JPH02309510A - 透明導電性フイルム積層体及び透明導電性パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は透明導電性フィルムの電極パターン形成法に間
するものであり、詳しくは、化合物半導体を含有する透
明導電性層のエツチングにより高分子フィルム上にパタ
ーンを形成するための新規な方法に関するものである。

透明導電性フィルムは液晶やＥＬなとのフラットパネル
ディスプレーのための透明電極、タッチパネルの電極等
への利用が考えられているが、このような用途には透明
導電性層の一部分を取り除いてパターンを形成すること
が必要になる。

（従来の技術） 特開昭６２−７６６３２号明細書には、このような目的
のために水溶性処理タイプの感光性フィルムレジストの
使用が提案されている。また特開昭６１−２０８０４７
号明細書にはアルカリ現像後絞水溶液に接触してから後
にエツチングする方法により高精度で導電性層のパター
ン化が可能であることが記載されている。確かにこれら
の方法により高解像力で透明導電層のパターン化が可能
であるが、本発明の化合物半導体を含有する透明導電性
層のパターン化に適用すると種々の問題点があフた。つ
まり開示されている酸性水溶液ではエツチングが困難で
あった。またレジストの剥離に際しジクロルエタンや水
酸化ナトリウムの水溶液を用いると透明導電性層が損傷
を受は易かった。

またそもそもこれらの明細書に記載されている透明導電
性フィルムの製造法は、蒸着やその他の処理工程を含む
ため大型の製造設備を必要とするので高価であった。

（発明が解決しようとする問題点） 従って本発明の目的は、支持体とその上の下塗層及び下
塗層上に化合物半導体と樹脂前駆体を含有する液を塗布
することにより形成される透明導電性層の高精度なパタ
ーン化を実現することにある。

−また本発明の他の目的は透明導電層のパターン化を実
施するのに有用な感光性レジスト層を予め積層した透明
導電性フィルム積層体を提供することにある。

本発明の他の目的は安価で高精度な透明導電性電極を迅
速に形成する方法を提供することである。

本発明の他の目的は化合物半導体を含む導電性層の良好
なエツチング液の提供である。

本発明の他の目的は露光、現像、エツチング後のアルカ
リ現像性感光性レジスト層を剥離する際に導電性層の導
電性や透明性や膜強度等を損なうことなく剥離を実施す
ることのできる剥離液を提供することにある。

更に本発明のその他の目的は以下の説明で明らかになろ
う。

（問題を解決するための手段） 本発明の目的は、支持体、下塗層及び該下塗層上に化合
物半導体と樹脂前駆体を含有する溶液を塗布することに
より形成された透明導電性層からなる導電性フィルム積
層体上に、アルカリ現像可能な感光性レジスト層及び透
明で剥離可能な仮支持体を有する感光性積層体を積層し
たことを特徴とする透明導電性フィルム積層体、及びそ
れを用いたパターンの形成方法により達成された。

以下に、本発明の詳細な説明する。

本発明に使用する支持体としては、従来公知の、例えば
、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、
ポリエチレン、ポリプロピレンなとのポリオレフィン類
、セルロースアセテートなどのセルロース類、ポリメチ
ルメタクリレートなどのアクリルエステル類、６，６−
ナイロンなどのポリアミ下類、またポリイミド類、ポリ
カーボネート類、ポリビニルアルコール類、塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体類を挙げることができる。

本発明に使用する透明導電性層としては、特願昭６３−
８８３７７号明細書及び特願昭６３−８８３７８号明細
書に記載のものを用いることができる。

下塗層としては、ポリエステル類、ポリビニルアセター
ル類、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、多次元網
目構造を形成する樹脂等を挙げることができる。これら
の内では塩化ビニリデン樹脂が好ましく、例えば、塩化
ビニリデン／メチルアクリレート、塩化ビニリデン／ア
クリル酸、塩化ビニリデン／アクリロニトリル、塩化ビ
ニリデン／イタコン酸、塩化ビニリデン／メチルアクリ
レート／アクリル酸、塩化ビニリデン／メチルメタクリ
レート／イタコン酸、塩化ビニリデン／メチルアクリレ
ート／イタコン酸、塩化ビニリデン／アクリロニトリル
／アクリル酸、塩化ビニリデン／アクリロニトリル／イ
タコン酸、塩化ビニリデン／メチルアクリレート／メチ
ルメタクリレート／アクリル酸、塩化ビニリデン／アク
リロニトリル／イタコン酸／アクリル故などの多元共重
合体を挙げることができる。これらの内特に好ましい樹
脂は一般式（Ｉ）で表わされる塩化ビニリデン化合物の
共重合体である。

