JPH0230635A - フッ化物ガラス光ファイバの製造方法 - Google Patents
フッ化物ガラス光ファイバの製造方法Info
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- JPH0230635A JPH0230635A JP4657489A JP4657489A JPH0230635A JP H0230635 A JPH0230635 A JP H0230635A JP 4657489 A JP4657489 A JP 4657489A JP 4657489 A JP4657489 A JP 4657489A JP H0230635 A JPH0230635 A JP H0230635A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/022—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from molten glass in which the resultant product consists of different sorts of glass or is characterised by shape, e.g. hollow fibres, undulated fibres, fibres presenting a rough surface
- C03B37/023—Fibres composed of different sorts of glass, e.g. glass optical fibres, made by the double crucible technique
-
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- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/80—Non-oxide glasses or glass-type compositions
- C03B2201/82—Fluoride glasses, e.g. ZBLAN glass
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- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は赤外線伝送用に適したフッ化物ガラス光ファイ
バの製造方法に関するものである。
バの製造方法に関するものである。
フッ化物ガラスを光伝送部とするフッ化物ガラス光ファ
イバは赤外線伝送用ファイバとして注目を集めている。
イバは赤外線伝送用ファイバとして注目を集めている。
この製法は、例えばＢａＦ２゜ＺｒＩＰ４． ’Ｌａ
１Ｆ３ 、 ＡｌＦ２ 、 Ｈａ？ 等のフッ化
物の原料を混合し、加熱溶融した後、キャスティング法
等によυ型に注ぎ冷却して円柱状の透明ガラＸを４て、
このガラスロッド表面を光学研摩して平滑にした後、ク
ラッド部となるポリ四フッ化エチレンチューブ内に挿入
した状態で外部よシ加熱し、線引き（いわゆるロッドイ
ン線引）してファイバ化するのが通常である。
１Ｆ３ 、 ＡｌＦ２ 、 Ｈａ？ 等のフッ化
物の原料を混合し、加熱溶融した後、キャスティング法
等によυ型に注ぎ冷却して円柱状の透明ガラＸを４て、
このガラスロッド表面を光学研摩して平滑にした後、ク
ラッド部となるポリ四フッ化エチレンチューブ内に挿入
した状態で外部よシ加熱し、線引き（いわゆるロッドイ
ン線引）してファイバ化するのが通常である。
フッ化物ガラスの赤外線伝送用ファイバは、理論的には
α００１ ａＢ／ｋｍ程度の超低損失が予想される。し
かしながら、現在得られるファイバは損失が非常に大き
くなっている。この損失増の一因としてファイバ中の０
■ 基存在が考えられる。ＯＲ基は波長２．９μｍ に
大きな吸収ピークを有するため、この波長帯で伝送する
上で大きな障害となるものである。フッ化物ガフス光フ
