JPH02333B2 - - Google Patents
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Description
本発明は、低い分子量のケトンから高級脂肪族
ケトンの新規な一段の製造方法に関する。 例えば、ケトンからメチルイソブチルケトンの
製造方法が公知である。 この製造は、常用方法では三段で行なわれる。
すなわち、 一第一段は、ジアセトンアルコール（）をつ
くるため、塩基によつて触媒作用されるアセトン
（）のアルドール縮合から成り： 一第二段は、メシチルオキシド（）を得るた
め約100℃の温度で、H2SO4あるいはH3PO4によ
つて液相で触媒作用されるH2Oの除去から成
る： 一第三段は、メチルイソブチルケトン（）を
得るため銅あるいはニツケル触媒の存在下温度
150゜〜200℃および圧力３〜10バールでメシチル
オキシドの水素添加から成る： この作業を簡易化するため適当につくられる触
媒の存在下で操作することによつて三段を一段へ
減少しようとする各種の方法が提案されている
（例えば、フランス特許第2056450号：日本特許第
74／06290号；英国特許第1269891号；フランス特
許第2064778号）。 一般にこれらの一段法で使用される触媒系は、
α.β不飽和ケトンに対するアセトンの縮合を触媒
作用させることができる多数のマトリウクス
（CaO，MgO，Al2O3，SiO2，TiO2，ZnO等）で
分散される１つ以上の遷移金属（Ru，Rh，Ir，
Ni，Pd，Pt，Cu，Cr等）から成る。 還元は、圧力１ないし50バールで気体水素を使
用し、また温度100ないし350℃で操作して行なわ
れる。 反応の結果は、選択性のためにアセトンの転化
の度、反応条件および使用される触媒系でかなり
変動する。最良の結果は、Pd―Zn―Ｐ触媒系で
得られた。 一段で操作して、低い分子量のケトンから高級
脂肪族ケトンの新規な製造方法を発見した。 本発明による方法は、金属酸化物で支持される
銅の形状の触媒を介しCOの存在下出発ケトンを
反応させることを特徴とする。 さらに本発明による方法は、触媒が、Al2O3，
SiO2，TiO2，ZrO2，MgO，ZnO，Cr2O3等のよ
うな酸化物を介し加水分解によつて銅アンモニウ
ム錯体を沈澱させ、次いで空気中で焼成すること
によつてつくられおよび水素流の還元を特徴とす
る。 本発明による別の特徴は、反応が液相あるいは
気相のいづれによつても行なうことができるとこ
ろにある。 本発明の工程で発生する現象の可能性のある理
論的解釈は、アセトンから出発するメチルイソブ
チルケトンの製法に関する下記の式によつて代表
することができる。 全体的に、この方法は、下記の反応によつて代
表できる。すなわち、 さらにメチルイソブチルケトン（）は、大き
い分子量のケトンを生ずるように反応させること
ができ、たとえば、下記の反応式によつて反応さ
せることができる。すなわち このようにして、ジイソブチルケトン（）お
よび２，４，８―トリメチルノナン―６―オン
（）が得られる。 前述の式によると、α，β不飽和ケトンを還元
するため必要な水素は、触媒表面で分散される銅
によつて触媒作用される水性ガス転化反応によつ
て現場でつくられる（反応３）。 従つて本発明による長所は、メシチルオキシド
ヘアセトンを縮合することで発生される水（反応
１および２）が不飽和ケトンを還元（反応式４）
するため必要な水素を発生することで完全に消費
され、さらにこのため反応２の進行を増加する傾
向にあるという事実である。 本発明による方法で使用する触媒は、他の触媒
製造方法が本発明の範囲内で使用できるけれど
も、好ましくは下記の方法によつてつくられる。 アンモニウム銅錯体の水溶液は、Cu（NO3）2，
3H2O，CuSO4，10H2O，Cu（C10）4，6H2Oある
いは他の塩から出発してつくられる。この溶液が
Cu含量２と20ｇ／との間および好ましくは12
と15ｇ／との間をもち、またアンモニアを若干
超過して安定化されている。 この溶液に対しCu対Al2O3の重量比率0.015と
0.15との間、および好ましくは0.085と0.11との間
を得るような量でAl2O3を添加し、上記Al2O3が
下記の特性をもつている。すなわち結晶構造型式
δ、粒子サイズ分布50と150μｍと（100〜290メ
ツシユASTM）の間、比表面積150と200m2／ｇ
との間である。 その懸濁液は、銅濃度が0.2と６ｇ／との間、
好ましくは0.9と1.2ｇ／との間になるまで、水
で稀釈される。 稀釈している間、懸濁液は、好ましくは10゜と
