JPH0230497B2 - - Google Patents
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- JPH0230497B2 JPH0230497B2 JP59069745A JP6974584A JPH0230497B2 JP H0230497 B2 JPH0230497 B2 JP H0230497B2 JP 59069745 A JP59069745 A JP 59069745A JP 6974584 A JP6974584 A JP 6974584A JP H0230497 B2 JPH0230497 B2 JP H0230497B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/05—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect with ferro-electric properties
- G02F1/0525—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect with ferro-electric properties addressed by a beam of charged particles
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Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野の説明）
本発明は画像間の差を求める論理演算装置に関
する。
する。
この論理演算装置は、同一の画像の変化分を検
出する装置としても利用できる。
出する装置としても利用できる。
（発明の背景）
一つの画像に対する論理演算、または画像間の
論理演算は、電子計算機を用いた画像処理技術を
利用することにより可能である。
論理演算は、電子計算機を用いた画像処理技術を
利用することにより可能である。
単一の画像の情報に対して論理演算、例えば否
定をしたいときは、前記画像の情報を画素に分解
して、各画素に対して論理演算、例えば否定の演
算等、を施すことにより、画像に対する論理演算
を施すことができる。
定をしたいときは、前記画像の情報を画素に分解
して、各画素に対して論理演算、例えば否定の演
算等、を施すことにより、画像に対する論理演算
を施すことができる。
また２つの画像間の論理演算を施したいとき
は、例えば論理和を求めたいときは、同様に各画
像を画素に分解して、対応する画素同志での論理
和を求めて画像を再構成すれば、画像間の論理演
算の結果を求めることができる。
は、例えば論理和を求めたいときは、同様に各画
像を画素に分解して、対応する画素同志での論理
和を求めて画像を再構成すれば、画像間の論理演
算の結果を求めることができる。
このような演算を行うために、通常テレビジヨ
ン撮像装置と、画像情報を画素単位で蓄積するフ
レームメモリ、演算結果を同様に画素単位で蓄積
するフレームメモリ、論理演算のための演算回路
が必要となる。
ン撮像装置と、画像情報を画素単位で蓄積するフ
レームメモリ、演算結果を同様に画素単位で蓄積
するフレームメモリ、論理演算のための演算回路
が必要となる。
このような演算の過程は多くの直列処理が含ま
れ、画素が多くなるに従つて大形の演算処理装置
が必要となる。
れ、画素が多くなるに従つて大形の演算処理装置
が必要となる。
（発明の目的）
本発明の目的は、前述のような画像処理技術と
は全く異なる新規な構成で画像間の差または、同
一の画像の変化分を検出することができる論理演
算装置を提供することにある。
は全く異なる新規な構成で画像間の差または、同
一の画像の変化分を検出することができる論理演
算装置を提供することにある。
（発明の構成）
前記目的を達成するために本発明による画像間
の差を求める論理演算装置は、光電面、第１の面
が前記光電面に対向させられており第２の面に透
明電極が設けられている電気光学結晶、前記光電
面と前記電気光学結晶との間に設けられた網目状
電極から成る空間光変調管と、前記空間光変調管
の外から前記電気光学結晶の前記第２の面側から
直線偏光されたレーザ光で照射するレーザ光源装
置と、前記空間光変調管の光電面、網目状電極、
前記透明電極に動作電圧を供給する電圧発生回路
と、演算の対象である第１の画像の像、第２の画
像の像、および均一な照射像を前記空間光変調管
