JPS62290845A - 軟磁性薄膜用材料 - Google Patents
軟磁性薄膜用材料Info
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- JPS62290845A JPS62290845A JP13196286A JP13196286A JPS62290845A JP S62290845 A JPS62290845 A JP S62290845A JP 13196286 A JP13196286 A JP 13196286A JP 13196286 A JP13196286 A JP 13196286A JP S62290845 A JPS62290845 A JP S62290845A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドあるいは強磁性薄膜抵抗素子2
例えば磁気スイッチ、各種検出器等に用いられるFe−
8i−At系合金からなる軟磁性薄膜用材料に関し、特
に機械的強度、磁気特性ならびに磁気ヘッドに用いら几
るときの耐摩耗性全改良した軟磁性薄膜用材料に関する
。
例えば磁気スイッチ、各種検出器等に用いられるFe−
8i−At系合金からなる軟磁性薄膜用材料に関し、特
に機械的強度、磁気特性ならびに磁気ヘッドに用いら几
るときの耐摩耗性全改良した軟磁性薄膜用材料に関する
。
近年、磁気応用分野でけ磁心の小型化、高周波化、高密
度化の傾向にあり、特に磁気記録分野では高記録密度化
に伴い、狭トランク、短波長、高周波帯域の方向にある
。例えば、8ミリVTR,固定ヘッド型デジタルオーデ
ィオ、 PCM。
度化の傾向にあり、特に磁気記録分野では高記録密度化
に伴い、狭トランク、短波長、高周波帯域の方向にある
。例えば、8ミリVTR,固定ヘッド型デジタルオーデ
ィオ、 PCM。
垂直磁気記録分野等において狭トラツク、短波長、高周
波帯域の方向に進んでいる。
波帯域の方向に進んでいる。
磁性素子の小型化、高周波化に対しては、軟磁性材料の
薄板、薄帯が利用されつつあるが。
薄板、薄帯が利用されつつあるが。
これらは十分に対応できる材料であるとはいえない。そ
こで注目されているのがスパッタ法。
こで注目されているのがスパッタ法。
蒸着法、メッキ法等により製造される軟磁性薄膜である
。この薄膜は低周波領域では保磁力。
。この薄膜は低周波領域では保磁力。
透磁率の点で劣るが、その形状の有利さから高周波領域
では格段に優れている。軟磁性薄膜は。
では格段に優れている。軟磁性薄膜は。
電気抵抗の低い金属材料に特有のうず電流損失金著しく
低減することが可能であるために、高周波帯域における
透磁率の低下をおさえることができるからである。
低減することが可能であるために、高周波帯域における
透磁率の低下をおさえることができるからである。
一般に、薄膜材料は薄膜磁性素子の主要溝底要素でちり
、その中でも軟磁性薄膜は磁性素子の性能を決定するも
のである。これには、 Ni −Fe系合金、Fe−3
i−AL系合金、さらにはアモルファス系磁性薄膜が試
作、検討されている。
、その中でも軟磁性薄膜は磁性素子の性能を決定するも
のである。これには、 Ni −Fe系合金、Fe−3
i−AL系合金、さらにはアモルファス系磁性薄膜が試
作、検討されている。
しかし、上記軟磁性薄膜用材料にはそれぞれ一長一短が
ちシ、これまでの実例では必ずしも満足のできる結果が
得られていない。なかでも。
ちシ、これまでの実例では必ずしも満足のできる結果が
得られていない。なかでも。
Fe−3i−AL系合金は、媒体の高抗磁力化に対応で
きる飽和磁束密度の高い材料として期待されているにも
かかわらず、透磁率、耐摩耗性の点に問題がある。また
2本合金は機械的強度は高いが、薄膜素子、特に薄膜ヘ
ッドとして用いる場合には膜形成後に微細加工を施す必
要があり。
きる飽和磁束密度の高い材料として期待されているにも
かかわらず、透磁率、耐摩耗性の点に問題がある。また
2本合金は機械的強度は高いが、薄膜素子、特に薄膜ヘ
ッドとして用いる場合には膜形成後に微細加工を施す必
要があり。
且つ、取り扱いの容易さ、加工の容易さ全向上させるた
めに、より一層機械的強度全高くする必要がある。
めに、より一層機械的強度全高くする必要がある。
上記問題点および課題を解消し得る軟磁性薄膜用材料が
実現できれば、薄膜磁性素子、特に薄膜磁気ヘッドの実
用化に大きく貢献できるものである。
実現できれば、薄膜磁性素子、特に薄膜磁気ヘッドの実
用化に大きく貢献できるものである。
そこで2本発明の目的は上記問題点に鑑み。
透磁率が高く、耐摩耗性に優れ、しかも機械的強度の高
い軟磁性薄膜用材料全提供することにある。
い軟磁性薄膜用材料全提供することにある。
本発明によれば2重量比で、4〜12チのSi。
3〜8%のAt、 0.01〜2%のC全台み、残部
をFeとする合金組成を有する軟磁性薄膜用材料が得ら
れる。(以下2重量%を単にチで示す。)すなわち軟磁
性薄膜用材料として、Fe−3i−At合金に0.01
〜2%のc2添加することにより、透磁率、耐摩耗性1
機械的強度全大きく向上させることができる。
をFeとする合金組成を有する軟磁性薄膜用材料が得ら
れる。(以下2重量%を単にチで示す。)すなわち軟磁
性薄膜用材料として、Fe−3i−At合金に0.01
〜2%のc2添加することにより、透磁率、耐摩耗性1
機械的強度全大きく向上させることができる。
Cの添加量が0.01%未満ではその効果が明確でなく
、また、2%金越えて添加しても耐摩耗性2機械的強度
の飛躍的な向上は認められず2透磁率は低下する。一方
、 Stの量、 Atの量はそれぞれ9〜11%、
5〜7チの範囲で透磁率が高くなるので、この組成範囲
がより好ましい。
、また、2%金越えて添加しても耐摩耗性2機械的強度
の飛躍的な向上は認められず2透磁率は低下する。一方
、 Stの量、 Atの量はそれぞれ9〜11%、
5〜7チの範囲で透磁率が高くなるので、この組成範囲
がより好ましい。
また2本発明の軟磁性薄膜を製造する方法は特に規定し
ないが、スパッタ法、蒸着法、メッキ法等により任意に
選択できる。
ないが、スパッタ法、蒸着法、メッキ法等により任意に
選択できる。
本発明をスパッタ法を用いた実施例により詳しく説明す
る。
る。
