JPH0232073A - ポリチエニリデンビスベンゾキノン類およびその製造方法 - Google Patents

ポリチエニリデンビスベンゾキノン類およびその製造方法

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JPH0232073A
JPH0232073A JP17804688A JP17804688A JPH0232073A JP H0232073 A JPH0232073 A JP H0232073A JP 17804688 A JP17804688 A JP 17804688A JP 17804688 A JP17804688 A JP 17804688A JP H0232073 A JPH0232073 A JP H0232073A
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高瀬 嘉平
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 近年、近赤外線領域の光線を利用したエネルギーシステ
ム、情報記録システム、機器のコントロールシステムが
多数開発されている。
この発明の化合物はこれらのシステムに利用され得る近
赤外線吸収剤に関する。
更に詳細には、光記録媒体、有機感光体、光カド、テレ
ビ・音響機器などの制御機構の光吸収あるいは外部近赤
外光遮断用材料、I/−ザー加工時用保護メガネ、生長
制御のための熱線遮断用材料、その他の分野に利用され
得る化合物に関する。
〔従来の技術〕
近年、有機化合物を使用した光記録の手段に関する研究
が活発に行われている。
光記録の方式としては、多くの方式があるが、現在、最
も実用化に近い方式として記録媒体に光を集光照射して
熱エネルギーに変換し、その熱により記録媒体に形状変
化を生じさせて記録し、この形状変化を記録媒体層を1
員傷させない程度に充分に弱められた光で走査して、そ
の反射光の変化を検知し記録を再生させる方式がある。
このような方式の記録媒体として使用され得る化合物と
して、例えば、「染料と薬品」第30巻、第11号、3
08〜318頁には、下図に記載されるような分子内電
荷移動錯体が使用されることが記載されている。
また、赤外線吸収剤としては、シアニン色素(特開昭5
6−46221.58−112790 ) 、フタロシ
アニン色素(特開昭58−36490 )、ナフトキノ
ン色素(特開昭60−15458 )、アントラキノン
色素(特開昭61−291651 ) 、およびジチオ
ール錯体(特開昭58−175693 )などが知られ
ている。
しかし、アントラキノン、およびナフトキノン色素では
モル吸光係数が飲方程度と小さい。
また、ジチオール錯体では、熱安定性、モル吸光係数が
不十分であることなど、大きな欠点を有していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
この発明は、上記の諸問題点を解決するために完成され
たものであり、近赤外領域700〜850 no+にお
いて吸収率と反射率が大きい優れた近赤外線吸収物質を
提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
発明者らは、交叉共役化合物について、鋭意研究し検討
した結果、長波長部に吸収能を有する新規なビチェニリ
デンビスベンゾキノン類を見出して、この発明を完成し
得た。
この発明の、下記−飲代(1)により示されるポリチェ
ニリデンビスベンゾキノン類 (式(’I)中、R1、R1、R3及びR4は各々独立
に水素原子、または炭素数1〜8の直鎖または分岐のア
ルキル基を表わし、nは3.4の整数を表わす。)は次
のようにして製造することができる。
即ち、 「 (式(III)中、R1とR1は、式(1)のR1とR
1と同一の基を意味する。) にて示されるヨウ化フェノールを、トリメチルシリルク
ロリドなどのシリル化剤を以てシリル化し、式(IV) l K& (式(IV)中、R1とRtは、弐N)のR1とR2と
同一の基を意味する。) にて示されるヨウ化トリメチルシロキシベンゼンを合成
し、次いで式(V) (式(V)中、R3とR4は、式(1)のR3とR′と
同一の基を意味する。) Schsme ! にて示されるチエニルジンククロリドと反応することに
より得られる下記の式(VI) を出発物質として次頁に示すSchemCっで各目的化
合物を合成した。
1〜2に従 (以下 余白) ↓ SCheme 2 〔実施例〕 以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例ト ターチェニリデンビスベンゾキノン主の合成合成ルート
はScheme  lに示した。
・5.5”−ビス(3,5−ジ−t−ブチル−4〜 ト
リメチルシロキシフェニル) 1.2’ :5’、2”
−ターチェニルUの合成 化合物5 (200mg、 0.555mmo+)にブ
