JPH0233793B2 - - Google Patents
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- JPH0233793B2 JPH0233793B2 JP58121690A JP12169083A JPH0233793B2 JP H0233793 B2 JPH0233793 B2 JP H0233793B2 JP 58121690 A JP58121690 A JP 58121690A JP 12169083 A JP12169083 A JP 12169083A JP H0233793 B2 JPH0233793 B2 JP H0233793B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
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- C25D17/008—Current shielding devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S204/00—Chemistry: electrical and wave energy
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラスチツク円盤、特に例えばビデオ
デイスクやデジタルオーデイオデイス等の高密度
情報記録用デイスク、の成形に用いられるスタン
パーの電鋳方法およびその実施に用いる装置に関
するものである。
デイスクやデジタルオーデイオデイス等の高密度
情報記録用デイスク、の成形に用いられるスタン
パーの電鋳方法およびその実施に用いる装置に関
するものである。
プラスチツク円盤上にサブミクロンオーダーの
凹凸の形で情報信号を記録し、この凹凸を光学的
方法で読み取り、再生する方式に用いられるプラ
スチツク円盤は主として圧縮成形、シートモール
デイング、2P法、射出成形によつて製造されて
いる。いずれの成形法においてもプラスチツク材
料にサブミクロンオーダーの凹凸を転写するのに
用いられる型あるいはスタンパーには高度の精密
性が要求される。
凹凸の形で情報信号を記録し、この凹凸を光学的
方法で読み取り、再生する方式に用いられるプラ
スチツク円盤は主として圧縮成形、シートモール
デイング、2P法、射出成形によつて製造されて
いる。いずれの成形法においてもプラスチツク材
料にサブミクロンオーダーの凹凸を転写するのに
用いられる型あるいはスタンパーには高度の精密
性が要求される。
このスタンパーは一般に次に述べるように電鋳
によつて製造される。すなわち、光学的に完全に
平担なガラス盤にレジストあるいは金属等の薄膜
を形成させ、これをレーザー等によつて加工し、
情報信号に応じた凹凸を形成させる。このように
して得られるガラス原盤を母型として電鋳によ
り、凹凸を逆転し転写した、いわゆるマスター盤
を得る。原盤は通常導電性でないので、マスター
盤電鋳時には原盤上に銀鏡反応、真空蒸着、スパ
ツタリング等により導電性薄膜を形成させた後に
ニツケル電鋳を行なう。マスターをそのままスタ
ンパーとして用い、プラスチツクス盤の成形を行
なえば、原盤上の情報信号がそのままプラスチツ
クス円盤上に再生される。信号の凹凸の深さは通
常読み取りのレーザー光波長の2n分の１（ｎは正
の整数）にとられ得る。しかしながら、マスター
盤の表面は原盤の導電処理被膜であり、くりかえ
し成形に耐えるだけの強度を有しないことがあ
り、通常はマスター盤を剥離処理した後に電鋳
し、一度凹凸の反転した、いわゆるマザー盤を
得、更にこのマザー盤を更に剥離処理して電鋳
し、スタンパーを得る。
によつて製造される。すなわち、光学的に完全に
平担なガラス盤にレジストあるいは金属等の薄膜
を形成させ、これをレーザー等によつて加工し、
情報信号に応じた凹凸を形成させる。このように
して得られるガラス原盤を母型として電鋳によ
り、凹凸を逆転し転写した、いわゆるマスター盤
を得る。原盤は通常導電性でないので、マスター
盤電鋳時には原盤上に銀鏡反応、真空蒸着、スパ
ツタリング等により導電性薄膜を形成させた後に
ニツケル電鋳を行なう。マスターをそのままスタ
ンパーとして用い、プラスチツクス盤の成形を行
なえば、原盤上の情報信号がそのままプラスチツ
クス円盤上に再生される。信号の凹凸の深さは通
常読み取りのレーザー光波長の2n分の１（ｎは正
の整数）にとられ得る。しかしながら、マスター
盤の表面は原盤の導電処理被膜であり、くりかえ
し成形に耐えるだけの強度を有しないことがあ
り、通常はマスター盤を剥離処理した後に電鋳
し、一度凹凸の反転した、いわゆるマザー盤を
得、更にこのマザー盤を更に剥離処理して電鋳
し、スタンパーを得る。
スタンパーに要求される性能には優れた転写
性、機械的強度の他に厚みの均一性がある。スタ
ンパー厚みの不均一はそのまま成形されるプラス
チツクス円盤の厚み不均一に反映し、光学的な信
号読み出しの機構を阻害する。さらに、厚みが不
均一であると成形金型を損傷することになる。通
常のスタンパーの厚みは0.2〜0.5mmで、その許容
誤差は５％以内である。
性、機械的強度の他に厚みの均一性がある。スタ
ンパー厚みの不均一はそのまま成形されるプラス
チツクス円盤の厚み不均一に反映し、光学的な信
号読み出しの機構を阻害する。さらに、厚みが不
均一であると成形金型を損傷することになる。通
常のスタンパーの厚みは0.2〜0.5mmで、その許容
