JPH02302358A - 平板状酸化物超電導体の焼成方法 - Google Patents
平板状酸化物超電導体の焼成方法Info
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- JPH02302358A JPH02302358A JP1120688A JP12068889A JPH02302358A JP H02302358 A JPH02302358 A JP H02302358A JP 1120688 A JP1120688 A JP 1120688A JP 12068889 A JP12068889 A JP 12068889A JP H02302358 A JPH02302358 A JP H02302358A
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- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平板状酸化物超電導体の焼成方法及び熱処理
方法に関する。
方法に関する。
［従来の技（ネテ］
近年、酸化物超電導体は高い臨界温度を示すことで注目
を集め、電力分野、核磁気共鳴装置（ＭＲＩ ： Ｍｇ
ｎｅｔｉｃ Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ ）
、磁気シールド等の各分野での用途が期待されている
。
を集め、電力分野、核磁気共鳴装置（ＭＲＩ ： Ｍｇ
ｎｅｔｉｃ Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ ）
、磁気シールド等の各分野での用途が期待されている
。
これら酸化物超電導体を平板形状として得る場合、一般
的にプレス成形、鋳込成形、等方加圧成形等の成形方法
により成形体を得た後、成形体を酸素含有雰囲気で焼成
して、結晶化し超電導特性を付与することになる。焼成
は、従来のセラミックス成形体と同様に、焼成温度にお
ける耐熱性を有する例えばアルミナ等の板上に静置して
行っている。
的にプレス成形、鋳込成形、等方加圧成形等の成形方法
により成形体を得た後、成形体を酸素含有雰囲気で焼成
して、結晶化し超電導特性を付与することになる。焼成
は、従来のセラミックス成形体と同様に、焼成温度にお
ける耐熱性を有する例えばアルミナ等の板上に静置して
行っている。
（発明が解決しようとする課題〕
しかし、従来のセラミックス成形体の焼成と同様に超電
導特性を有するセラミックス超電導粉末及び／または加
熱により超電導特性を発現する粉末からなる平板状成形
体を焼成した場合、焼結体組成に不均一な部分が発生す
ることが多く、全体が均一組成の平板状酸化物超電導体
を得ることが難しかった。
導特性を有するセラミックス超電導粉末及び／または加
熱により超電導特性を発現する粉末からなる平板状成形
体を焼成した場合、焼結体組成に不均一な部分が発生す
ることが多く、全体が均一組成の平板状酸化物超電導体
を得ることが難しかった。
発明者らは、平板状酸化物超電導体の組成が全体に均一
となるような焼成方法について鋭意検討した結果、従来
法における超電導特性を有するセラミックス超電導粉末
及び／または加熱により超電導特性を発現する粉末から
なる平板状成形体の焼成において、得られる焼結体の組
成の不均一な部分を検討すると、焼成時に板上に接し下
部になっている部分に不均一組成が多く発生しているこ
とを見出し、本発明を完成した。
となるような焼成方法について鋭意検討した結果、従来
法における超電導特性を有するセラミックス超電導粉末
及び／または加熱により超電導特性を発現する粉末から
なる平板状成形体の焼成において、得られる焼結体の組
成の不均一な部分を検討すると、焼成時に板上に接し下
部になっている部分に不均一組成が多く発生しているこ
とを見出し、本発明を完成した。
（！Ｉｆ！題を解決するための手段〕
本発明によれば、超電導特性を有するセラミックス超電
導粉末及び／または加熱により超電導特性を発現する粉
末からなる平板状成形体を、酸素含有雰囲気下で、該成
形体全表面と該雰囲気ガスとを均一に接触させながら焼
成することを特徴とする平板状酸化物超電導体の焼成方
法が提供される。
導粉末及び／または加熱により超電導特性を発現する粉
末からなる平板状成形体を、酸素含有雰囲気下で、該成
形体全表面と該雰囲気ガスとを均一に接触させながら焼
成することを特徴とする平板状酸化物超電導体の焼成方
法が提供される。
さらに、超電導特性を有するセラミックス超電導粉末及
び／または加熱により超電導特性を発現する粉末からな
る平板状成形体の一次焼結体または仮焼体を、酸素含有
ガス雰囲気下で、該成形体全表面と該雰囲気ガスとを均
一に接触させながら焼成することを特徴とする平板状酸
化物超電導体の熱処理方法が提供される。
び／または加熱により超電導特性を発現する粉末からな
る平板状成形体の一次焼結体または仮焼体を、酸素含有
ガス雰囲気下で、該成形体全表面と該雰囲気ガスとを均
