JPS62158882A

JPS62158882A - 無電解銅めつき方法

Info

Publication number: JPS62158882A
Application number: JP27310086A
Authority: JP
Inventors: ピーター・アラン・バーネツト; ダー・ヤング・ジユング; ロナルド・アンソニー・カスチヤツク; ロイ・ハービイ・マグヌソン; ロバート・ジヨージ・リツカート; スチーブン・レオ・チスデール
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1986-01-03
Filing date: 1986-11-18
Publication date: 1987-07-14
Also published as: JPH029674B2; DE3669738D1; EP0228664A1; EP0228664B1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】Ａ、産業上の利用分野本発明は、無電解めっき浴から、基板上に銅を付着する
方法に関するものである。本発明は、特に、プリント回
路板などのプリント回路適用分野で使用されるもののよ
うな、高品質の製品の提供を対象とする。本発明の方法
を用いると、高品質の延性コーティングをもたらしなが
ら、めっき空孔をなくさないまでも大幅に減らすことが
できる。

本発明の方法を使うと、不要銅（ｅｘｔｒａｎｅｏｕｓ
ｃｏρｐｅｒ）またはこぶ状鋼めっきの形成も大幅に減
らすことができる。

Ｂ、従来技術基板上に銅を無電解めっきすることは、当技術では公知
である。たとえば、無電解または自動触媒銅めっき浴は
１通常、第二銅塩、第二銅塩の還元剤、キレート剤また
は錯化剤、およびｐＨ調節剤を含んでいる。さらに、め
っきする表面が所期の金属の付着に対してそのままでは
触媒作用がない場合、めっき浴に浸す前に適切な触媒を
表面に付着する。表面を触媒化するための広く使われて
いる方法の一つとして、塩化第一スズ増感剤溶液と塩化
パラジウム活性剤を使って、金属パラジウム粒子の層を
形成するものがある。

無電解銅めっきに関する技術は絶えず改良されているが
、なお改良の余地がある。プリント回路適用分野、たと
えば高密度の回路構成と貫通孔や盲孔など多数の孔を含
む回路基板に使うものなど、非常に高品質の製品を作成
する場合に、いくつかの問題が特に顕著に現われる。そ
の際に出てくる問題の一つは、表面上および孔中のコー
ティングでの空孔（ボイド）の形成である。それができ
ると、電気接続の信頼性が下がる恐れがある。さらに、
電気接続が当初充分であっても、空孔があると回路の使
用中にコーティングに亀裂が生じる傾向がある。使用中
、集積回路板は幾分膨張と収縮を示す傾向がある。コー
ティングに不連続箇所があると、この膨張と収縮による
機械的応力のために、まずそこに亀裂が起こりやすくな
る。

さらに、無電解めっきにおける収率低下の主な原因は、
いわなる不要鋼あるいはこぶ状銅めっきの形成である。

基板上の望ましくない区域にこぶ状めっきが形成される
と、基板上の回路線の間に接点が形成されて、短絡を起
こす恐れがある。その上、表面上にこぶ状めっきが存在
すると、保護コーティングの付着、はんだ付けなどの工
程が悪影響を受ける。

空孔形成を減らそうという様々の試みが行われているが
、そうするとこぶ状めっきの形成が大幅に増大する。ま
た、こぶ状めっきを減らそうとすると、空孔形成が大幅
に増大する。したがって、不要鋼またはこぶ状めっきの
形成を余り増大させずに、空孔の形成を減らせれば、有
利でありかつ望ましい。

Ｃ８発明が解決しようとする問題点本発明は、無電解めっき浴からめつきする際に、空孔の
形成を完全になくさないまでも大幅に減らす方法を提供
する。また、本発明は、めつき空孔を減らし、かつ不要
鋼またはこぶ状めっきの形成を大幅に減らすことを可能
にする。