誤差は５％以内である。
かかるニツケルスタンパーを得るには通常傾斜
した回転円盤に原盤を取りつけ、ニツケルアノー
ドボツクスあるいはバツグと対向させ、スルフア
ミン酸ニツケルを主成分とした電着溶液に浸漬し
撹拌しつつ直流を通電し電鋳を行なう。
した回転円盤に原盤を取りつけ、ニツケルアノー
ドボツクスあるいはバツグと対向させ、スルフア
ミン酸ニツケルを主成分とした電着溶液に浸漬し
撹拌しつつ直流を通電し電鋳を行なう。
一般に、円盤状の原盤の場合には円盤の周辺部
分が厚くなりやすく、厚み均一性をそこなうこと
になる。その原因はマザー盤の回転および循環液
の拡散状態によつてマザー盤の中央部と外側の電
流密度に差が生じるためと考えられる。かくして
このような場合、原盤に電着して出来るニツケル
層の厚みを均一にするにはアノードボツクスある
いはバツグの開口部の形あるいは大きさを調節す
ることによつて原盤の外径、中心孔の大きさに応
じた最良の厚み均一性を出すための条件を経験的
に設定するのが通常行なわれている。すなわち、
従来では、スタンパーの厚み調節は陽極側の開口
部に対する遮蔽板の形状を工夫して電鋳厚さを調
節しているが、陽極と陰極の間には距離があるた
め、陽極側に遮蔽板を付けても遮蔽効果が悪く、
電鋳厚さを任意に変えることはできなかつた。ま
た、遮蔽効果を大きくするために大きな遮蔽板を
用いると、電流効率が低下するという欠点があつ
た。
分が厚くなりやすく、厚み均一性をそこなうこと
になる。その原因はマザー盤の回転および循環液
の拡散状態によつてマザー盤の中央部と外側の電
流密度に差が生じるためと考えられる。かくして
このような場合、原盤に電着して出来るニツケル
層の厚みを均一にするにはアノードボツクスある
いはバツグの開口部の形あるいは大きさを調節す
ることによつて原盤の外径、中心孔の大きさに応
じた最良の厚み均一性を出すための条件を経験的
に設定するのが通常行なわれている。すなわち、
従来では、スタンパーの厚み調節は陽極側の開口
部に対する遮蔽板の形状を工夫して電鋳厚さを調
節しているが、陽極と陰極の間には距離があるた
め、陽極側に遮蔽板を付けても遮蔽効果が悪く、
電鋳厚さを任意に変えることはできなかつた。ま
た、遮蔽効果を大きくするために大きな遮蔽板を
用いると、電流効率が低下するという欠点があつ
た。
本発明者は従来の上記欠点を克服するために研
究を重ねた結果、スタンパーの放射方向肉厚分布
を均一にする方法を見い出すとともに、この方法
を用いることによつて放射方向肉厚分布を所望の
任意の値に制御できることを見い出したものであ
る。
究を重ねた結果、スタンパーの放射方向肉厚分布
を均一にする方法を見い出すとともに、この方法
を用いることによつて放射方向肉厚分布を所望の
任意の値に制御できることを見い出したものであ
る。
すなわち、ビデオデイスクやデジタルオーデイ
オデイスク等の高密度情報記録担体を成形するの
に用いられるスタンパーの肉厚は一般に均一であ
ることが要求されるが、最近、成形方法または成
形条件によつては放射方向肉厚分布が傾斜したス
タンパーが要求されるようになつた。例えば射出
成形においては厚さ1.2mmで半径15cmの円盤状成
形キヤビテイーに溶融樹脂を急速に充填しなけれ
ばならず、この場合、スタンパーには放射方向肉
厚にわずかな勾配を付けるのが望まれている。
オデイスク等の高密度情報記録担体を成形するの
に用いられるスタンパーの肉厚は一般に均一であ
ることが要求されるが、最近、成形方法または成
形条件によつては放射方向肉厚分布が傾斜したス
タンパーが要求されるようになつた。例えば射出
成形においては厚さ1.2mmで半径15cmの円盤状成
形キヤビテイーに溶融樹脂を急速に充填しなけれ
ばならず、この場合、スタンパーには放射方向肉
厚にわずかな勾配を付けるのが望まれている。
したがつて、本発明の目的はスタンパーの放射
方向肉厚分布を任意の値に制御可能なスタンパー
の電鋳方法を提供することにある。
方向肉厚分布を任意の値に制御可能なスタンパー
の電鋳方法を提供することにある。
さらに本発明の他の目的はスタンパーの放射方
向肉厚分布を均一にする電鋳方法を提供すること
にある。
向肉厚分布を均一にする電鋳方法を提供すること
にある。
本発明のさらに他の目的は上記電鋳方法を実施
するための装置を提供することにある。
するための装置を提供することにある。
本発明のスタンパー電鋳方法は陽極側と陰極側
のそれぞれに遮蔽板を着脱自在に取付け、陽極側
に取付けた遮蔽板でスタンパーの中央部に近い部
分の厚み調節を行い、陰極側に取付けた遮蔽板で
スタンパー外周部に近い部分の厚み調節を行い、
これら両遮蔽板を電鋳工程の開始時から終了時の
間の時点で装着または脱着してスタンパーの放射
方向肉厚分布を所望の任意の値に制御することを
特徴としている。
のそれぞれに遮蔽板を着脱自在に取付け、陽極側
に取付けた遮蔽板でスタンパーの中央部に近い部
分の厚み調節を行い、陰極側に取付けた遮蔽板で
スタンパー外周部に近い部分の厚み調節を行い、
これら両遮蔽板を電鋳工程の開始時から終了時の
間の時点で装着または脱着してスタンパーの放射
方向肉厚分布を所望の任意の値に制御することを
特徴としている。
本発明の特殊な一つの実施例では、原盤が固定
されている陰極に接近させた状態で遮蔽リングを
着脱自在に配置し、電鋳工程の途中に於てこの遮
蔽リングを取り外すことによつて半径方向の厚み
分布が均一なスタンパーを製造することができ
る。
されている陰極に接近させた状態で遮蔽リングを