一に接触させながら焼成することを特徴とする平板状酸
化物超電導体の熱処理方法が提供される。
本発明について以下にさらに詳細に説明する。
本発明における酸化物超電導体としては、例えば、Ｍ−
１１ａ−Ｃｕ−０箔化合物（但し、門は５ｃＸＴｊ２゜
Ｙ及びＬａ 、 Ｅｕ、、Ｇｄ、 Ｅｒ、 Ｙｂ、 Ｌ
ｕ等のランタニドから選ばれる一種以上を表す。）及び
Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０箔化合物の多層ペロブスカ
イト構造を有するものが挙げられる。
１１ａ−Ｃｕ−０箔化合物（但し、門は５ｃＸＴｊ２゜
Ｙ及びＬａ 、 Ｅｕ、、Ｇｄ、 Ｅｒ、 Ｙｂ、 Ｌ
ｕ等のランタニドから選ばれる一種以上を表す。）及び
Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０箔化合物の多層ペロブスカ
イト構造を有するものが挙げられる。
本発明における超電導特性を有するセラミックス超電導
粉末としては、特にその種類を限定するものでなく、例
えば、Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｑ系あるいはソーＢａ
−Ｃｕ−０系等が挙げられ、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系の場合には、ＢｉｚＳｒｚＣａＣｕ２０ｅの組成の
結晶相を有するもの、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の場合は、
ＹＢａｚＣｕ：＋０７−ｙの組成の結晶相を有するもの
が用いられる。
粉末としては、特にその種類を限定するものでなく、例
えば、Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｑ系あるいはソーＢａ
−Ｃｕ−０系等が挙げられ、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系の場合には、ＢｉｚＳｒｚＣａＣｕ２０ｅの組成の
結晶相を有するもの、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の場合は、
ＹＢａｚＣｕ：＋０７−ｙの組成の結晶相を有するもの
が用いられる。
加熱により超電導特性を発現する粉末としては、各成分
の金属酸化物、炭酸塩、水酸化物、金属アルコキシド、
硝酸塩等からなる粉末の混合物、これらの混合物を超電
導特性が発現する温度以下で仮焼した中間生成物、及び
／またはこれらの混合物を高温で溶融して急冷し、さら
に粉砕したフリット粉末等が用いられる。
の金属酸化物、炭酸塩、水酸化物、金属アルコキシド、
硝酸塩等からなる粉末の混合物、これらの混合物を超電
導特性が発現する温度以下で仮焼した中間生成物、及び
／またはこれらの混合物を高温で溶融して急冷し、さら
に粉砕したフリット粉末等が用いられる。
また本発明の平板状成形体原料粉末は、上記の超電導特
性を有するセラミックス超電導粉末と加熱により超電導
特性を発現する粉末とを混合した粉末を用いることもで
きる。
性を有するセラミックス超電導粉末と加熱により超電導
特性を発現する粉末とを混合した粉末を用いることもで
きる。
本発明における酸化物超電導体を構成する成形体の原料
粉末は、上記の各種粉末を用いることができ、また必要
であれば上記の原料粉末を造粒して用いてもよい。
粉末は、上記の各種粉末を用いることができ、また必要
であれば上記の原料粉末を造粒して用いてもよい。
上記原料粉末を用いて成形する場合、原料粉末に有機バ
インダーを添加したものを用いるのが一般的である。有
機バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルブチラール等の有機バインダーが用いられる。
インダーを添加したものを用いるのが一般的である。有
機バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルブチラール等の有機バインダーが用いられる。
本発明における平板状成形体の成形は、金型ブレス成形
、鋳込成形、等方加圧成形、押出成形、射出成形等従来
から公知の方法を用いて平板状に成形することができる
。また、平板状成形体は、一定の厚みを持つ平板であっ
て、大きさ及び形状は特に制限されず、円、多角形、雲
形等のいずれでもよく、表面は平坦でなくてもよい。
、鋳込成形、等方加圧成形、押出成形、射出成形等従来
から公知の方法を用いて平板状に成形することができる
。また、平板状成形体は、一定の厚みを持つ平板であっ
て、大きさ及び形状は特に制限されず、円、多角形、雲
形等のいずれでもよく、表面は平坦でなくてもよい。
また成形は、原料粉末、原料の造粒粉末、原料の溶融液
、原料粉末と水または有機溶媒とのスラリーを用いて行
うことができる。スラリー用有機溶媒としては、トルエ
ン、エタノール、酢酸エチル、ブタノール等通常有機溶
媒を用いることができ、必要であれば可塑剤を添加して
