JPH02306676A - 光能動性デバイス - Google Patents
光能動性デバイスInfo
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- JPH02306676A JPH02306676A JP12847989A JP12847989A JPH02306676A JP H02306676 A JPH02306676 A JP H02306676A JP 12847989 A JP12847989 A JP 12847989A JP 12847989 A JP12847989 A JP 12847989A JP H02306676 A JPH02306676 A JP H02306676A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光増幅器、光フアイバレーザ等の光能動素子
として使用される光ファイバ、特には２種以上の希土類
元素を共にドープしたしのを用いた光能動性デバイスに
関する。
として使用される光ファイバ、特には２種以上の希土類
元素を共にドープしたしのを用いた光能動性デバイスに
関する。
く従来の技術〉
現在実用化されている光ファイバ通信ノステムにおいて
は、光ファイバの損失による光信号の減衰を補償するた
めに、所定距離ごとに光中継器か設置されている。この
光中継器では、光信号をフォトタイオード等によって電
気信号に変換して電子増幅器によって信号を増幅した後
、半導体レーザ（ＬＤ）等によって光信号に変換して光
フアイバ（ｉ送路に再び送り出すようになっている。し
かしなから、このような構成の光中継器では、光信号を
一旦電気信号に戻した後、再び光信号に変換ずろ必要が
あるために、光ファイバとの接続損失か多く、さらに、
装置全体が大型化するなどの難点かある。
は、光ファイバの損失による光信号の減衰を補償するた
めに、所定距離ごとに光中継器か設置されている。この
光中継器では、光信号をフォトタイオード等によって電
気信号に変換して電子増幅器によって信号を増幅した後
、半導体レーザ（ＬＤ）等によって光信号に変換して光
フアイバ（ｉ送路に再び送り出すようになっている。し
かしなから、このような構成の光中継器では、光信号を
一旦電気信号に戻した後、再び光信号に変換ずろ必要が
あるために、光ファイバとの接続損失か多く、さらに、
装置全体が大型化するなどの難点かある。
そのため、近年は、誘導放出効果を４１１用した光増幅
器が考えられている。この光増幅器は、第９図に示すよ
うに、？■−の希土類元素（たとえばＥｒ）をドープし
た光ファイバａを用い、この光ファイバａに励起光を入
射してドープした希土類元素を高いエネルギ準位に励起
し、この状態で光ファイバａに信号光を入射させて誘導
放出により信号光のパワーを光ファイバに沿って次第に
増幅するものである。なお、ｂ、は信号光の波長のみを
通過させる入射側フィルタ、ｂ、は信号光の波長のみを
通過させる出射側フィルタである。
器が考えられている。この光増幅器は、第９図に示すよ
うに、？■−の希土類元素（たとえばＥｒ）をドープし
た光ファイバａを用い、この光ファイバａに励起光を入
射してドープした希土類元素を高いエネルギ準位に励起
し、この状態で光ファイバａに信号光を入射させて誘導
放出により信号光のパワーを光ファイバに沿って次第に
増幅するものである。なお、ｂ、は信号光の波長のみを
通過させる入射側フィルタ、ｂ、は信号光の波長のみを
通過させる出射側フィルタである。
この光増幅器を使用すれば、光信号をそのまま増幅でき
るので低雑音であり、また伝送用光ファイバとの結合も
良くて接続損失も少ないばかりか、装置の小型化、低廉
化を図ることができる等の利点を有する。
るので低雑音であり、また伝送用光ファイバとの結合も
良くて接続損失も少ないばかりか、装置の小型化、低廉
化を図ることができる等の利点を有する。
ところで、このような光ファイバとして、たとえば石英
系のものを使用する場合、伝送損失が少ない波長帯は１
