JPH0230442Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0230442Y2 JPH0230442Y2 JP1984135227U JP13522784U JPH0230442Y2 JP H0230442 Y2 JPH0230442 Y2 JP H0230442Y2 JP 1984135227 U JP1984135227 U JP 1984135227U JP 13522784 U JP13522784 U JP 13522784U JP H0230442 Y2 JPH0230442 Y2 JP H0230442Y2
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- target
- film
- substrate
- polyester base
- base film
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- Expired
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、スパツタ装置に係り、特に被成膜基
体としてのポリエステルベースフイルム等に金属
磁性体をスパツタするのに適したスパツタ装置に
関する。[Detailed Description of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a sputtering device, and particularly to a sputtering device suitable for sputtering a magnetic metal material onto a polyester base film or the like as a substrate to be formed.
（従来の技術）
第３図に従来のスパツタ装置の一例を示す。こ
の図において、真空室６内には、供給ロール２、
巻取りロール４、それらの中間に位置するドラム
３及び該ドラム３に対向するターゲツト５が配置
されている。被成膜基体としてのポリエステルベ
ースフイルム１は供給ロール２かららドラム３の
外周を通つて巻取りロール４にて巻き取られるよ
うになつており、前記ターゲツト５は該ドラム３
上を走行しているポリエステルベースフイルム１
に対して成膜用の金属磁性体原子（スパツタ粒
子）を放出するようになつている。(Prior Art) FIG. 3 shows an example of a conventional sputtering device. In this figure, inside the vacuum chamber 6 are a supply roll 2,
A winding roll 4, a drum 3 located between them, and a target 5 facing the drum 3 are arranged. A polyester base film 1 as a substrate to be film-formed is wound from a supply roll 2 through the outer periphery of a drum 3 by a take-up roll 4, and the target 5 is wound around the drum 3.
Polyester base film 1 running above
Metal magnetic atoms (sputter particles) for film formation are ejected.
（考案が解決しようとする問題点）
ところで、製品の特性を良くするために、スパ
ツタ蒸着におけるパワーを大きくするのが通常で
あるが、第３図の従来構成であると、パワーを上
げすぎるとポリエステルベースフイルム１そのも
のが熱の影響を受けて変質し、製品として使用に
耐えなくなつてしまう。すなわちターゲツト５か
ら実線矢印のごとく放出された金属磁性体原子と
ともに、ターゲツト５からの熱輻射が点線矢印の
ごとく生じ、これがドラム上を移動するポリエス
テルベースフイルム１に達してこれを加熱するか
らである。(Problem that the invention aims to solve) By the way, in order to improve the characteristics of a product, it is normal to increase the power during sputter deposition, but with the conventional configuration shown in Figure 3, if the power is increased too much, The polyester base film 1 itself changes in quality under the influence of heat and becomes unusable as a product. That is, along with the metal magnetic atoms emitted from the target 5 as shown by the solid arrow, heat radiation from the target 5 is generated as shown by the dotted arrow, and this reaches the polyester base film 1 moving on the drum and heats it. .
この欠点を改良する方法として、被成膜基体側
にアノードを設けて積極的に無駄な原子の衝撃を
トラツプしてやる方法があるが、これでは電子の
トラツプだけでターゲツトからの熱ふく射はその
ままとなつて不十分である。 One way to improve this shortcoming is to install an anode on the substrate to which the film is being deposited and actively trap unnecessary atomic bombardments, but this only traps electrons and leaves the heat radiation from the target unchanged. is insufficient.
（問題点を解決するための手段）
本考案は、上記の点に鑑み、ターゲツトと被成
膜基体との間に耐熱性金属板に多数の穴を形成し
た多孔板を配置することにより、余分な電子のト
ラツプ及びターゲツトからの熱輻射の吸収を図つ
て特性の良好な膜を形成可能なスパツタ装置を提
供しようとするものである。(Means for Solving the Problems) In view of the above points, the present invention eliminates unnecessary The present invention aims to provide a sputtering apparatus capable of forming a film with good characteristics by trapping electrons and absorbing thermal radiation from a target.
（実施例）
以下、本考案に係るスパツタ装置の実施例を図
面に従つて説明する。(Example) Hereinafter, an example of the sputtering apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図及び第２図において、真空室６内に配設
されたドラム３とターゲツト５との間には、耐熱
性金属板１０に多数の穴１１を形成した多孔板１
２（以下グリツドという）が配置されている。 In FIGS. 1 and 2, a perforated plate 1 in which a large number of holes 11 are formed in a heat-resistant metal plate 10 is placed between a drum 3 disposed in a vacuum chamber 6 and a target 5.
