JPH02306588A - 薄膜el素子用ターゲット及びその製造法 - Google Patents
薄膜el素子用ターゲット及びその製造法Info
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- JPH02306588A JPH02306588A JP1128413A JP12841389A JPH02306588A JP H02306588 A JPH02306588 A JP H02306588A JP 1128413 A JP1128413 A JP 1128413A JP 12841389 A JP12841389 A JP 12841389A JP H02306588 A JPH02306588 A JP H02306588A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜EL(エレクトロ・ルミネッセンス)素
子の発光層形成のための蒸着用ターゲット及びその製造
法に関する。
子の発光層形成のための蒸着用ターゲット及びその製造
法に関する。
従来より薄膜EL素子のZnSを母体とする発光層を形
成する方法として、ZnSにMn、Cr。
成する方法として、ZnSにMn、Cr。
T’b、Tm、C’e、、S’m等の遷移金属や希土類
元素からなる発光性付活剤を添加した焼結体ターゲット
を蒸発源とした電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等
が用いられている。また、他の方法としてZnS焼結体
ターゲットを蒸発源としてEB蒸着法、スパッタリング
法によって成膜し、同時に、発光性付活元素または発光
性付活元素の化合物を抵抗加熱、EB蒸着法、スパッタ
リング法等で蒸発させる方法もある。
元素からなる発光性付活剤を添加した焼結体ターゲット
を蒸発源とした電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等
が用いられている。また、他の方法としてZnS焼結体
ターゲットを蒸発源としてEB蒸着法、スパッタリング
法によって成膜し、同時に、発光性付活元素または発光
性付活元素の化合物を抵抗加熱、EB蒸着法、スパッタ
リング法等で蒸発させる方法もある。
これらの方法における蒸発源であるターゲットの製造法
としては次のようなものがある。すなわち、まず一般的
にフラックス法と呼ばれている方法によって、ZnSに
例えば所定量のM n2.T 、b等の発光性付活元素
を添加した(発光性付活元素が母体中に十分拡散した)
粉末を得る。発光性付活元素を添加しない場合はこの過
程は省略でき、ZnS粉末をそのまま用いる。この粉末
を細かく粉砕した後、成型するにたる必要最小限の少量
の純水を加えてからプレス機を用いて、円筒状に加圧成
型する。最後に、この円筒状の成型体を高温のAr雰囲
気中等で焼結して焼結体ターゲラi・を得る。
としては次のようなものがある。すなわち、まず一般的
にフラックス法と呼ばれている方法によって、ZnSに
例えば所定量のM n2.T 、b等の発光性付活元素
を添加した(発光性付活元素が母体中に十分拡散した)
粉末を得る。発光性付活元素を添加しない場合はこの過
程は省略でき、ZnS粉末をそのまま用いる。この粉末
を細かく粉砕した後、成型するにたる必要最小限の少量
の純水を加えてからプレス機を用いて、円筒状に加圧成
型する。最後に、この円筒状の成型体を高温のAr雰囲
気中等で焼結して焼結体ターゲラi・を得る。
このようなZnSを母体とし、発光性付活剤を添加した
ターゲットを用いて発光層を成膜しE ’T、素子を作
製する午11.成膜条件等により、EJ、素子の輝度は
多少増加するが大幅な向上が望めない。したがって、明
所でのコントラス1へが低く表示の視認性が悪いという
問題点がある。
ターゲットを用いて発光層を成膜しE ’T、素子を作
製する午11.成膜条件等により、EJ、素子の輝度は
多少増加するが大幅な向上が望めない。したがって、明
所でのコントラス1へが低く表示の視認性が悪いという
問題点がある。
3一
本発明における薄膜EL素子用ターゲットは、゛全体の
組成がZSxOy(ただし、ZはHA族又はII、B族
の元素であり、x+yはほぼ1であり、かつ0.001
≦y≦0.2である)であってZS(Zは」1記と同じ
)に酸素が固溶しているか又はさらに一部のZ(Zは上
記と同じ)が酸化されている母体物質を含んでなるもの
である。
組成がZSxOy(ただし、ZはHA族又はII、B族
の元素であり、x+yはほぼ1であり、かつ0.001
≦y≦0.2である)であってZS(Zは」1記と同じ
)に酸素が固溶しているか又はさらに一部のZ(Zは上
記と同じ)が酸化されている母体物質を含んでなるもの
である。
上記組成において、Zとしては亜鉛、カルシウム、スト
ロンチウム等があるが、亜鉛が特に好ましい。x +
yは1であるか又はこれからずれていてもよい。また、
酸素の量が少ないと該酸素はZSのマI・リツクスに固
溶しており、酸素の量が多゛ いと固溶しているもの以
外に、2に結合しているものがある。また、酸素が少な
すぎても多すぎても、本発明の効果を得ることができな
い。
ロンチウム等があるが、亜鉛が特に好ましい。x +
yは1であるか又はこれからずれていてもよい。また、
酸素の量が少ないと該酸素はZSのマI・リツクスに固
溶しており、酸素の量が多゛ いと固溶しているもの以
外に、2に結合しているものがある。また、酸素が少な
すぎても多すぎても、本発明の効果を得ることができな
い。
このターゲットには、さらに、発光性付活元素が添加(
ドープ)されていてもよい。発光性付活元素としては、
Mn、Cel Tm、Sm等があり、Znに対して0.