本発明は、使用する第２のめつき浴の安定性を失うこと
なく、めつき空孔を減らすことを可能にする。

Ｄ１問題点を解決するための手段本発明は、無電解めっき溶液から基板上に銅を付着する
方法にをかるものである。具体的にいうと１本発明の方
法は、第１のアルカリ性無電解めっき浴から所期の基板
上に第１の銅層をめっきすることを含んでいる。第１の
アルカリ性めっき浴は、２．３ｐｐｍ以下の青酸イオン
（ｃｙａｎｉｄｅ　１ｏｎｓ）を含み、はぼ飽和濃度の
酸素を含む。第２のアルカリ性無電解めっき浴から、第
１の銅層上に第２の銅層を付着する。第２の無電解めっ
き浴は、約５〜１１ｐｐｍの青酸イオンを含み、はぼ飽
和濃度の酸素を含む。飽和濃度とは、浴の空気飽和によ
って達成できる酸素レベルをいうものとする。ただし、
必要な酸素レベルを達成するために、空気を使用しなけ
ればならないと解釈すべきではない。

Ｅ、実施例本発明によれば、容姿の青酸イオン濃度が互いに異なり
、適切に選択した値である、異なる２種の無電解銅めっ
き浴から順次めっきを行なうことによって、改良された
めつきが実現できることが判明した。

具体的にいえば、第１のめつき浴は、約０〜２゜３　ｐ
ｐｍの青酸イオンを含む。さらに、第１のめつき浴の酸
素含有量がほぼ飽和濃度、好ましくは飽和濃度よりも１
ρｐｆｉ１以上低くないことが、本発明の成否にとって
重要である。

第２の無電解銅めっき浴は、第５〜１１ｐｐｍの青酸イ
オンを含む。さらに、第２のめつき浴の酸素含有量がほ
ぼ飽和濃度好ましくは飽和濃度よりも１．５ｐｐｍ以上
低くないことが１本発明の成否にとって重要である。

上記の酸素含有量の値は、温度が約７０〜８０℃のとき
のめつき浴に対する値である。

金属をめっきする表面は、銅の付着に対して触媒作用を
もたなければならない。たとえば、銅の付着に対してそ
のままでは触媒作用をもたない表面にめっきする場合、
無電解銅めっき浴に浸す前に表面に適当な触媒を付着す
る。本発明の良好な態様では、めっきする基板は、誘電
性基板であり。

これを銅付着に対して触媒作用をもつようにしなければ
ならない。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ガラスを含め
て、従来技術で記載されている誘電性基板に２本発明に
従ってめっきすることができる。

典型的な熱可塑性ポリマー材料には、エポキシ、フェノ
ールをベースにした材料、ポリアミド類などがある。誘
電性材料は、ガラス充填エポキシやフェノールをベース
にした材料など、充填剤および補強剤を含むポリマー製
品である。フェノール型材料の例としては、フェノール
、レゾルシン、クレゾールの共重合体がある。適当な熱
可塑性ポリマー材料の例としては、ポリプロピレンなど
のポリオレフィン類、ポリスルホン類、ポリカーボネー
ト類、ニトリルゴム、ＡＢＳポリマーなどがある。

本発明は、基板の少くとも１つの主表面および基板のめ
つきされた貫通孔またはヴアイアおよび盲穴のめつきに
適している６本発明は、縦横比が大きな孔でも良好なめ
っきをもたらす。

本発明の誘電性基板にめっきする方法を開始する前に、
回路板に孔を設けたい場合、孔を作成し、孔のある誘電
体を適切な方法で清浄にし、事前コンディショニングを
施しておく。

事前コンディショニングには、たとえばサンドブラスト
や蒸気ブラストなどの物理的方法あるいは溶剤膨潤など
の化学的方法による活性部位の作成がある。代表的な溶
剤は、Ｎ−メチルピロリドンである。また基板をスルホ
クロム酸で事前処理してもよい。