．５５μ−近傍にあることが一般に知られており、この
波長の信号光を用いる際には、これに合わせた蛍光特性
をもつ希土類元素を選定する必要がある。このような蛍
光特性をもつ希土類元素としては、Ｅｒ（エルビウム）
が適していることが次第に明らかになってきており、そ
のため、従来技術では、石英系光ファイバのコアまたは
コア、の外周縁部にＥｒをドープしたものが提供されて
いる。
系のものを使用する場合、伝送損失が少ない波長帯は１
．５５μ−近傍にあることが一般に知られており、この
波長の信号光を用いる際には、これに合わせた蛍光特性
をもつ希土類元素を選定する必要がある。このような蛍
光特性をもつ希土類元素としては、Ｅｒ（エルビウム）
が適していることが次第に明らかになってきており、そ
のため、従来技術では、石英系光ファイバのコアまたは
コア、の外周縁部にＥｒをドープしたものが提供されて
いる。
〈発明が解決しようとする課題〉
一方、上記の励起光としては、大出力が得られ、しかし
小型、安価で入手ら容易なものとして０゜、８３μｍ波
長の半導体レーザ（ＬＤ）を使用することか有効である
。
小型、安価で入手ら容易なものとして０゜、８３μｍ波
長の半導体レーザ（ＬＤ）を使用することか有効である
。
ところが、Ｅ「ドープ光ファイバを０．８３μｍの波長
の励起光によりゃ起する場合、励起光の波長とＥｒの吸
収波長とが一致していないために、励起効率を十分に高
めることができない。すなわち、第１０図に示すように
、Ｅｒの吸収は０．５２．０．６４．０．８０．０．９
８、ｌ 、５５ μｔａの各波長を中心に存在しており
、１．５５μｍの信号光に対しては吸収が大きいが、励
起光の０．８３μ−の波長のところでは吸収か少なく、
したがって、励起効率が悪くて蛍光強度や増幅率を高め
るには自と限界がある。
の励起光によりゃ起する場合、励起光の波長とＥｒの吸
収波長とが一致していないために、励起効率を十分に高
めることができない。すなわち、第１０図に示すように
、Ｅｒの吸収は０．５２．０．６４．０．８０．０．９
８、ｌ 、５５ μｔａの各波長を中心に存在しており
、１．５５μｍの信号光に対しては吸収が大きいが、励
起光の０．８３μ−の波長のところでは吸収か少なく、
したがって、励起効率が悪くて蛍光強度や増幅率を高め
るには自と限界がある。
これは、Ｅｒの自然放出光を増幅してレーザ光を得る場
合も同様であって、蛍光波長と励起光の波長とが一致し
ていないために励起効率を十分に向上させることかでき
ない。
合も同様であって、蛍光波長と励起光の波長とが一致し
ていないために励起効率を十分に向上させることかでき
ない。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、光増幅器、光フアイバレーザ等の光能動素子として
誘導放出を利用する先ファイバを用いた先能動性デバイ
スにおいて、従来よりも一層励起効率を向上させるもの
である。
て、光増幅器、光フアイバレーザ等の光能動素子として
誘導放出を利用する先ファイバを用いた先能動性デバイ
スにおいて、従来よりも一層励起効率を向上させるもの
である。
そのため、本発明は、光ファイバは、信号光あるいは自
然放出光の波長域において大きな蛍光特性を与える希土
類元素が、また、前記励起光の波長域において大きな吸
収特性を与える希土類元素がそれぞれ選定されて共にド
ープされていることを特徴としている。
然放出光の波長域において大きな蛍光特性を与える希土
類元素が、また、前記励起光の波長域において大きな吸
収特性を与える希土類元素がそれぞれ選定されて共にド
ープされていることを特徴としている。
〈作用〉
上記構成の光能動性デバイスでは、各種特性を考慮して
複数の希土類元素を共に光ファイバにドープしているの
で、励起光の波長付近での吸収が増して励起効率が向上
し、これに応じて信号光あるいは自然放出光の蛍光に寄
与するため、従来よりも一層蛍光強度や増幅率が高くな
る。
複数の希土類元素を共に光ファイバにドープしているの