00.1〜10モル%添加されているのが好ましい。
ドープ)されていてもよい。発光性付活元素としては、
Mn、Cel Tm、Sm等があり、Znに対して0.
00.1〜10モル%添加されているのが好ましい。
発光性付活元素を含まないターゲットには、発光性付活
元素をあとから添加(ドープ)してもよい。
元素をあとから添加(ドープ)してもよい。
前記ターゲラ1〜は、Z 、n o−+ Z 、n C
O3y Z n5OS、、、CaO,CaCO2,、C
a SO2等のIIA、族又はIIB族の元素の酸化物
、炭酸塩又は硫酸塩を含有する成形体を硫化性雰囲気下
に焼成することにより製造することができる。
O3y Z n5OS、、、CaO,CaCO2,、C
a SO2等のIIA、族又はIIB族の元素の酸化物
、炭酸塩又は硫酸塩を含有する成形体を硫化性雰囲気下
に焼成することにより製造することができる。
上記成形体は、前記酸化物、炭酸塩若しくは硫酸塩をそ
のまま又はこれらのうち一種と発光性付活剤を混合し1
.成型用治具等を用いてプレス機等により1、円筒形等
に成型することによって製造することができる。この場
合、成型しやすいように少量の水を加えてもよい。発光
性付活剤としては、MnSO4,MnO21M n S
、 M n Cn 2等がある。
のまま又はこれらのうち一種と発光性付活剤を混合し1
.成型用治具等を用いてプレス機等により1、円筒形等
に成型することによって製造することができる。この場
合、成型しやすいように少量の水を加えてもよい。発光
性付活剤としては、MnSO4,MnO21M n S
、 M n Cn 2等がある。
発光性付活剤は、発光性付活元素が得られるターゲット
中の母体物質に対してo、oot〜10重量%になるよ
うに使用される。
中の母体物質に対してo、oot〜10重量%になるよ
うに使用される。
このような成型体は、次いで焼成されるが、この場合、
雰囲気はH2S ガスを含む雰囲気とされる。この雰囲
気は、Arガス等の不粘性ガスと混合されていてもよい
が、H2S ガスが50容量%以上であるのが好ましい
。
雰囲気はH2S ガスを含む雰囲気とされる。この雰囲
気は、Arガス等の不粘性ガスと混合されていてもよい
が、H2S ガスが50容量%以上であるのが好ましい
。
また、焼成温度は700〜1200°Cが好ましい。こ
の焼成により、酸素の一部がイオウと置き換わり(硫化
反応し)前記したZSxOy組成の母体物質を含むター
ゲットが得られる。このような組成は、雰囲気組成、焼
成温度、焼成時間等を制御して行なうことができる。上
記硫化反応により、酸素がどの程度残存しているかは、
X線回折法。
の焼成により、酸素の一部がイオウと置き換わり(硫化
反応し)前記したZSxOy組成の母体物質を含むター
ゲットが得られる。このような組成は、雰囲気組成、焼
成温度、焼成時間等を制御して行なうことができる。上
記硫化反応により、酸素がどの程度残存しているかは、
X線回折法。
オージェ電子分光法、燃焼法等により確認することがで
きる。
きる。
前記ターゲットは、また、前記と同様の発光性付活元素
が添加されていてもよいZS(母材物質)を酸素ガスを
含む雰囲気下に加熱処理することによっても製造するこ
とができる。発光性付活元素が添加されている場合、そ
の量は母材物質に対して0.001〜10重量%が好ま