30℃との間の温度で撹拌（500回転／分）し続け
られる。 稀釈するため、アンモニウム銅錯体が加水分解
し、また加水分解生成物がAl2O3粒子の表面で微
細に分散した形状で沈積される。 それから固体が過され、過後蒸留水30〜50
ml／ｇで３回洗浄され、次いで生成物が空気中で
250゜ないし400℃の温度の際に１ないし10時間、
好ましくは３ないし４時間の間焼成される。それ
から焼成済生成物は、固定床へ触媒を形成するこ
とによつて水素流で還元されかつ固定床を介して
流量１ないし100ml／分で水を通過させる。還元
温度は、150ないし350℃で一定に維持される。 反応時間は、５ないし90分、好ましくは10ない
し20分である。 このようにして得られる触媒は、Al2O3で支持
されるCuから成る。触媒のCu含量が５ないし10
％であり、粒子サイズ分布が50と150μｍとの間
（100〜290メツシユASTM）であり、比表面積が
200と250m2／ｇとの間である。 触媒支持体としてAl2O3の代りに、SiO2，
TiO2，ZrO2，MgOあるいはZnOのような別の酸
化物を用いることができる。 液相においてアセトンから高級ケトンを製造す
る反応は、以下のように行なわれる。 アセトンおよび触媒は、アセトン対Cuのモル
比が50ないし500および好ましくは90ないし150に
して金属反応装置へ仕込まれる。それから一酸化
炭素は圧力が0.5ないし80バールおよび好ましく
は15ないし40バールに達するまで供給される。反
応装置は、120゜ないし220℃および好ましくは
140゜ないし200の温度へ加熱される。反応は、
0.25ないし15時間および好ましくは0.5ないし４
時間の間行なわれる。 所要生成物がメチルイソブチルケトンである場
合、アセトン転化の適当な水準、例えば、約50％
に適合する反応圧力、温度および時間範囲の下方
限界で操作するのが便宜である。これらの範囲の
上方限界では相当量のジイソブチルケトンがメチ
ルイソブチルケトンを犠性にして生成される。 アセトンと異なるケトン、例えばブタン―２―
オン、メチルイソブチルケトン等から液相で高級
ケトンをつくる反応は、アセトンに対して記述さ
れると同様に行なわれるが、しかし反応時間を増
加、好ましくは14時間迄にしなければならぬとい
う差異がある。 65％を上回る転化率でブタン―２―オンを用い
て操作する場合、３―メチルヘプタン―５―オン
は、90％を上回る選択性で得ることができる。85
％を上回る転化率でメチルイソブチルケトンを用
いて操作するとき、２，４，８―チオメチルノナ
ン―６―オンは、90％を上回る選択性で得ること
ができる。 本発明による方法は、気相においても行なうこ
とができる。この場合では、触媒が管状反応装置
へ仕込まれ、この装置は、120゜ないし220℃およ
び好ましくは140゜ないし180℃の温度へ加熱され
る。好ましくは２／１に近いモル比の一酸化炭素
およびケトンのガス流は、大気圧より若干高い圧
力で反応装置を通過させる。 気相で操作することによつて得られる結果は、
液相で操作することによつて得られる結果に類似
している。 下記の諸例は、本発明による製造方法の作業方
法および特性を例示するため示される。 第１例 粒子サイズ分布50ないし150μｍ（100〜290メ
ツシユASTM）および比表面積175m2／ｇの
δAl2O320ｇは、濃アンモニア３mlを添加するこ
とによつて安定化される水150mlにCu
（NO3）23H2Oからつくられるアンモニウム銅錯体
８ｇを含む溶液に対し添加された。 このようにして得られる混合物は、温度25℃の
蒸留水２で稀釈され、稀釈している間活発な撹
拌（500回転／分）を続け、そのためアンモニウ
ム銅錯体を加水分解させかつAl2O3粒子の表面で
微細に分散される形状の加水分解生成物を沈積さ
せる。 固体生成物が過によつて分離され、各体積11
が蒸留水３部で洗浄され、350℃の空気中で180分
間焼成され、結局厚さ１cmをもつ層に生成物を形
成しかつこの層を介して処理量20ml／分で水素を
通過させることによつて270゜で15分間水素流で還
元される。 Al2O3で支持されるCuによつて構成される触媒
が得られ、粒子サイズの分布50〜150μｍ（100〜
290メツシユASTM）の形状でかつ比表面積260
m2／ｇをもつCu4％が含まれていた。 第２例 第１例で説明されたようにつくられる触媒１ｇ
およびアセトン５ml（アセトン／Cuモル比96）
がコツク、圧力計および機械撹拌器を備える100
mlAISI316不銹鋼反応装置へ仕込まれた。 一酸化炭素は、反応装置で圧力が40バールに達