の光電面に形成する光学装置と、前記電気光学結
晶の第１の面で反射した光が入射させられる偏光
子とを含み、前記光学装置により均一な照射像を
投影し、前記電圧発生回路により前記電気光学結
晶の第１の面に略半波長電圧の半分の電圧を発生
させる電荷σπ／２を一様に形成させ、次に前記
光学装置により前記第１の画像の像を投影し、前
記電圧発生回路により前記電気光学結晶の第１の
面に前記像の明に対応する部分にσπ／２の範囲
の電荷を供給し、次に前記光学装置により前記第
２の画像の像を投影し、前記電圧発生回路により
前記電気光学結晶の第１の面に前記像の明に対応
する部分からσπ／２の範囲の電荷を取り、 第１の画像が明で第２の画像が暗の部分にσπ、 第１の画像が明で第２の画像が明の部分に
σπ／２、 第１の画像が暗で第２の画像が暗の部分に
σπ／２、 第１の画像が暗で第２の画像が明の部分に０ の電荷を蓄積し、前記レーザ光源装置により前記
電気光学結晶の電荷像を読み出すように構成され
ている。
の差を求める論理演算装置は、光電面、第１の面
が前記光電面に対向させられており第２の面に透
明電極が設けられている電気光学結晶、前記光電
面と前記電気光学結晶との間に設けられた網目状
電極から成る空間光変調管と、前記空間光変調管
の外から前記電気光学結晶の前記第２の面側から
直線偏光されたレーザ光で照射するレーザ光源装
置と、前記空間光変調管の光電面、網目状電極、
前記透明電極に動作電圧を供給する電圧発生回路
と、演算の対象である第１の画像の像、第２の画
像の像、および均一な照射像を前記空間光変調管
の光電面に形成する光学装置と、前記電気光学結
晶の第１の面で反射した光が入射させられる偏光
子とを含み、前記光学装置により均一な照射像を
投影し、前記電圧発生回路により前記電気光学結
晶の第１の面に略半波長電圧の半分の電圧を発生
させる電荷σπ／２を一様に形成させ、次に前記
光学装置により前記第１の画像の像を投影し、前
記電圧発生回路により前記電気光学結晶の第１の
面に前記像の明に対応する部分にσπ／２の範囲
の電荷を供給し、次に前記光学装置により前記第
２の画像の像を投影し、前記電圧発生回路により
前記電気光学結晶の第１の面に前記像の明に対応
する部分からσπ／２の範囲の電荷を取り、 第１の画像が明で第２の画像が暗の部分にσπ、 第１の画像が明で第２の画像が明の部分に
σπ／２、 第１の画像が暗で第２の画像が暗の部分に
σπ／２、 第１の画像が暗で第２の画像が明の部分に０ の電荷を蓄積し、前記レーザ光源装置により前記
電気光学結晶の電荷像を読み出すように構成され
ている。
前記電気光学結晶としては、LiNbO3の55゜カツ
トの結晶が適している。
トの結晶が適している。
（実施例の説明）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
第１図は本発明による画像間の差を求める論理
演算装置の基本となる部分の構成を示すブロツク
図である。
演算装置の基本となる部分の構成を示すブロツク
図である。
空間光変調管３の真空容器３４の入射窓の内面
に光電面３１が形成されている。
に光電面３１が形成されている。
LiNbO3の55゜カツトの結晶を用いた電気光学結
晶３３の第１の面３３ａは前記光電面に対向させ
られており第２の面に透明電極３３ｂが形成され
ている。
晶３３の第１の面３３ａは前記光電面に対向させ
られており第２の面に透明電極３３ｂが形成され
ている。
前記電気光学結晶３３の第１の面３３ａの前面
に網目状電極３２が配置されている。
に網目状電極３２が配置されている。
前記光電面３１、網目状電極３２、電気光学結
晶３３の第２の面の透明電極３３ｂはそれぞれ接
続端子３１ｃ，３２ｃ，３３ｃから動作電圧が接
続される。
晶３３の第２の面の透明電極３３ｂはそれぞれ接
続端子３１ｃ，３２ｃ，３３ｃから動作電圧が接
続される。
画像Ｉは画像配置台２２に支持されインコヒー
レントな光源１で照明されており、画像Ｉの像は
レンズ２で前記空間光変調管３の光電面３１上に
形成させられている。
レントな光源１で照明されており、画像Ｉの像は
レンズ２で前記空間光変調管３の光電面３１上に
形成させられている。
端子３１ｃ，３２ｃ，３３ｃから動作電圧を供
給し、光電面３１の電圧を網目状電極３２、電気
光学結晶３３の第２の面の透明電極３３ｂの電圧
よりも低い電圧（書込み電圧）にし、さらに上記
電圧の範囲内で網目状電極３２、電気光学結晶３
３の第２の面の透明電極３３ｂ間に電圧を与え