着脱自在に配置し、電鋳工程の途中に於てこの遮
蔽リングを取り外すことによつて半径方向の厚み
分布が均一なスタンパーを製造することができ
る。
上記遮蔽リングは回転陰極に着脱自在に取付け
てそれと一体回転させるか、回転陰極近傍に挿入
自在に固定するかすればよい。
てそれと一体回転させるか、回転陰極近傍に挿入
自在に固定するかすればよい。
本発明はさらに上記電鋳方法を実施するための
電鋳装置にも関するものであり、この装置は陽極
と陰極にそれぞれ独立した遮蔽板を着脱自在に配
置した点を特徴としている。
電鋳装置にも関するものであり、この装置は陽極
と陰極にそれぞれ独立した遮蔽板を着脱自在に配
置した点を特徴としている。
以下、添付図面を参照して説明する。先ず第１
〜２図を用いて公知の傾斜型回転原盤電鋳装置の
構成を説明する。第１図はスタンパーの電鋳に一
般に用いられている傾斜型回転原盤電鋳装置の概
念的部分断面図であり、原盤１０はホルダー１１
によつて陰極１に固定されている。この陰極１は
モーター４によつて回転され、鉛直面に対して
45゜の角度に保たれている。陰極１に対向した陽
極は陽極ボツクス２の形状をしており、この陽極
ボツクスは電鋳槽３の外へ引き出すことができる
ようになつており、この内部には電鋳材料例えば
ニツケルボール７が収容されている。電鋳溶液は
ポンプ６によつて循環される。図では電鋳溶液が
陽極ホルダーの中央を通つて陰極表面に供給され
る場合を概念的に図示したものである。陽極ホル
ダー２の陰極１との対向面には開口９が形成され
ている。この開口９は布で被われていて、イオ
ンは通過するが電極に生じるスラツジは流出しな
いように工夫されており、Niイオンが上記開口
９を介して陰極に向つて拡散するようになつてい
る。この開口９の一部は適当な形状の遮蔽板８で
被われている。第１，２Ａ図はこの遮蔽板８を三
日月形にしたものが示してある。
〜２図を用いて公知の傾斜型回転原盤電鋳装置の
構成を説明する。第１図はスタンパーの電鋳に一
般に用いられている傾斜型回転原盤電鋳装置の概
念的部分断面図であり、原盤１０はホルダー１１
によつて陰極１に固定されている。この陰極１は
モーター４によつて回転され、鉛直面に対して
45゜の角度に保たれている。陰極１に対向した陽
極は陽極ボツクス２の形状をしており、この陽極
ボツクスは電鋳槽３の外へ引き出すことができる
ようになつており、この内部には電鋳材料例えば
ニツケルボール７が収容されている。電鋳溶液は
ポンプ６によつて循環される。図では電鋳溶液が
陽極ホルダーの中央を通つて陰極表面に供給され
る場合を概念的に図示したものである。陽極ホル
ダー２の陰極１との対向面には開口９が形成され
ている。この開口９は布で被われていて、イオ
ンは通過するが電極に生じるスラツジは流出しな
いように工夫されており、Niイオンが上記開口
９を介して陰極に向つて拡散するようになつてい
る。この開口９の一部は適当な形状の遮蔽板８で
被われている。第１，２Ａ図はこの遮蔽板８を三
日月形にしたものが示してある。
この公知の電鋳装置においても遮蔽板８の形状
を変えたり、陰極−陽極間距離を変えたり、電鋳
溶液の循環速度を変えたりすることによつてある
程度放射方向に於ける電鋳肉厚を調節することは
できるが、第１図に示すように陽極側に設けた遮
蔽板８のみでは放射方向の肉厚分布を所望の値、
特に均一にすることはできなかつた。
を変えたり、陰極−陽極間距離を変えたり、電鋳
溶液の循環速度を変えたりすることによつてある
程度放射方向に於ける電鋳肉厚を調節することは
できるが、第１図に示すように陽極側に設けた遮
蔽板８のみでは放射方向の肉厚分布を所望の値、
特に均一にすることはできなかつた。
本発明は上記欠点を無くすものであり、以下、
第３〜８図を用いて本発明を説明する。
第３〜８図を用いて本発明を説明する。
第３図を参照すると、この図に示す傾斜型回転
電鋳装置は陽極側遮蔽板２０と陰極側遮蔽板３０
とが着脱自在になつている点を除くと、基本的に
は前記第１〜２図に示した公知の電鋳装置と同じ
である。この第３図の陽極側遮蔽板２０は陽極ボ
ツクス２の表面の取付けた２本の平行ガイドレー
ル２１に沿つてストツパー２２まで陽極ボツクス
２表面上を摺動できるようになつており、電鋳槽
３の蓋５に形成したスリツトを介して蓋５の上か
ら取手２５を握ることによつて電鋳槽外に引出す
ことができるようになつている。この陽極側遮蔽
板２０は第６Ａ図に示すように陽極ボツクスの開
口９に対応した仮想円の外周部を部分的に被う２
つのセクター２３，２４を有する開口２６を有し
ている。すなわち、陽極はこの開口２６以外の所
が上記セクター２３，２４で被われている。な
お、図では開口２６が２つのセクター２３，２４
で被われた円となつているが、この開口の形は星
形、ダ円形、正方形、長方形、十字形、その他任
意の形状にすることができ、種々の開口形状を有
する遮蔽板を多数用意しておき、必要に応じて適
宜交換して用いればよい。
電鋳装置は陽極側遮蔽板２０と陰極側遮蔽板３０
とが着脱自在になつている点を除くと、基本的に
は前記第１〜２図に示した公知の電鋳装置と同じ
である。この第３図の陽極側遮蔽板２０は陽極ボ
ツクス２の表面の取付けた２本の平行ガイドレー
ル２１に沿つてストツパー２２まで陽極ボツクス
２表面上を摺動できるようになつており、電鋳槽
３の蓋５に形成したスリツトを介して蓋５の上か
ら取手２５を握ることによつて電鋳槽外に引出す
ことができるようになつている。この陽極側遮蔽
板２０は第６Ａ図に示すように陽極ボツクスの開