広く使われている、基板を触媒化またはシーディングす
る方法は、塩化第一スズ増感剤溶液と塩化パラジウム活
性剤を使って、金属パラジウム粒子の層を形成するもの
である。誘電性基板を触媒化する一つの方法は、たとえ
ば、米国特許第３０１１９２０号に例示されている。こ
の特許は、基板をコロイド状金屑溶液で処理して増感さ
せ、選択的溶媒を使って増感誘電性基板の保護コロイド
を除去する反応を促進させ、次に増感基板上に無電解め
っきによって銅を付着することを含んでいる。

また、たとえば米国特許第３０９９６０８号で提案され
ているように、半コロイド状溶液から金属パラジウムな
どの金属粒子の「導電化剤ｊ型薄膜を誘電性基板に付着
させて事前処理し、「導電化された」ベース上に導電性
金属でめっきするための誘電性ベースをもたらすことが
できる。さらに、米国特許第３０３２３８８号には、め
っき工程で事前クロム酸エッチを利用し、続いてスズ−
パラジウム・ヒドロシル中での１工程の活性化を行なっ
て、ポリマー・プラスチック基板を処理する方法が提案
されている。

さらに最近に、米国特許第４０６６８０９号には、いわ
ゆる「三重シーディング」法の利用が開示されている。

この方法は、誘電性基板の表面をまず塩化第一スズ増感
剤に浸し１次に塩化パラジウム活性剤に浸し、次に塩化
パラジウム／塩化第一スズ／塩酸シーダ溶に浸すことを
含んでいる。

本発明では、塩化第一スズおよび塩化パラジウムで処理
する前に、パップ（Ｂｕｐｐ）らの米国特許第４４７８
８８３号やパップらの米国特許出願Ｓ。

Ｎ、第６９８７９号に開示にされているような。

多官能イオン性ポリマーを含む水溶液で基板を処理する
ことができる。

このポリマーは、同じ極性の活性なまたは利用できるイ
オン性官能部分を少くとも２個含む点で多官能イオン性
物質である。このポリマーは少くとも水と混和性があり
、好ましくは水溶性、あるいは少くとも本発明で使用す
る水分に可溶性である。良好なイオン性部分は第四ホス
ホニウム基や第四アンモニウム基などの陽イオン性部分
である。

少くとも２個のイオン性部分を含むポリマーは市販され
ているので、ここで詳しく説明する必要はない。市販の
多官能陽イオン性ポリマーの例としては、パーキュリー
ズ社（Ｈｅｒｃｕｌｅｓ）から市販されているレチン（
Ｒｅｔｅｎ）　２１０、レチン２２０、レチン３００が
ある。それらについての説明は「水溶性ポリマー（Ｗａ
ｔｅｒ−５ｏｌａｂｌｅ　ｐｏｌｙｍｅｒｓ）Ｊ。

ブリティン（Ｂｕ１１ａｔｉｎ）　Ｖ　Ｃ−４８２Ａ、
パーキュリーズ社（Ｈｅｒｃｕｌｅｓ　Ｉｎｃｏｒｐｏ
ｒａｔｅｄ）プラウエア州ヴイルミングトン、に記載さ
れている。

レチン・ポリマーは、高分子ポリマー（通常、分子量が
約５万〜１００万以上）であり、その主骨格構造はポリ
アクリルアミドである。

このイオン性ポリマーを、通常は共重合体の重量に対し
て約０．０１〜１重量％好ましくはＯ６０５〜０．５重
量％の希水溶液として使用する。

この水溶液は１通常ｐＨを約０〜７．好ましくは約０〜
３にするために、Ｈ２ＳＯ４やＨＣｌ２などの無機酸を
含んでいる。酸の量は、通常約２〜１゜重量％である。

イオン性ポリマーによる処理は１通常約１〜１０分間行
なう。

基板をイオン性ポリマー組成物と接触させた後、洗浄し
て、基板に吸収されなかった過剰のポリマーを除去する
。

次に、無電解銅めっきを開始できる触媒組成物を含む組
成物に基板を接触させて活性化させるにれらの組成物は
、直接に触媒部位をもたらすことのできる金属、または
触媒部位になる前駆体として働く金属を含んでいる。含
まれる金属は、元素、合金、化合物またはそれらの混合
物のどれでもよい。好ましい金属触媒は、金、パラジウ
ム、白金などの貴金属である。さらに、多官能ポリマー
を使って行われる基板のコンディショニングは良好な特
性を与えるから、銅、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛、
マンガン、アルミニウムなどの卑金属を触媒として使う
ことができる。