て、光電面３１の放出する電子の像に対応する正
または負の電荷像を電気光学結晶３３の第１の面
に形成する。
給し、光電面３１の電圧を網目状電極３２、電気
光学結晶３３の第２の面の透明電極３３ｂの電圧
よりも低い電圧（書込み電圧）にし、さらに上記
電圧の範囲内で網目状電極３２、電気光学結晶３
３の第２の面の透明電極３３ｂ間に電圧を与え
て、光電面３１の放出する電子の像に対応する正
または負の電荷像を電気光学結晶３３の第１の面
に形成する。
ここに電気光学結晶３３の二次電子放出特性
は、多くの物質と同様に第７図に示すように、結
晶（材料）特有の電圧E1以下で放出比δが１よ
り小さく、上記E1と結晶特有の電圧E2との間で
放出比δが１より大きく、上記E2より大きいと
き再び放出比δが１より小さくなるという特性を
もつ。
は、多くの物質と同様に第７図に示すように、結
晶（材料）特有の電圧E1以下で放出比δが１よ
り小さく、上記E1と結晶特有の電圧E2との間で
放出比δが１より大きく、上記E2より大きいと
き再び放出比δが１より小さくなるという特性を
もつ。
網目状電極３２の電圧をほぼE2に設定して光
電面３１の電圧と電気光学結晶３３の第２の面の
透明電極３３ｂの電圧との差が、第７図に示す
E2より大きくなるように上記透明電極３３ｂに
電圧を与えたときは、電気光学結晶３３の第１の
面３３ａが網目状電極３２の電圧と等しい電圧に
なるまでは電子が付着して（δ＜１）負電荷像が
形成される。負電荷による電位が前記網目状電極
３２の電位E2と等しくなつたときは、その後に
電子が飛来してきても電荷は変化しない。電子が
飛来して来ない部分は無電荷の状態にある。
電面３１の電圧と電気光学結晶３３の第２の面の
透明電極３３ｂの電圧との差が、第７図に示す
E2より大きくなるように上記透明電極３３ｂに
電圧を与えたときは、電気光学結晶３３の第１の
面３３ａが網目状電極３２の電圧と等しい電圧に
なるまでは電子が付着して（δ＜１）負電荷像が
形成される。負電荷による電位が前記網目状電極
３２の電位E2と等しくなつたときは、その後に
電子が飛来してきても電荷は変化しない。電子が
飛来して来ない部分は無電荷の状態にある。
光電面３１の電圧と電気光学結晶３３の第２の
面の透明電極３３ｂの電圧との差が第７図に示す
E1とE2との間にあるように上記透明電極３３ｂ
に電圧を与えたときは電気光学結晶３３の第１の
面３３ａに到達した電子により発生させられる二
次電子（δ＞１）が前記網目状電極３２に捕捉さ
れることにより当該部分に結果的に正電荷像が蓄
積される。
面の透明電極３３ｂの電圧との差が第７図に示す
E1とE2との間にあるように上記透明電極３３ｂ
に電圧を与えたときは電気光学結晶３３の第１の
面３３ａに到達した電子により発生させられる二
次電子（δ＞１）が前記網目状電極３２に捕捉さ
れることにより当該部分に結果的に正電荷像が蓄
積される。
正電荷による電位が前記網目状電極３２の電位
E2と等しくなつたときに平衝し、その後に電子
が飛来してきても電荷は変化しない。
E2と等しくなつたときに平衝し、その後に電子
が飛来してきても電荷は変化しない。
電子が飛来して来ない部分は無電荷の状態に保
たれる。
たれる。
電子を入射させなければ、電圧を変えても電気
光学結晶３３の表面の電荷は保存される。
光学結晶３３の表面の電荷は保存される。
この電気光学結晶３３の状態は、レーザ光源装
置からのレーザ光により読み出される。
置からのレーザ光により読み出される。
レーザ光源装置は、レーザ発振器４、偏光子
５、レンズ６、ピンホール７、コリメーテイング
レンズ８から構成されている。
５、レンズ６、ピンホール７、コリメーテイング
レンズ８から構成されている。
レーザ発振器４からの光は偏光子５で結晶のｘ
軸（またはy′軸）から45゜の方向の直線偏光に変
換される。
軸（またはy′軸）から45゜の方向の直線偏光に変
換される。
そしてレンズ６で拡大されピンホール７で余分
な回折光が除去される。
な回折光が除去される。
ピンホール７を透過した光はコリメーテイング
レンズ８で平行光に変換され、ハーフミラー９を
通して電気光学結晶の第２の面から、結晶に入射
させられる。電気光学結晶（LiNbO3）は第６図
のようにウエーハ状に切り出されている。
レンズ８で平行光に変換され、ハーフミラー９を
通して電気光学結晶の第２の面から、結晶に入射
させられる。電気光学結晶（LiNbO3）は第６図
のようにウエーハ状に切り出されている。
LiNbO3の電気光学結晶３３の表面電荷によつ