口９に対応した仮想円の外周部を部分的に被う２
つのセクター２３，２４を有する開口２６を有し
ている。すなわち、陽極はこの開口２６以外の所
が上記セクター２３，２４で被われている。な
お、図では開口２６が２つのセクター２３，２４
で被われた円となつているが、この開口の形は星
形、ダ円形、正方形、長方形、十字形、その他任
意の形状にすることができ、種々の開口形状を有
する遮蔽板を多数用意しておき、必要に応じて適
宜交換して用いればよい。
本発明の特徴により、陰極１側にも陰極側遮蔽
板３０が着脱自在に取付けられている。この陰極
側遮蔽板３０は陽極ボツクス２表面から突出した
４本の支柱３３に固着された支持リング３１上に
セツトできるようになつている。すなわち、上記
支持リング３１に形成された３つのガイド３２と
最上部の回動フツク３４によつて一定位置に固定
できるようになつている。陰極側遮蔽板３０を挿
入または引出す際には回動フツク３４を外して挿
入または引出すことができる。この支持リング３
１の直径およびその巾は陰極表面を被わないよう
な値にしなければならない（第５図参照）。
板３０が着脱自在に取付けられている。この陰極
側遮蔽板３０は陽極ボツクス２表面から突出した
４本の支柱３３に固着された支持リング３１上に
セツトできるようになつている。すなわち、上記
支持リング３１に形成された３つのガイド３２と
最上部の回動フツク３４によつて一定位置に固定
できるようになつている。陰極側遮蔽板３０を挿
入または引出す際には回動フツク３４を外して挿
入または引出すことができる。この支持リング３
１の直径およびその巾は陰極表面を被わないよう
な値にしなければならない（第５図参照）。
陰極側遮蔽板３０は第６Ｂ図に示すようにリン
グに取手３５を一体に取付けたもので作ることが
でき、挿入または取出す際には電鋳槽の蓋に形成
したスリツトから突出した取手３５を握つて操作
すればよい。また、この遮蔽板３０の開口形状は
真円だけでなく、ダ円形、星形等任意に選択でき
る。
グに取手３５を一体に取付けたもので作ることが
でき、挿入または取出す際には電鋳槽の蓋に形成
したスリツトから突出した取手３５を握つて操作
すればよい。また、この遮蔽板３０の開口形状は
真円だけでなく、ダ円形、星形等任意に選択でき
る。
なお、第３〜６図で示した遮蔽板２０，３０の
支持手段は単なる例示にすぎず、他の任意の位置
決め可能な機構であれば、どのようなものでもよ
いことは理解できよう。例えば、上記支持手段を
陽極ボツクスに支持させずに電鋳槽３に支持させ
ることもできる。
支持手段は単なる例示にすぎず、他の任意の位置
決め可能な機構であれば、どのようなものでもよ
いことは理解できよう。例えば、上記支持手段を
陽極ボツクスに支持させずに電鋳槽３に支持させ
ることもできる。
第７，８図は本発明の他の実施例を示す図であ
り、この場合には陰極側遮蔽板４０が回転陰極１
に、正確にはアクリル製ホルダー１１を介して回
転陰極１に、着脱自在に取付けられている。すな
わち、この場合の陰極側遮蔽板４０は遮蔽リング
の形状をしており、この遮蔽リング４０には大径
の孔と長孔とで構成される複数（図示した実施例
では４つ）の係合孔４１が形成されており、この
係合孔４１に陰極１から突出したピン４２が係合
するようになつている。このピン４２は大径の頭
部を有し、この頭部を遮蔽リング４０の上記大径
の孔に挿入した後に遮蔽リング４０を周方向にわ
ずかに回動することによつてピン４２を前記長孔
と係合させれば遮蔽リング４０が陰極１に固定で
きるようになつているということは理解できよ
う。
り、この場合には陰極側遮蔽板４０が回転陰極１
に、正確にはアクリル製ホルダー１１を介して回
転陰極１に、着脱自在に取付けられている。すな
わち、この場合の陰極側遮蔽板４０は遮蔽リング
の形状をしており、この遮蔽リング４０には大径
の孔と長孔とで構成される複数（図示した実施例
では４つ）の係合孔４１が形成されており、この
係合孔４１に陰極１から突出したピン４２が係合
するようになつている。このピン４２は大径の頭
部を有し、この頭部を遮蔽リング４０の上記大径
の孔に挿入した後に遮蔽リング４０を周方向にわ
ずかに回動することによつてピン４２を前記長孔
と係合させれば遮蔽リング４０が陰極１に固定で
きるようになつているということは理解できよ
う。
第３〜６図に示した実施列では陰極側遮蔽板３
０を電鋳槽の蓋５をしたままで引出すことができ
るが、第７，８図の実施例では、遮蔽リング４０
を外す際には蓋５を開けて陰極しを電鋳槽から出
し、手で取り外すことになる。なお第７，８図の
実施例では図示するような中心開口が円形の遮蔽
リング以外のダ円や星形開口の遮蔽リングは使う
ことはできない。
０を電鋳槽の蓋５をしたままで引出すことができ
るが、第７，８図の実施例では、遮蔽リング４０
を外す際には蓋５を開けて陰極しを電鋳槽から出
し、手で取り外すことになる。なお第７，８図の
実施例では図示するような中心開口が円形の遮蔽
リング以外のダ円や星形開口の遮蔽リングは使う
ことはできない。
以下、本発明を実施例によつて説明する。
実施例
直径350mm、中心孔7.2mm、厚さ６mmのオプテイ
カルフラツトなガラス盤上に0.2μ厚さにレジスト
を塗布し、巾1μのトラツク上にPCM信号を変換
したピツトをレーザーにより刻んだ原盤上に
150゜Aの金の導電層を真空蒸着により作り、これ
を用いてマスターを電鋳した。原盤を電鋳溶液に
浸漬し、垂直面に対し45゜の角度を保ちつつ回転
させ、電着面がアノードボツクスに対向し、７cm