一般式（Ｉ） Ｃｅ しζ 式中、Ａは から選ばれる少なくとも１つの構造単位を表す。

Ｂは から選ばれる少なくとも１つの構造単位を表す。

Ｒ１は水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基を表
す。

Ｒ２はメチル基、エチル基、プロピル基を表す。

Ｘ＋　　ｙ＋　　ｚはモル％てあり、Ｘは６５〜９０、
ｙはＯ〜３５．２は０〜３５の範囲であり、かつｘ＋ｙ
＋ｚ＝１００の関係にある。

一般式（Ｉ）の塩化ビニリデン成分の含有量は導電性及
び耐光性に大きな影響を与える。その含有量が６５モル
％以上であれば、表面抵抗て１０５Ω／口以下の高導電
性皮膜の形成が可能となり、それ以下では低い導電性の
皮膜しか得られない。

また塩化ビニリデン成分の含有量が９０モル％を越える
と耐光性が劣る。

一般式（１）のＡは、アクリロニトリル、α−アルキル
アクリロニトリル、アルキルアクリレート、アルキルα
−アルキルアクリレート、マレイン酸ジアルキル、イタ
コン酸ジアルキルから誘導される構造単位であり、単独
もしくは２種以上であってもよい。この成分の量が増加
するにともない、耐光性は良化し、理由は明かではない
が、Ａがアクリロニトリルの場合特に良好な重重光性を
示す。Ａの好ましい含有量は０〜３５モル％であり、特
に好ましい範囲は１０〜３０モル％である。

一般式（Ｉ）のＢは、アクリル駿、α−アルキルアクリ
ル酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキル、イタコン
酸、イタコン該モノアルキルから誘導される単位であり
、単独もしくは２種以上あっても良い。Ｂの成分を含有
することにより、支持体との宝着性が向上する。Ｂの含
有量は０〜３５モル％が好ましく、特に好ましい範囲は
１〜２５モル％である。

一般式（Ｉ）で表される塩化ビニリデン共重合体の好ま
しい具体例としては、塩化ビニリデン／メチルアクリレ
ート／イタコン酸（モル比＝８４：１１：５）共重合体
、塩化ビニリデン／メチルアクリレート（モル比＝８４
：　　１６）共重合体、塩化ビニリデン／アクリロニト
リル（モル比＝７５：　２５）共重合体、塩化ビニリデ
ン／アクリル酸（モル比＝８４：　　１６）共重合体、
塩化ビニリデン／メチルアクリレート／アクリル酸（モ
ル比＝８４：　１１：　５）共重合体、塩化ビニリデン
／アクリロニトリル／アクリル酸（モル比＝７５；２１
：４）共重合体、塩化ビニリデン／メチルアクリレート
／マレイン酸（モル比＝８４：１１：５）共重合体、塩
化ビニリデン／アクリロニトリル／イタコン該（モル比
＝７５：　２１：　４）共重合体、塩化ビニリデン／メ
チルメタクリレート／イタコン酸（モル比＝７５：　２
３：　２）共重合体、塩化ビニリデン／アクリロニトリ
ル／イタコン酸（モル比＝７０：　２５：　５）共重合
体、塩化”ビニリデン／イタコン酸ジエチル／イタコン
酸（モル比＝８２：　　１３：　５）共重合体、塩化ビ
ニリデン／マレイン酸ジエチル／マレイン酸（モル比＝
８２：　　１３：　５）共重合体、塩化ビニリデン／メ
チルアクリレート／メチルメタクリレート／アクリル酸
（モル比＝８１：　８：　７：　６）共重合体、塩化ビ
ニリデン／アクリロニトリル／アクリル酸／イタコン酸
（モル比＝７５：　２０：　５：　６）共重合体、塩化
ビニリデン／メチルアクリレート／アクリルＭ／マレイ
ン酸（モル比＝８０：　　１０：　５：５）を挙げるこ
とができる。