て、結晶の厚み方向にかかる電界が変化し、結晶
のｘ方向、y′方向の屈折率は次式のように変化す
る。
て、結晶の厚み方向にかかる電界が変化し、結晶
のｘ方向、y′方向の屈折率は次式のように変化す
る。
nx＝nx0−rx・Ｅ ……(1)
ny′＝ny′0−ry′・Ｅ ……(2)
ここで、
nx0，ny′0：電荷の存在しない時のｘ方向、y′方
向の屈折率 Ｅ：電荷の存在により結晶内に生ずる電界 rx，ry′：電気光学定数 電気光学結晶３３に入射した光のｘ方向成分、
y′方向成分の速度が異なるので（結晶のｘ、y′方
向の屈折率が異なるから）結晶表面で反射して房
つてくる光のｘ方向成分、y′方向成分に次式のよ
うな位相差が生じ、一般には楕円偏光となつて出
力してくる。
向の屈折率 Ｅ：電荷の存在により結晶内に生ずる電界 rx，ry′：電気光学定数 電気光学結晶３３に入射した光のｘ方向成分、
y′方向成分の速度が異なるので（結晶のｘ、y′方
向の屈折率が異なるから）結晶表面で反射して房
つてくる光のｘ方向成分、y′方向成分に次式のよ
うな位相差が生じ、一般には楕円偏光となつて出
力してくる。
Γ＝（2π／λ）・（El）・２（ry′−rx） ……(3)
ここで、
λ：レーザ発振器４の出力する光の波長
ｌ：結晶３３の厚さ
この出力光を偏光子１０を通過させれば一つの
偏波方向成分だけが取り出され、出力として入力
像Ｉによつて変調されたコヒーレント光像が得ら
れる。この時出力光強度I0は次の式で与えられ
る。
偏波方向成分だけが取り出され、出力として入力
像Ｉによつて変調されたコヒーレント光像が得ら
れる。この時出力光強度I0は次の式で与えられ
る。
I0＝Asin2Γ／２
＝Asin2（π／２）・（Ｖ／Vπ） ……(4)
ここで、
Ｖ：電荷σに等価な電圧
Vπ：電荷σπに等価な電圧（半波長電圧）
(4)式に基づく曲線を第２図に示す。
第２図に示されているように表面の電荷により
電気光学結晶３３内の電界が変わることにより反
射光の強度が変化する。
電気光学結晶３３内の電界が変わることにより反
射光の強度が変化する。
第２図から次のことが理解できる。
電気光学結晶の表面電荷が０、つまり光電子の
入射がなかつた場合（以下ａの状態と言う）は、
ハーフミラー９を介して電気光学結晶３３に入り
第１面で反射し、ハーフミラー９で反射され、偏
光子１０を通過したレーザ光の強度は０である。
入射がなかつた場合（以下ａの状態と言う）は、
ハーフミラー９を介して電気光学結晶３３に入り
第１面で反射し、ハーフミラー９で反射され、偏
光子１０を通過したレーザ光の強度は０である。
表面電荷が−σπのとき（以下ｂの状態）およ
び表面電荷がσπのとき（以下ｃの状態）では透
過した光は最大となる。
び表面電荷がσπのとき（以下ｃの状態）では透
過した光は最大となる。
表面電荷が−σπ／２のとき（以下ｄの状態）
および表面電荷がσπ／２のとき（以下ｅの状態）
では透過した光は前記最大の光の１／２の光が得
られる。
および表面電荷がσπ／２のとき（以下ｅの状態）
では透過した光は前記最大の光の１／２の光が得
られる。
一般的に言つて網目状電極３２と電気光学結晶
３３間に前記半波長電圧の奇数倍の電圧が印加さ
れているときに、光電面３１の電圧を低くする書
込み電圧が印加されると、十分な光電子の飛来が
あつた部分は、−σπまたはσπの奇数倍の電荷が蓄
積される。
３３間に前記半波長電圧の奇数倍の電圧が印加さ
れているときに、光電面３１の電圧を低くする書
込み電圧が印加されると、十分な光電子の飛来が
あつた部分は、−σπまたはσπの奇数倍の電荷が蓄
積される。
また網目状電極３２と電気光学結晶３３間に前
記半波長電圧の偶数倍の電圧が印加されていると
きに、光電面３１の電圧を低くする書込み電圧が
印加されると、十分な光電子の飛来があれば−
σπまたはσπの偶数倍の電荷が蓄積される。
記半波長電圧の偶数倍の電圧が印加されていると
きに、光電面３１の電圧を低くする書込み電圧が
印加されると、十分な光電子の飛来があれば−
σπまたはσπの偶数倍の電荷が蓄積される。
第３図は本発明による画像間の差を求める論理
演算装置の実施例を示すブロツク図である。
演算装置の実施例を示すブロツク図である。
空間光変調管３およびレーザ光源装置の構成は
第１図を参照して説明した所と変わらない。
第１図を参照して説明した所と変わらない。
空間光変調管３の各部の電極は、電圧発生回路
１１に接続されている。
１１に接続されている。