ァイバの製造上におけるＯＩｌ［基の混入は、原料自体
、原料混合時、溶融時、ガラスロッドとした後の表面へ
の吸着等、諸段階において考えられる。
α００１ ａＢ／ｋｍ程度の超低損失が予想される。し
かしながら、現在得られるファイバは損失が非常に大き
くなっている。この損失増の一因としてファイバ中の０
■ 基存在が考えられる。ＯＲ基は波長２．９μｍ に
大きな吸収ピークを有するため、この波長帯で伝送する
上で大きな障害となるものである。フッ化物ガフス光フ
ァイバの製造上におけるＯＩｌ［基の混入は、原料自体
、原料混合時、溶融時、ガラスロッドとした後の表面へ
の吸着等、諸段階において考えられる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、特に
ガラスロッドとしたフッ化物ガラスの外周にクツラド材
となる樹脂層またはフッ化物ガラス層を設はファイバ化
する工程を改良して、ＯＨ基の混入を極力抑制して非常
に低損失なフッ化物ガラス光ファイバを製造できる方法
を提供することを目的とするものである。
ガラスロッドとしたフッ化物ガラスの外周にクツラド材
となる樹脂層またはフッ化物ガラス層を設はファイバ化
する工程を改良して、ＯＨ基の混入を極力抑制して非常
に低損失なフッ化物ガラス光ファイバを製造できる方法
を提供することを目的とするものである。
本発明は光伝送部となるフッ化物ガラスをクラッド部と
なるフッ素樹脂またはフッ化物ガラスチューブ内に挿入
した状態で、該フッ化物ガラスのガラス転移温度以下か
つ１００℃以上の温度に加熱しながら該クラッド部とな
るチューブ内を減圧にした後乾燥不活性ガスを流入させ
る工程を１回以上行なうことによシ脱水・清浄化し、次
に該フッ化物ガラスの粘性が１０４〜１０・ポアズの範
囲となる温度の範囲に加熱し線引きして光ファイバとす
ることを特徴とするフッ化物ガラス光ファイバの製造方
法である。
なるフッ素樹脂またはフッ化物ガラスチューブ内に挿入
した状態で、該フッ化物ガラスのガラス転移温度以下か
つ１００℃以上の温度に加熱しながら該クラッド部とな
るチューブ内を減圧にした後乾燥不活性ガスを流入させ
る工程を１回以上行なうことによシ脱水・清浄化し、次
に該フッ化物ガラスの粘性が１０４〜１０・ポアズの範
囲となる温度の範囲に加熱し線引きして光ファイバとす
ることを特徴とするフッ化物ガラス光ファイバの製造方
法である。
以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。
第１図は本発明の実施態様を説明する概略図であり、ま
ず従来公知の技術で作製したフッ化物ガラスの表面を、
ダイヤモンド扮や酸化セシウム粉で研摩して鏡面に仕上
げる、いわゆる光学研摩したフッ化物ガフスロット１を
ポリ四フッ化エチレンチューブ２に挿入し、該チューブ
２の一端はダミー管３に接続し、該ダミー管３をガフス
ロット駆動部９で把持して炉心管１０内にセットする。
ず従来公知の技術で作製したフッ化物ガラスの表面を、
ダイヤモンド扮や酸化セシウム粉で研摩して鏡面に仕上
げる、いわゆる光学研摩したフッ化物ガフスロット１を
ポリ四フッ化エチレンチューブ２に挿入し、該チューブ
２の一端はダミー管３に接続し、該ダミー管３をガフス
ロット駆動部９で把持して炉心管１０内にセットする。
該ダミー管３はバルブ４を介して減圧ポンプ５及び乾燥
不活性ガス供給系６に接続されている。
不活性ガス供給系６に接続されている。
まず、フッ化物がラスロッド１、およびポリ四フッ化エ
チレンチューブ２が、１００℃以上、かつフッ化物ガラ
スのガラス転移温度以下となるように、ヒーター７を昇
温する。上記温度範囲に設定する理由は、水分を蒸発さ
せる為に１００℃以上の温度が必要であること、また転
移温度以上に高温にするとフッ化物ガラスの表面が結晶
化する恐れがあるからである。次にパルプ４を減圧ボン
デ５側に開放してチューブ２内を減圧にする。この時の
減圧は１〜１００Ｔｏｒｒ 程度でよく、Ｉ Ｔｏｒｒ
