JPH02307809A - 酸化物超電導膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導膜の製造方法Info
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- JPH02307809A JPH02307809A JP1126849A JP12684989A JPH02307809A JP H02307809 A JPH02307809 A JP H02307809A JP 1126849 A JP1126849 A JP 1126849A JP 12684989 A JP12684989 A JP 12684989A JP H02307809 A JPH02307809 A JP H02307809A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、酸化物超電導膜の製造方法に関するもので
、特に、レーザ蒸着法を用いる酸化物超電導膜の製造方
法に関するものである。
、特に、レーザ蒸着法を用いる酸化物超電導膜の製造方
法に関するものである。
[従来の技術]
酸化物超電導物質を導体材料として使用可能とするため
の一手段として、酸化物超電導膜を基材上に形成した状
態とすることが行なわれている。
の一手段として、酸化物超電導膜を基材上に形成した状
態とすることが行なわれている。
このような基材上への酸化物超電導膜の形成には種々の
方法が提案されているが、それらの方法のうち、酸化物
超電導膜に対して臨界電流密度の高い値が得られている
のは、気相法によるもので、この気相法には、スパッタ
、真空蒸着、レーザを用いる蒸着、CVD、等の方法が
ある。このうち、レーザを用いる蒸告法、すなわちレー
ザ蒸着法は、成膜速度が速いという利点を有するととも
に、圧力の高い雰囲気で膜生成を行なうことができるの
で、特に臨界電流密度の高い酸化物超電導膜の製造に適
している。
方法が提案されているが、それらの方法のうち、酸化物
超電導膜に対して臨界電流密度の高い値が得られている
のは、気相法によるもので、この気相法には、スパッタ
、真空蒸着、レーザを用いる蒸着、CVD、等の方法が
ある。このうち、レーザを用いる蒸告法、すなわちレー
ザ蒸着法は、成膜速度が速いという利点を有するととも
に、圧力の高い雰囲気で膜生成を行なうことができるの
で、特に臨界電流密度の高い酸化物超電導膜の製造に適
している。
さらに、レーザ蒸着法において、これを酸化物超電導膜
の形成に適用したとき、得られた酸化物超電導膜が優れ
た超電導特性を示すのは、特にエキシマレーザを用いた
場合である。従来のエキシマレーザを用いる膜形成法で
は、レーザビーム発生源から放出されたレーザビームは
、球面レンズに通されることによって集光され、ターゲ
ット上に照射されていた。
の形成に適用したとき、得られた酸化物超電導膜が優れ
た超電導特性を示すのは、特にエキシマレーザを用いた
場合である。従来のエキシマレーザを用いる膜形成法で
は、レーザビーム発生源から放出されたレーザビームは
、球面レンズに通されることによって集光され、ターゲ
ット上に照射されていた。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上述した方法では、レーザビームが球面
レンズに通されて集光されるため、このようなレーザビ
ームは、ターゲット上の極めて限られた領域にしか照射
されなかった。その結果、ターゲットに対向して配置さ
れる基材上において、膜厚の点のみならず特性の点にお
いても均一に得られる酸化物超電導膜の面積は、小さく
限られていた。
レンズに通されて集光されるため、このようなレーザビ
ームは、ターゲット上の極めて限られた領域にしか照射
されなかった。その結果、ターゲットに対向して配置さ
れる基材上において、膜厚の点のみならず特性の点にお
いても均一に得られる酸化物超電導膜の面積は、小さく
限られていた。
そこで、この発明は、基材上の比較的大きな面積の領域
にわたって、膜厚の点のみならず特性の点においても均
一な酸化物超電導膜を形成することを可能にする、酸化
物超電導膜の製造方法を提供しようとするものである。
にわたって、膜厚の点のみならず特性の点においても均
一な酸化物超電導膜を形成することを可能にする、酸化
物超電導膜の製造方法を提供しようとするものである。
[課題を解決するための手段]
この発明は、まず、レーザビームを酸化物超電導材料か
らなるターゲットに照射し、ターゲットより飛散した原
子および/または分子を基材上に堆積させるレーザ蒸着
法を用いる、酸化物超電導膜の製造方法に向けられるも
のである。そして、上述した技術的課題を解決するため
、前記レーザビームとして、その断面形状が線状とされ
たものを用いることが特徴である。
らなるターゲットに照射し、ターゲットより飛散した原
子および/または分子を基材上に堆積させるレーザ蒸着
法を用いる、酸化物超電導膜の製造方法に向けられるも
のである。そして、上述した技術的課題を解決するため
、前記レーザビームとして、その断面形状が線状とされ
たものを用いることが特徴である。
上述した線状の断面形状を有するレーザビームを得るた
め、従来の球面レンズに代えて、たとえば、円筒レンズ
が用いられる。
め、従来の球面レンズに代えて、たとえば、円筒レンズ
が用いられる。
この発明では、基材として、長尺の可撓性基材が有利に
用いられる。このような可撓性基材は、たとえば、安定
化ジルコニア、アルミナ、イツトリア、シリカもしくは
チタニアのセラミックス、または、白金、金、銀、アル
ミニウム、ニッケル、ハステロイ、インコネル、インコ
ロイもしくはステンレス鋼の金属材料から構成される。
用いられる。このような可撓性基材は、たとえば、安定
化ジルコニア、アルミナ、イツトリア、シリカもしくは