で、励起光の波長付近での吸収が増して励起効率が向上
し、これに応じて信号光あるいは自然放出光の蛍光に寄
与するため、従来よりも一層蛍光強度や増幅率が高くな
る。
〈実施例〉
この実施例では、光増幅器の場合について説明する。な
お、ここで使用する光ファイバは、化学的気相堆積法（
Ｍ ＣＶ Ｄ法）、あるいはＶＡＤ法十分子スタッ、フ
ィング法を適用して製作される。
お、ここで使用する光ファイバは、化学的気相堆積法（
Ｍ ＣＶ Ｄ法）、あるいはＶＡＤ法十分子スタッ、フ
ィング法を適用して製作される。
実施例１
この実施例の光能動性デバイスに使用する光ファイバは
、信号光の波長域に応じた蛍光特性を与える希土類元素
としてＥｒ（エルビウム）を、また、励起光の波長域に
応した吸収特性を与える希土類元素としてＹｂ（イッテ
ルビウム）をそれぞれ選定し、石英系ガラスコアまたは
該コアの外周縁部にこれらの希土類元素を共にドープし
、このコアの周囲に屈折率がコアよりも小さいクラッド
を形成して構成されている。
、信号光の波長域に応じた蛍光特性を与える希土類元素
としてＥｒ（エルビウム）を、また、励起光の波長域に
応した吸収特性を与える希土類元素としてＹｂ（イッテ
ルビウム）をそれぞれ選定し、石英系ガラスコアまたは
該コアの外周縁部にこれらの希土類元素を共にドープし
、このコアの周囲に屈折率がコアよりも小さいクラッド
を形成して構成されている。
第１図は、Ｅｒを３４０ｐｐｍ％Ｙｂを３０７０ ｐｐ
ｉ＋それぞれドープした光ファイバについて、０．８３
μ鴎の波長の励起光を入射した際の出射光の分光蛍光特
性を示している。Ｅｒの蛍光が１，５５μ羨に、Ｙｂの
蛍光か！」μｍにそれぞれ表れておリ、Ｅｒが信号光の
波長１．５５μｍに合わせた蛍光特性をもつことが分か
る。
ｉ＋それぞれドープした光ファイバについて、０．８３
μ鴎の波長の励起光を入射した際の出射光の分光蛍光特
性を示している。Ｅｒの蛍光が１，５５μ羨に、Ｙｂの
蛍光か！」μｍにそれぞれ表れておリ、Ｅｒが信号光の
波長１．５５μｍに合わせた蛍光特性をもつことが分か
る。
第２図はＹｂを６０Ｉ）Ｉ）ｍ単独でドープした場合の
光ファイバの分光損失特性を、第３図はＥｒを１１０ｐ
ｐｍ単独でドープした場合（破線）と、Ｅ「を１４０ｐ
Ｉ’ｍ、Ｙｂを３３０ ｐｐｍ共にドープした場合（実
線）の各分光損失特性をそれぞれ示している。ｙｂは波
長０．８〜１．１μｍところに、Ｅｒは０．５８μｍ、
０．９８μｍ１ ・のところにそれぞれ吸収か見られる
か、Ｅｒは励起光の波長０８３μｍのところでは吸収が
小さい。これに対して、ＥｒとＹｂを共にトープした場
合には、両元素の特性を加えた分光損失特性を示し、励
起光の波長０．８３μｌのところでの吸収は比較的大き
な値になっている。このため、励起効率を高めることが
できる。これを確認した結果を第４図に示す。
光ファイバの分光損失特性を、第３図はＥｒを１１０ｐ
ｐｍ単独でドープした場合（破線）と、Ｅ「を１４０ｐ
Ｉ’ｍ、Ｙｂを３３０ ｐｐｍ共にドープした場合（実
線）の各分光損失特性をそれぞれ示している。ｙｂは波
長０．８〜１．１μｍところに、Ｅｒは０．５８μｍ、
０．９８μｍ１ ・のところにそれぞれ吸収か見られる
か、Ｅｒは励起光の波長０８３μｍのところでは吸収が
小さい。これに対して、ＥｒとＹｂを共にトープした場
合には、両元素の特性を加えた分光損失特性を示し、励
起光の波長０．８３μｌのところでの吸収は比較的大き
な値になっている。このため、励起効率を高めることが
できる。これを確認した結果を第４図に示す。
第４図は励起波長を０．８３μｍに設定して入射パワー
を一定としたときのＥｒ単独ドープの場合と、Ｅ「とＹ
ｂを共にドープした場合の自然放出光の波長１５３５μ
Ｉと１５５３μｍでの正規化された蛍ノし強度を調へた
らのである。正規化は入射パワーを一定とし、Ｅｒのみ
単独ドープした場合の波長１５３５μｍの蛍光強度を基
準にしている。同図から明らかなように、Ｅｒ単独トー
プの場合に比較してＹｂを共にＪｆｆｉ）’−プするこ