しい。また、酸素ガスを含む雰囲気とは、酸素を0.1
容量%以上含むものが好ましく、他にAr、N2等の不
活性ガスを含んでいてもよく、空気を使用してもよい。
が添加されていてもよいZS(母材物質)を酸素ガスを
含む雰囲気下に加熱処理することによっても製造するこ
とができる。発光性付活元素が添加されている場合、そ
の量は母材物質に対して0.001〜10重量%が好ま
しい。また、酸素ガスを含む雰囲気とは、酸素を0.1
容量%以上含むものが好ましく、他にAr、N2等の不
活性ガスを含んでいてもよく、空気を使用してもよい。
加熱温度は、300〜800℃が好ましい。前記したZ
SxOy組成は前記同様に制御し、確認することができ
る。
SxOy組成は前記同様に制御し、確認することができ
る。
このようにして得られるターゲラ1−は、スパッタ法、
電子ビーム蒸着法等の蒸発源として使用され、成膜され
る。この膜を発光層として具備する薄膜EL素子は、従
来のターゲラ1へを蒸発源として同様に発光層を成膜し
た薄膜EI、素子に比べて輝度は大幅に向上する。
電子ビーム蒸着法等の蒸発源として使用され、成膜され
る。この膜を発光層として具備する薄膜EL素子は、従
来のターゲラ1へを蒸発源として同様に発光層を成膜し
た薄膜EI、素子に比べて輝度は大幅に向上する。
以下、本発明に係る一実施例を示す、。
実施例1
高純度ZnO粉末14,000gと高純度Mn5O,。
・H20粉末0.28578 g (MnはZn原子に
対して1.1mo1%)とを乾式で均一に混合し、この
混合物を成型治具に入れて円筒の高さ方向に約20kg
/dの圧力を加え円筒型に成型した。次に、この成型体
を石英製のボー1−に入れてH2S ガスに10容量%
のArガスを混合したガスを流した石英管中で焼成した
。焼成温度700’C,−上記のガスの流量200cc
/分、焼成時間30分間とした。このようにして作製し
たターゲット中のS及びOを燃焼法で分析した結果、Z
n5xOyで規定されるX及びyがx=0.95.y=
0.05であった。また、得られたターゲラ1−は黄色
であった。
対して1.1mo1%)とを乾式で均一に混合し、この
混合物を成型治具に入れて円筒の高さ方向に約20kg
/dの圧力を加え円筒型に成型した。次に、この成型体
を石英製のボー1−に入れてH2S ガスに10容量%
のArガスを混合したガスを流した石英管中で焼成した
。焼成温度700’C,−上記のガスの流量200cc
/分、焼成時間30分間とした。このようにして作製し
たターゲット中のS及びOを燃焼法で分析した結果、Z
n5xOyで規定されるX及びyがx=0.95.y=
0.05であった。また、得られたターゲラ1−は黄色
であった。
次にガラス基板(34爬角、厚さ1.1+nn+)上に
IT○からなる透明電極(厚さ200nm、電極@1.
5+nm)を電子ビーム蒸着法で成膜し、さらに、Si
Nからなる第1絶縁層を(厚さ2200nm)をプラズ
マCVD法で成膜した。この上部に上記製法で得たMn
を添加したZn5xOy発光層用ターゲットを用いて電
子ビーム蒸着法により発光層を成膜した。さらに、その
上部にSiNからなる第2絶縁層(厚さ2200nm)
をプラズマCVD法で成膜し、アルミ電極(厚さ200
0nm、電極幅1.511Wl+)を電子ビーム蒸着法
で成膜して薄膜EL素子を得た。
IT○からなる透明電極(厚さ200nm、電極@1.