最も好ましい媒触は、パラジウムである。代表的なパラ
ジウムの組成は、ＩＱ当り約１．２〜２゜５ｇのパラジ
ウム塩、好ましくはＰｄＣｆ１．と、ＩＱ当り約８０〜
１５０ｇの第一スズ塩、好ましくは５ｎＣＱ２・２Ｈ２
０と、ＩＱ当り約１００〜１５０　ｍ　Ｑの酸、好まし
くはＨＣＱを３７％ＨＣｆｌ溶液の形で使う場合、好ま
しくは約２９０〜３６０　ｍ　ＱのＨＣＱ溶液を使用す
る。最も好ましい組成は、１０当りＰｄＣＱ□約１．５
ｇと３７％ＨＣＱ約２８０ｍΩを含むものである。この
組成物を、通常約６５±１０°Ｆの温度に保つ。

代表的な三重シーブ法は、たとえばアルボ−（Ａｌｐａ
ｕｇｈ）らの米国特許第４５２５３９号に開示されてい
る。

本発明に従って使用する第１の無電解めっき溶は、青酸
イオンを約２．３ｐｐｍまで、好ましくは約０．２〜２
．３ｐｐｍ、特に好ましくは約０゜５〜２ｐｐｍ含んで
いる。

本発明に従って使用する第１の無電解めっき浴は、酸素
含有量が飽和濃度よりもｉｐｐｍ以上、低くなく、好ま
しくは０．５ｐｐｍ以上低くないものである。本発明の
最も好ましい態様では、第１の無電解めっき浴の酸素含
有量は、空気を使って達成できる飽和レベルまたはその
近くである。

これらの酸素含有量の値は、浴温か約７ｏ〜８０℃の場
合の値である。

使用する第１の銅無電解めっき浴は、通常、青酸イオン
源と酸素の他に、第二銅イオン源、第二銅イオン用の錯
化剤、およびｐＨ調節剤を含む水性組成物である。さら
に、めっき浴は好ましくは界面活性剤をも含む。

一般に使用される第二銅イオン源は、硫酸第二銅、また
は使用する錯化剤の第二銅塩である。

第二銅イオン源は、ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０に換算してＩ
Ｑ中に約７〜１２ｇ、好ましくは約８．０〜１０．０ｇ
、特に好ましくは約８．５〜９．５ｇ使用する。言い換
えれば、第二銅イオン源がＣｕ５Ｑ４・５Ｈ２０である
場合、１１２当り約７〜１２ｇの量であり、イオン源が
別の物質である場合は、ＣｕＳＯ４・５Ｈ，○を使う場
合と同じ量の第二銅イオンが浴中に存在するような量を
使用する。

本発明に使って使用できるシアン化物即ち青酸化合物の
例は、アルカリ金属やアルカリ土類金属のシアン化物お
よびシアン化アンモニウムであり、シアン化ナトリウム
が好ましい。

使用する最もふつうの還元剤はホルムアルデヒドである
。他の還元剤の例としては、ホルムアルデヒド単独重合
体たとえば、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、グ
リオキサール；ボロハイドライド類たとえばアルカリ金
属ボロハイドライド（ナトリウムボロハイドライドやカ
リウムボロハイドライド）；および置換ボロハイドライ
ド類たとえばナトリウムトリメトキシボロハイドライド
；ボラン類たとえばアミンボラン（イソプロピルアミン
ボランやモルホリンボラン）；次亜リン酸塩などかある
。