使用してもよい。
、原料粉末と水または有機溶媒とのスラリーを用いて行
うことができる。スラリー用有機溶媒としては、トルエ
ン、エタノール、酢酸エチル、ブタノール等通常有機溶
媒を用いることができ、必要であれば可塑剤を添加して
使用してもよい。
有機バインダー及び／または有機溶媒を用いて、成形し
た場合には、９００°Ｃ以上の焼成前に前処理として５
００〜９３０°Ｃで一定時間酸素含有雰囲気中で熱処理
し、残留カーボン量を０．５重量％未満にすることが望
ましい。
た場合には、９００°Ｃ以上の焼成前に前処理として５
００〜９３０°Ｃで一定時間酸素含有雰囲気中で熱処理
し、残留カーボン量を０．５重量％未満にすることが望
ましい。
本発明における焼成は、上記のようにして得られた平板
状成形体を、炉内酸素含有雰囲気ガスを成形体全表面に
均一に接触させるようにして行うものである。
状成形体を、炉内酸素含有雰囲気ガスを成形体全表面に
均一に接触させるようにして行うものである。
炉内酸素含有雰囲気ガスを成形体全表面に均一に接触さ
せる方法としては、平板状成形体を設置する敷板が、例
えば、多孔質体及び／またはその表面に凹凸を有する平
面形状体等であって、成形体下部の敷板に設けられた空
孔、空間隙等を通じて、酸素含有雰囲気ガスが該成形体
下面に供給流通可能とする方法がある。
せる方法としては、平板状成形体を設置する敷板が、例
えば、多孔質体及び／またはその表面に凹凸を有する平
面形状体等であって、成形体下部の敷板に設けられた空
孔、空間隙等を通じて、酸素含有雰囲気ガスが該成形体
下面に供給流通可能とする方法がある。
この方法によれば、敷板と接している平板状成形体の下
面部も、敷板を経て供給流通する酸素含有雰囲気ガスと
十分に接触できる。
面部も、敷板を経て供給流通する酸素含有雰囲気ガスと
十分に接触できる。
従来の平板状成形体をアルミナ等の平板敷板上に静置し
た場合に、平板状成形体上面部全体が平板敷板に密接す
るため、炉内の雰囲気ガスを平板状成形体下面部に平板
状成形体の他表面と同様に、均一に十分に接触させるこ
とができなかった。これに対し、本発明の方法によれば
、上記したように平板状成形体を多孔質体及び／または
その表面に凹凸を有する平面形状体等の成形体下部に空
孔、空間隙を形成する敷板上に設置するため、平板状成
形体下面部と敷板との接触面積を減少させることができ
、且つ酸素含有雰囲気ガスを平板状成形体下面部分にも
十分供給流通させることができ、酸素含有雰囲気ガスと
平板状成形体下面部とを均−且つ十分に接触させること
ができる。
た場合に、平板状成形体上面部全体が平板敷板に密接す
るため、炉内の雰囲気ガスを平板状成形体下面部に平板
状成形体の他表面と同様に、均一に十分に接触させるこ
とができなかった。これに対し、本発明の方法によれば
、上記したように平板状成形体を多孔質体及び／または
その表面に凹凸を有する平面形状体等の成形体下部に空
孔、空間隙を形成する敷板上に設置するため、平板状成
形体下面部と敷板との接触面積を減少させることができ
、且つ酸素含有雰囲気ガスを平板状成形体下面部分にも
十分供給流通させることができ、酸素含有雰囲気ガスと
平板状成形体下面部とを均−且つ十分に接触させること
ができる。
本発明の方法に用いる敷板としては、平板状成形体を敷
板に設置する状態において、平板状成形体の敷板への投
影面積より、平板状成形体との接触面積が小さくなるよ
うな形状を有するものであればよい。平板状成形体と敷
板との接触面積が上記投影面積の８０％以下になること
が好ましい。
板に設置する状態において、平板状成形体の敷板への投
影面積より、平板状成形体との接触面積が小さくなるよ
うな形状を有するものであればよい。平板状成形体と敷
板との接触面積が上記投影面積の８０％以下になること
が好ましい。
さらに平板状成形体を支持する接触部分の形状は、点、
線または平面、あるいはそれらの組合せからなり、各接
触部分が点状の場合はｌ０Ｃｆ！以下、線または平面状
の場合はその各幅が８ ｍｌ！１以下であることが好ま
しい。また接触部分の各間隔は、平板状成形体との接触
部分面積の２５％以上であることが好ましい。
線または平面、あるいはそれらの組合せからなり、各接
触部分が点状の場合はｌ０Ｃｆ！以下、線または平面状
の場合はその各幅が８ ｍｌ！１以下であることが好ま
しい。また接触部分の各間隔は、平板状成形体との接触
部分面積の２５％以上であることが好ましい。
敷板の具体的形状としては、板状の多孔質体、山型板、
溝付板等の表面に凹凸を有する平板形状体、貫通孔等貫
通部を有する板状体等がある。多孔質体は、多孔性を有
すればよく一般に知られているものを用いることができ
る。例えば、ハニカム構造でよく知られている自動車排
ガス触媒担体用セラミックスを用いることができる。そ
の表面は平面状でもよいし、また溝等の凹凸を設けても
よい。山型板、溝付板等、貫通孔等貫通部を有する板状
体は、平板状成形体との接触面に、山型の凸部、溝状の
凹部、貫通部を有すればよく、これら凸部等の形状は特