電圧発生回路１１の出力端子ａは画像書込み電
圧Vaを発生する。Vaは通常は＋3kV（書込み禁
止状態）で０のときが書込み状態である。
圧Vaを発生する。Vaは通常は＋3kV（書込み禁
止状態）で０のときが書込み状態である。
網目状電極３２は電圧発生回路１１の出力端子
ｂから電圧Vbが接続され、電気光学結晶３３の
第２の面の透明電極３３ｂは、電圧発生回路１１
の出力端子ｃから電圧Vcが接続される。
ｂから電圧Vbが接続され、電気光学結晶３３の
第２の面の透明電極３３ｂは、電圧発生回路１１
の出力端子ｃから電圧Vcが接続される。
これらの電圧は通常正の電圧であつて、
Vb−Vc＜０のときには電気光学結晶３３の第
１の面３３ａに負電荷による書込み、 Vb−Vc＞０のときには正電荷による書込みが
行われる。
１の面３３ａに負電荷による書込み、 Vb−Vc＞０のときには正電荷による書込みが
行われる。
この実施例において前述した半波長電圧Vπは、
1.0kVである。
1.0kVである。
論理を求める画像Ｉは第３図の画像配置台２２
に支持されインコヒーレント光源１によりハーフ
ミラー１６を介して照射される。
に支持されインコヒーレント光源１によりハーフ
ミラー１６を介して照射される。
画像はハーフミラー１７、レンズ２を介して空
間光変調管３の光電面３１に結像される。
間光変調管３の光電面３１に結像される。
インコヒーレント光源１、ハーフミラー１６、
全反射鏡１４、シヤツタ１３、全反射鏡１５およ
びハーフミラー１７は空間光変調管３の光電面３
１を一様に照射する装置を形成している。
全反射鏡１４、シヤツタ１３、全反射鏡１５およ
びハーフミラー１７は空間光変調管３の光電面３
１を一様に照射する装置を形成している。
画像を取り外した状態で照射しても光電面を一
様に照射することができるが、画像を画像配置台
２２に支持した状態でシヤツタ１３を開くと画像
があつても空間光変調管３の光電面３１を均一に
照射することができる。
様に照射することができるが、画像を画像配置台
２２に支持した状態でシヤツタ１３を開くと画像
があつても空間光変調管３の光電面３１を均一に
照射することができる。
次に、第４図Ａに示す画像IAと同図Ｂに示す
画像IB間の差を求める例について詳しく説明す
る。
画像IB間の差を求める例について詳しく説明す
る。
各画像において斜線の施されている部分は不透
明で背景部IA3，IB3を形成している。画像IAの
像部分を説明のためにIA1とIA2に分ける。同様
に画像IBの像部分を説明のためにIB1とIB2に分
ける。
明で背景部IA3，IB3を形成している。画像IAの
像部分を説明のためにIA1とIA2に分ける。同様
に画像IBの像部分を説明のためにIB1とIB2に分
ける。
像部分IA2と像部分IB1は画像IAとIBを同一の
位置に配置すると、空間的に重なり合う部分であ
る。
位置に配置すると、空間的に重なり合う部分であ
る。
空間光変調管３の網目状電極３２に電圧発生回
路１１のｂ端子から電圧Vb（＝Vcont）＝2KVを
印加する。
路１１のｂ端子から電圧Vb（＝Vcont）＝2KVを
印加する。
電圧発生回路１１のｃ端子から結晶背面に電圧
Vc＝Vcont−Vπ／２＝1.5KVを印加する。シヤ
ツタ駆動回路１８を駆動して、シヤツタ１３を開
放して空間光変調管３の光電面３１を一様に照射
し、電圧発生回路１１のａ端子から光電面に書込
み電圧Va＝０を供給する。
Vc＝Vcont−Vπ／２＝1.5KVを印加する。シヤ
ツタ駆動回路１８を駆動して、シヤツタ１３を開
放して空間光変調管３の光電面３１を一様に照射
し、電圧発生回路１１のａ端子から光電面に書込
み電圧Va＝０を供給する。
これにより、電気光学結晶３３の第１の面に第
２図のレベルｅを与える正電荷σπ／２が一様に
蓄積される。
２図のレベルｅを与える正電荷σπ／２が一様に
蓄積される。
この状態を第５図Ｉに示す。
〔第１の画像の書込み〕
画像IAを画像配置台２２に支持し、光学装置
で空間光変調管３の光電面３１に像を形成する。
で空間光変調管３の光電面３１に像を形成する。
空間光変調管３の網目状電極３２に電圧発生回
路１１のｂ端子から前と同じ電圧 Vb（＝Vcont）＝2KVを印加する。
路１１のｂ端子から前と同じ電圧 Vb（＝Vcont）＝2KVを印加する。
そして電圧発生回路１１のｃ端子から結晶３３
の背面に電圧 Vc＝Vcont−Vπ＝1.0KVを印加して、電圧発
生回路１１のａ端子から書込み電圧Va＝0Vを印
加して電気光学結晶３３に画像IAの電荷像を形