するまで、コツクを介して反応装置へ供給され
た。使用した一酸化炭素は下記の分析特性をもつ
ていた。％H2＝1.0，％CO＝9.9.0。 反応温度は、温度制御炉を用いて180℃へ急速
に上昇され、加熱が始動されると直ちに反応装置
が激しく撹拌された。 本例の試験の反応時間が半時間であつた。試験
の終末で、反応装置が水流によつて急速に冷却さ
れ、かつガス雰囲気を蒸発した後反応装置は、
過によつて反応生成物から触媒を分離するため開
放された。 ガスクロマトグラフイーにより分析された場
合、反応生成物は、第３ないし第５例と共に第１
表で示されるように、高い百分率のメチルイソブ
チルケトン、低い百分率のジイソブチルケトンお
よび他の化合物から成ることが判明した。 第３〜第５例 第３〜第５例が第２例と同様に行なわれたが、
しかし反応時間がそれぞれ１，２および４時間に
したところが異つている。 得られた生成物がガスクロマトグラフイーで分
析され、それらの結果が下記の第１表で示されて
いる。
ケトンの新規な一段の製造方法に関する。 例えば、ケトンからメチルイソブチルケトンの
製造方法が公知である。 この製造は、常用方法では三段で行なわれる。
すなわち、 一第一段は、ジアセトンアルコール（）をつ
くるため、塩基によつて触媒作用されるアセトン
（）のアルドール縮合から成り： 一第二段は、メシチルオキシド（）を得るた
め約100℃の温度で、H2SO4あるいはH3PO4によ
つて液相で触媒作用されるH2Oの除去から成
る： 一第三段は、メチルイソブチルケトン（）を
得るため銅あるいはニツケル触媒の存在下温度
150゜〜200℃および圧力３〜10バールでメシチル
オキシドの水素添加から成る： この作業を簡易化するため適当につくられる触
媒の存在下で操作することによつて三段を一段へ
減少しようとする各種の方法が提案されている
（例えば、フランス特許第2056450号：日本特許第
74／06290号；英国特許第1269891号；フランス特
許第2064778号）。 一般にこれらの一段法で使用される触媒系は、
α.β不飽和ケトンに対するアセトンの縮合を触媒
作用させることができる多数のマトリウクス
（CaO，MgO，Al2O3，SiO2，TiO2，ZnO等）で
分散される１つ以上の遷移金属（Ru，Rh，Ir，
Ni，Pd，Pt，Cu，Cr等）から成る。 還元は、圧力１ないし50バールで気体水素を使
用し、また温度100ないし350℃で操作して行なわ
れる。 反応の結果は、選択性のためにアセトンの転化
の度、反応条件および使用される触媒系でかなり
変動する。最良の結果は、Pd―Zn―Ｐ触媒系で
得られた。 一段で操作して、低い分子量のケトンから高級
脂肪族ケトンの新規な製造方法を発見した。 本発明による方法は、金属酸化物で支持される
銅の形状の触媒を介しCOの存在下出発ケトンを
反応させることを特徴とする。 さらに本発明による方法は、触媒が、Al2O3，
SiO2，TiO2，ZrO2，MgO，ZnO，Cr2O3等のよ
うな酸化物を介し加水分解によつて銅アンモニウ
ム錯体を沈澱させ、次いで空気中で焼成すること
によつてつくられおよび水素流の還元を特徴とす
る。 本発明による別の特徴は、反応が液相あるいは
気相のいづれによつても行なうことができるとこ
ろにある。 本発明の工程で発生する現象の可能性のある理
論的解釈は、アセトンから出発するメチルイソブ
チルケトンの製法に関する下記の式によつて代表
することができる。 全体的に、この方法は、下記の反応によつて代
表できる。すなわち、 さらにメチルイソブチルケトン（）は、大き
い分子量のケトンを生ずるように反応させること
ができ、たとえば、下記の反応式によつて反応さ
せることができる。すなわち このようにして、ジイソブチルケトン（）お
よび２，４，８―トリメチルノナン―６―オン
（）が得られる。 前述の式によると、α，β不飽和ケトンを還元
するため必要な水素は、触媒表面で分散される銅
によつて触媒作用される水性ガス転化反応によつ
て現場でつくられる（反応３）。 従つて本発明による長所は、メシチルオキシド
ヘアセトンを縮合することで発生される水（反応
１および２）が不飽和ケトンを還元（反応式４）
するため必要な水素を発生することで完全に消費
され、さらにこのため反応２の進行を増加する傾
向にあるという事実である。 本発明による方法で使用する触媒は、他の触媒
製造方法が本発明の範囲内で使用できるけれど
も、好ましくは下記の方法によつてつくられる。 アンモニウム銅錯体の水溶液は、Cu（NO3）2，
3H2O，CuSO4，10H2O，Cu（C10）4，6H2Oある
いは他の塩から出発してつくられる。この溶液が