に制限されるものでない。またこれら板状体は、断面形
状が多角形、円形等の棒を組み合わせて形成してもよく
、例えば、２以上の棒を平行、格子状またはラング１、
に、平面状あるいは積み重ねて配置して凹凸部、貫通部
を形成す７ることもできる。
溝付板等の表面に凹凸を有する平板形状体、貫通孔等貫
通部を有する板状体等がある。多孔質体は、多孔性を有
すればよく一般に知られているものを用いることができ
る。例えば、ハニカム構造でよく知られている自動車排
ガス触媒担体用セラミックスを用いることができる。そ
の表面は平面状でもよいし、また溝等の凹凸を設けても
よい。山型板、溝付板等、貫通孔等貫通部を有する板状
体は、平板状成形体との接触面に、山型の凸部、溝状の
凹部、貫通部を有すればよく、これら凸部等の形状は特
に制限されるものでない。またこれら板状体は、断面形
状が多角形、円形等の棒を組み合わせて形成してもよく
、例えば、２以上の棒を平行、格子状またはラング１、
に、平面状あるいは積み重ねて配置して凹凸部、貫通部
を形成す７ることもできる。
さらに、敷板としては、上記の多孔質体や板状体等の敷
板の任意形状の小片あるいは、単に一定の厚さを有し円
形、多角形等任意の形状の小片の複数を適宜配置しても
よいし、直径５００μｍ以上の粒子状の無機物を並べ、
その上に平板状成形体を設置してもよい。
板の任意形状の小片あるいは、単に一定の厚さを有し円
形、多角形等任意の形状の小片の複数を適宜配置しても
よいし、直径５００μｍ以上の粒子状の無機物を並べ、
その上に平板状成形体を設置してもよい。
本発明においては、上記の各種敷板を１段で用いてもよ
いし、１種または２種以上を積み重ねて多段にして用い
てもよい。多孔質体を２段以上に配置する場合、例えば
ハニカム構造のハニカム孔をずらして置くのが好ましい
。
いし、１種または２種以上を積み重ねて多段にして用い
てもよい。多孔質体を２段以上に配置する場合、例えば
ハニカム構造のハニカム孔をずらして置くのが好ましい
。
本発明において用いられる敷板の材質としては、アルミ
ナ、部分安定化ジルコニア（ｐｓｚ）、安定化ジルコニ
ア、チタニア、シリカ、ムライト、コージェライト等無
機酸化物、炭化珪素、窒化う一イ素等炭化物、窒化物等
の無機物のがある。
ナ、部分安定化ジルコニア（ｐｓｚ）、安定化ジルコニ
ア、チタニア、シリカ、ムライト、コージェライト等無
機酸化物、炭化珪素、窒化う一イ素等炭化物、窒化物等
の無機物のがある。
本発明において、平板状成形体を敷板上に設置する方法
としては、平板状成形体の敷板上への投影面積が最大と
なる面を、敷板で支持するように設置し、平板状成形体
と敷板との接触部分を含んで形成される面が、成形体の
敷板上への投影面積が最大となる面と水平となるように
設置するのが好ましい。
としては、平板状成形体の敷板上への投影面積が最大と
なる面を、敷板で支持するように設置し、平板状成形体
と敷板との接触部分を含んで形成される面が、成形体の
敷板上への投影面積が最大となる面と水平となるように
設置するのが好ましい。
本発明における焼成は、酸素又は空気中等の酸素含有ガ
ス雰囲気下で、上記したように敷板と平板状成形体との
間隙等を経て、敷板上に静置した平板状成形体の下面部
に、雰囲気ガスが接触できるようにして行う。焼成にお
いては、炉内を酸素含有ガス雰囲気に保持するが、雰囲
気ガスの流入の゛ない閉じた状態でもよく、また炉体に
ガス導入口と排気口を設け、酸素含有ガスを流通させて
もよい。好ましくは、酸素含有ガスを流通させるのがよ
い。この場合、酸素含有ガスの供給は、炉内寸法及び焼
成スケジュール等によって適宜選択すればよいが、通常
、Ｏ，ｌ １ ／ｗｉｎ以上で行えばよい。また、ガス
導入口と排気口は、炉内のいずれの位置でもよいが、敷
板上に設置された平板状成形体が、酸素含有ガスの炉内
での流通経路中に入るようにガス導入口と排気口を設け
、酸素含有ガスが平板状成形体に効率よく接触するよう
にするのが好ましい。
ス雰囲気下で、上記したように敷板と平板状成形体との
間隙等を経て、敷板上に静置した平板状成形体の下面部
に、雰囲気ガスが接触できるようにして行う。焼成にお
いては、炉内を酸素含有ガス雰囲気に保持するが、雰囲
気ガスの流入の゛ない閉じた状態でもよく、また炉体に
ガス導入口と排気口を設け、酸素含有ガスを流通させて
もよい。好ましくは、酸素含有ガスを流通させるのがよ
い。この場合、酸素含有ガスの供給は、炉内寸法及び焼
成スケジュール等によって適宜選択すればよいが、通常
、Ｏ，ｌ １ ／ｗｉｎ以上で行えばよい。また、ガス
導入口と排気口は、炉内のいずれの位置でもよいが、敷
板上に設置された平板状成形体が、酸素含有ガスの炉内
での流通経路中に入るようにガス導入口と排気口を設け
、酸素含有ガスが平板状成形体に効率よく接触するよう
にするのが好ましい。
本発明の焼成温度は、原料粉末及び超電導体の種類等に
より適宜選択すればよいが、一般的には、９００°Ｃ以
上である。
より適宜選択すればよいが、一般的には、９００°Ｃ以