下塗層の厚みには特に制限はないが、０．０１〜１００
μｍが好ましく、特に好ましくは０．０５〜１０μｍの
範囲である。

化合物半導体として好ましいのはヨウ化第−銅およびヨ
ウ化銀であるが、他の金属含有化合物半導体、例えば、
他のハロゲン化第−銅類；ハロゲン化銀類；ビスマス、
金、インジウム、イリジウム、鉛、ニッケル、パラジウ
ム、レニウム、錫、テルルおよびタングステンのハライ
ド類；チオシアン酸第−銅、チオシアン酸第二銅、チオ
シアン酸銀；あるいはヨウ化水銀なども使用し得る。こ
れらのうち特に好ましいのはヨウ化第−銅である。

ヨウ化第−銅の溶剤としてはアセトニトリルまたはアセ
トニトリルを含有する揮発性の混合溶剤が好ましい。

本発明に使用する化合物半導体層は、既述の化合物半導
体の濃度０．　１〜５０重量％の溶液とし樹脂前駆体と
共に溶解して支持体上に塗布して形成することができる
。またこの塗布した層中の化合物半導体の含有量は４０
〜２０００ｍｇ／イであることが好ましく、１００〜１
０００ｍｇ／ｌｎ’が特に好ましい。

本発明に使用する樹脂前駆体としては、化合物半導体を
溶解する溶剤に可溶であって、塗布中または塗布後の処
理（加熱、光照射、化学反応など）により皮膜形成可能
なＮ駆体てあれば良く、公知の広範囲のモノマー、プレ
ポリマー、架橋剤などを使用できる。本発明において好
ましい樹脂前駆体は架橋剤を含み塗布中または塗布後の
処理により網目構造が形成可能な組成物である。代表例
としては、天然あるいは合成ゴム、不飽和ポリエステル
、アルキッド樹脂のごとき不飽和結合を有し酸化により
架橋するもの、あるいは不飽和モノマーの存在下で開始
剤の存在下あるいは非存在下、活性光線、電子線などの
放射線あるいは熱等により架橋されるもの、エポキシ樹
脂あるいはエポキシ基含有アクリル樹脂のごとくポリア
ミン、ポリアミド、ポリカルボン酸無水物等により架橋
されるもの、あるいはポリイソシアナート架橋剤と水酸
基、カルボキシル基またはアミノ基等を含有する樹脂の
組合せ、空気中の水分と反応して架橋される自己架橋性
のポリイソシアネート、ポリアミンと有機酸あるいは酸
無水物との組合せなどを挙げることができる。

樹脂前駆体として特に好ましいものとしては、イソシア
ネート基またはエポキシ基を架橋成分とする樹脂前駆体
が挙げられる。イソシアネート基を架橋成分とする化合
物は一分子中に二個以上のイソシアネート基を含有する
もので、単独あるいは活性水素化合物との組合せで多元
網目構造を形成できるものである。イソシアネート化合
物の特に好ましい具体例としては、トリフェニルメタン
トリイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネー
ト、トリレンジイソシアネート、２．４−トリレンジイ
ソシアネートの二量体、ナフタレン−１，５−ジイソシ
アネート、０−）リレンジイソシアネート、ポリメチレ
ンポリフェニルイソシアネート、ヘキサメチレンジイソ
シアネートなどのポリイソシアネートタイプ、トリレン
ジイソシアネートとトリメチロールプロパンの付加体、
ヘキサメチレンジイソシアネートと水との付加体、キシ
リレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの付
加体などのポリイソシアネート付加体タイプなどを挙げ
ることができる。

これらの樹脂前駆体と共に、導電性・附しジスト剥龍液
性・エツチング処理特性等に実質的に影響を与えない範
囲で公知の種々の樹脂を用いることも可能である。

本発明に使用される活性水素化合物としては、例えば水
酸基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基を含有する
化合物を用いることができ、例えば、１，４−ブタンジ
オール、エチレングリコール、グリセリン、ポリエーテ
ル型ポリオール、ポリエステル型ポリオール、アクリル
型ポリオール、エポキシ樹脂型のポリオール、４，４−
メチレンビス（２−クロロアニリン）、ヒドロキシプロ
ピル化エチレンジアミン等を挙げることができるが特に
これらに限定されるものではない。

イソシアネート化合物は化合物半導体の１〜１００重量
％、好ましくは３〜５０重量％で汚いられる。使用量が
少ないと、化合物半導体の結晶化防止効果が小さい。た
めに好ましくなく、多すぎると導電性が低下する傾向が
みられるので好ましくない。