Cu含量２と20ｇ／との間および好ましくは12
と15ｇ／との間をもち、またアンモニアを若干
超過して安定化されている。 この溶液に対しCu対Al2O3の重量比率0.015と
0.15との間、および好ましくは0.085と0.11との間
を得るような量でAl2O3を添加し、上記Al2O3が
下記の特性をもつている。すなわち結晶構造型式
δ、粒子サイズ分布50と150μｍと（100〜290メ
ツシユASTM）の間、比表面積150と200m2／ｇ
との間である。 その懸濁液は、銅濃度が0.2と６ｇ／との間、
好ましくは0.9と1.2ｇ／との間になるまで、水
で稀釈される。 稀釈している間、懸濁液は、好ましくは10゜と
30℃との間の温度で撹拌（500回転／分）し続け
られる。 稀釈するため、アンモニウム銅錯体が加水分解
し、また加水分解生成物がAl2O3粒子の表面で微
細に分散した形状で沈積される。 それから固体が過され、過後蒸留水30〜50
ml／ｇで３回洗浄され、次いで生成物が空気中で
250゜ないし400℃の温度の際に１ないし10時間、
好ましくは３ないし４時間の間焼成される。それ
から焼成済生成物は、固定床へ触媒を形成するこ
とによつて水素流で還元されかつ固定床を介して
流量１ないし100ml／分で水を通過させる。還元
温度は、150ないし350℃で一定に維持される。 反応時間は、５ないし90分、好ましくは10ない
し20分である。 このようにして得られる触媒は、Al2O3で支持
されるCuから成る。触媒のCu含量が５ないし10
％であり、粒子サイズ分布が50と150μｍとの間
（100〜290メツシユASTM）であり、比表面積が
200と250m2／ｇとの間である。 触媒支持体としてAl2O3の代りに、SiO2，
TiO2，ZrO2，MgOあるいはZnOのような別の酸
化物を用いることができる。 液相においてアセトンから高級ケトンを製造す
る反応は、以下のように行なわれる。 アセトンおよび触媒は、アセトン対Cuのモル
比が50ないし500および好ましくは90ないし150に
して金属反応装置へ仕込まれる。それから一酸化
炭素は圧力が0.5ないし80バールおよび好ましく
は15ないし40バールに達するまで供給される。反
応装置は、120゜ないし220℃および好ましくは
140゜ないし200の温度へ加熱される。反応は、
0.25ないし15時間および好ましくは0.5ないし４
時間の間行なわれる。 所要生成物がメチルイソブチルケトンである場
合、アセトン転化の適当な水準、例えば、約50％
に適合する反応圧力、温度および時間範囲の下方
限界で操作するのが便宜である。これらの範囲の
上方限界では相当量のジイソブチルケトンがメチ
ルイソブチルケトンを犠性にして生成される。 アセトンと異なるケトン、例えばブタン―２―
オン、メチルイソブチルケトン等から液相で高級
ケトンをつくる反応は、アセトンに対して記述さ
れると同様に行なわれるが、しかし反応時間を増
加、好ましくは14時間迄にしなければならぬとい
う差異がある。 65％を上回る転化率でブタン―２―オンを用い
て操作する場合、３―メチルヘプタン―５―オン
は、90％を上回る選択性で得ることができる。85
％を上回る転化率でメチルイソブチルケトンを用
いて操作するとき、２，４，８―チオメチルノナ
ン―６―オンは、90％を上回る選択性で得ること
ができる。 本発明による方法は、気相においても行なうこ
とができる。この場合では、触媒が管状反応装置
へ仕込まれ、この装置は、120゜ないし220℃およ
び好ましくは140゜ないし180℃の温度へ加熱され
る。好ましくは２／１に近いモル比の一酸化炭素
およびケトンのガス流は、大気圧より若干高い圧
力で反応装置を通過させる。 気相で操作することによつて得られる結果は、
液相で操作することによつて得られる結果に類似
している。 下記の諸例は、本発明による製造方法の作業方
法および特性を例示するため示される。 第１例 粒子サイズ分布50ないし150μｍ（100〜290メ
ツシユASTM）および比表面積175m2／ｇの
δAl2O320ｇは、濃アンモニア３mlを添加するこ
とによつて安定化される水150mlにCu
（NO3）23H2Oからつくられるアンモニウム銅錯体
８ｇを含む溶液に対し添加された。 このようにして得られる混合物は、温度25℃の
蒸留水２で稀釈され、稀釈している間活発な撹
拌（500回転／分）を続け、そのためアンモニウ
ム銅錯体を加水分解させかつAl2O3粒子の表面で
微細に分散される形状の加水分解生成物を沈積さ
せる。 固体生成物が過によつて分離され、各体積11