未満では充分に脱水せず、余りに高真空ではポリフッ
化エチレンが変形してガラスに密着するからである。減
圧が完了した後、バルブ４を乾燥不活性ガス供給系６側
に開放し、チューブ２内を乾燥不活性ガス例えば乾燥窒
素ガスでパージする。このように加熱しながら減圧し乾
燥不活性ガスでパージする工程を数回繰シ返した後、バ
ルブ４を減圧ポンプ５側に開放してチューブ２内を減圧
し、ヒータ７を線引可能な温度、すなわちフッ化物ガラ
スの粘性が１０４〜１０６ ポアズの範囲となる温度
の範囲例えば３５０〜４００℃にまで昇温し、昇温後直
ちに線引を行なう。８は巻取ｉ、１１ｄフッ化物ガフス
ファイパである。
チレンチューブ２が、１００℃以上、かつフッ化物ガラ
スのガラス転移温度以下となるように、ヒーター７を昇
温する。上記温度範囲に設定する理由は、水分を蒸発さ
せる為に１００℃以上の温度が必要であること、また転
移温度以上に高温にするとフッ化物ガラスの表面が結晶
化する恐れがあるからである。次にパルプ４を減圧ボン
デ５側に開放してチューブ２内を減圧にする。この時の
減圧は１〜１００Ｔｏｒｒ 程度でよく、Ｉ Ｔｏｒｒ
未満では充分に脱水せず、余りに高真空ではポリフッ
化エチレンが変形してガラスに密着するからである。減
圧が完了した後、バルブ４を乾燥不活性ガス供給系６側
に開放し、チューブ２内を乾燥不活性ガス例えば乾燥窒
素ガスでパージする。このように加熱しながら減圧し乾
燥不活性ガスでパージする工程を数回繰シ返した後、バ
ルブ４を減圧ポンプ５側に開放してチューブ２内を減圧
し、ヒータ７を線引可能な温度、すなわちフッ化物ガラ
スの粘性が１０４〜１０６ ポアズの範囲となる温度
の範囲例えば３５０〜４００℃にまで昇温し、昇温後直
ちに線引を行なう。８は巻取ｉ、１１ｄフッ化物ガフス
ファイパである。
本発明において光伝送部となるフッ化物ガラスとしては
、Ｚｒ−Ｂａ−Ｌａ−Ａｌ−Ｙ系（Ｚｒ１Ｐ４１ Ｂａ
％ 。
、Ｚｒ−Ｂａ−Ｌａ−Ａｌ−Ｙ系（Ｚｒ１Ｐ４１ Ｂａ
％ 。
ＬａＦｌ 、 ＡｔＩＦＩ 、 ＹＦ３ ）、Ｚｒ−Ｂ
ａ−Ｌａ−ムｔ−Ｌｉ系（ＺｒＦ２゜ＢａＦｌ １ Ｌ
ａＦｌ ｐ ＡｔＩ’３ ｇ ｎｉｌ’ ）、Ｚｒ−Ｂ
ａ−Ｇｄ−Ａｔ系（Ｚｒ１Ｆ４ ｔ ＢａＩＦ！、 Ｇ
ａｐＢ 、 Ａｔ１’３ ） 等を材料とし、公知技
術例えば前記キャスティング法や融液をそのｆまμツボ
中でガラス転位点温度以下まで急冷するダイレクトクー
リング法等で作製できる。
ａ−Ｌａ−ムｔ−Ｌｉ系（ＺｒＦ２゜ＢａＦｌ １ Ｌ
ａＦｌ ｐ ＡｔＩ’３ ｇ ｎｉｌ’ ）、Ｚｒ−Ｂ
ａ−Ｇｄ−Ａｔ系（Ｚｒ１Ｆ４ ｔ ＢａＩＦ！、 Ｇ
ａｐＢ 、 Ａｔ１’３ ） 等を材料とし、公知技
術例えば前記キャスティング法や融液をそのｆまμツボ
中でガラス転位点温度以下まで急冷するダイレクトクー
リング法等で作製できる。
また以上の説明はクラッド部としてポリ四フッ化エチレ
ンを用いる例で説明したが、クラッド部としては、粘性
、線膨張係数がフッ化物ガラスとマツチしており、かつ
ガラスと密着性がよく、フッ化物ガラスよシ屈折率が低
く導波構造をつくることができるフッ素樹脂であればポ
リ四フッ化エチレン以外のもの例えばポリフルオロポリ
クロロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他の共重
合フッ素樹脂等から適宜選択して使用できる。ただし材
料中に多量の０ＩＩＩ基等の不純物を含まないものが好
ましい。
ンを用いる例で説明したが、クラッド部としては、粘性
、線膨張係数がフッ化物ガラスとマツチしており、かつ
ガラスと密着性がよく、フッ化物ガラスよシ屈折率が低
く導波構造をつくることができるフッ素樹脂であればポ
リ四フッ化エチレン以外のもの例えばポリフルオロポリ
クロロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他の共重
合フッ素樹脂等から適宜選択して使用できる。ただし材
料中に多量の０ＩＩＩ基等の不純物を含まないものが好