第1の実施例は、基板として5α四方のポリイミドフィ
ルムおよびガラス全周い、これらの上にそれぞれスパッ
タ法により表−1に示した組成の合金を厚さ3μm被着
した。なおCの添加効果を明確にするために、Si量は
10%、 At量は6%と一定にし、Cの添加量は0
.005〜2.5チとした。スパッタに用いたターゲッ
トはスパッタ時の組成ずれ全考慮して、Si量およびA
t量はそれぞれ】1%および7.2%とし、C量は膜組
成の1.3〜2倍に相当する量とした。
ルムおよびガラス全周い、これらの上にそれぞれスパッ
タ法により表−1に示した組成の合金を厚さ3μm被着
した。なおCの添加効果を明確にするために、Si量は
10%、 At量は6%と一定にし、Cの添加量は0
.005〜2.5チとした。スパッタに用いたターゲッ
トはスパッタ時の組成ずれ全考慮して、Si量およびA
t量はそれぞれ】1%および7.2%とし、C量は膜組
成の1.3〜2倍に相当する量とした。
また、スパッタ膜の組織観察により第2相の析出は認め
られなかった。さら【て、CはFe−8i−At体心立
方格子の格子間位置に存在していることが確認された。
られなかった。さら【て、CはFe−8i−At体心立
方格子の格子間位置に存在していることが確認された。
膜形底抜合金組成に応じた所定の熱処理を施し以下の試
、験に供した。熱処理時の雰囲気は真空中としたが、不
活性雰囲気中でもよい。但し、水素雰囲気中で熱処理す
るときばCが還元され脱Cがおこシ所望のC量全有する
膜が得られない。このときはターゲツト材のC量を上記
の相当量よりも多く添加しておく必要がある。
、験に供した。熱処理時の雰囲気は真空中としたが、不
活性雰囲気中でもよい。但し、水素雰囲気中で熱処理す
るときばCが還元され脱Cがおこシ所望のC量全有する
膜が得られない。このときはターゲツト材のC量を上記
の相当量よりも多く添加しておく必要がある。
ポリイミドフィルム上にスパッタされた膜を用いて、引
張試験を行い2合金膜にクラックが発生するときの強度
全測定した。評価方法は合金Nnlの強度ヲ100とし
て相対評価した。
張試験を行い2合金膜にクラックが発生するときの強度
全測定した。評価方法は合金Nnlの強度ヲ100とし
て相対評価した。
ガラス上にスパッタされた膜を用いて擬似ヘッドを作製
し、耐摩耗性試験に供した。評価方法は合金Nnlの摩
耗量i +00として相対評価した。
し、耐摩耗性試験に供した。評価方法は合金Nnlの摩
耗量i +00として相対評価した。
これらの結果を表−1に示す。この結果より。
Fe−8i、−At合金にCffi O,01%以上添
加することにより2機械的強度および耐摩耗性が向上す
ることがわかる。また、2%を越えて添加しても機械的
強度、耐摩耗性はほとんど変化していないことがわかる
。
加することにより2機械的強度および耐摩耗性が向上す
ることがわかる。また、2%を越えて添加しても機械的
強度、耐摩耗性はほとんど変化していないことがわかる
。
さらに、外径10+aa、内径6B、厚さ0.5−のガ
ラス基板を用いて、これに上述と同一条件で合金膜を3
μm被着した。合金組成に応じた所定の条件で熱処理を
施した後5MHzにおける実効透磁率μθを測定した。
ラス基板を用いて、これに上述と同一条件で合金膜を3
μm被着した。合金組成に応じた所定の条件で熱処理を
施した後5MHzにおける実効透磁率μθを測定した。
この結果を表−1に示す。これより、 C全0.01
%添加すると実効透磁率は約10%向上し、また2%程
度の添加でその効果は飽和している。
%添加すると実効透磁率は約10%向上し、また2%程
度の添加でその効果は飽和している。
表−1
(注)熱処理温度は500〜800°Cとした。
以上のように9本発明による軟磁性薄膜用材料によれば
1機械的強度の大きく、シかも透S率の高い薄膜が実現
される。
1機械的強度の大きく、シかも透S率の高い薄膜が実現
される。
Claims (1)
- 1、重量比で、4〜12%のSi、3〜8%のAl、0
.01〜2%のCを含み、残部をFeからなる軟磁性薄
膜用材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13196286A JPS62290845A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | 軟磁性薄膜用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13196286A JPS62290845A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | 軟磁性薄膜用材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62290845A true JPS62290845A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15070290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13196286A Pending JPS62290845A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | 軟磁性薄膜用材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62290845A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0261030A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁性材料及び磁気ヘッド |
-
1986
- 1986-06-09 JP JP13196286A patent/JPS62290845A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0261030A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁性材料及び磁気ヘッド |
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