成する。
の背面に電圧 Vc＝Vcont−Vπ＝1.0KVを印加して、電圧発
生回路１１のａ端子から書込み電圧Va＝0Vを印
加して電気光学結晶３３に画像IAの電荷像を形
成する。
画像IAの像部分IA1およびIA2に対応する部分
に、電子が飛来してその部分の表面の電荷はσπ
となる（第２図のレベルｃに対応する）。
に、電子が飛来してその部分の表面の電荷はσπ
となる（第２図のレベルｃに対応する）。
像の存在しないIA3に対応する部分には電子は
飛来しないから第２図のレベルｅを与える正電荷
σπ／２が保存される。
飛来しないから第２図のレベルｅを与える正電荷
σπ／２が保存される。
この状態を第５図に略図的に示してある。
〔第２図の画像の書込み〕
次に電圧発生回路１１のｃ端子から電気光学結
晶３３の第２の面に供給する電圧Vcを2.0KVと
する。
晶３３の第２の面に供給する電圧Vcを2.0KVと
する。
その結果、電気光学結晶３３の表面の前記IA3
に対応する部分の電圧は2.5KV、像部分IA1およ
びIA2に対応する部分の電圧は3.0KVとなる。
に対応する部分の電圧は2.5KV、像部分IA1およ
びIA2に対応する部分の電圧は3.0KVとなる。
画像IBを画像配置台２２に支持し、光学装置
で空間光変調管３の光電面３１に像を形成し、電
圧発生回路１１のａ端子から書込み電圧Va＝
0KVを後述する一定時間Ｔだけ印加して電気光
学結晶３３に画像IBを書き込む。このときのVb
の電圧は2.0KVである。
で空間光変調管３の光電面３１に像を形成し、電
圧発生回路１１のａ端子から書込み電圧Va＝
0KVを後述する一定時間Ｔだけ印加して電気光
学結晶３３に画像IBを書き込む。このときのVb
の電圧は2.0KVである。
前述したように電気光学結晶３３の第１の面の
各部の電圧は2.0KV以上であり、網目状電極３２
よりも高電圧にある。
各部の電圧は2.0KV以上であり、網目状電極３２
よりも高電圧にある。
画像IBの像部分IB1およびIB2に対応する部分
に、電子が飛来し付着する（δ＜１）。
に、電子が飛来し付着する（δ＜１）。
前記書込み時間ＴはIB1の部分の電荷が準備段
階で一様に蓄積された正電荷σπ／２に達するま
での期間であり、このときIB2の電荷は零とな
る。この状態態を第５図に示している。
階で一様に蓄積された正電荷σπ／２に達するま
での期間であり、このときIB2の電荷は零とな
る。この状態態を第５図に示している。
このようにして形成された電荷像を、前記直線
偏光されたレーザ光で照射するレーザ光源装置で
照射し、偏光子１０を透過した光を観測すると第
５図に示す画像が得られる。
偏光されたレーザ光で照射するレーザ光源装置で
照射し、偏光子１０を透過した光を観測すると第
５図に示す画像が得られる。
第１の画像のIA1に対応する部分の光量が最も
大きく、IB2に対応する部分は最も暗く、IA2と
IB1に対応する部分は背景部と同じ中間の明るさ
となり画像間の差が完全に対比される。
大きく、IB2に対応する部分は最も暗く、IA2と
IB1に対応する部分は背景部と同じ中間の明るさ
となり画像間の差が完全に対比される。
（変形例）
以上詳しく説明した実施例につき本発明の範囲
内で種々の変形を施すことができる。
内で種々の変形を施すことができる。
実施例として空間光変調管の電気光学結晶とし
て、LiNbO3の55゜カツトの結晶を用いる例を示し
たが、KDP，BSOなどの単結晶も同様に利用で
きる。
て、LiNbO3の55゜カツトの結晶を用いる例を示し
たが、KDP，BSOなどの単結晶も同様に利用で
きる。
以上詳しく説明した実施例は結晶の表面に正電
荷を蓄積させるものを示したが、負電荷を蓄積さ
せても同様な効果が得られる。
荷を蓄積させるものを示したが、負電荷を蓄積さ
せても同様な効果が得られる。
また電気光学結晶の特性は第２図に示すように
周期的に変化するものであるから、半波長電圧の
偶数倍の電圧では第２図においてａ点と等価な位
置となり、同様に半波長電圧の奇数倍の電圧で
は、ｂ，ｃと等価な位置となる。
周期的に変化するものであるから、半波長電圧の
偶数倍の電圧では第２図においてａ点と等価な位
置となり、同様に半波長電圧の奇数倍の電圧で
は、ｂ，ｃと等価な位置となる。
（効果の効果）
以上説明したように本発明による装置は電気光
学結晶表面に画像を電荷により書き込むことによ
り、画像間の差を求めることができる。
学結晶表面に画像を電荷により書き込むことによ