の間隔を保つように保持して電鋳した。電鋳浴の
組成は以下のとおりである。
カルフラツトなガラス盤上に0.2μ厚さにレジスト
を塗布し、巾1μのトラツク上にPCM信号を変換
したピツトをレーザーにより刻んだ原盤上に
150゜Aの金の導電層を真空蒸着により作り、これ
を用いてマスターを電鋳した。原盤を電鋳溶液に
浸漬し、垂直面に対し45゜の角度を保ちつつ回転
させ、電着面がアノードボツクスに対向し、７cm
の間隔を保つように保持して電鋳した。電鋳浴の
組成は以下のとおりである。
スルフアミン酸ニツケル（四水和物） 400ｇ／
塩化ニツケル（六水和物） ５ｇ／
ほう酸 30ｇ／
ピツト防止剤 0.5ｇ／
浴温は50℃で、液全体を10回／hrのサイクルで
0.4μのメンブレンフイルター貯槽とを通過して循
環させ、原盤の中央部へ向つて液が噴出するよう
にした。貯槽中には電解ニツケルのコルゲートの
カソードとアノードバツクを浸漬して0.3A／ｄ
m2の弱電流を通電し、不純物イオンCa++、Fe++、
Zn+++、Pb++等を選択的に電着させ電鋳浴を精製
した。
0.4μのメンブレンフイルター貯槽とを通過して循
環させ、原盤の中央部へ向つて液が噴出するよう
にした。貯槽中には電解ニツケルのコルゲートの
カソードとアノードバツクを浸漬して0.3A／ｄ
m2の弱電流を通電し、不純物イオンCa++、Fe++、
Zn+++、Pb++等を選択的に電着させ電鋳浴を精製
した。
アノードのニツケルには電解ニツケルのペレツ
トを用いた。
トを用いた。
先ず、第１，２図に示す従来公知の装置を用い
て、トータル通電量を215A・hrsにして電鋳し
た。この場合に得られたスタンパーの放射方向肉
厚分布は第９図に示してある。この第９図からわ
かるように単なる三日月形遮蔽板のみではスタン
パー外周部の遮蔽効果はほとんどないことがわか
る。
て、トータル通電量を215A・hrsにして電鋳し
た。この場合に得られたスタンパーの放射方向肉
厚分布は第９図に示してある。この第９図からわ
かるように単なる三日月形遮蔽板のみではスタン
パー外周部の遮蔽効果はほとんどないことがわか
る。
次に本発明による第３図の装置を用いた実施例
を説明する。
を説明する。
先ず第３図に示す装置で陽極側遮蔽板として第
６Ａ図に示す遮蔽板２０から扇形セクター２４を
除いて三日月セクター２３のみを有するものを用
い、陰極側遮蔽板として第６Ｂ図を示す遮蔽リン
グ３０を電鋳工程開始に取付け、電鋳工程紙了時
まで外さずにトータル通電量を215A・hrsとして
電鋳を行つた。その結果は第１０図に示してあ
る。この第１０図からわかるように陰極側遮蔽リ
ング３０を用いることによりスタンパー外周部へ
の遮蔽効果が著しく向上する。
６Ａ図に示す遮蔽板２０から扇形セクター２４を
除いて三日月セクター２３のみを有するものを用
い、陰極側遮蔽板として第６Ｂ図を示す遮蔽リン
グ３０を電鋳工程開始に取付け、電鋳工程紙了時
まで外さずにトータル通電量を215A・hrsとして
電鋳を行つた。その結果は第１０図に示してあ
る。この第１０図からわかるように陰極側遮蔽リ
ング３０を用いることによりスタンパー外周部へ
の遮蔽効果が著しく向上する。
このスタンパーは外周部を切り取ることによつ
て放射方向肉厚分布がなだらかに傾斜した小径デ
イスク成形用スタンパーとして利用することがで
きる。
て放射方向肉厚分布がなだらかに傾斜した小径デ
イスク成形用スタンパーとして利用することがで
きる。
次に本発明方法によつて電鋳工程途中で遮蔽板
を着脱した場合の実施例を説明する。
を着脱した場合の実施例を説明する。
先ず、第３図に示す装置を用い、陽極側遮蔽板
として第６Ａ図に示すもの２０を用い、陰極側遮
蔽板は用いずに電鋳を開始した。トータル通電量
を215A・hrsとし、通電量が120A・hrsの時点で
陽極側遮蔽板を取り外し且つ第６Ｂ図に示す陰極
側遮蔽板３０を挿入した。この場合得られたスタ
ンパーの放射方向肉厚分布は第１１図に示すよう
にスタンパー外周に向つてなだらかな勾配を有し
ていた。
として第６Ａ図に示すもの２０を用い、陰極側遮
蔽板は用いずに電鋳を開始した。トータル通電量
を215A・hrsとし、通電量が120A・hrsの時点で
陽極側遮蔽板を取り外し且つ第６Ｂ図に示す陰極
側遮蔽板３０を挿入した。この場合得られたスタ
ンパーの放射方向肉厚分布は第１１図に示すよう
にスタンパー外周に向つてなだらかな勾配を有し
ていた。
このスタンパーは円環状成形キヤビテイーに溶
融樹脂をキヤビテイー外周に設けたフラツシユゲ
ートから射出成形する金型に取付けて用いる場合
に有利である。この射出成形法の構造、利点等に
ついては本出願人による特願昭 − 号を参照
されたい。
融樹脂をキヤビテイー外周に設けたフラツシユゲ
ートから射出成形する金型に取付けて用いる場合
に有利である。この射出成形法の構造、利点等に
ついては本出願人による特願昭 − 号を参照
されたい。
さらに、第３図に示す装置を用い、陽極側遮蔽
板として第６Ａ図に示すものを用い、陰極側遮蔽
板として第６Ｂ図に示す遮蔽リング３０を用い
て、トータル通電量を215A・hrsとし、通電量が
65A・hrsの時点で陰極側遮蔽板３０を取り外し
た。この場合の結果は第１２図に示してある。第
１２図からわかるように、電鋳の途中に於て陰極
側遮蔽リング３０を外すことによつてスタンパー
の放射方向肉厚分布をほぼ均一にすることが可能
となつた。第１２図に示す結果は第７，８図に示
す陰極側遮蔽リング４０を用い、これを電鋳途中