ましい。
さらに本発明はクツラド部として、光伝送部のフッ化物
ガラスよりも屈折率の低い、クツラド用フッ化物ガラス
チューブを用いてもよい。
ガラスよりも屈折率の低い、クツラド用フッ化物ガラス
チューブを用いてもよい。
このときの脱水・清浄化工程は光伝送部とクラッド用の
両方のフッ化物ガラスのガラス転移温度以下かつ１００
℃以上の温度に加熱する。
両方のフッ化物ガラスのガラス転移温度以下かつ１００
℃以上の温度に加熱する。
パージ用の乾燥不活性ガスとしては窒素の他にアルゴン
、ヘリウム等を用いることができる。
、ヘリウム等を用いることができる。
フッ化物ガラスロッドを挿入したフッ素樹脂チューブま
たはフッ化物ガラスチューブを加熱することによって、
ロッド表面及びチューブ内面に吸着した水分などが蒸発
し、チューブ内を減圧することによってそれらは、取り
除かれる。
たはフッ化物ガラスチューブを加熱することによって、
ロッド表面及びチューブ内面に吸着した水分などが蒸発
し、チューブ内を減圧することによってそれらは、取り
除かれる。
また、減圧の後、乾燥窒素等の不活性ガスをパージする
ことで、チューブ内が、フッ化物ガフスファイパの伝送
損失に影響を及ぼさない窒素ガス等の不活性ガスで置換
され、伝送損失に悪影響を及ぼす、酸素などを取シ除く
ことができる。さらに、この操作の終了後、直ちに線引
されるので、この作業後の水分の吸着、０．ガスなどの
流入などを避けることができる。
ことで、チューブ内が、フッ化物ガフスファイパの伝送
損失に影響を及ぼさない窒素ガス等の不活性ガスで置換
され、伝送損失に悪影響を及ぼす、酸素などを取シ除く
ことができる。さらに、この操作の終了後、直ちに線引
されるので、この作業後の水分の吸着、０．ガスなどの
流入などを避けることができる。
実施例１
ＺｒＦ４ （５１ｍｏｌｌｌ）−ＢａＦ２ （２０ｍ
ｏｘ４）−ＬａｌＦｇ （４５ｍｏｌ ％ ）−ムｔ
Ｆ、 （４，５ｍｏｌ４ ）−ＮａＦ （２０ｍｏｂ
４ ）の組成のフッ化物ガラスをキャスティング法によ
り作製し、その表面を光学研摩により平滑にして、外径
７．９ ｗｍφ、長さ７０■のフッ化物ガラスロッドを
得た。該ロッドを内径８■φ、外径１０■φのポリ四フ
ッ化エチレン（デュポン社製、商品名テフロン）チュー
ブに挿入し、第１図のようにセットした。
ｏｘ４）−ＬａｌＦｇ （４５ｍｏｌ ％ ）−ムｔ
Ｆ、 （４，５ｍｏｌ４ ）−ＮａＦ （２０ｍｏｂ
４ ）の組成のフッ化物ガラスをキャスティング法によ
り作製し、その表面を光学研摩により平滑にして、外径
７．９ ｗｍφ、長さ７０■のフッ化物ガラスロッドを
得た。該ロッドを内径８■φ、外径１０■φのポリ四フ
ッ化エチレン（デュポン社製、商品名テフロン）チュー
ブに挿入し、第１図のようにセットした。
該ロッド及びチューブが約２０（ＩＣ（ロッドのガラス
転移温度は２９０℃）となるようヒータで加熱し、次に
該チューブ内を約２０分間１゜〜２０ Ｔｏｒｒの減圧
にした。この後、チューブ内を乾燥窒素でパージした。
転移温度は２９０℃）となるようヒータで加熱し、次に
該チューブ内を約２０分間１゜〜２０ Ｔｏｒｒの減圧
にした。この後、チューブ内を乾燥窒素でパージした。
この減圧とパージをワンセットとした操作を６回くり返
した後、チューブ内を１０〜２０ Ｔｏｒｒの減圧にし
ながら、該ロッド及びチューブが約３６０℃になるよう
にヒータを昇温して加熱し、直ちに線引きして、外径２
５０μｍの本発明品ファイバ（ａ）を得た。また以上と
同じフッ化物ロッドとポリ四フッ化エチレンチューブを
用いて、２００℃に加熱しながら減圧とその後の乾燥窒
素ガスによるパージをするという処理工程は省略し、炉
心管にセラＦして直ちに３６０℃に加熱し、外径２５０
μｍＫ線引きし、比較品ファイバｃｂ）を得た。
した後、チューブ内を１０〜２０ Ｔｏｒｒの減圧にし
ながら、該ロッド及びチューブが約３６０℃になるよう
にヒータを昇温して加熱し、直ちに線引きして、外径２
５０μｍの本発明品ファイバ（ａ）を得た。また以上と