還元剤は、通常ＩＱ当り約１〜６ｍＱ、好ましくは約２
〜４ｍＱ、特に好ましくは約２〜２．５ｍＱ使用する“
。

適当な錯化剤の例としては、ロッシェル塩、エチレンジ
アミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸のナトリウム塩
（モノ、ジ、トリ、テトラナトリウム）、ニトリロ四酢
酸とそのアルカリ塩、グルコン酸、グルコン酸塩、トリ
エタノールアミン、（γ−）グルコノラクトン、変成エ
チレンジアミン酢酸塩たとえばＮ−ヒドロキシエチルエ
チレンジアミン三酢酸がある。さらに、他のいくつかの
適当な第二銅錯化剤が、米国特許第２９９６４０８号、
第３０７５８５６号、第３０７６８５５号、第２９３８
８０５号に提案されている。好ましい錯化剤は、エチレ
ンジアミン四酢酸とそのアルカリ金属塩である。

第１のめつき浴中で使用される錯化剤の量は。

ＩＱ当り約３０〜５０ｇである。

めっき浴は、またコートすべき表面をぬらす働きをする
界面活性剤を含むことができる。満足できる界面活性剤
は、たとえばｒＧａｆａｃ　　ＲＥ−６１０」の商品で
市販されている有機リン酸エステルである。一般に界面
活性剤の使用量はＩＱ当り約０．０２〜Ｏ，ａｇである
。

さらに１通常たとえば水酸化ナトリウムや水酸化カリウ
ムなどの塩基性化合物を、初期のｐＨを実現するのに必
要な量だけ加えて、浴のｐＨを調節する。第１の無電解
めっき浴の好ましいＰＨは、１１．５〜１２．０とくに
１１．６〜１１．８である。

さらに、めっき浴は当業界で知られている他の微量添加
剤を含むことができる。

使用する好ましいめっき浴の比重は、１．０６〜１．０
８である。また、浴の温度は、好ましくは約７０〜８０
℃、さらに好ましくは約７０〜７５℃、特に好ましくは
約７２〜７４℃である。

第１の無電解めっき浴によるめっきは、通常約１５分か
ら約２時間、好ましくは約０．５〜１゜５時間実施する
。

最高品質の最終生成物（たとえば高延性鋼）を得るには
、最初の無電解めっき浴によるめっきが全めっき厚さの
約１０％を越えないことが好ましい。最初のめつき浴は
、触媒化またはシーディングされた誘電体表面に、かか
る表面上のめつき欠陥やめつき空孔の非常に少ないコー
ティングを設けるのに適している。

最初のめつき浴を使って比較的薄い銅の層を付着し、第
２のめつき浴を使ってめっきを完成して、めっき機能を
基本的に分離することにより、こぶ状めっきの形成やそ
れに付随して後で出現する欠陥、たとえば短絡、こぶ状
めっきを除去する際の損傷、および漏れによる故障が完
全にはなくならないまでも、大幅に減少する。

さらに、最初のめつき浴は、相対的に安定ではあるがそ
れよりも多く青酸塩を含み酸素含有量も高い他のめつき
浴に比べて、触媒層を攻撃したりこれを溶解する傾向が
少ない。触媒層は誘電体基板の適正なシーディング及び
触媒化のために是非とも必要なものである。

最初の銅層をめっきした後、めっきされた基板を別の第
２の無電解めっき浴に浸す。浴をあふれさせ各成分を加
えて最初のめつき浴内体の化学組成を変えることもでき
るが、好ましくは基板を取り出して、第２の無電解めっ
き浴の入っためっきタンクに入れることができる。具体
的にいうと、第２の無電解めっき浴は、第１の無電解め
っき浴と同じ成分を含むことができるが、大きな延性お
よび最小のこぶ状めっき形成および好都合なめつき速度
を実現するために各成分の相対量を変える。

第２の無電解めっき浴は、約５〜１１ｐｐｍ。

好ましくは約５〜８ｐｐｍの青酸イオンを含んでいる。

本発明に従って使用する第２の無電解めっき浴は、酸素
含有量がほぼ飽和濃度、好ましくは飽和濃度よりも１．
５ｐｐｍ以上低くなく、更に好ましくは１．Ｏｐｐｍ以
上低くなく、特に好ましいのは０．５ｐｐｍ以上低くな
いものである。本発明の最も好ましい態様では、第２の
無電解めっき浴の酸素含有量は飽和濃度またはその近く
の値である。

