JPH0230736A - 耐熱性高透磁率合金 - Google Patents
耐熱性高透磁率合金Info
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- JPH0230736A JPH0230736A JP63181088A JP18108888A JPH0230736A JP H0230736 A JPH0230736 A JP H0230736A JP 63181088 A JP63181088 A JP 63181088A JP 18108888 A JP18108888 A JP 18108888A JP H0230736 A JPH0230736 A JP H0230736A
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- JP
- Japan
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- sendust
- high permeability
- heat resistance
- heat
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/14766—Fe-Si based alloys
- H01F1/14791—Fe-Si-Al based alloys, e.g. Sendust
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Dispersion Chemistry (AREA)
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- Magnetic Heads (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は耐熱性を改善したセンゲスト系の高透磁率合金
に関するものである。
に関するものである。
〔従来の技術］
従来磁気へラドコア用の材料として、パーマロイ、フェ
ライト等が使用されてきたが、磁気記録の高密度化に伴
い、記録媒体の高保磁力化に対応できる飽和磁束密度の
高い金属磁性膜が要求されている。そしてセンダストは
その条件を満たし、現在様々な磁気ヘッドに利用されて
いる。一方、磁気ヘッドとして広い帯域の信号を扱う用
途では、電気抵抗が低いバルクタイプでは不都合となり
、膜の状態にして、これを単層のまま、あるいは積層し
て、あるいはフェライトブロックと組み合わせて用いら
れるようになった。
ライト等が使用されてきたが、磁気記録の高密度化に伴
い、記録媒体の高保磁力化に対応できる飽和磁束密度の
高い金属磁性膜が要求されている。そしてセンダストは
その条件を満たし、現在様々な磁気ヘッドに利用されて
いる。一方、磁気ヘッドとして広い帯域の信号を扱う用
途では、電気抵抗が低いバルクタイプでは不都合となり
、膜の状態にして、これを単層のまま、あるいは積層し
て、あるいはフェライトブロックと組み合わせて用いら
れるようになった。
しかし、薄膜化したセンダスト合金を使用した磁気ヘッ
ドを製造する場合、磁気コアを低融点ガラスで融着して
いるためどうしても熱履歴を加えなければならない、ま
た、低融点ガラスの耐久性はその融着温度が高いほどよ
く、本来であれば７００〜８００℃で融着する低融点ガ
ラスを使用することが磁気ヘッドの耐湿性や耐食性とい
った信頼性を確保するために重要である。
ドを製造する場合、磁気コアを低融点ガラスで融着して
いるためどうしても熱履歴を加えなければならない、ま
た、低融点ガラスの耐久性はその融着温度が高いほどよ
く、本来であれば７００〜８００℃で融着する低融点ガ
ラスを使用することが磁気ヘッドの耐湿性や耐食性とい
った信頼性を確保するために重要である。
しかし、センダスト合金の耐熱性は磁気特性を確保する
ための熱処理温度（５５０〜６００℃）以上の熱履歴を
加えると磁気特性は劣化してしまう、したがって、どう
しても６００℃程度の低融点ガラスを使用しなければな
らず磁気ヘッドの信頼性を低下させていた。
ための熱処理温度（５５０〜６００℃）以上の熱履歴を
加えると磁気特性は劣化してしまう、したがって、どう
しても６００℃程度の低融点ガラスを使用しなければな
らず磁気ヘッドの信頼性を低下させていた。
［課題を解決するための手段］
本発明の耐熱性高透磁率合金は、Ｓｉ８〜１２ｗｔ％、
Ａｌ４〜７ｗｔ％、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｉｒ
、Ｚｒよりなる群の少なくとも１種０．０５〜２ｗｔ％
、残部Ｆｅとしたことを特徴とする。これは０．５ｗｔ
％以下では、耐熱性の向上が見られないこと、２ｗｔ％
以上では、磁気特性が劣化してしまい磁気膜として機能
しなくなるためである。
Ａｌ４〜７ｗｔ％、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｉｒ
、Ｚｒよりなる群の少なくとも１種０．０５〜２ｗｔ％
、残部Ｆｅとしたことを特徴とする。これは０．５ｗｔ
％以下では、耐熱性の向上が見られないこと、２ｗｔ％
以上では、磁気特性が劣化してしまい磁気膜として機能
しなくなるためである。
［実 施 例］
センダストの薄膜を形成し、その磁気特性、組成、耐熱
性を測定した。薄膜を形成した基板はチタン酸カルシウ
ムである。薄膜成膜装置はＤＣマグネトロンスパッタで
、スパッタレートを１０００人／ｍｉｎで一定とし、膜
厚３μｍとなるよう成膜した。ターゲットは３ＮＦｅに
Ｓｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｉ ｒ、Ｚ
ｒのチップをそれぞれのせて組成を変化させた。磁気特
性はＶＳＭ、組成はＸ線マイクロアナライザーで測定し
た。
性を測定した。薄膜を形成した基板はチタン酸カルシウ
ムである。薄膜成膜装置はＤＣマグネトロンスパッタで
、スパッタレートを１０００人／ｍｉｎで一定とし、膜
厚３μｍとなるよう成膜した。ターゲットは３ＮＦｅに
Ｓｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｉ ｒ、Ｚ
ｒのチップをそれぞれのせて組成を変化させた。磁気特
性はＶＳＭ、組成はＸ線マイクロアナライザーで測定し
た。
第１表（ａ）、（ｂ）はＳｉ：１１ｗｔ％、Ａｌ：６ｗ
ｔ％としたときに、ＷとＴａをそれぞれ表に示した量を