同じフッ化物ロッドとポリ四フッ化エチレンチューブを
用いて、２００℃に加熱しながら減圧とその後の乾燥窒
素ガスによるパージをするという処理工程は省略し、炉
心管にセラＦして直ちに３６０℃に加熱し、外径２５０
μｍＫ線引きし、比較品ファイバｃｂ）を得た。
本発明ファイバ（Ｉ！Ｌ）と比較品ファイバ（ｔ＋１の
損失波長特性を第２図にそれぞれ曲線へ１曲線すで示す
。比較品（１））のスベク）Ａ／には波長２．９μｍに
ピークを有するＯＨ基による吸収損失が１０ａＢ／ｍ存
在しているのに対し、本発明品ｒａ）のスベク）／ｌ／
ではこれがｓａＢ／ｍにまで低下しており、本発明の上
記処理工程により、ガフスロット表面及びポリ四フッ化
エチレンチューブ内面に吸着されていた水分やその他の
付着物が十分に除去され、ファイバ特性が向上すること
がわかる。
損失波長特性を第２図にそれぞれ曲線へ１曲線すで示す
。比較品（１））のスベク）Ａ／には波長２．９μｍに
ピークを有するＯＨ基による吸収損失が１０ａＢ／ｍ存
在しているのに対し、本発明品ｒａ）のスベク）／ｌ／
ではこれがｓａＢ／ｍにまで低下しており、本発明の上
記処理工程により、ガフスロット表面及びポリ四フッ化
エチレンチューブ内面に吸着されていた水分やその他の
付着物が十分に除去され、ファイバ特性が向上すること
がわかる。
実施例２
ＺｒＩＦ、 （５５ｍｏ１４）−ＢａｌＦｊ（２１ｍ
ａｘｉ）−Ｌａ？、 （４５ｍａｌｔ６）−ムｔＦ、
（２，５ｍｏｘ４ ）−ＮａＦ （１７ｍｏｌ４
）の組成のフッ化物ガラスをキャスティング法により作
製し、その表面を光学研摩により平滑にして、外径２．
８■φ、長さ８０■の・コア用フッ化物ガラスロンドヲ
得り。
ａｘｉ）−Ｌａ？、 （４５ｍａｌｔ６）−ムｔＦ、
（２，５ｍｏｘ４ ）−ＮａＦ （１７ｍｏｌ４
）の組成のフッ化物ガラスをキャスティング法により作
製し、その表面を光学研摩により平滑にして、外径２．
８■φ、長さ８０■の・コア用フッ化物ガラスロンドヲ
得り。
またＺｒ１Ｆ４ （１ｃＬ５ｍｏ１４）−ＢａＦｌ （
１ａ５ｍｏｌｌ）−ＬａＦ３ （４，５ｍｏ１４）
ＡｔＩＦ５ （４，５ｍｏ１ ％ ） −Ｎａ１Ｆ
（２２ｍｏｂ ％ ） −ＨｆＦ４ （４０ｍｏｂ ４
）の組成のフッ化物ガラスロンドヲ上記と同じ方法で
作製し、中央部に超音波穴あけ機によって３■φの穴を
穴け、その後光学研摩を施して外径７．９ ｗφ、長さ
８０−のクツラド用フッ化物ガラスチューブを得た。こ
のチューブにコア用ロッドを挿入し、線引装置にセット
した。該ロッド及びチューブが約２００℃（ロッドのガ
ラス転移温度は２８０℃）となるようと−タで加熱し、
次に該フッ化物ガラスチューブ内を約２０分間１０〜２
０ Ｔｏｒｒの減圧にした。
１ａ５ｍｏｌｌ）−ＬａＦ３ （４，５ｍｏ１４）
ＡｔＩＦ５ （４，５ｍｏ１ ％ ） −Ｎａ１Ｆ
（２２ｍｏｂ ％ ） −ＨｆＦ４ （４０ｍｏｂ ４
）の組成のフッ化物ガラスロンドヲ上記と同じ方法で
作製し、中央部に超音波穴あけ機によって３■φの穴を
穴け、その後光学研摩を施して外径７．９ ｗφ、長さ
８０−のクツラド用フッ化物ガラスチューブを得た。こ
のチューブにコア用ロッドを挿入し、線引装置にセット
した。該ロッド及びチューブが約２００℃（ロッドのガ
ラス転移温度は２８０℃）となるようと−タで加熱し、
次に該フッ化物ガラスチューブ内を約２０分間１０〜２
０ Ｔｏｒｒの減圧にした。
この後、チューブ内を乾燥窒素でパージした。
この減圧とパージをワンセットとした操作を６回くり返
した後、チューブ内を１０〜２０ Ｔｏｒｒの減圧にし
ながら、該ロッド及びフッ化物ガラスチューブが約３３
５℃になるようにヒータを昇温して加熱し、直ちに線引
きして、外径２５０μｍの本発明品ファイバ（ｃ）を得
た。また以上と同じフッ化物ロッドとフッ化物ガラスチ
ューブを用いて、２００℃に加熱しながら減圧とその後
の乾燥窒素ガスによるパージをするという処理工程は省
略し、炉心管にセットして直ちに３３５℃に加熱し、外