酸素含有量の値は、浴温度が約７０〜８０℃の場合の値
である。

本発明にもとづく浴の約７０〜８０℃の温度での酸素飽
和レベルは１通常約３．５ｐｐｍである。

上記の酸素の量は、浴温の脱イオン水中での空気飽和濃
度に対して較正したリーズ・ノースラップ溶存酸素計と
プローブを使って測定した値である。

めっきタンクに、好ましくは空気を加えて、酸素と不活
性気体の混合物を導入して、酸素のレベルを維持する。

空気または酸素と混合できる不活性気体としては、水素
、窒素、アルゴン、ネオン、クリプトンがある。めっき
温度が約７３±０．５℃のとき、浴１０００ガロン当り
約１．０〜３゜０ＳＣＦＭ　（標準立方フィー８７分）
の空気を使用する。

使用する不活性ガスは、好ましくは浴に導入する前に、
酸素または空気と予混合する、ただし、希望する場合、
個々のガスを別々に浴に導入してもよい。

実際の運転上からみた本発明の利点は、両方の浴で使用
する酸素の量を、非常に低い酸素含有量を用いる従来技
術の場合に必要なように精密に制御するのではなく、単
に監視すればよいことである。従来技術の各種の浴では
、使用中に酸素レベルが必要とされる低いレベルの範囲
外に出てしまうことがあり、この逸脱の持続時間と程度
に応じて、めっきに悪影響を与えることがある。

第２の無電解めっき浴中の第二銅イオン源は、Ｃｕ５Ｏ
，・５Ｈ２０に換算してＩＱ当り約９〜１４ｇ、好まし
くは約１０〜１２ｇ使用する。

還元剤の使用量は、ＩＱ当り約１〜４ｍｕ、好ましくは
約２〜２．５ｍΩである。好ましい還元剤はホルムアル
デヒドであり、好ましくは３７％溶液として使用する。

上記のホルムアルデヒドの量は、ｐＨ９，００までの適
定によって亜硫酸ナトリウム法で得られる値である。こ
の方法は、ウォーカー（Ｗａｌｋｅｒ）著の「ホルムア
ルデヒド（Ｆｏｒｍａｌｄｅｈｙｄｅ）　Ｊ第３版、１
９７５年口パート・Ｅ−クリーガー社（Ｒｏｂｅｒｔ　
Ｅ、ＫｒｅｉｇｅｒＰｕｂｌｉｓｈｉｎｇ　Ｃｏｍｐａ
ｎｙ）、ニューヨーク州バンディングトン、ＰＰ、　４
８６〜４８８、と概説されている。

第２の無電解めっき液中で使用される錯化剤の量は、１
μ当り約２５〜５０ｇ、好ましくは約３０〜４０ｇであ
る。

界面活性剤を使用する場合、その量は通常ＩＱ当り約０
．０１〜０．３ｇである。

さらに、第２の無電解めっき浴の好ましいｐＨは、１１
．６〜１２．０特に１１．７〜１１．９である。また、
第２の無電解めっき浴の比重は。

１．０６０〜１．０８０である。さらに、第２の無電解
めっき浴の温度は、好ましくは７０〜８゜°Ｃ１より好
ましくは約７０〜７６℃、特に約７２〜７５℃に維持す
る。

第２の無電解めっき浴からのめつきは、一般に約８〜２
０時間、または所期の厚さの銅膜が得られるまで実施す
る。

第２の無電解めっき液を使用すると、銅の延性が改善さ
れる。青酸塩含有量が高いほど、めっき鋼を脆化させる
傾向のある、表面上での水素ガスの吸収が防止されると
考えられている。青酸塩は、銅表面に選択的に吸収され
て、水素ガスの吸収を妨げることが認められている。さ
らに第２の無電解めっき浴中の酸素と青酸塩の量は、こ
ぶ状めっきの形成を防止するのに役立つ。ただし、第２
の無電解めっき浴を最初のめつき浴として使って、シー
ドまたは触媒化された誘電性基板にコードした場合、め
つき空孔と欠陥ができて、前述のように誘電性基板上の
触媒コーティングを攻撃して溶解することになる。