が蒸留水３部で洗浄され、350℃の空気中で180分
間焼成され、結局厚さ１cmをもつ層に生成物を形
成しかつこの層を介して処理量20ml／分で水素を
通過させることによつて270゜で15分間水素流で還
元される。 Al2O3で支持されるCuによつて構成される触媒
が得られ、粒子サイズの分布50〜150μｍ（100〜
290メツシユASTM）の形状でかつ比表面積260
m2／ｇをもつCu4％が含まれていた。 第２例 第１例で説明されたようにつくられる触媒１ｇ
およびアセトン５ml（アセトン／Cuモル比96）
がコツク、圧力計および機械撹拌器を備える100
mlAISI316不銹鋼反応装置へ仕込まれた。 一酸化炭素は、反応装置で圧力が40バールに達
するまで、コツクを介して反応装置へ供給され
た。使用した一酸化炭素は下記の分析特性をもつ
ていた。％H2＝1.0，％CO＝9.9.0。 反応温度は、温度制御炉を用いて180℃へ急速
に上昇され、加熱が始動されると直ちに反応装置
が激しく撹拌された。 本例の試験の反応時間が半時間であつた。試験
の終末で、反応装置が水流によつて急速に冷却さ
れ、かつガス雰囲気を蒸発した後反応装置は、
過によつて反応生成物から触媒を分離するため開
放された。 ガスクロマトグラフイーにより分析された場
合、反応生成物は、第３ないし第５例と共に第１
表で示されるように、高い百分率のメチルイソブ
チルケトン、低い百分率のジイソブチルケトンお
よび他の化合物から成ることが判明した。 第３〜第５例 第３〜第５例が第２例と同様に行なわれたが、
しかし反応時間がそれぞれ１，２および４時間に
したところが異つている。 得られた生成物がガスクロマトグラフイーで分
析され、それらの結果が下記の第１表で示されて
いる。
【表】
（表中、記号がそれぞれ下記の意味をもち、す
なわちIPA＝イソプパノール；MOX＝メシチル
オキシド；MIBK＝メチルイソブチルケトン；
MIBC＝メチルイソブチルカルビノール；DIBK
＝ジイソブチルケトン；DIBC＝ジイソブチルカ
ルビノール。） 第６ないし第８例 これらの例は、第２例と同様に操作して行なわ
れたが、しかし反応パラメータ、すなわち一酸化
炭素圧力、反応温度および反応時間が下記の第２
表に示されるように異つていた。すなわち、
なわちIPA＝イソプパノール；MOX＝メシチル
オキシド；MIBK＝メチルイソブチルケトン；
MIBC＝メチルイソブチルカルビノール；DIBK
＝ジイソブチルケトン；DIBC＝ジイソブチルカ
ルビノール。） 第６ないし第８例 これらの例は、第２例と同様に操作して行なわ
れたが、しかし反応パラメータ、すなわち一酸化
炭素圧力、反応温度および反応時間が下記の第２
表に示されるように異つていた。すなわち、
【表】
得られた生成物がガスクロマトグラフイーで分
析され、それらの結果が下記の第３表で示され
る。すなわち、
析され、それらの結果が下記の第３表で示され
る。すなわち、
【表】
（表中、記号は第１表と同じ意味をもつ。）
第９例 （比較）
本例は、第２例と同様に操作して行なわれた
が、しかし反応時間が４時間でありまた触媒とし
てCuを用いないAl2O3を使用した。 反応生成物のガスクロマトグラフイー分析がア
セトン転化率17.6％を示し、生成物がメシチルオ
キシド86.5％および未確認成分15.5％から成つて
いた。 第10例 （比較） 第２例の手順が反復されたが、しかし反応時間
が４時間でまた一酸化炭素の代りに窒素を使用し
た。反応転化率が16.2％で、反応生成物がメシチ
ルオキシド98％および未確認化合物11％から成つ
ていた。 第11例 本例では先行例に較べて反応は、下記のように
気相で行なわれた。第１例で記述されたようにつ
くられた触媒10ｇが内径１cmのガラス管によつて
構成される水平反応装置へ仕込まれた。触媒が層
高10cmにして設けられた。 温度が管状炉を用いて180℃へ上昇され、モル
比２／１の一酸化炭素とアセトンとのガス流が反
応装置を介して流された。供給処理量がアセトン
0.3ミリモル／分でありまた反応装置の内側の圧
力が1.3バールで維持された。 初期周期３時間の後、反応生成物は、温度−15
℃に保持されるトラツプを用いて捕集された。 ガスクロマトグラフイー分析がアセトン転化率
97％を示し、生成物がメチルイソブチルケトン51
％、ジイソブチルケトン34％、２，４，８―トリ
メチルノナン―６―オン６％、メシチルオキシド
3.5％、および未確認生成物4.5％から成つてい
た。 第12例 本例は、第２例のように行なわれたが、しかし
反応時間が３時間でまたアセトンの代りにブタン
―２―オンを使用した。 反応混合物のガスクロマトグラフイー分析は、