上である。
また、本発明における超電導特性を有するセラミックス
超電導粉末及び／または加熱により超電導特性を発現す
る粉末からなる平板状成形体の仮焼体または一次焼結体
としては、前記した超電導特性を有するセラミックス超
電導粉末及び／または加熱により超電導特性を発現する
粉末からなる平板状成形体を５００〜９００°Ｃで一定
時間熱処理して脱脂を施した仮焼体またはアルミナ等従
来の敷板上で焼成した十分な超電導特性を有しない一次
焼結体を用いることができる。本発明においては、これ
ら仮焼体または一次焼結体に対して、超電導特性を付与
、発現せしめるか、または超電導特性を向上させること
ができる。
超電導粉末及び／または加熱により超電導特性を発現す
る粉末からなる平板状成形体の仮焼体または一次焼結体
としては、前記した超電導特性を有するセラミックス超
電導粉末及び／または加熱により超電導特性を発現する
粉末からなる平板状成形体を５００〜９００°Ｃで一定
時間熱処理して脱脂を施した仮焼体またはアルミナ等従
来の敷板上で焼成した十分な超電導特性を有しない一次
焼結体を用いることができる。本発明においては、これ
ら仮焼体または一次焼結体に対して、超電導特性を付与
、発現せしめるか、または超電導特性を向上させること
ができる。
本発明における熱処理は、前記の平板状成形体の焼成方
法と同様な方法で行い、平板状成形体の仮焼体または一
次焼結体を上記の敷板上に設置し、該仮焼体または一次
焼結体全表面と酸素含有雰囲気ガスとを均一に接触させ
、熱処理することにより仮焼体または一次焼結体に、超
電導特性を発現または超電導特性を向上させるものであ
る。
法と同様な方法で行い、平板状成形体の仮焼体または一
次焼結体を上記の敷板上に設置し、該仮焼体または一次
焼結体全表面と酸素含有雰囲気ガスとを均一に接触させ
、熱処理することにより仮焼体または一次焼結体に、超
電導特性を発現または超電導特性を向上させるものであ
る。
この場合、熱処理温度は仮焼体に対しては、９００°Ｃ
以上の温度で行うのが好ましく、一次焼結体に対しては
、３００〜９００ ”Ｃの温度で一定時間行うのが好ま
しい。
以上の温度で行うのが好ましく、一次焼結体に対しては
、３００〜９００ ”Ｃの温度で一定時間行うのが好ま
しい。
本発明は、超電導特性を有するセラミックス超電導粉末
及び／または加熱により超電導特性を発現する粉末から
なる平板状成形体、及びこれらの仮焼体または一次焼結
体を焼成するときに、酸素含有雰囲気ガスを該平板状成
形体全表面に均一に接触させることにより、均一な組成
の平板状酸化物超電導焼結体を得ることできる。
及び／または加熱により超電導特性を発現する粉末から
なる平板状成形体、及びこれらの仮焼体または一次焼結
体を焼成するときに、酸素含有雰囲気ガスを該平板状成
形体全表面に均一に接触させることにより、均一な組成
の平板状酸化物超電導焼結体を得ることできる。
酸素含有ガスを該平板状成形体全表面に均一に接触させ
るためには、特に該平板状成形体下面部が酸素含有ガス
と十分接触できるようにするため、該平板状成形体とそ
れを設置する敷板とに空隙を設けるようにし、該平板状
成形体下面部にも酸素含有ガスを流通させるものである
。
るためには、特に該平板状成形体下面部が酸素含有ガス
と十分接触できるようにするため、該平板状成形体とそ
れを設置する敷板とに空隙を設けるようにし、該平板状
成形体下面部にも酸素含有ガスを流通させるものである
。
以下、本発明を実施例により、さらに詳しく説明する。
但し、本発明は、本実施例に限定されるものでない。
実施例Ｉ
ＹｚＯ：＋＋ＢａＣＯ３＋ＣｕＯを１／２：２；３のモ
ル比で調合し、回転ミルによる混合後、スプレートライ
により乾燥した。得られた調合粉末を９２０°Ｃで１０
時間仮焼し、粉砕後、有機溶媒としてトルエンを用いス
プレードライにより造粒を行った。造粒した粉末をプレ
ス成形法により３６０ Ｘ ３６０ Ｘ ８ （ｍｍ）
の形状の成形体を作製した。
ル比で調合し、回転ミルによる混合後、スプレートライ
により乾燥した。得られた調合粉末を９２０°Ｃで１０
時間仮焼し、粉砕後、有機溶媒としてトルエンを用いス
プレードライにより造粒を行った。造粒した粉末をプレ
ス成形法により３６０ Ｘ ３６０ Ｘ ８ （ｍｍ）
の形状の成形体を作製した。
焼成炉内にアルミナ板を設置し、その上にハニカム構造
の直径１００ｎ＋＋＋＋ 、高さｌ Ｏｍｍのコージェ
ライト円板をハニカム孔が垂直となるようにランダムに
並べ、さらにその上に同一のコージェライトハニカム円
板を、下段の空間部を覆うような形で、且つハニカム孔
が重ならないようにずらして密に設置した。
の直径１００ｎ＋＋＋＋ 、高さｌ Ｏｍｍのコージェ
ライト円板をハニカム孔が垂直となるようにランダムに
並べ、さらにその上に同一のコージェライトハニカム円
板を、下段の空間部を覆うような形で、且つハニカム孔
が重ならないようにずらして密に設置した。
このハニカム円板の上に、上記作製の成形体を設置した
。
