ・ブリスタ
ーリングは検出されない。

そして、基板は十分間、銅無電解アデイテイ
ブ・メツキ槽中に浸される。無電解メツキ槽は20
グラム／リツタのCuSO₄・5H₂O、35グラム／リ
ツタのEDTAデハイドライド、0.25グラム／リツ
タのGafac RE−610、14ミリグラム／リツタの
シアン化ナトリウム、及び２ml／リツタの
HCHOを含む。槽のPH値はNaOHを加えること
により11.7である。槽の温度は73℃±５℃であ
る。槽中の酸素含有量は約2.5ppm乃至3.5ppmに
維持される。ガス流率は約12SCFMである。これ
に加えて、メツキ・ラツクはメツキ中常に揺動さ
れる。

メツキ後の基板は、連続した銅膜を基板上に有
する。製造された銅線はライン・テイリングを示
さない。

例 ２ エポキシ樹脂から成る基板上に、粗な表面を有
する25.4μｍの厚さの銅がプレスにより積層され
る。食刻された基板内に、バイアを形成するため
の貫通孔がレーザにより切削され、そしてベー
パ・ブラステイングで清浄にされる。基板はリン
酸ナトリウム及びケイ酸ナトリウムを含むPH値約
13の水溶液で処理される。基板は２分間約50℃の
温度で脱イオン水によりすすがれる。引き続いて
基板は、２分間PH値１を有し0.05％のRetin210を
有する２％H₂SO₄溶液中に浸される。もう一度、
温かい脱イオン水ですすいだ後、基板は溶液１リ
ツタ当り、約1.2グラムのPdCl₂、約80グラムの
SnCl₂・2H₂O、約85mlの37％HCl、約0.1グラム
の表面活性剤、及び175グラムの塩化ナトリウム
を含み残りは水であるシード槽中に浸される。溶
液は上述した様に準備される。

基板はシード槽に室温で３乃至５分間浸され
る。その後、基板は脱イオン水ですすがれ、室温
で十分間８％HClで処理され、室温で３分間脱イ
オン水ですすがれ、そして30分間100℃の温度で
真空乾燥される。乾燥された基板上にホトレジス
トＴ−168の層が積層される。所望の回路パター
ンのネガに対応する所がマスクされた領域である
照明マスクが基板に整列され、そしてマスクを通
じて基板が照射される。その後、トリクロルエタ
ン型現像液でもつて現像が行なわれ、所望のパタ
ーンに対応したメツキされるべき基板のシーデイ
ングされた領域が露呈される。所望のパターンに
対応する領域に於ては、レジスト・ブリスタリン
グは検出されない。

次に、基板の露呈された領域は無電解銅メツキ
される。ここで、基板は初めに約30分間、温度72
±２℃を有し溶液１リツタ当り８−10グラムの
CuSO₄、35−55グラムのEDTA、0.1グラムの
Gafac湿潤剤、２−３mlのホルムアルデヒド、及
び2ppm以下の酸素を含み残りは水である槽中に
浸される。槽は25℃に於てPH値11.7を有する。そ
して、基板は第１槽と3ppmの酸素含有量と10−
20ppmのシアン化物を含む以外は同じ組成を有す
る第２槽中に浸される。この槽内に於て、温度は
また72±２℃であり、基板は15時間浸される。メ
ツキされた銅の厚さは約50.8μｍである。

最後に、ホトレジスト・マスクが塩化メチレン
ではがされる。

メツキされた銅を目で見た印象は優れている。
貫通孔も含んだ基板の全ての露呈された領域は連
続した銅膜で覆われていて、その厚さは本質的に
均質であり、大変良い付着を有する。銅線はライ
ン・テイリングを示さない。

［発明の効果］ この発明の方法によれば、レジスト・ブリスタ
リング（現像工程後の基板表面上の残留レジスト
の問題）及びライン・テイリング（メツキされた
回路配線が基板表面の近くで広くなる傾向）を防
止することができ、従つて、レジスト・ブリスタ
リングによる金属配線中の切断を防ぎ、ライン・
テイリングによる近接した金属配線間の短絡を防
止することができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 誘電体基板の少なくとも１つの表面にホトレ
   ジスト・マスクを形成した後に無電解メツキを行
   うために、前記表面を調整する方法において、 ホトレジスト・マスク形成工程に先立つて、 前記表面を少なくとも２つの有効な陽イオン部
   分を有する多官能陽イオン共重合体とH₂SO₄と
   を含み且つPH値を約０乃至約３とした組成物に接
   触させ、そして、前記表面を塩化パラジウム、塩
   化第１スズ及びHClを含むコロイダル溶液でもつ
   て処理することにより表面を活性化する工程を含
   む方法。