5+nm)を電子ビーム蒸着法で成膜し、さらに、Si
Nからなる第1絶縁層を(厚さ2200nm)をプラズ
マCVD法で成膜した。この上部に上記製法で得たMn
を添加したZn5xOy発光層用ターゲットを用いて電
子ビーム蒸着法により発光層を成膜した。さらに、その
上部にSiNからなる第2絶縁層(厚さ2200nm)
をプラズマCVD法で成膜し、アルミ電極(厚さ200
0nm、電極幅1.511Wl+)を電子ビーム蒸着法
で成膜して薄膜EL素子を得た。
この素子を用い周波数1kHzの正弦波電圧を用いて開
動し、透明電極とアルミ電極の間に印加する開動電圧(
Vrms )と発光輝度の関係(印加電圧−発光特性)
を調べた。この結果を第1図にグラフ1として示す。第
1図中発光輝度は任意単位で表示した。
動し、透明電極とアルミ電極の間に印加する開動電圧(
Vrms )と発光輝度の関係(印加電圧−発光特性)
を調べた。この結果を第1図にグラフ1として示す。第
1図中発光輝度は任意単位で表示した。
比較例1
実施例1において、雰囲気としてl−l2S ガス1
00%、焼成温度1000℃、焼成時間2時間としたこ
と以外は実施例1に準じて行ない、Zn5xOyで規定
されるXびyがx=1.y=0のターゲットを得た。こ
のターゲットは白色であった。このターゲットを用い実
施例1に準じて薄膜EL素子の作製及び印加電圧−発光
特性を測定した。この結果を第1図にグラフ2として示
す。
00%、焼成温度1000℃、焼成時間2時間としたこ
と以外は実施例1に準じて行ない、Zn5xOyで規定
されるXびyがx=1.y=0のターゲットを得た。こ
のターゲットは白色であった。このターゲットを用い実
施例1に準じて薄膜EL素子の作製及び印加電圧−発光
特性を測定した。この結果を第1図にグラフ2として示
す。
実施例2
Mnを添加したZnS粉末20.0g(Mn濃度はZn
に対して1 、1 mo1%)を空気中、550℃で2
0分間焼結した。この粉末を燃焼法により分析したとこ
ろ、酸素が約3重量%含まれていた。
に対して1 、1 mo1%)を空気中、550℃で2
0分間焼結した。この粉末を燃焼法により分析したとこ
ろ、酸素が約3重量%含まれていた。
すなわち、Mnを添加したZnS粉末で一部分が酸化さ
れているもの(すなわち、ZnOを含むもの)が得られ
た。次にこの粉末を実施例1で述べた方法と同様に円筒
状に成型し、焼成して発光層形成用ターゲットを得た。
れているもの(すなわち、ZnOを含むもの)が得られ
た。次にこの粉末を実施例1で述べた方法と同様に円筒
状に成型し、焼成して発光層形成用ターゲットを得た。
このようにして作製したターゲット中のS及び○を燃焼
法で分析した結果、Zn5xOyで規定されるX及びy
がx=0.88、y=0.10であった。このターゲッ
トを用いて、実施例1に準じて薄膜EL素子の作成及び
印加電圧−発光特性を測定した。その結果、しきい値電
圧より30V高い電圧での発光輝度は、2゜3(任意単
位)であった。
法で分析した結果、Zn5xOyで規定されるX及びy
がx=0.88、y=0.10であった。このターゲッ
トを用いて、実施例1に準じて薄膜EL素子の作成及び
印加電圧−発光特性を測定した。その結果、しきい値電
圧より30V高い電圧での発光輝度は、2゜3(任意単
位)であった。
請求項1に係る又は請求項2の製造法によって得られる
発光層用ターゲットを用いて薄膜E I、素子の発光層
を形成した薄膜EL素子は、発光輝度が優れている。
発光層用ターゲットを用いて薄膜E I、素子の発光層
を形成した薄膜EL素子は、発光輝度が優れている。
第1図は、実施例1及び比較例1で得られた薄膜EL素
子の印加電圧−発光特性を示すグラフである。 1・・・実施例1に関するグラフ、2・・・比較例1に
関するグラフ。
子の印加電圧−発光特性を示すグラフである。 1・・・実施例1に関するグラフ、2・・・比較例1に
関するグラフ。
Claims (4)
- 1.全体の組成がZS_xO_y(ただし、ZはIIA
族又はIIB族の元素であり、x+yはほぼ1であり、か
つ0.001≦y≦0.2である)であつてZS(Zは
上記と同じ)に酸素が固溶しているか又はさらに一部の
Z(Zは上記と同じ)が酸化されている母体物質を含ん
でなる薄膜EL素子用ターゲツト。 - 2.Zが亜鉛である請求項1記載の薄膜EL素子用タ
ーゲット。 - 3.IIA族又はIIB族の元素の酸化物、炭酸塩又は硫
酸塩を含有する成形体を硫化性雰囲気下に焼成して請求
項1記載の薄膜EL素子用ターゲツトを作製することを
特徴とする薄膜EL素子用ターゲツトの製造法。 - 4.IIA族又はIIB族の元素の酸化物、炭酸塩又は硫
酸塩がZnO,ZnCO_3または ZnSO_4である請求項3記載の薄膜EL素子用ター
ゲツトの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1128413A JPH02306588A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜el素子用ターゲット及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1128413A JPH02306588A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜el素子用ターゲット及びその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02306588A true JPH02306588A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=14984155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1128413A Pending JPH02306588A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜el素子用ターゲット及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02306588A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04301382A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 接続部材 |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP1128413A patent/JPH02306588A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04301382A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 接続部材 |
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