ブタン―２―オン転化率68.1％を示し、混合物組
成が５―メチルヘプタン―３―オン94.3％、ブタ
ン―２―013.6％、および他の未確認化合物2.1％
から成つていた。 第１例 本例は、第２例のように行なわれたが、しかし
反応時間が14時間でまたアセトンの代りにメチル
イソブチルケトンを使用した。 反応混合物のガスクロマトグラフイー分析はメ
チルイソブチル転化率86.1％を示し、反応混合物
が２，４，８―トリメチルノナン―６―オン93
％、メチルイソブチルカルビノール4.2％、およ
び他の未確認化合物2.7％から成つていた。
が、しかし反応時間が４時間でありまた触媒とし
てCuを用いないAl2O3を使用した。 反応生成物のガスクロマトグラフイー分析がア
セトン転化率17.6％を示し、生成物がメシチルオ
キシド86.5％および未確認成分15.5％から成つて
いた。 第10例 （比較） 第２例の手順が反復されたが、しかし反応時間
が４時間でまた一酸化炭素の代りに窒素を使用し
た。反応転化率が16.2％で、反応生成物がメシチ
ルオキシド98％および未確認化合物11％から成つ
ていた。 第11例 本例では先行例に較べて反応は、下記のように
気相で行なわれた。第１例で記述されたようにつ
くられた触媒10ｇが内径１cmのガラス管によつて
構成される水平反応装置へ仕込まれた。触媒が層
高10cmにして設けられた。 温度が管状炉を用いて180℃へ上昇され、モル
比２／１の一酸化炭素とアセトンとのガス流が反
応装置を介して流された。供給処理量がアセトン
0.3ミリモル／分でありまた反応装置の内側の圧
力が1.3バールで維持された。 初期周期３時間の後、反応生成物は、温度−15
℃に保持されるトラツプを用いて捕集された。 ガスクロマトグラフイー分析がアセトン転化率
97％を示し、生成物がメチルイソブチルケトン51
％、ジイソブチルケトン34％、２，４，８―トリ
メチルノナン―６―オン６％、メシチルオキシド
3.5％、および未確認生成物4.5％から成つてい
た。 第12例 本例は、第２例のように行なわれたが、しかし
反応時間が３時間でまたアセトンの代りにブタン
―２―オンを使用した。 反応混合物のガスクロマトグラフイー分析は、
ブタン―２―オン転化率68.1％を示し、混合物組
成が５―メチルヘプタン―３―オン94.3％、ブタ
ン―２―013.6％、および他の未確認化合物2.1％
から成つていた。 第１例 本例は、第２例のように行なわれたが、しかし
反応時間が14時間でまたアセトンの代りにメチル
イソブチルケトンを使用した。 反応混合物のガスクロマトグラフイー分析はメ
チルイソブチル転化率86.1％を示し、反応混合物
が２，４，８―トリメチルノナン―６―オン93
％、メチルイソブチルカルビノール4.2％、およ
び他の未確認化合物2.7％から成つていた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 低分子量のケトンから出発する高級脂肪族ケ
トンの一段製造方法において、銅を基材にした触
媒の存在下一酸化炭素と低分子量のケトンを反応
させることを特徴とする方法。 ２ 触媒が酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化チ
タニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウ
ム、酸化亜鉛および酸化クロムのような金属酸化
物で支持される銅によつて構成されることを特徴
とする、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３ 銅がアンモニウム銅錯体の溶液を加水分解す
ることによる沈澱によつて金属酸化物支持体で微
細に分割した形状に沈積されることを特徴とす
る、特許請求の範囲第２項に記載の方法。 ４ 金属酸化物および銅沈澱物によつて構成され
る系が150゜ないし400゜および好ましくは320℃な
いし350℃の温度で１ないし10時および好ましく
は３ないし４時間の間空気中で焼成されることを
特徴とする、特許請求の範囲第２あるいは第３項
に記載の方法。 ５ 焼成作業から発生する銅沈積物を有する金属
酸化物によつて構成される系が100℃ないし350℃
および好ましくは250℃ないし280℃の温度で、５
ないし90分および好ましくは10ないし20分の時間
の間水素で還元されることを特徴とする、特許請
求の範囲第２ないし第４項の１つに記載の方法。 ６ 液相において一酸化炭素と出発ケトンを反応
させることを特徴とする、特許請求の範囲第１項