に於て取り外すことによつても得られる。
板として第６Ａ図に示すものを用い、陰極側遮蔽
板として第６Ｂ図に示す遮蔽リング３０を用い
て、トータル通電量を215A・hrsとし、通電量が
65A・hrsの時点で陰極側遮蔽板３０を取り外し
た。この場合の結果は第１２図に示してある。第
１２図からわかるように、電鋳の途中に於て陰極
側遮蔽リング３０を外すことによつてスタンパー
の放射方向肉厚分布をほぼ均一にすることが可能
となつた。第１２図に示す結果は第７，８図に示
す陰極側遮蔽リング４０を用い、これを電鋳途中
に於て取り外すことによつても得られる。
第１２図に示す結果は、陰極側遮蔽リング３０
あるいは４０をアクリル製スタンパーホルダー１
１の内径と遮蔽リング３０あるいは遮蔽リング４
０の内径との間の巾ｄ（第８Ａ図参照）を５mmと
し、原盤表面と遮蔽リング背面との間の間隔ｓを
１cmとした場合の値である。
あるいは４０をアクリル製スタンパーホルダー１
１の内径と遮蔽リング３０あるいは遮蔽リング４
０の内径との間の巾ｄ（第８Ａ図参照）を５mmと
し、原盤表面と遮蔽リング背面との間の間隔ｓを
１cmとした場合の値である。
このスタンパーを用いて溶融樹脂を例えば特開
昭56−139940号公報に示されるような円盤状成形
キヤビテイー内でスタンパー中心から放射方向に
射出すると肉厚の均一なデイスクが成形できる。
昭56−139940号公報に示されるような円盤状成形
キヤビテイー内でスタンパー中心から放射方向に
射出すると肉厚の均一なデイスクが成形できる。
遮蔽板の着脱操作に関しては遮蔽板を電鋳開始
時に取付け、電鋳工程の途中で取り外す代りに、
これとは順番を逆にして、電鋳開始時には遮蔽板
を取り付けずに電鋳を開始し、電鋳工程の途中か
ら遮蔽板を挿入するようにしてもほぼ同じ結果が
得られるということは理解できよう、一般に、遮
蔽板を陰極側に近ずけることによつて遮蔽効果が
強くなることは明らかであるが、遮蔽板を取付け
たままでは放射方向肉厚分布を任意に制御するこ
とはできない。本発明方法では遮蔽板を２枚使用
し、これらの遮蔽板を独立して挿入あるいは取り
外すことによつて上記肉厚分布を任意に制御する
ものである。
時に取付け、電鋳工程の途中で取り外す代りに、
これとは順番を逆にして、電鋳開始時には遮蔽板
を取り付けずに電鋳を開始し、電鋳工程の途中か
ら遮蔽板を挿入するようにしてもほぼ同じ結果が
得られるということは理解できよう、一般に、遮
蔽板を陰極側に近ずけることによつて遮蔽効果が
強くなることは明らかであるが、遮蔽板を取付け
たままでは放射方向肉厚分布を任意に制御するこ
とはできない。本発明方法では遮蔽板を２枚使用
し、これらの遮蔽板を独立して挿入あるいは取り
外すことによつて上記肉厚分布を任意に制御する
ものである。
以上説明したように、本発明によれば陽極側と
陰極側にそれぞれ独立した遮蔽板を着脱自在に配
置し、これら遮蔽板を電鋳工程の開始時から終了
時までの間の任意の時点に於いて挿入あるいは取
り外することによつてスタンパーの放射方向肉厚
分布を希望する値にできるという効果を有してい
る。特に、均一な肉厚分布が要求される場合に
は、スタンパー外周部に対する遮蔽効果が著しい
陰極側遮板を電鋳工程の途中で取り外すことある
いは挿入することによつて極めて均一な肉厚のス
タンパーが得られるという効果がある。さらに、
一般的には成形条件や金型の成形キヤビテイーへ
の樹脂の射出方向に応じた所望の放射方向肉厚分
布を有するスタンパーを作ることができる。
陰極側にそれぞれ独立した遮蔽板を着脱自在に配
置し、これら遮蔽板を電鋳工程の開始時から終了
時までの間の任意の時点に於いて挿入あるいは取
り外することによつてスタンパーの放射方向肉厚
分布を希望する値にできるという効果を有してい
る。特に、均一な肉厚分布が要求される場合に
は、スタンパー外周部に対する遮蔽効果が著しい
陰極側遮板を電鋳工程の途中で取り外すことある
いは挿入することによつて極めて均一な肉厚のス
タンパーが得られるという効果がある。さらに、
一般的には成形条件や金型の成形キヤビテイーへ
の樹脂の射出方向に応じた所望の放射方向肉厚分
布を有するスタンパーを作ることができる。
以上、本発明を特殊な実施例によつて説明した
が、本発明はこれにのみ限定されるものでないこ
とは明らかで、
が、本発明はこれにのみ限定されるものでないこ
とは明らかで、
第１図は公知の傾斜型回転電鋳装置を示す概念
的側面部分断面図。第２Ａ，２Ｂ図は第１図の
−面から陽極側と陰極側とをそれぞれ見た場合
の各平面図。第３図は本発明の一実施例を示す第
１図と同様な傾斜型回転電鋳装置の概念的要部側
面部分断面図。第４Ａ，４Ｂ図は第３図の−
面から陽極側と陰極側とをそれぞれ見た場合の各
平面図。第５図は第４Ｂ図の−線による断面
図。第６Ａ，６Ｂ図は第３，４図の装置に用いら
れる陽極側と陰極側の各遮蔽板の斜視図。第７図
は本発明の他の実施例を示す回転電鋳装置の要部
斜視図で、陰極側遮蔽板を回転陰極に着脱自在に
取付けた点以外は第３図に示す装置と同じであ
る。第８Ａ図は第７図の陰極の側部断面図。第８
Ｂ図は第７図の−面から陰極を見た時の平面
図。第９〜１２図はスタンバーの電鋳厚さ（μ）
を半径に対してプロツトした放射方向肉厚分布図
で、第９図は従来例のもの、第１０図は本発明装
置を利用した場合の一実施例の分布図、第１１，
１２図は本発明方法を用いた２つの実施例の分布
図。 （図中符号）、１：陰極、２：陽極ホルダー、
３：電鋳浴槽、４：モーター、５：電鋳槽、６：