希望する場合、第２の無電解めっき浴は、浴の安定性を
失わずに、またはこぶ状めっきの形成の増大を伴って、
より大きなめつき速度で運転することができる。

本発明をさらに例示するために、次に非限定的な例を示
す。

Ｍ± エポキシ・ガラス積層板を下記のように処理する。

積層板を熱いに一２溶液中で洗い、加熱した脱イオン水
で洗浄する。

積層板を次に２体積％のＨ２ＳＯ４水溶液１Ω当リレテ
ン２１０　（Ｒｅｔｅｎ　２１０）約０．０５ｇを含む
浴に浸す。次に板を脱イオン水で洗浄する。

次に積層板をセルレックス（Ｓｅｌｒｅｘ）社から５７
Ｂ触媒の名で市販されている、コロイド状パラジウム−
スズ触媒塔に約３分間浸す。

コートされた基板を脱イオン水で洗浄し、次に８体積％
のＨＣＱ水溶液に大体室温で約２分間浸す。次に基板を
脱イオン水で洗浄し、炉で乾燥する。次にデュポン社（
Ｄｕｐｏｎｔ　ｄａ　Ｎｅｍｏｕｒｓ）からＴ−１６８
の命名で市販されているネガティブ・フォトレジストを
用いて、基板を光処理する。

次にＩＱ当りＣｕＳＯ４・５Ｈ２ｏ約９．２ｇ。

エチレンジアミン四酢酸約３７．３ｇ、青酸塩をＮａＣ
Ｎとして約２．０ｐｐｍ、ホルムアルデヒドを約２．５
ｍＡ、溶存酸素を３．０〜３．ｌｐｐｍ含み、ＰＨＩｌ
、７．比重１．００５の無電解銅めっき浴の入っためつ
きタングに浸す。この浴は少くとも毎時約０．１ミルの
速度でめっきする。

基板を、第１のめつき浴に約４５分間浸す。約４５分間
めっきした後、基板を第１のめつき浴から取り出して、
第２のめつき浴に浸す。

第２のめつき浴は、１Ω当りＣｕＳｏ４・５Ｈ。

０１１〜１２ｇ、エチレンジアミン四酢酸３６゜４ｇ、
青酸塩をＮａＣＮとして約１５．５ｐｐｍ、ホルムアル
デヒド約２．５ｍΩ、溶存酸素約３゜ｌｐｐｍを含む、
ｐＨ約１１．７、比重的１．０６６である。第２のめつ
き浴中でのめつきは、基板上に約１．４５ミルの銅がめ
つきされるまで続ける。

基板をめっきタンクから取り出して検査する。

不要銅はほとんどみられず１回路線上のこぶ状めっきの
数は極めて少ない。さらに基板上に空孔は認められなか
った。この基板は商用に使われる通常の他のすべての試
験にも合格した。

涯ｌ米国特許第４５２５３９０号に開示されている方法に従
って調製した三重シード基板を使用し、続いて上記例１
の銅めつき法を行なった。得られた結果は１例１の場合
と同様である。

出願人　　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション代理人　　弁理士　　山　　本　　仁　　朗（外１名）

Claims

【特許請求の範囲】　２．３ｐｐｍ以下の青酸イオン及びほぼ飽和濃度の酸
素を含む、第１のアルカリ性無電解銅めつき浴から第１
の銅層を基板上にめつきし、５〜１１ｐｐｍの青酸イオン及びほぼ飽和濃度の酸素を
含む、第２のアルカリ性無電解銅めつき浴から第２の銅
層を前記第１の銅層上にめつきすること、を含む無電解銅めつき方法。