本発明において用いられるエポキシ樹脂としては、例え
ば、通常のエポキシ樹脂のほかエポキシ基含有アクリル
樹脂なども包含する。エポキシ樹脂は、一般にジオール
とエピクロルヒドリンの反応によって作られる。具体的
な市販のエポキシ樹脂としては、ＥＰＯＮ−８１２、Ｅ
ＰＯＮ−８１５、Ｅ　Ｐ　ＯＮ　−８２０、ＥＰＯＮ−
８２８、ＥＰＯＮ−８３４、ＥＰＯＮ−８３６、ＥＰＯ
Ｎ−１００１、ＥＰＯＮ−１００２，ＥＰＯＮ−１００
４、ＥＰＯＮ−１００７，ＥＰＯＮ−１００９゜ＥＰＯ
Ｎ　　１０３１（以上シェル社製商品名）、Ａｒａｌｄ
ｉ　ｔｅ−２５２、Ａｒａｌｄｉｔｅ−２６０、Ａｒ　
ａ　１　ｄ　ｉ　ｔ　ｅ−２８０、Ａ　ｒ　ａ　１　ｄ
ｉｔｅ−５０２、Ａｒａｌｄｉ　ｔｅ−６００５、Ａｒ
ａｌｄｉｔｅ−６０７１、Ａｒａｌｄｉｔｅ−６７００
、Ａｒａ　ｌ　ｄ　ｉ　ｔｅ−６０８４、Ａｒａｌｄｉ
ｔｅ−６０９７、Ａｒａｌｄｉｔｅ−６０９９（チバ・
ガイギー社製商品名）、Ｄｏｗ−３３１、Ｄｏｗ−３３
２、Ｄｏｗ−６６１、Ｄ。

ｗ−６６４、Ｄｏｗ−６６７（ダウ・ケミカル社製商品
名）、Ｂａｋｅ　Ｉ　ｉ　ｔｅ−２７７４、Ｂａｋｅ　
ｌ　ｉ　ｔ　ｅ−２７９５、Ｂａｋｅ　ｌ　ｉ　ｔ　ｅ
−２００２、Ｂａｋｅ　ｌ　ｉ　ｔ　ｅ−２０５３、Ｂ
ａｋｅｌｉｔｅ−２００３、Ｂａｋｅ　Ｉ　ｉ　ｔ　ｅ
−３７９４（ベークライト社製商品名）、Ｅｐｏｘｉｄ
ｅ−２０１（ユニオン・カーバイド化学社製商品名）、
エピコート８２８、エピコート１００１　（、旭電化社
製商品名）等を挙げることができる。

エポキシ樹脂と同時に用いられろエポキシ樹脂の硬化剤
として、たとえば、有機ポリアミン、ハロゲン化はう素
錯体、ケテンイミン、散無水物、イソシアネート化合物
、フェノール樹脂等を挙げることができる。

本発明で化合物半導体と共に用いられる樹脂前駆体、及
び場合によっては樹脂前駆体と樹脂の混合物は、化合物
半導体の１〜１００重量％、好ましくは３〜５０重量％
で用いられる。使用量が少ないと、化合物半導体の結晶
化防止効果が小さく、多すぎると導電性が低下する傾向
がみられ好ましくない。

本発明で使用するアルカリ現像可能な感光性レジスト層
は弱アルカリ水溶液により現像可能で、活性光線の＠射
により弱アルカリ水溶液に不溶化し得る可撓性の樹脂組
成物であれば良いが、その好ましい例としては次の各明
細書に記載されているものを挙げることができる。特公
昭！５５−３８９６１号明細書、特公昭５４−３４３２
７号明細書、特公昭５８−１２５７７号明細書、特公昭
５５−６２１０号明細書、特公昭５４−２５９５７号明
細書、特開昭５７−２０７３２号明細書、特開昭６０−
１５９７４３号明細書、特開昭６０−２５８５３９号明
細書、特開＠　６２−２４２４６号明細書、特開昭６１
−１６９８２９号明細書、特開昭６１−１７２１３９号
明細書、特開昭６１−２１３２１３号明細書、特開昭６
３−１４７１５９号明細書。感光性レジスト層の厚みと
しては０．１μｍ〜１００μｍが好ましく、より好まし
くは１μｍ〜６０μｍである。

本発明で使用する仮支持体としては活性光線に対して透
明で平滑であり、露光後の感光性フォトレジスト層から
剥離できるものであればよ〈従来公知のものが使用でき
る。例えば、ポリエチレンテレフタＩノートなどのポリ
エステル類、ポリエチレン、ポリプロピレンなとのポリ
オレフィン類、セルロースアセテートなどのセルロース
類、ポリメチルメタクリレートなどのアクリルエステル
類、６．６−ナイロンなどのポリアミド頚、またポリイ
ミド類、ポリカーボネー）Ｕ、ポリビニルアルコール類
、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体類を挙げることがで
きる。