ポンプ、７：ニツケルボール、８：陽極側遮蔽
板、１０：原盤、１１：アクリル製ホルダー、２
０：陽極側遮蔽板、２１：ガイドレール、２２：
ストツパー、２２：開口、２３：三日月部分、２
４：扇形部分、２５：取手、３０：陰極側遮蔽
板、３１：支持リング、３２：ガイド、３３：支
柱、３４：回動フツク、３５：取手、４０：陰極
側遮蔽板、４１：係合孔、４２：ピン。
的側面部分断面図。第２Ａ，２Ｂ図は第１図の
−面から陽極側と陰極側とをそれぞれ見た場合
の各平面図。第３図は本発明の一実施例を示す第
１図と同様な傾斜型回転電鋳装置の概念的要部側
面部分断面図。第４Ａ，４Ｂ図は第３図の−
面から陽極側と陰極側とをそれぞれ見た場合の各
平面図。第５図は第４Ｂ図の−線による断面
図。第６Ａ，６Ｂ図は第３，４図の装置に用いら
れる陽極側と陰極側の各遮蔽板の斜視図。第７図
は本発明の他の実施例を示す回転電鋳装置の要部
斜視図で、陰極側遮蔽板を回転陰極に着脱自在に
取付けた点以外は第３図に示す装置と同じであ
る。第８Ａ図は第７図の陰極の側部断面図。第８
Ｂ図は第７図の−面から陰極を見た時の平面
図。第９〜１２図はスタンバーの電鋳厚さ（μ）
を半径に対してプロツトした放射方向肉厚分布図
で、第９図は従来例のもの、第１０図は本発明装
置を利用した場合の一実施例の分布図、第１１，
１２図は本発明方法を用いた２つの実施例の分布
図。 （図中符号）、１：陰極、２：陽極ホルダー、
３：電鋳浴槽、４：モーター、５：電鋳槽、６：
ポンプ、７：ニツケルボール、８：陽極側遮蔽
板、１０：原盤、１１：アクリル製ホルダー、２
０：陽極側遮蔽板、２１：ガイドレール、２２：
ストツパー、２２：開口、２３：三日月部分、２
４：扇形部分、２５：取手、３０：陰極側遮蔽
板、３１：支持リング、３２：ガイド、３３：支
柱、３４：回動フツク、３５：取手、４０：陰極
側遮蔽板、４１：係合孔、４２：ピン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 固定陽極と回転陰極とを有する回転電鋳装置
を用いて高密度情報記録担体製造用スタンパーを
電鋳する方法において、陽極と陰極とが互いに対
向する間隙中で陽極および陰極の各対向面に近接
した位置とそこから除去された位置との間で装
着・脱着自在な陽極側遮蔽板と陰極側遮蔽板とを
用い、これら陽極側遮蔽板と陰極側遮蔽板を電鋳
工程の開始時から終了時までの任意の時点におい
て各々独立して装着または脱着することによつて
スタンパーの放射方向肉厚分布を所望の値に制御
することを特徴とするスタンパーの電鋳方法。 ２ 上記の放射方向肉厚分布が均一になるように
上記遮蔽板を装着または脱着することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の電鋳方法。 ３ 固定陽極と回転陰極とを有する高密度情報記
録デイスク製造用スタンパーの電鋳装置におい
て、陽極と陰極とが互いに対向する間隙中で、陽
極と陰極の各対向面に近接させた状態で陽極側遮
蔽板と陰極側遮蔽板をそれぞれ着脱自在に配置し
たことを特徴とするスタンパーの電鋳装置。 ４ 着脱自在な陰極側遮蔽板が真円開口を有する
遮蔽リングで構成され、この遮蔽リングが回転陰
極と一体回転するようになつていることを特徴と
する特許請求の範囲第３項記載の電鋳装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121690A JPS6017089A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 高密度情報記録担体製造用スタンパ−の電鋳方法および装置 |
| DE8484107863T DE3474168D1 (en) | 1983-07-06 | 1984-07-05 | Method and apparatus for electroforming a stamper for producing a high-density information recording carrier |
| EP84107863A EP0131857B2 (en) | 1983-07-06 | 1984-07-05 | Method and apparatus for electroforming a stamper for producing a high-density information recording carrier |
| US06/628,369 US4539079A (en) | 1983-07-06 | 1984-07-06 | Method and apparatus for electroforming a stamper for producing a high-density information recording carrier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121690A JPS6017089A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 高密度情報記録担体製造用スタンパ−の電鋳方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017089A JPS6017089A (ja) | 1985-01-28 |