2 (hereinafter referred to as grid) are arranged.
このような構成によれば、供給ロール２より引
き出されたポリエステルベースフイルム１はドラ
ム３の外周を移動する間にスパツタにより所望の
金属磁性体の膜が形成され、巻取りロール４に巻
き取られることになるが、ターゲツト５からのス
パツタ粒子エネルギーを充分強力に維持したまま
で、グリツド１２により余分な電子のトラツプ及
びターゲツト５からの熱輻射を吸収することがで
きる。この結果、ターゲツト５からの熱輻射によ
るポリエステルベースフイルム１の温度上昇を防
止することができ、ポリエステルベースフイルム
１の変質を防止し、特性の良い膜をポリエステル
ベースフイルム上に成膜可能である。 According to such a configuration, the polyester base film 1 drawn out from the supply roll 2 is sputtered to form a desired metal magnetic film while moving around the outer periphery of the drum 3, and is wound up on the take-up roll 4. However, the grid 12 can absorb excess electron traps and thermal radiation from the target 5 while keeping the spatter particle energy sufficiently strong. As a result, it is possible to prevent the temperature of the polyester base film 1 from rising due to heat radiation from the target 5, thereby preventing deterioration of the polyester base film 1, and making it possible to form a film with good characteristics on the polyester base film.
（考案の効果）
以上説明したように、本考案のスパツタ装置に
よれば、真空室内にターゲツトと、これに対向す
る位置に被成膜基体とを配置した構成において、
前記ターゲツトと被成膜基体との間の略中間位置
に、耐熱性金属板に多数の穴を形成してなるグリ
ツドを配設したので、余分な電子をトラツプでき
るだけでなく、ターゲツトからの熱輻射を吸収す
ることができ、スパツタにおけるパワーを大きく
した場合においても被成膜基体の熱による変質を
防止することができ、特性の良好な膜を形成可能
である。(Effects of the invention) As explained above, according to the sputtering apparatus of the invention, in a configuration in which a target is disposed in a vacuum chamber and a substrate to be film-formed at a position facing the target,
A grid made of a large number of holes formed in a heat-resistant metal plate was placed approximately midway between the target and the substrate to be coated, so that it not only traps excess electrons but also traps heat radiation from the target. Even when the power of the sputtering is increased, it is possible to prevent deterioration of the film-forming substrate due to heat, and it is possible to form a film with good characteristics.
第１図は本考案に係るスパツタ装置の実施例を
示す正断面図、第２図は実施例で用いたグリツド
の平面図、第３図は従来のスパツタ装置の実施例
を示す正断面図である。
１……ポリエステルベースフイルム、２……供
給ロール、３……ドラム、４……巻取りロール、
５……ターゲツト、６……真空室、１０……耐熱
性金属板、１１……穴、１２……多孔板（グリツ
ド）。
FIG. 1 is a front sectional view showing an embodiment of the sputtering device according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of the grid used in the embodiment, and FIG. 3 is a front sectional view showing an embodiment of the conventional sputtering device. be. 1... Polyester base film, 2... Supply roll, 3... Drum, 4... Winding roll,
5... Target, 6... Vacuum chamber, 10... Heat resistant metal plate, 11... Hole, 12... Perforated plate (grid).
Claims (1)
ーゲツトを配置し、これに対向する位置に被成膜
基体を配置したスパツタ装置において、前記ター
ゲツトと被成膜基体との間の略中間位置に、耐熱
性金属板に多数の穴を形成してなる多孔板を配設
したことを特徴とするスパツタ装置。 In a sputtering apparatus in which a target for discharging sputter particles for film formation is placed in a vacuum chamber, and a substrate to be film-formed is placed at a position opposite to the target, approximately midway between the target and the substrate to be film-formed, A sputtering device characterized by having a perforated plate formed by forming a large number of holes in a heat-resistant metal plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984135227U JPH0230442Y2 (en) | 1984-09-07 | 1984-09-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984135227U JPH0230442Y2 (en) | 1984-09-07 | 1984-09-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150758U JPS6150758U (en) | 1986-04-05 |
| JPH0230442Y2 true JPH0230442Y2 (en) | 1990-08-16 |
Family
ID=30693726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984135227U Expired JPH0230442Y2 (en) | 1984-09-07 | 1984-09-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230442Y2 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538919A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-18 | Nec Corp | Sputtering apparatus |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP1984135227U patent/JPH0230442Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538919A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-18 | Nec Corp | Sputtering apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6150758U (en) | 1986-04-05 |
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