本発明における導電性層の好ましい作成方法は、揮発性
溶剤中に溶解した化合物半導体と揮発性溶剤に可溶な樹
脂前駆体、場合によっては樹脂前駆体と樹脂の混合物、
とを溶解し、適当な支持体上に形成した下塗層上に塗布
した後、該溶剤を蒸発する方法である。

また感光性レジスト層および仮支持体を導電性層上に積
層するには、仮支持体フィルム上に感光性溶液を塗布し
て感光性レジスト層を形成した後で、導電性層上に感光
性レジストｉ側が接触するようにラミネートすることに
より有利に実施できる。

あるいは、感光性レジスト層の諸成分を含んだ揮発性溶
剤の溶液を導電性層上に直接塗布し、その後仮支持体と
同様の透明性フィルムをラミネーＩ・することによって
も作成することが可能である。

本発明の導電性層や感光性レジスト層の塗布には、例え
ば、回転塗布、浸液塗布、噴霧塗布、連続塗布機による
ビード塗布、連続的に移動するウィック法、ホッパーを
用いる塗布法などがあるが特にこれらに限定されるもの
ではない。

また本発明において感光性レジスト層や仮支持体をラミ
ネートする方法としては加熱しながらまたは室温下、減
圧または常圧の雰囲気下で、加圧しながらラミネートす
ることにより公知の方法で実施することができる。

本発明の透明導電性フィルム積層体を用いて透明導電性
のパターンを形成する方法は、下記の工程から成る。

（ａ）所望のパターンを有するフォトマスクを通して該
仮支持体側または該支持体側から活性光線で露光する工
程、 （ｂ）該仮支持体を剥離した後、該レジスト層の来露光
部を弱アルカリ水溶液で溶解除去する工程、（ｃ）該レ
ジスト層に覆われていない部分の該化合物半導体層をア
ルカリ金属および／またはアンモニウムのヨウ化物を含
有する水溶液等でエツチングする工程、 （ｄ）水と混和性の有機溶剤または水と混和性の有機溶
剤の水溶液により該残留するレジストを剥離する工程。

本発明において、露光は感光性レジスト層の不溶化を起
こす活性光線を照射することにより実施されるが、活性
光線としては波長が２００　ｎｍ〜７００ｎｍの紫外線
、可視光線の定常光やレーザー光が通常用いられる。

本発明で使用する弱アルカリ水溶液は未露光の感光性レ
ジスト層を溶解するものであり、好ましくはアルカリ金
属の水酸化物、アルカリ金属の弱酸塩の０．０１〜１０
重量％の水溶液である。具体例としては水散化リチウム
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムの０．１〜１重量
％水溶液、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムの０．２〜
１０重量％水溶液を挙げることができる。これらは単独
で用いても良いし２種以上の混合物として用いてもよい
。特に好ましくは炭酸ナトリウムの０゜５〜２重量％水
溶液である。現像に際しては１０〜５０℃、より好まし
くは室温〜４０’Ｃでバット中で浸漬するかノズルより
スプレーすることにより実施される。

本発明で使用するアルカリ金属および／またはアンモニ
ウムのヨウ化物とはヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム
、ヨウ化カリウム、ヨウ化アンモニウムであり、特に好
ましくはヨウ化ナトリウム及びヨウ化カリウムを挙げる
ことができる。これらは単独で用いても良いし２種以上
の混合物として用いてもよい。エッチングン夜としては
これらの水溶液を用いるが、その好ましい濃度は１〜６
０重量％てあり、特に好ましくは１０〜４０重量％であ
る。エツチングに際しては１０〜５０℃、より好ましく
は室温〜４０°Ｃてバット中で浸漬するかノズルよりス
プレーすることにより実施される。