チタニアのセラミックス、または、白金、金、銀、アル
ミニウム、ニッケル、ハステロイ、インコネル、インコ
ロイもしくはステンレス鋼の金属材料から構成される。
[発明の作用および効果]
この発明によれば、レーザビーム発生源から放出された
、たとえば、エキシマレーザビームを、その断面形状が
線状となるように制御される。このように、断面形状が
線状とされたレーザビームをターゲット上に照射すると
、原子および/また、は分子を気相中に飛散するターゲ
ット上での面積が大きくなり、したがって、基材上にお
いて、膜厚の点のみならず特性の点においても均一に堆
積する酸化物超電導膜の面積を大きくすることができる
る。
、たとえば、エキシマレーザビームを、その断面形状が
線状となるように制御される。このように、断面形状が
線状とされたレーザビームをターゲット上に照射すると
、原子および/また、は分子を気相中に飛散するターゲ
ット上での面積が大きくなり、したがって、基材上にお
いて、膜厚の点のみならず特性の点においても均一に堆
積する酸化物超電導膜の面積を大きくすることができる
る。
それゆえに、この発明は、比較的広い面積にわたって酸
化物超電導膜を形成するとき、または、長尺の基材上に
酸化物超電導膜を形成するとき、有利に適用されること
ができる。
化物超電導膜を形成するとき、または、長尺の基材上に
酸化物超電導膜を形成するとき、有利に適用されること
ができる。
この発明において、基材として、長尺の可撓性基材を用
いると、たとえば、超電導コイル、超電導ケーブル等に
使用される酸化物超電導線材を得ることができる。
いると、たとえば、超電導コイル、超電導ケーブル等に
使用される酸化物超電導線材を得ることができる。
[実施例コ
以下に、この発明にかかる実施例を説明し、続いて比較
例について説明する。
例について説明する。
実施例
第1図には、この発明の実施例を実施するために用いら
れるレーザ蒸着成膜装置の光学系の一部が拡大されて示
されている。第2図には、第1図に一部を示した光学系
を備えるレーザ蒸着成膜装置の概略が示されている。
れるレーザ蒸着成膜装置の光学系の一部が拡大されて示
されている。第2図には、第1図に一部を示した光学系
を備えるレーザ蒸着成膜装置の概略が示されている。
第1図を参照して、レーザビーム発生i(図示せず)か
ら放出された、たとえばエキシマレーザビーム1は、円
筒レンズ2によって集光され、ターゲット3に照射され
る。エキシマレーザビーム1は、その発生原理により、
断面長方形のビームとして外部に放出される。エキシマ
レーザビーム1が、円筒レンズ2を通過したとき、断面
形状が線状とされ、したがって、ターゲット3上に図示
したように、ターゲット3に対して線状の照射部分4を
与える。なお、円筒レンズ2としては、第1図において
、たとえば縦10mmおよび横30mmの大きさのもの
が用いられる。
ら放出された、たとえばエキシマレーザビーム1は、円
筒レンズ2によって集光され、ターゲット3に照射され
る。エキシマレーザビーム1は、その発生原理により、
断面長方形のビームとして外部に放出される。エキシマ
レーザビーム1が、円筒レンズ2を通過したとき、断面
形状が線状とされ、したがって、ターゲット3上に図示
したように、ターゲット3に対して線状の照射部分4を
与える。なお、円筒レンズ2としては、第1図において
、たとえば縦10mmおよび横30mmの大きさのもの
が用いられる。
第2図を参照して、上述した円筒レンズ2を通って集光
されたレーザビーム1がターゲット3に照射されたとき
、ターゲット3から基材5に向かって、破線で示すよう
な領域に、ターゲット3から飛散した原子および/また
は分子、すなわち蒸着粒子の軌跡6が与えられる。この
ような蒸着粒子の軌跡6は、基材5に向かって比較的広
い領域にわたっている。
されたレーザビーム1がターゲット3に照射されたとき
、ターゲット3から基材5に向かって、破線で示すよう
な領域に、ターゲット3から飛散した原子および/また
は分子、すなわち蒸着粒子の軌跡6が与えられる。この
ような蒸着粒子の軌跡6は、基材5に向かって比較的広
い領域にわたっている。
第1図および第2図を参照して説明したレーザ蒸着成膜
装置を用いながら、以下の第1表に示すような成膜条件
で、成膜を行なった。
装置を用いながら、以下の第1表に示すような成膜条件
で、成膜を行なった。
(以下余白)
第1表
なお、基材として、第3図に示すような1010mmX
50の大きさの多結晶YSZ板を用いた。
50の大きさの多結晶YSZ板を用いた。
この基材上に析出した酸化物超電導膜の特性を調べるに
あたり、第3図に示すように、基材を、A。
あたり、第3図に示すように、基材を、A。
B、 C,D、 Eの各領域に5分割し、それぞれ
の臨界温度Tcを測定したところ、以下の第2表に示す
ような結果が得られた。
の臨界温度Tcを測定したところ、以下の第2表に示す
ような結果が得られた。
第2表
比較例
第4図は、この比較例を実施するのに用いたレーザ蒸着
成膜装置を示す第2図に相当の図である。
成膜装置を示す第2図に相当の図である。
エキシマレーザビーム11は、球面レンズ12により集
光され、ターゲット13上に照射される。
光され、ターゲット13上に照射される。
ターゲット13上でのレーザビーム11の照射部分14
は、狭い領域に限られている。したがって、ターゲット
13から基材15に至る蒸着粒子の軌跡16も、狭い範
囲に限られている。
は、狭い領域に限られている。したがって、ターゲット
13から基材15に至る蒸着粒子の軌跡16も、狭い範
囲に限られている。
第4図に示したレーザ蒸着成膜装置を用いながら、前述
した第1表の成膜条件を適用して、同じく前述した第3
図に示すような寸法および形状の基材上に酸化物超電導
膜を形成した。実施例と同様の方法により、基材のA、