とにより蛍光強度か大幅に向上していることか理解され
る。このように、Ｅｒに対してＹｂを共にトープするこ
とにより、励起光の波長０．８３μｍ付近の吸収が増し
、そのＹｂの吸収かＥｒの蛍光に寄与′４−るために蛍
光強度の大きい先ファイバを得ることができる。
を一定としたときのＥｒ単独ドープの場合と、Ｅ「とＹ
ｂを共にドープした場合の自然放出光の波長１５３５μ
Ｉと１５５３μｍでの正規化された蛍ノし強度を調へた
らのである。正規化は入射パワーを一定とし、Ｅｒのみ
単独ドープした場合の波長１５３５μｍの蛍光強度を基
準にしている。同図から明らかなように、Ｅｒ単独トー
プの場合に比較してＹｂを共にＪｆｆｉ）’−プするこ
とにより蛍光強度か大幅に向上していることか理解され
る。このように、Ｅｒに対してＹｂを共にトープするこ
とにより、励起光の波長０．８３μｍ付近の吸収が増し
、そのＹｂの吸収かＥｒの蛍光に寄与′４−るために蛍
光強度の大きい先ファイバを得ることができる。
実施例２
この実施例の光能動性デバイスに用いる光ファイバは、
信号光の波長域に応じた蛍光特性を与える希土類元素と
してＥｒ（エルビウム）を、また、励起光の波長域に応
じた吸収特性を与える希土類元素としてＮｄ（ネオジウ
ム）をそれぞれ選定し、石英系ガラスコアまたは該コア
の外周縁部にこれらの希土類元素をノ（にトープし、こ
のコアの周囲に屈折率がコアよく・）ら小さいクラッド
を形成して構成されている。
信号光の波長域に応じた蛍光特性を与える希土類元素と
してＥｒ（エルビウム）を、また、励起光の波長域に応
じた吸収特性を与える希土類元素としてＮｄ（ネオジウ
ム）をそれぞれ選定し、石英系ガラスコアまたは該コア
の外周縁部にこれらの希土類元素をノ（にトープし、こ
のコアの周囲に屈折率がコアよく・）ら小さいクラッド
を形成して構成されている。
第５図は、Ｅｒを５５０ ｐｐｍ、 Ｎｄを３００
ｐｐｍそれぞれドープした光ファイバについて、０．８
３μｍの波長の励起光を入射した際の出射光の分光蛍光
特性を示している。Ｅｒの蛍光が１．５５μｍに、Ｎｄ
の蛍光が０．９４μｍと１．１μｍとにそれぞれ表れて
おり、Ｅｒか信号光の波長１．５５μｍに合わせた蛍光
特性をらっことが分かる。
ｐｐｍそれぞれドープした光ファイバについて、０．８
３μｍの波長の励起光を入射した際の出射光の分光蛍光
特性を示している。Ｅｒの蛍光が１．５５μｍに、Ｎｄ
の蛍光が０．９４μｍと１．１μｍとにそれぞれ表れて
おり、Ｅｒか信号光の波長１．５５μｍに合わせた蛍光
特性をらっことが分かる。
第６図はＮｄを２００ ｐｐｍ単独でドープした場合の
光ファイバの分光損失特性を、第７図はＥ「をＩＱＱＱ
ｐｐｍ単独でドープした場合（破線）と、Ｅ「を１００
０ｐｐｍＳＹｂを２６０ ｐｐｍ共にドープした場合（
実線）の各分光損失特性をそれぞれ示している。Ｎｄは
波長０．５８μｍ１０．８０４７ｚｍところに、Ｅｒは
０．５８ μｒｏ 、 ０．９８ μｍ 、 −のとこ
ろにそれぞれ吸収が見られるが、Ｅｒは励起光の波長０
．８３μｍのところでは吸収が小さい。
光ファイバの分光損失特性を、第７図はＥ「をＩＱＱＱ
ｐｐｍ単独でドープした場合（破線）と、Ｅ「を１００
０ｐｐｍＳＹｂを２６０ ｐｐｍ共にドープした場合（
実線）の各分光損失特性をそれぞれ示している。Ｎｄは
波長０．５８μｍ１０．８０４７ｚｍところに、Ｅｒは
０．５８ μｒｏ 、 ０．９８ μｍ 、 −のとこ
ろにそれぞれ吸収が見られるが、Ｅｒは励起光の波長０
．８３μｍのところでは吸収が小さい。
これに対して、・ＥｒとＮｄを共にドープした場合には
、両元素の特性を加えた分光損失特性を示し、励起光の
波長０８３μｍのところでの吸収は比較的大きな値にな
っている。このため、励起効率を高めることかできる。
、両元素の特性を加えた分光損失特性を示し、励起光の
波長０８３μｍのところでの吸収は比較的大きな値にな
っている。このため、励起効率を高めることかできる。
これを確認した結果を第８図に示す。
第８図は励起波長を０８３μｍに設定して入射パワーを