。
焼成炉内に供給する酸素ガス供給口は、コージェライト
円板の側面に設置し、下段コージェライト円板間の空間
部を通り、上段コージェライト円板間及びハニカム孔か
ら酸素ガスを成形体下部に供給すると共に、炉内を酸素
雰囲気とした。その後、最高温度９６０°Ｃで６時間焼
成を行った。
円板の側面に設置し、下段コージェライト円板間の空間
部を通り、上段コージェライト円板間及びハニカム孔か
ら酸素ガスを成形体下部に供給すると共に、炉内を酸素
雰囲気とした。その後、最高温度９６０°Ｃで６時間焼
成を行った。
その結果、反り、焼成割れのない３０５ ｘ３０５ ｘ
５ （ｍｍ）の焼結体を得た。得られた焼結体の上面、
下面及び内部についてＸ線回折で結晶相の測定を行った
９その結果、上面、下面及び内部共に超電導特性を有す
る単−相となっていた。
５ （ｍｍ）の焼結体を得た。得られた焼結体の上面、
下面及び内部についてＸ線回折で結晶相の測定を行った
９その結果、上面、下面及び内部共に超電導特性を有す
る単−相となっていた。
また焼結体は液体窒素中で、マイスナー効果を示し、切
り出した試料について液体窒素中で、直流四端子法によ
り、臨界電流密度を測定した結果、７５Ａ／ｃ［１１を
示した。なお、焼結体の残留カーボン量の分析結果は、
０．１８重量％であ、った。
り出した試料について液体窒素中で、直流四端子法によ
り、臨界電流密度を測定した結果、７５Ａ／ｃ［１１を
示した。なお、焼結体の残留カーボン量の分析結果は、
０．１８重量％であ、った。
実施例２
直径１００ｍｍ、高さ１０ｍｍの：Ｉ−ジェライトハニ
カ１、円板の代わりに、１００１００ｘ１００（で、厚
さ１０ｍｍのムライト製ハニカム平板を用いた以外は実
施例１と同様にして、平板状超電導焼結体をｉ）だ。
カ１、円板の代わりに、１００１００ｘ１００（で、厚
さ１０ｍｍのムライト製ハニカム平板を用いた以外は実
施例１と同様にして、平板状超電導焼結体をｉ）だ。
得られた焼結体は、Ｘ線回折で上面、下面及び内部共に
超電導特性を有する単−相となっていた。
超電導特性を有する単−相となっていた。
また焼結体は液体窒素中で、マイスナー効果を示した。
実施例１と同様にして、切り出した試料について液体窒
素中で臨界電流密度を測定した結果、８３ Ａ ／ ｃ
ｆｆｌを示した。なお、焼結体の残留カーボン量の分析
結果は、０．１７重千％であった。
素中で臨界電流密度を測定した結果、８３ Ａ ／ ｃ
ｆｆｌを示した。なお、焼結体の残留カーボン量の分析
結果は、０．１７重千％であった。
実施例３
第１図は、本発明の焼成における敷板上に設置した成形
体の一例の説明図である。第１図において、実施例１で
作製した成形体と同一の成形体１を、４００ｘ４００
（ｎ＋ｍ）で、厚さＬｏＩＯＰＳＺ製の山型板２Ｆに置
き、実施例１と同様に焼成し、平板状超電導焼結体を得
た。
体の一例の説明図である。第１図において、実施例１で
作製した成形体と同一の成形体１を、４００ｘ４００
（ｎ＋ｍ）で、厚さＬｏＩＯＰＳＺ製の山型板２Ｆに置
き、実施例１と同様に焼成し、平板状超電導焼結体を得
た。
得られた焼結体は、Ｘ線回折で上面、下面及び内部共に
超電導特性を有する単−相となっていた。
超電導特性を有する単−相となっていた。
また焼結体は液体窒素中で、マイスナー効果を示した。
実施例１と同様にして、切り出した試料について液体窒
素中で臨界電流密度を測定した結果、７１ Ａ ／ ｃ
ｄを示した。なお、焼結体の残留カーボン量の分析結果
は、０，１８重星％であった。
素中で臨界電流密度を測定した結果、７１ Ａ ／ ｃ
ｄを示した。なお、焼結体の残留カーボン量の分析結果
は、０，１８重星％であった。
実施例４
実施例１で作製した成形体と同一の成形体を、４００ｘ
４００ （ｍｓ）で、厚さ１０ａｎのアルミナ平板上に
置き、実施例１と同様に焼成した。但し、酸素の供給は
、通常の焼成と同様に成形体の側面から行った。ここで
得られた一次焼結体は、焼成下面部に不均一相を有して
いた。
４００ （ｍｓ）で、厚さ１０ａｎのアルミナ平板上に
置き、実施例１と同様に焼成した。但し、酸素の供給は
、通常の焼成と同様に成形体の側面から行った。ここで
得られた一次焼結体は、焼成下面部に不均一相を有して
いた。
この一次焼結体を実施例１と同様にハニカム孔を有する
コージェライト円板上に設置して、さらに最高温度９３
０°Ｃで５時間焼成した。焼成中の酸素の供給は、通常
の焼成と同様に焼結体の側面から行った。
コージェライト円板上に設置して、さらに最高温度９３
０°Ｃで５時間焼成した。焼成中の酸素の供給は、通常
の焼成と同様に焼結体の側面から行った。
得られた焼結体は、Ｘ線回折で上面、下面及び内部共に
超電導特性を有する単−相となっていた。
超電導特性を有する単−相となっていた。
また焼結体は液体窒素中で、マイスナー効果を示した。
実施例１と同様にして、切り出した試料について液体窒
素中で臨界電流密度を測定した結果、６５ Ａ ／ ｃ
ｄを示した。なお、焼結体の残留カーボン量の分析結果
は、０．１９重量％であった。