B、 C,D、 Eの各部分の臨界温度Tcを
M1定したところ、以下の第3表に示すような結果が得
られた。
した第1表の成膜条件を適用して、同じく前述した第3
図に示すような寸法および形状の基材上に酸化物超電導
膜を形成した。実施例と同様の方法により、基材のA、
B、 C,D、 Eの各部分の臨界温度Tcを
M1定したところ、以下の第3表に示すような結果が得
られた。
第3表
以上の実施例による第2表と比較例による第3表の結果
かられかるように、この発明によれば、広い面積にわた
って、均一な超電導特性を有する酸化物超電導膜が得ら
れている。
かられかるように、この発明によれば、広い面積にわた
って、均一な超電導特性を有する酸化物超電導膜が得ら
れている。
第1図は、この発明の実施例を実施するためのレーザ蒸
着成膜装置に含まれる光学系の一部を拡大して示す斜視
図である。第2図は、第1図に示した光学系を含むレー
ザ蒸着成膜装置の概要を示す正面図である。第3図は、
実施例および比較例において用いた基材を示す平面図で
ある。第4図は、比較例を実施するために用いたレーザ
蒸着成膜装置の概要を示す第2図に相当の図である。 図において、1はレーザビーム、2は円筒レンズ、3は
ターゲット、4は照射部分、5は基材である。 特許出願人 住友電気工業体式会社 第2図 第3図 ニー−50m。−一一二
着成膜装置に含まれる光学系の一部を拡大して示す斜視
図である。第2図は、第1図に示した光学系を含むレー
ザ蒸着成膜装置の概要を示す正面図である。第3図は、
実施例および比較例において用いた基材を示す平面図で
ある。第4図は、比較例を実施するために用いたレーザ
蒸着成膜装置の概要を示す第2図に相当の図である。 図において、1はレーザビーム、2は円筒レンズ、3は
ターゲット、4は照射部分、5は基材である。 特許出願人 住友電気工業体式会社 第2図 第3図 ニー−50m。−一一二
Claims (3)
- (1)レーザビームを酸化物超電導材料からなるターゲ
ットに照射し、ターゲットより飛散した原子および/ま
たは分子を基材上に堆積させるレーザ蒸着法を用いると
ともに、 前記レーザビームとして、その断面形状が線状とされた
ものを用いる、 ことを特徴とする、酸化物超電導膜の製造方法。 - (2)前記基材として、長尺の可撓性基材が用いられる
、請求項1記載の酸化物超電導膜の製造方法。 - (3)前記可撓性基材は、安定化ジルコニア、アルミナ
、イットリア、シリカもしくはチタニアのセラミックス
、または、白金、金、銀、アルミニウム、ニッケル、ハ
ステロイ、インコネル、インコロイもしくはステンレス
鋼の金属材料から構成される、請求項2記載の酸化物超
電導膜の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1126849A JPH02307809A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 酸化物超電導膜の製造方法 |
CA002016354A CA2016354C (en) | 1989-05-19 | 1990-05-09 | Method of fabricating oxide superconducting film |
DE69012422T DE69012422T2 (de) | 1989-05-19 | 1990-05-18 | Methode zur Herstellung eines Oxydsupraleiterfilms. |
EP90109502A EP0398375B1 (en) | 1989-05-19 | 1990-05-18 | Method of fabricating oxide superconducting film |
US07/739,783 US5534489A (en) | 1989-05-19 | 1991-07-31 | Method of fabricating oxide superconducting films by laser deposition |
US08/131,273 US5447910A (en) | 1989-05-19 | 1993-10-04 | Method of fabricating oxide superconducting films by laser deposition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1126849A JPH02307809A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 酸化物超電導膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02307809A true JPH02307809A (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=14945379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1126849A Pending JPH02307809A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 酸化物超電導膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02307809A (ja) |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1126849A patent/JPH02307809A/ja active Pending
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