一定としたときのＥ「単独トープの場合と、ＥｒとＮｄ
を共にドープした場合の信号光の波長１５３５μｍと！
、５５３μｍでの正規化された蛍光強度を凋へたらのて
あ・る。正規化は入射パワーを一定とし、Ｅ［のみ単独
トープした場合の波長１．５３５７ｚｍの蛍光強度を基
準にしている。同図から明らかなように、Ｅｒ単独トー
プの場合に比較してＮｄを」（に適ｍドープすることに
より蛍光強度が向上して”いることが理解される。
一定としたときのＥ「単独トープの場合と、ＥｒとＮｄ
を共にドープした場合の信号光の波長１５３５μｍと！
、５５３μｍでの正規化された蛍光強度を凋へたらのて
あ・る。正規化は入射パワーを一定とし、Ｅ［のみ単独
トープした場合の波長１．５３５７ｚｍの蛍光強度を基
準にしている。同図から明らかなように、Ｅｒ単独トー
プの場合に比較してＮｄを」（に適ｍドープすることに
より蛍光強度が向上して”いることが理解される。
このように、Ｅｒに対してＮｄを共にドープすることに
より、励起光の波長０．８３μｍ付近の吸収か増し、そ
のＮｄの吸収がＥｒの蛍光に寄与するために蛍光強度の
大きい光ファイバを得ることかできる。
より、励起光の波長０．８３μｍ付近の吸収か増し、そ
のＮｄの吸収がＥｒの蛍光に寄与するために蛍光強度の
大きい光ファイバを得ることかできる。
なお、この実施例では、光能動デバイスとして光増幅器
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、光フアイバレーザ等にも本発明を適用す
ることができる。
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、光フアイバレーザ等にも本発明を適用す
ることができる。
〈発明の効果〉
本発明によれば、信号光あるいは自然放出光の波長域に
おいて大きな蛍光特性を与える希土類元素が、また、前
記励起光の波長域において大きな吸収特性を与える希土
類元素がそれぞれ選定されて共にドープされた構成とし
たので、励起光の波長付近での吸収が増して励起効率か
向上し、これに応じて信号光あるいは自然放射光の蛍光
に寄与するため、従来よりも一層蛍光強度や増幅率を高
くすることができる等の優れた効果が発揮される。
おいて大きな蛍光特性を与える希土類元素が、また、前
記励起光の波長域において大きな吸収特性を与える希土
類元素がそれぞれ選定されて共にドープされた構成とし
たので、励起光の波長付近での吸収が増して励起効率か
向上し、これに応じて信号光あるいは自然放射光の蛍光
に寄与するため、従来よりも一層蛍光強度や増幅率を高
くすることができる等の優れた効果が発揮される。
第１図は本発明の実施例に係るＥ「とＹｂを共にドープ
した光ファイバの蛍光特性図、第２図はＹｂ単独ドープ
の光ファイバの分光損失特性図、第３図はＥｒ単独ドー
プしたものとＥ「とＹｂを共にドープした各光ファイバ
の分光損失特性図、第４図はＥ「単独ドープの場合とＥ
ｒにＹｂを共にドープした場合の各光ファイバの蛍光特
性を比較して示す特性図である。また、第５図は本発明
の他の実施例に係るＥ「とＮｄを共にドープした光ファ
イバの蛍光特性図、第６図はＮｄ単独ドープした光ファ
イバの分光損失特性図、第７図はＥ「単独ドープしたも
のとＥｒとＮｄを共にドープした各光ファイバの分光損
失特性図、第８図はＥｒ単独ドープの場合とＥｒにＮｄ
を共にドープした場合の各光ファイバの蛍光特性を比較
して示す特性図である。 第９図は光ファイバを用いた光増幅器の構成図、第１０
図は希土類元素としてＥ「を単独ドープした光ファイバ
の分光損失特性図である。
した光ファイバの蛍光特性図、第２図はＹｂ単独ドープ
の光ファイバの分光損失特性図、第３図はＥｒ単独ドー
プしたものとＥ「とＹｂを共にドープした各光ファイバ
の分光損失特性図、第４図はＥ「単独ドープの場合とＥ
ｒにＹｂを共にドープした場合の各光ファイバの蛍光特
性を比較して示す特性図である。また、第５図は本発明
の他の実施例に係るＥ「とＮｄを共にドープした光ファ