チルリチウムを加え、次いで塩化亜鉛を加えることによ
り一β−のTIIF(テトラヒドロフラン)溶液を調整
する。他方、PdC1z(PPht)z(10+ag、
0.0139mmo1)、 THF(4d)およびDI
BAI+ (ジイソブチルアルミニウムヒドリド)のn
−ヘキザン溶液(0,0277mmo1)の混合物中に
2.5−ジブロムチオフェン(671’l1g、0.2
77mmo1)o1)のTHF(8d)溶液を加えて1
0分間攪拌する。
次いでこの中に先に調整した旦のTHF溶液を室温で加
えて1時間攪拌した。反応混合物に水を加え、エーテル
で抽出して、エーテル屓を水、ついで飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を除去し、残
留物を液体クロマトグラフ(シリカゲル、n−ヘキサン
:酢酸エチル=96:4)で分離精製すると、融点17
5−177°Cの黄色結晶としてUが86■(3B、6
%)得られた。また、この液体クロマトグラフの分離の
過程で、■の他にiの二量体Uが15■得られた。
・5.5”−ビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒド
ロキシフェニル)−2,2’ : 5°、2″−ターチ
ェニルHの合成 化合物13 (102lIIg+ 0.12Tmmo1
)をT)IP (22d )に溶かした溶液中に12N
 HCI(2d)を加えて室温で22時間攪拌する。T
HFを除去し、残留物に水を加え、エーテルで抽出し、
エーテル層を水、次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
ナトリウムで乾燥する。溶媒を除去し、残留物をシリカ
ゲルクロマ)(n−ヘキサン:塩化メチレン=8:2)
にて精製すると融点132−135 ”Cの黄色結晶と
して■が86■(100%)得られた。
・クーチェニリデンビスベンゾキノン主の合成化合物n
(10■、0.0152 mmo1)をベンゼン(10
m)に溶かし、これに0.IN KOJI水溶液(20
d)とフェリシアン化カリウム(50■、0.152 
mmo1)を加えて室温で激しく、2時間攪拌する0反
応混合物に水を加え、ベンゼンで抽出し、ベンゼン層を
水、次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥する。溶媒を除去すると融点183−187°Cの
黒紫色結晶として主が9■(90,5%)得られた。
実施例2 ・クォーターチェニリデンビスベンゾキノン左の合成 合成ルートはScheme 2に示した。
・5−(3,5−ジ−t−ブチル−4−トリメチルシロ
キシフェニル) −2,2°−ビチェニル1717)合
成2.2゛−ビチェニル、m1(2,467g 、 1
4.84 mmo1)をエーテル(40id)に溶かし
た溶液にn−ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液(14
,84vwo1)を加え、モノリチオ化し、これを塩化
亜鉛(2,022g 、 14.8411IIIlo1
)のT)IP (2(ld)溶液中にo ’cで加え、
川を調整する。他方、PdCl□(PPh s) t 
(174■、0.247mmo1)。
TIIP C20d> 、およびDIBAHのQ−ヘキ
サン溶液(0,495mmo1)の混合物中に7 (2
,OOg、4.945 mmo1)のTIIF(40d
)溶液を室温で加えて、10分間攪拌した。次いでこの
中に先に調整した川のTHF溶液を室温で加えて1時間
反応させた。反応混合物に水を加え、エーテルで抽出し
、エーテル層を水、次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫
酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を除去し、残留物をシリ
カゲルクロマト(n−ヘキサン)で精製すると、淡黄色
結晶■が1.939 g(88,6%)得られた。■は
メタノールから再結晶すると融点10B’Cの純品とな
った。
川と川をPd(0)−PPhz触媒でクロスカップリン
グした場合にはHが収率41.2%で生成した。
・5.5”−ビス(3,5−ジーL−ブチルー4−トリ
メチルシロキシフェニル) −2,2’ : 5’、2
”:5”、ど−クォーターチエニル■の合成 ジイソプロピルアミン(791μm、5.646 +m
s+o1)をエーテル(30d)に溶かした溶液にn−
ブチルリチウムのn−ヘキサン溶液(5,646mmo
1)を加え、LDA (リチウムジイソプロピルアミン
)のエーテル溶液を作る。ここに11(1,00g 、
2.259 mmo1)のエーテル(301d)溶液を
加え、0℃で1時間攪拌し、■のりチオ化物を調整する
。他方、塩化第二i (759■、5.646 +u+