径２５０μｍ に線引きし、比較量ファイバ（ｄ）を得
た。
した後、チューブ内を１０〜２０ Ｔｏｒｒの減圧にし
ながら、該ロッド及びフッ化物ガラスチューブが約３３
５℃になるようにヒータを昇温して加熱し、直ちに線引
きして、外径２５０μｍの本発明品ファイバ（ｃ）を得
た。また以上と同じフッ化物ロッドとフッ化物ガラスチ
ューブを用いて、２００℃に加熱しながら減圧とその後
の乾燥窒素ガスによるパージをするという処理工程は省
略し、炉心管にセットして直ちに３３５℃に加熱し、外
径２５０μｍ に線引きし、比較量ファイバ（ｄ）を得
た。
本発明ファイバ（ｃ）と比較量ファイバ（（１）の損失
波長特性を第３図にそれぞれ曲線Ｃ１曲線ｄで示す。比
較量（ａ）のスベク）／１／には波長２．９μｍにピー
クを有するＯＥｔ基による吸収損失が１．０ｄＢ／ｍ存
在しているのに対し、本発明品（ｃ）のスペクトルでは
これがαＳ ７ ｅＬＢ／ｍにまで低下しておυ、本発
明の上記処理工程により、ガラスロッド表面及びフッ化
物ガラスチューブ内面に吸着されていた水分やその他の
付着物が十分に除去され、ファイバ特性が向上すること
がわかる。
波長特性を第３図にそれぞれ曲線Ｃ１曲線ｄで示す。比
較量（ａ）のスベク）／１／には波長２．９μｍにピー
クを有するＯＥｔ基による吸収損失が１．０ｄＢ／ｍ存
在しているのに対し、本発明品（ｃ）のスペクトルでは
これがαＳ ７ ｅＬＢ／ｍにまで低下しておυ、本発
明の上記処理工程により、ガラスロッド表面及びフッ化
物ガラスチューブ内面に吸着されていた水分やその他の
付着物が十分に除去され、ファイバ特性が向上すること
がわかる。
なお、上記工程の条件は、実施例に示したものに限られ
ず、適宜がフスロッドの種類や大きさ、或いは、パージ
す゛る不活性ガスの種類に応じて変更することができる
。
ず、適宜がフスロッドの種類や大きさ、或いは、パージ
す゛る不活性ガスの種類に応じて変更することができる
。
以上説明したように、本発明はロッドイン線引工程の直
前に、フッ化物ガラスロッドをポリ四フッ化エチレンチ
ューブまたはフッ化物ガラスチューブ内に挿入した状態
で水分が蒸発する温度に加熱しながら減圧と乾燥不活性
ガスパージする処理工程を繰υ返すことにより、水分、
水酸基、その他の付着物等を充分除去し、直ちに線引き
するので、吸収損失の少ない高品質なフッ化物ガラス光
ファイバを製造することができる。
前に、フッ化物ガラスロッドをポリ四フッ化エチレンチ
ューブまたはフッ化物ガラスチューブ内に挿入した状態
で水分が蒸発する温度に加熱しながら減圧と乾燥不活性
ガスパージする処理工程を繰υ返すことにより、水分、
水酸基、その他の付着物等を充分除去し、直ちに線引き
するので、吸収損失の少ない高品質なフッ化物ガラス光
ファイバを製造することができる。
また上記処理はロッドイン線引きの装置にガス供給系、
減圧系を取りつけるだけで簡単に実施できる点も有利で
ある。
減圧系を取りつけるだけで簡単に実施できる点も有利で
ある。
第１図は本発明の実施態様を説明する概略図、第２図は
実施例１で得た本発明ファイバの損失波長特性曲線ａ及
び従来法による比較量ファイバの同曲線すを示すグラフ
図、第３図は実施例２で得だ本発明ファイバの損失波長
特性曲線Ｃ及び従来法による比較量ファイバの同曲線ｄ
を示すグラフ図である。
実施例１で得た本発明ファイバの損失波長特性曲線ａ及
び従来法による比較量ファイバの同曲線すを示すグラフ
図、第３図は実施例２で得だ本発明ファイバの損失波長
特性曲線Ｃ及び従来法による比較量ファイバの同曲線ｄ
を示すグラフ図である。
Claims (1)
- 光伝送部となるフッ化物ガラスをクラツド部となるフッ
素樹脂チューブまたはフッ化物ガラスチユーブ内に挿入
した状態で、該フッ化物ガラスのガラス転移温度以下か
つ１００℃以上の温度に加熱しながらクラツド部となる
チューブ内を減圧にした後乾燥不活性ガスを流入させる
工程を１回以上行なうことにより脱水・清浄化し、次に
該フッ化物ガラスの粘性が１０＾４〜１０＾６ポアズの