本発明てレジス）・を剥離するのに用いられる水と混和
性の有機溶媒としてはアルコール、アルキレングリコー
ル、トリオール、アルキレングリコールモノエーテル、
アルキレンクリコールジエーテル、アルキレングリコー
ルモノエーテルのモノエステル、環状エーテル、環状エ
ーテルアルコール、ケトン、環状ケトン、蝋酸エステル
、脂肪酸エステル、乳酸エステル、環状ラクトン、ホル
ムアミド、脂肪酸アミド、燐酸アミド、スルホン酸アミ
ド、環状ラクタム、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、
低級脂肪酸等から選ばれる。好ましい具体例としては、
メタノール、エタノール、ｎ　−プロパツール、イソプ
ロパツール、ブタノール、ベンジルアルコール、エチレ
ングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリ
コール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリ
コール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチ
レングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコー
ルモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸エチレングリコールモノメチルエー
テル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢
酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールジメチルエーテル、テトラヒト゛ロフラン、
ジオキサン、フラン、フルフリルアルコール、アセトン
、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シク
ロヘキサノン、蟻酸エチル、酢酸エチル、酢酸メチル、
酢酸プロピル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラ
クトン、ホルムアミド、アセトアミド、ヘキサメチルホ
スホルアミド、ベンゼンスルホン散アミド、トルエンス
ルホン酸アミド、ピロリドン、アセトニトリル、ベンゾ
ニトリル、蟻酸、酢酸、プロピオン駿等を挙げることが
できる。これらは単独で用いても良いし、２種以上の混
合物として用いてもよい。これらの有機溶剤を水と混合
するときは１：９９〜９９：　１の重量比て相溶する範
回で用いるのがが好ましい。特に好ましい有機溶剤はメ
タノール、エタノール、アセトンであり、単独で用いる
か水と重量比て９９：１〜９０：１０が好ましい。

（実施例） 以下に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。

失透」引上 厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
上に塩化ビニリデン樹脂（サランＲ２０２：旭化成側製
商品名）４ｇをジクロルメタン６９６ｇとシクロへキサ
ノン３００ｇの混合溶媒に溶解した溶液を押しだしホッ
パーを用いて塗布し１００℃で乾燥した。この下塗層の
膜厚は０．　４μｍであった。その後、この層の上に９
７ｇのアセトニトリル中に３ｇのヨウ化第−銅と０．３
ｇのイソシアネート化合物（コロネート上１日本ポリウ
レタン■製商品名）を含む溶液を乾燥後の重量が０．３
ｇ／ｍ２になるように塗布し１００℃で乾燥した。この
溶液は下塗層に吸収され、主に下塗層の上層部にヨウ化
第−鋼の微粒子物の層ができていた。この導電性層の表
面抵抗をＬｏｒｅｓｔａ　　ＭＣＰ−ＴＥＳＴＥＲ（三
菱油化（■製）でＪＪ定した結果、９．３Ｘ１０３Ω／
口であフた。

また波長６５０ｎｍでの光透過率は７８％てあった。

一方厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム（仮支持体）上に次の組成の溶液を乾燥膜厚が２５μ
ｍとなるように塗布し感光性レジスト層を形成した。

メチルメタクリレート／メタ　　　　　１５ｇクリル酸
／ベンジルメタク リレート／２−エチルヘキ シルアクリレート共重合体 （モル比：　５０／２３／７／２５） ポリプロピレングリコール　　　　　５．５ｇ（分子量
＃７００）ジアク リレート ポリエチレングリコール（分　　　　２・　５ｇ子量勾
２００）ジメタクリ レート ビス−（４−ジエチルアミノ）　　　０．０４ｇベンゾ
フェノン ベンゾフェノン　　　　　　　　　　０．５ｇフェニル
トリブロモメチルス　　　０．１５ｇルホン ｐ−）ルエンスルホンアミド　　　　１．５ｇロイコク
リスタルバイオレット　　　０．２ｇマラカイトグリー
ン　　　　　　０．００１ｇ１−フェニル−３−モルホ
リ　　０．００１ｇツメチル−１，３，４−） リアゾール−２−チオン メチルセロソルブ　　　　　　　　　　１５ｇメチルエ
チルケトン　　　　　　　　　１０ｇホットロールラミ
ネーターを用い加熱しつつ加圧下て感光性レジスト層と
透明導電性層が接するように重ねながら二つのフィルム
を積層したＣ　感光性レジスト層は透明導電層と良好な
密着性を示し、両Ｎ間への空気の巻き込みは認められな
かった。仮支持体の２５μｍ厚ポリエチレンテレフタレ
ートフィルム側に電極パターンを担持したフォトマスク
を重ね超高圧水銀灯下で焼き付けた。２０分後に仮支持
体を剥し、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液中に浸漬し
て未露光のレジスト部を溶解し、水洗した後で、３０重
量％のヨウ化カリウム水溶液中に浸漬してレジストに覆
われていない部分のヨウ化第−銅を溶解した。最後にエ
タノール中にこのフィルムを浸漬し残留するレジストを
剥離した。こうして得られた導電性層の電極パターンは
３０μｍの解像力を持フており、導電性層の光透過率と
導電性もこれらのパターン化処理前後で変化ないことが
分かった。