イバの蛍光特性図、第６図はＮｄ単独ドープした光ファ
イバの分光損失特性図、第７図はＥ「単独ドープしたも
のとＥｒとＮｄを共にドープした各光ファイバの分光損
失特性図、第８図はＥｒ単独ドープの場合とＥｒにＮｄ
を共にドープした場合の各光ファイバの蛍光特性を比較
して示す特性図である。 第９図は光ファイバを用いた光増幅器の構成図、第１０
図は希土類元素としてＥ「を単独ドープした光ファイバ
の分光損失特性図である。
Claims (1)
- （１）励起光と該励起光でエネルギ準位を高めて誘導放
出により信号光あるいは自然放出光を増幅する光ファイ
バとを備えた光能動性デバイスにおいて、 前記光ファイバは、信号光あるいは自然放出光の波長域
において大きな蛍光特性を与える希土類元素が、また、
前記励起光の波長域において大きな吸収特性を与える希
土類元素がそれぞれ選定されて共にドープされているこ
とを特徴とする光能動性デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12847989A JPH02306676A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光能動性デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12847989A JPH02306676A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光能動性デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306676A true JPH02306676A (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=14985755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12847989A Pending JPH02306676A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光能動性デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02306676A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60175477A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Hoya Corp | レ−ザ光の増幅装置 |
| JPS63226985A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変光フアイバレ−ザ装置 |
| JPS63260189A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ソリトンフアイバレ−ザ |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP12847989A patent/JPH02306676A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60175477A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Hoya Corp | レ−ザ光の増幅装置 |
| JPS63226985A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変光フアイバレ−ザ装置 |
| JPS63260189A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ソリトンフアイバレ−ザ |
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