に記載の方法。 ７ 一酸化炭素圧力0.5ないし80バールおよび好
ましくは15ないし40バールに達するまで出発ケト
ンおよび触媒を含んでいる反応装置へ一酸化炭素
を供給し、反応が120゜ないし220℃および好まし
くは140゜ないし220℃の温度で0.2ないし20時間お
よび好ましくは0.5ないし14時間の間行なわれる
ことを特徴とする、特許請求の範囲第１あるいは
第６項に記載の方法。 ８ 気相において一酸化炭素と出発ケトンを反応
させることを特徴とする、特許請求の範囲第１項
に記載の方法。 ９ 120℃ないし220℃および好ましくは140℃な
いし180℃の温度へ加熱される管状反応装置へ触
媒を供給する一方、大気圧を若干上回る圧力で
１／１ないし４／１のモル比および好ましくは
２／１に近いモル比の一酸化炭素および出発ケト
ンによつて構成されるガス流を反応装置を介して
通過させることを特徴とする、特許請求の範囲第
１あるいは第８項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038995A JPS61200939A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 高級脂肪族ケトンの一段製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038995A JPS61200939A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 高級脂肪族ケトンの一段製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61200939A JPS61200939A (ja) | 1986-09-05 |
| JPH02333B2 true JPH02333B2 (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=12540712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60038995A Granted JPS61200939A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 高級脂肪族ケトンの一段製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61200939A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120004432A (ko) | 2009-04-03 | 2012-01-12 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | ａ-히드록시카르복시산 에스테르의 제조 방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007026230A1 (de) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Stabilus Gmbh | Antrieb zum Verschwenken einer an einer Karosserie eines Fahrzeugs angeordneten Klappe |
| US8101805B2 (en) * | 2011-04-20 | 2012-01-24 | King Abdulaziz City for Science and Technology (KACST) | Low pressure one-step gas-phase process for production of methyl isobutyl ketone |
-
1985
- 1985-03-01 JP JP60038995A patent/JPS61200939A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120004432A (ko) | 2009-04-03 | 2012-01-12 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | ａ-히드록시카르복시산 에스테르의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61200939A (ja) | 1986-09-05 |
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