| JPH0233793B2 true JPH0233793B2 (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=14817460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58121690A Granted JPS6017089A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 高密度情報記録担体製造用スタンパ−の電鋳方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4539079A (ja) |
| EP (1) | EP0131857B2 (ja) |
| JP (1) | JPS6017089A (ja) |
| DE (1) | DE3474168D1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07138780A (ja) * | 1991-01-30 | 1995-05-30 | Victor Co Of Japan Ltd | ディスク電鋳金型の製造方法 |
| US5670034A (en) * | 1995-07-11 | 1997-09-23 | American Plating Systems | Reciprocating anode electrolytic plating apparatus and method |
| DE19602182C2 (de) * | 1996-01-23 | 1998-08-13 | Technotrans Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Prozessteuerung bei der elektrolytischen Beschichtung von Werkzeugen für die Herstellung von CD-Datenträgern |
| DE59603152D1 (de) * | 1996-04-01 | 1999-10-28 | Sonopress Prod | Galvanische Abscheidungszelle mit einem Trägerhalter |
| EP0913500B1 (de) * | 1996-04-01 | 2002-07-03 | Sono press, PRODUKTIONSGESELLSCHAFT FÜR TON- UND INFORMATIONSTRÄGER mbH | Galvanische Abscheidungszelle mit Justiervorrichtung |
| US7087143B1 (en) * | 1996-07-15 | 2006-08-08 | Semitool, Inc. | Plating system for semiconductor materials |
| DE29701092U1 (de) * | 1997-01-23 | 1997-03-20 | Technotrans GmbH, 48336 Sassenberg | Galvanische Abscheidungsvorrichtung |
| US6001235A (en) * | 1997-06-23 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Rotary plater with radially distributed plating solution |
| NL1007855C2 (nl) * | 1997-12-19 | 1999-06-22 | Christopher Jayne | Galvaniseerinrichting voor een stempelplaat voor het vervaardigen van een informatiedrager. |
| US6217727B1 (en) * | 1999-08-30 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Electroplating apparatus and method |
| JP2002004076A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-09 | Sony Corp | 電鋳装置 |
| US6623788B1 (en) * | 2000-07-25 | 2003-09-23 | Seagate Technology Llc | Defect-free patterning of sol-gel-coated substrates for magnetic recording media |
| US20040055873A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-03-25 | Digital Matrix Corporation | Apparatus and method for improved electroforming |
| JP4942580B2 (ja) * | 2007-08-20 | 2012-05-30 | 株式会社荏原製作所 | アノードホルダ用通電ベルトおよびアノードホルダ |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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