範囲となる温度の範囲に加熱し線引きして光ファイバと
することを特徴とするフッ化物ガラス光ファイバの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4657489A JPH0230635A (ja) | 1988-04-14 | 1989-03-01 | フッ化物ガラス光ファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9039588 | 1988-04-14 | ||
| JP63-90395 | 1988-04-14 | ||
| JP4657489A JPH0230635A (ja) | 1988-04-14 | 1989-03-01 | フッ化物ガラス光ファイバの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230635A true JPH0230635A (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=26386671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4657489A Pending JPH0230635A (ja) | 1988-04-14 | 1989-03-01 | フッ化物ガラス光ファイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334232A (en) * | 1990-07-09 | 1994-08-02 | British Telecommunications Public Limited Company | Method for the preparation of halide glass articles |
| US7921676B2 (en) | 2003-06-25 | 2011-04-12 | Fujikura Ltd. | Method for manufacturing optical fiber preform and optical fiber preform apparatus |
-
1989
- 1989-03-01 JP JP4657489A patent/JPH0230635A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334232A (en) * | 1990-07-09 | 1994-08-02 | British Telecommunications Public Limited Company | Method for the preparation of halide glass articles |
| US5401289A (en) * | 1990-07-09 | 1995-03-28 | British Telecommunications Public Limited Company | Method of making halide fibers including casting under a reduced pressure |
| US7921676B2 (en) | 2003-06-25 | 2011-04-12 | Fujikura Ltd. | Method for manufacturing optical fiber preform and optical fiber preform apparatus |
| US7946132B2 (en) | 2003-06-25 | 2011-05-24 | Fujikura Ltd. | Method for manufacturing optical fiber preform and optical fiber preform apparatus |
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