添加したものである。磁気特性が劣化し始める温度を耐
熱温度、その温度での磁気特性を通常のセンダスト合金
と比較して良好な場合０、同等の場合○、劣る場合×と
した。
ｔ％としたときに、ＷとＴａをそれぞれ表に示した量を
添加したものである。磁気特性が劣化し始める温度を耐
熱温度、その温度での磁気特性を通常のセンダスト合金
と比較して良好な場合０、同等の場合○、劣る場合×と
した。
判定は、耐熱温度が６５０℃以上で、磁気特性が通常の
センダストと同等であれば○、それ以上であれば０．そ
れ以下はＸとした。
センダストと同等であれば○、それ以上であれば０．そ
れ以下はＸとした。
第１表（ａ）、（ｂ）からＷ、Ｔａとも添加量で０．５
〜２ｗｔ％で良好な結果が得られている。
〜２ｗｔ％で良好な結果が得られている。
また、添加量が０．５ｗｔ％以下であると、磁気特性は
変化しないが耐熱性が向上しない。
変化しないが耐熱性が向上しない。
添加量による耐熱温度の変化は、添加量が増すにしたが
い、磁気特性が劣化する温度は向上するが、その磁気特
性が磁性膜として機能しない悪いものとなってしまう。
い、磁気特性が劣化する温度は向上するが、その磁気特
性が磁性膜として機能しない悪いものとなってしまう。
第１表（ａ）
単位（ｗｔ％）
第１表（ｂ）
れぞれ表に示した添加量としたものである。
第２表（ａ）、（ｂ）からもＺｒ、Ｒｅ、Ｎｂを２ｗｔ
％以下で良好な耐熱性と磁気特性をもった薄膜が得られ
た。
％以下で良好な耐熱性と磁気特性をもった薄膜が得られ
た。
第３表（ａ）、 （ｂ）はＳｉ：１２ｗｔ％、Ａｌニ
アｗｔ％とし、Ｔａを１ｗｔ％、さらにＭｏ、Ｉｒを０
．５〜２ｗｔ％添加した組成である。
アｗｔ％とし、Ｔａを１ｗｔ％、さらにＭｏ、Ｉｒを０
．５〜２ｗｔ％添加した組成である。
これらの結果からＷ、Ｒｅ、−Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｉｒ
、Ｚｒの元素の群の中から少なくとも１種類以上の元素
を２ ｗ ｔ％以下で添加することによって耐熱性が向
上していることがわかる。
、Ｚｒの元素の群の中から少なくとも１種類以上の元素
を２ ｗ ｔ％以下で添加することによって耐熱性が向
上していることがわかる。
本実施例は薄膜作成装置としてスパッタを選択したが、
蒸着での薄膜作成も可能である。
蒸着での薄膜作成も可能である。
また、薄膜ばかりでなく、バルク材料としても薄膜と同
様の結果が期待できる。
様の結果が期待できる。
第２表（ａ）、（ｂ）はＳｉ：８ｗｔ％、Ａｌ：４ｗｔ
％としたときに、Ｚｒ、 Ｒｅ、Ｎｂをそ 第２表 （ａ） 単位 （ｗｔ％） 第３表 （ａ） 単位 （ｗｔ％） 第２表（ｂ） 第３表 （ｂ） 〔発明の効果〕 上記のごとく本発明によれば、Ｓｉ８〜１２ｗｔ ％、
Ａｌ４〜７ｗｔ ％、 Ｗ、 Ｒｅ、 Ｔａ 、
Ｍｏ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｚｒよりなる群の少なくとも１種０
．５〜２ｗｔ％、残部Ｆｅとしたことにより、従来から
の課題であった。センダスト薄膜の耐熱性を向上させる
ことができるばかりでなく、耐熱温度を添加量によって
制御できるという効果を有する。
％としたときに、Ｚｒ、 Ｒｅ、Ｎｂをそ 第２表 （ａ） 単位 （ｗｔ％） 第３表 （ａ） 単位 （ｗｔ％） 第２表（ｂ） 第３表 （ｂ） 〔発明の効果〕 上記のごとく本発明によれば、Ｓｉ８〜１２ｗｔ ％、
Ａｌ４〜７ｗｔ ％、 Ｗ、 Ｒｅ、 Ｔａ 、
Ｍｏ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｚｒよりなる群の少なくとも１種０
．５〜２ｗｔ％、残部Ｆｅとしたことにより、従来から
の課題であった。センダスト薄膜の耐熱性を向上させる
ことができるばかりでなく、耐熱温度を添加量によって
制御できるという効果を有する。
また、本゛発明による耐熱性高透磁率合金を磁気ヘッド
に用いることにより、ガラス融着温度を高くすることが
可能となり、信頼性の高い低融点ガラスを使用すること
ができる。その結果、磁気ヘッドとしての耐湿性、耐食
性といった信頼性を向上させることができる。
に用いることにより、ガラス融着温度を高くすることが
可能となり、信頼性の高い低融点ガラスを使用すること
ができる。その結果、磁気ヘッドとしての耐湿性、耐食
性といった信頼性を向上させることができる。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- Ｓｉ８〜１２ｗｔ％、Ａｌ４〜７ｗｔ％、Ｗ、Ｒｅ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｉｒ、Ｚｒよりなる群の少なくとも１
種０．０５〜２ｗｔ％、残部Ｆｅよりなる耐熱性高透磁
率合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181088A JPH0230736A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 耐熱性高透磁率合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181088A JPH0230736A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 耐熱性高透磁率合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230736A true JPH0230736A (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=16094612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63181088A Pending JPH0230736A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 耐熱性高透磁率合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230736A (ja) |
-
1988
- 1988-07-20 JP JP63181088A patent/JPH0230736A/ja active Pending
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