素中で臨界電流密度を測定した結果、６５ Ａ ／ ｃ
ｄを示した。なお、焼結体の残留カーボン量の分析結果
は、０．１９重量％であった。
実施例５
実施例１で作製した成形体と同一の成形体を、４００Ｘ
４００ （ｍｓ）で、厚さ１０ｍｍのアルミナ平板上に
置き、最高温度８８０°Ｃで２０時間焼成し、成形体の
脱脂を行った。但し、酸素の供給は、通常の焼成と同様
に成形体の側面から行った。
４００ （ｍｓ）で、厚さ１０ｍｍのアルミナ平板上に
置き、最高温度８８０°Ｃで２０時間焼成し、成形体の
脱脂を行った。但し、酸素の供給は、通常の焼成と同様
に成形体の側面から行った。
得られた仮焼体を、実施例１と同様にハニカｌ、孔を有
するコージェライト円板上に設置して、さらに最高温度
９６０ ’Ｃで６時間焼成した。焼成中の酸素の供給は
、通常の焼成と同様に仮焼体の側面から行った。
するコージェライト円板上に設置して、さらに最高温度
９６０ ’Ｃで６時間焼成した。焼成中の酸素の供給は
、通常の焼成と同様に仮焼体の側面から行った。
得られた焼結体は、ＸｗＡ回折で上面、下面及び内部共
に超電導特性を有する単−相となっていた。
に超電導特性を有する単−相となっていた。
また焼結体は液体窒素中で、マイスナー効果を示した。
実施例１と同様にして、切り出した試料について液体窒
素中で臨界電流密度を測定した結果、８５ Ａ ／ ｃ
ｄを示した。なお、焼結体の残留カーボン量の分析結果
は、０．１４重量％であった。
素中で臨界電流密度を測定した結果、８５ Ａ ／ ｃ
ｄを示した。なお、焼結体の残留カーボン量の分析結果
は、０．１４重量％であった。
比較例１
実施例１で作製した成形体と同一の成形体を、４００ｘ
４００ （…ｍ）で、厚さ１０鵬−のアルミナ平板上に
置き、実施例１と同様に焼成した。但し、酸素の供給は
、通常の焼成と同様に成形体の側面から行った。 この
場合、得られた焼結体は、焼成割れが発生し、Ｘ線回折
の結果は、上面は超電導の単−相となっていたが、下面
は超電導相と酸素欠乏相の２相となっていた。また焼結
体は液体窒素中で、弱いマイスナー効果を示した。
４００ （…ｍ）で、厚さ１０鵬−のアルミナ平板上に
置き、実施例１と同様に焼成した。但し、酸素の供給は
、通常の焼成と同様に成形体の側面から行った。 この
場合、得られた焼結体は、焼成割れが発生し、Ｘ線回折
の結果は、上面は超電導の単−相となっていたが、下面
は超電導相と酸素欠乏相の２相となっていた。また焼結
体は液体窒素中で、弱いマイスナー効果を示した。
実施例１と同様にして、切り出した試料について液体窒
素中で臨界電流密度を測定した結果、ＯＡ ／ ｃＪで
あり、残留カーボン量は、０．９６重量％であった。
素中で臨界電流密度を測定した結果、ＯＡ ／ ｃＪで
あり、残留カーボン量は、０．９６重量％であった。
本発明は、超電導特性を有するセラミックス超電導粉末
及び／または加熱により超電導特性を発現する粉末から
なる平板状成形体及びこれらの仮焼体または一次焼結体
を焼成するときに、酸素含有雰囲気ガスを該平板状成形
体全表面に均一に接触させることにより、均一な組成の
平板状酸化物超電導焼結体を得ることできる。
及び／または加熱により超電導特性を発現する粉末から
なる平板状成形体及びこれらの仮焼体または一次焼結体
を焼成するときに、酸素含有雰囲気ガスを該平板状成形
体全表面に均一に接触させることにより、均一な組成の
平板状酸化物超電導焼結体を得ることできる。
特に、平板状成形体を多孔質体等の敷板上に設置し、平
板状成形体下部に酸素含有ガスが流通できる空孔等の空
隙を設けるようにし、平板状成形体下面部に酸素含有ガ
スを供給流通させつつ、焼成することにより、被焼成体
である平板状成形体全体に十分に酸素を供給することが
でき、均一な組成の平板状酸化物超電導焼結体を得るこ
とできる。
板状成形体下部に酸素含有ガスが流通できる空孔等の空
隙を設けるようにし、平板状成形体下面部に酸素含有ガ
スを供給流通させつつ、焼成することにより、被焼成体
である平板状成形体全体に十分に酸素を供給することが
でき、均一な組成の平板状酸化物超電導焼結体を得るこ
とできる。
第１図は、本発明の焼成における敷板上に設置した成形
体の一実施例の説明図である。 ｌ・・・平板状成形体 ２・・・山型板
体の一実施例の説明図である。 ｌ・・・平板状成形体 ２・・・山型板
Claims (4)
- （１）超電導特性を有するセラミックス超電導粉末及び
／または加熱により超電導特性を発現する粉末からなる
平板状成形体を、酸素含有ガス雰囲気下で、該成形体全
表面と該雰囲気ガスとを均一に接触させながら焼成する
ことを特徴とする平板状酸化物超電導体の焼成方法。 - （２）前記平板状成形体を敷板上に設置し、該敷板を経
て、該平板状成形体の下面部に酸素含有ガスを供給流通
し、該下面部と該ガスとを接触せしめる請求項（１）記
載の平板状酸化物超電導体の焼成方法。 - （３）超電導特性を有するセラミックス超電導粉末及び
／または加熱により超電導特性を発現する粉末からなる