り、画像間の差を求めることができる。
同一の画面内で画像が移動したときの移動前の
画像を第１の画像、移動後の状態を第２の画像と
すると前記画像間の差を求めることは移動を検出
することに他ならないから、移動物体の検出に応
用できる。
画像を第１の画像、移動後の状態を第２の画像と
すると前記画像間の差を求めることは移動を検出
することに他ならないから、移動物体の検出に応
用できる。
第１図は本発明による画像間の差を求める論理
演算装置の構成を示すブロツク図である。第２図
は本発明による画像間の差を求める論理演算装置
の空間光変調管の電気光学結晶の特性および読み
出し用の電気光学結晶の特性を示すグラフであ
る。第３図は本発明による画像間の差を求める論
理演算装置の実施例を示すブロツク図である。第
４図は本発明による装置の論理演算の対象である
画像の例を示す図である。第５図は前記論理演算
の過程を説明する説明図である。第６図は電気光
学結晶の結晶軸の方向を説明するための略図であ
る。第７図は二次電子のエネルギーと二次電子放
出比の関係を示すグラフである。 １…インコヒーレント光源、２…レンズ、３…
空間光変調管、３１…光電面、３２…網目状電
極、３３…電気光学結晶、３４…真空容器、３５
…マイクロチヤンネルプレート、４…レーザ発振
器、５…偏光子、６…レンズ、７…ピンホール、
８…コリメーテイングレンズ、９…ハーフミラ
ー、１０…偏光子、１１…電圧発生回路、１２…
読み出し用電気光学結晶、１３…シヤツタ、１
４，１５…全反射ミラー、１６，１７…ハーフミ
ラー、１８…シヤツタ駆動回路、２０…再生像
面、２２…画像配置台。
演算装置の構成を示すブロツク図である。第２図
は本発明による画像間の差を求める論理演算装置
の空間光変調管の電気光学結晶の特性および読み
出し用の電気光学結晶の特性を示すグラフであ
る。第３図は本発明による画像間の差を求める論
理演算装置の実施例を示すブロツク図である。第
４図は本発明による装置の論理演算の対象である
画像の例を示す図である。第５図は前記論理演算
の過程を説明する説明図である。第６図は電気光
学結晶の結晶軸の方向を説明するための略図であ
る。第７図は二次電子のエネルギーと二次電子放
出比の関係を示すグラフである。 １…インコヒーレント光源、２…レンズ、３…
空間光変調管、３１…光電面、３２…網目状電
極、３３…電気光学結晶、３４…真空容器、３５
…マイクロチヤンネルプレート、４…レーザ発振
器、５…偏光子、６…レンズ、７…ピンホール、
８…コリメーテイングレンズ、９…ハーフミラ
ー、１０…偏光子、１１…電圧発生回路、１２…
読み出し用電気光学結晶、１３…シヤツタ、１
４，１５…全反射ミラー、１６，１７…ハーフミ
ラー、１８…シヤツタ駆動回路、２０…再生像
面、２２…画像配置台。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光電面、第１の面が前記光電面に対向させら
れており第２の面に透明電極が設けられている電
気光学結晶、前記光電面と前記電気光学結晶との
間に設けられた網目状電極から成る空間光変調管
と、前記空間光変調管の外から前記電気光学結晶
の前記第２の面側から直線偏光されたレーザ光で
照射するレーザ光源装置と、前記空間光変調管の
光電面、網目状電極、前記透明電極に動作電圧を
供給する電圧発生回路と、演算の対象である第１
の画像の像、第２の画像の像、および均一な照射
像を前記空間光変調管の光電面に形成する光学装
置と、前記電気光学結晶の第１の面で反射した光
が入射させられる偏光子とを含み、前記光学装置
により均一な照射像を投影し、前記電圧発生回路
により前記電気光学結晶の第１の面に略半波長電
圧の半分の電圧を発生させる電荷σπ／２を一様
に形成させ、次に前記光学装置により前記第１の
画像の像を投影し、前記電圧発生回路により前記
電気光学結晶の第１の面に前記像の明に対応する
部分にσπ／２の範囲の電荷を供給し、次に前記
光学装置により前記第２の画像の像を投影し、前
記電圧発生回路により前記電気光学結晶の第１の
面に前記像の明に対応する部分からσπ／２の範
囲の電荷を取り、 第１の画像が明で第２の画像が暗の部分にσπ、 第１の画像が明で第２の画像が明の部分に
σπ／２、 第１の画像が暗で第２の画像が暗の部分に
σπ／２、 第１の画像が暗で第２の画像が明の部分に０ の電荷を蓄積し、 前記レーザ光源装置により前記電気光学結晶の
電荷像を読み出すように構成した画像間の差を求
める論理演算装置。 ２ 前記電気光学結晶は、LiNbO3の55゜カツトの
結晶である特許請求の範囲第１項記載の画像間の
差を求める論理演算装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6974584A JPS60212728A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 画像間の差を求める論理演算装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6974584A JPS60212728A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 画像間の差を求める論理演算装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60212728A JPS60212728A (ja) | 1985-10-25 |
| JPH0230497B2 true JPH0230497B2 (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=13411641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6974584A Granted JPS60212728A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 画像間の差を求める論理演算装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60212728A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682395U (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-25 | 徹雄 常盤 | 網 戸 |
| JPH07217340A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-15 | Sadao Yoshimura | 防虫網戸 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711651B2 (ja) * | 1986-02-25 | 1995-02-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 減算演算装置 |
| JPH02267519A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 | Victor Co Of Japan Ltd | 画像情報の処理方法及び装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864742A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-18 | Hamamatsu Tv Kk | 空間変調装置 |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6974584A patent/JPS60212728A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864742A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-18 | Hamamatsu Tv Kk | 空間変調装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682395U (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-25 | 徹雄 常盤 | 網 戸 |
| JPH07217340A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-15 | Sadao Yoshimura | 防虫網戸 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60212728A (ja) | 1985-10-25 |
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