o1)をTHF(Lord)に懸濁し、この懸濁液中に
先に調整した1717)リチオ化物のエーテル溶液を加
え、室温で1時間攪拌した。反応混合物に水を加え、エ
ーテルで抽出し、エーテル層を水、次いで飽和食塩水で
洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を除去し
、残留物をシリカゲルクロマト(n−ヘキサン:塩化メ
チレン=9 : 1)にて精製すると、融点222−2
27°Cのオレンジ色結晶として、坦が313■(31
,3%)得られた。
・55”′−ビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒド
ロキシフェニル) −2,2’ : 5’、2”:5’
+21−クオーターチェニル刈の合成 化合物19(300mg、0.34 mmo1)をT)
IF(40Iajりに溶かした溶液に12N 1ICI
(4d)を加えて、室温で13時間撹拌する。反応混合
物により溶媒を除去し、残留物に水を加え、エーテルで
抽出し、エーテル層を水、次いで飽和食塩水で洗浄し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を除去し、残留物
をシリカゲルクロマト(n−ヘキサン:塩化メチレン=
1 : 1)にて精製すると融点255−260 ’C
の暗黄色結晶として抑が217mg (86,4%)得
られた。
・クォーターチェニリデンビスベンゾキノン土の合成 化合物20(10mg、0.0135 mmo1)をベ
ンゼン(101d”1に溶かし、ここに0.IN KO
H水溶液(20d)とフェリシアン化カリウム(45■
、0.135 mmo1)を加え、室温で2時間、激し
く攪拌する。反応混合物に水を加えて、ベンゼンで抽出
し、ベンゼン層を水、次いで飽和食塩水で洗浄し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を除去すると、変質点
175−180 ’Cの黒色結晶として土が9mg(9
0,4%)得らた。
ターチェニリデンビスベンゾキノン主の物理データー ■、融点 183−187°C暗紫色結晶2、電子スペ
クトル(in CHzCh)  λaaax: nm(
log ε)315(3,98)、416(4,39)
、4735h(4,04)、508(4,09)。
555(3,98)、604(4,05)、7.85(
4,77)3、[R(KBr) 2950−2800.1558 (CO) 、 154
4 、1450.1358.1318.1254 。
1088.1022,988890゜852.7807
12 cm4、Ma s s     FD−MS  
m/z  (%〕656(M”+2,100)、655
(M”+1.69)。
654(M”  34) クォーターチェニリデンビスベンゾキノン↓の物理デー
ター 1、融点 175−180℃ (変質点) 黒色結晶2
、電子スペクトル(in Benzene)λwax:
 nm(log  a )402(4,24)、426
(4,23)、474(4,58)、545(4,55
) 。
5705h(4,53)、6145h(4,41)、6
905h(4,10)。
8.30(4,45) 3、IR(KBr) 2970−2820.1540 (Co) 、 14B
0.1448.1382.1356.12541196
.1164,1090,1022,966.882,7
84CIB−’4、Mass   FAB−MS (3−ニトロベンジルアルコールmatrix)738
(M”+2.100)、737(M’+1.19)特許
出願人  三井東圧化学株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式( I )中、R^1、R^2、R^3及びR^4は
    各々独立に水素原子、または炭素数1〜8の直鎖または
    分岐のアルキル基を表わし、nは3、4の整数を表わす
    。)で示されるポリチエニリデンビスベンゾキノン類。 2)下記一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式(II)中、R^1、R^2、R^3及びR^4は各
    々独立に水素原子、または炭素数1〜8の直鎖または分
    岐のアルキル基を表わし、nは3、4の整数を表わす。 )で示されるチオフェン誘導体を酸化剤で処理して下記
    一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式( I )中、R^1、R^2、R^3、R^4及び
    nは式(II)中のR^1、R^2、R^3、R^4及び
    nと同一の意味を表わす。)で示されるポリチエニリデ
    ンビスベンゾキノン類を製造する方法。
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