Ｘ施■ユ エツチング液として３０重量％のヨウ化カリウムの代わ
りに３０重量％のヨウ化ナトリウムを月いたこと以外は
実施例１と同様にしてパターン化した導電性層を有する
フィルムを得た。このパターンの解像力、光透過率、導
電性も良好であった。

尖立土ユ エツチング液として３０重量％のヨウ化カリウムの代わ
りに３０重量％のヨウ化アンモニウムを用いたこと以外
は実施例１と同様にしてパターン化した導電性層を有す
るフィルムを得た。このパターンの解像力、光透過率、
導電性も良好であった。

塞遍ｌ肚ユ 剥離液としてエタノールの代わりにメタノールを用いた
こと以外は実施例１と同様にしてパターン化した導電性
層を有するフィルムを得た。このパターンの解像力、光
透過率、導電性も良好であった。

実温１１旦 剥離液としてエタノールの代わりにアセトンを用いたこ
と以外は実施例１と同様にしてパターン化した導電性層
を有するフィルムを得た。このパターンの解像力、光透
過率、導電性も良好であった。

大尉１」旦 厚さ１００　／１ＩＴＩのポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、塩化ビニリデン／メチルアクリレート／
イタコン酸を８４：　　１１：　６　（モル比）で共重
合して得た樹脂４ｇを塩化メチレン７００ｇ、シクロへ
キサノン３００ｇの混合溶媒に溶解した溶液を塗布して
Ｏ９°４μｍの下塗層を設けた。この層の上に、ヨウ化
第−銅３ｇを含む９７ｇのアセトニトリルとの溶液を乾
燥重電が０．３ｇ／ｍ”になるように塗布して１００℃
で乾燥した。この導電性皮膜の表面抵抗をＬｏｒｅｓｔ
ａ　　ＭＣＰ−ＴＥＳＴＥＲで測定した結果、？、８Ｘ
１０３Ω／口であった。また５５０ｎｍでの光透過率は
７８％であった。この導電性層の上に実施例１と同様に
して感光性レジスト層とポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを設けた。この積層体を実施例１と同様に処理す
ることにより透明な導電性の電極パターンを得ることが
できた。

比Ｊし１上 剥離液として実施例１のエタノールの代わりに３％水酸
化ナトリウムを用いたところレジストは剥離できたがレ
ジストにより覆われていた導電性層の部分が黄色く変色
すると共に導電性が認められなかった。これは３％水酸
化ナトリウム水溶液処理により導電性層が分解したこと
を示している。

■較■ユ 剥離液として実施例１のエタノールの代わりに塩化メチ
レンを用いたところレジストは剥離できたがレジストに
より覆われていた導電性層の部分の導電性が認められな
かった。これは３％水酸化ナトリウム水溶液処理により
導電性層が分解したことを示している。

ル較叢旦 厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
上に塩化ビニリデン樹脂（サランＲ２０２：旭化成■製
商品名）４ｇをジクロルメタン６９６ｇとシクロへキサ
ノン３００ｇの混合溶媒に溶解した溶液を押しだしホッ
パーを用いて塗布し１００℃で乾燥した。この下塗層の
膜厚は０３４μｍであった。その後、この層の上に９７
ｇのアセトニトリル中に３ｇのヨウ化第−銅と０．３ｇ
のイソシアネート化合物（コロネートＬ：日本ポリウレ
タン■製商品名）を含む溶液を乾燥後の重量が０．　３
−ｇ／ｒｎ′になるように塗布し１００℃で乾燥した。

この溶液は下塗層に吸収され、主に下塗層の上層部にヨ
ウ化第−銅の微粒子物の層ができていた。この導電性層
の表面抵抗をＬｏｒｅｓｔａ　　ＭＣＰ−ＴＥＳＴＥＲ
（三菱油化■製）で測定した結果、９．３Ｘ１０３Ω／
口であった。