平板状成形体の一次焼結体または仮焼体を、酸素含有ガ
ス雰囲気下で、該成形体全表面と該雰囲気ガスとを均一
に接触させながら焼成することを特徴とする平板状酸化
物超電導体の熱処理方法。 - （４）該平板状成形体の一次焼結体または仮焼体を敷板
上に設置し、該敷板を経て、該平板状成形体の一次焼結
体または仮焼体の下面部に酸素含有ガスを供給流通し、
該下面部と該ガスとを接触せしめる請求項（３）記載の
平板状酸化物超電導体の熱処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1120688A JPH02302358A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 平板状酸化物超電導体の焼成方法 |
| EP90305167A EP0398612A1 (en) | 1989-05-15 | 1990-05-14 | Sintering method for preparation of planar oxide superconductor |
| CA002016680A CA2016680A1 (en) | 1989-05-15 | 1990-05-14 | Sintering method for preparation of planar oxide superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1120688A JPH02302358A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 平板状酸化物超電導体の焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302358A true JPH02302358A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14792497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1120688A Pending JPH02302358A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 平板状酸化物超電導体の焼成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0398612A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02302358A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2021084835A (ja) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体の製造方法 |
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| GB689228A (en) * | 1950-08-04 | 1953-03-25 | Erie Resistor Corp | Ceramic plates |
| US3314666A (en) * | 1964-11-10 | 1967-04-18 | Cyprus Mines Corp | Fast fire tunnel kiln |
| DE2749569C2 (de) * | 1977-11-05 | 1986-06-26 | Norbert Dr. 5410 Höhr-Grenzhausen Steuler | Brennhilfsmittelbesatz für das einlagige Brennen keramischer Formlinge |
| DE3887765T2 (de) * | 1987-03-25 | 1994-09-22 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zur Herstellung einer dicken supraleitenden Schicht. |
| US4861753A (en) * | 1987-06-22 | 1989-08-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making superconductors using barium nitrate |
-
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP2019172510A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 成形体、非水系電解質二次電池用正極活物質の製造方法、及び、非水系電解質二次電池の製造方法に関する。 |
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