また波長５５０ｎｍでの光透過率は７８％であった。

このフィルムに特開昭６１−２０８０４７号明細書の実
施例１に記載の感光性フィルムレジスト（デュポン社製
、リストン３４１０’）をラミネートし、フォトマスク
を通して露光した。希薄アルカリ水溶液で非露光部分を
溶解除去したのち、０゜５重量％硫酸水溶液（２５℃）
を用いて酸処理を行った。この後、２５体積％塩酸水溶
液（２５℃）でエツチングした。乾燥後ジクロルエタン
でレジスト剤を剥離した。導電性の皮膜が溶解し、導電
性が認められなかった。

之較玉ユ 厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
上に塩化ビニリデン樹脂（サランＲ２０２；旭化成■製
商品名）４ｇをジクロルメタン６９６ｇとシクロへキサ
ノン３００ｇの混合溶媒に溶解した溶液を押しだしホッ
パーを用いて塗布し１００°Ｃで乾燥した。この下塗層
の膜厚は０．４μｍであった。その後、この層の上に９
７ｇのアセトニトリル中に３ｇのヨウ化第−銅と０．３
ｇのイソシアネート化合物（コロネートＬ二日本ポリウ
レタン■製商品名）を含む溶液を乾燥後の重量が０．３
ｇ／イになるように塗布し１００℃で乾燥した。この溶
液は下塗層に吸収され、主に下塗層の上層部にヨウ化第
−銅の微粒子物の層ができていた。この導電性層の表面
抵抗をＬｏｒｅｓｔａ　　ＭＣＰ−ＴＥＳＴＥＲ（三菱
油化■製）で測定した結果、９゜３Ｘ１０３　Ω／口て
あフた。

また波長！５５０ｎｍでの光透過率は７８％であった。

このフィルムに特開昭６２−７ｔ５６３２号明細書に記
載の下記レジスト層塗工液をアプリケーターで塗布し乾
燥し、厚み１５μｍのレジスト層を積層した。

ポリ（メタクリル酸メチル／　　　　５０ｇアクリル酸
）（７５／２６ ｗｔ％） トリメチロールプロパントリ　　　　３０ｇアクリレー
ト ベンゾフェノン　　　　　　　　　０．５ｇミヒラーの
ケトン　　　　　　　０．０６ｇビクトリアブルー　　
　　　　　０．０３ｇメチルエチルケトン　　　　　　
　　２０ｇテトラヒドロフラン　　　　　　　　３０ｇ
更に上から厚み２５μｍのポリエチレングリコールテレ
フタレートフィルムをラミネートして感光性レジスト積
層体を得た。

これにフォトマスクを通してＵＶ露光後ラミネートフィ
ルムを除去し、４０℃で１％炭酸ナトリウム水溶液で現
像した。塩酸エツチング液で処理後水酸化ナトリウム水
溶液でレジストを除去する処理をしたら、導電性部分も
剥がれてしまった。

（発明の効果） 本発明の透明導電性フィルム積層体を用いて得られる導
電性皮膜は経時による化合物半導体の好ましくない結晶
化が抑制され、透明性及び導電性が長期にわたり安定し
ていることはもとより、電子写真等の多層構造形態での
応用に際し、優れた耐有機溶剤性、上層との密着性をも
具備した安定性の高い導電性皮膜である。

また本発明の方法により、安価で高精度な透明導電性皮
膜のパターン化が可能となる。

本発明の方法は、薄型液晶ディスプレーの透明電極、分
散型ＥＬの透明電極、タッチパネルの透明電極、透明ヒ
ーター、熱線シールド等に幅広く用いることができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体、下塗層及び該下塗層上に化合物半導体と
   樹脂前駆体を含有する溶液を塗布することにより形成さ
   れた透明導電性層からなる導電性フィルム積層体上に、
   アルカリ現像可能な感光性レジスト層及び透明で剥離可
   能な仮支持体を有する感光性積層体を積層したことを特
   徴とする透明導電性フィルム積層体。
2. （２）請求項（１）に記載の透明導電性フィルム積層体
   を用いた、下記工程より成ることを特徴とする透明導電
   性パターンの形成方法。 （ａ）所望のパターンを有するフォトマスクを通して該
   仮支持体側または該支持体側から活性光線で露光する工
   程、 （ｂ）該仮支持体を剥離除去した後、該レジスト層の未
   露光部を除去する工程、 （ｃ）該露光部のレジスト層に覆われていない該透明導
   電層を、実質的に該レジスト層に影響を与えない処理液
   により除去する工程、 （ｄ）該透明導電層により形成されたパターンに実質的
   に影響を与えない処理液により、該残留するレジスト層
   を除去する工程。