JPH023016A - 強誘電性液晶の配向方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、表示素子や光シ１１ツタ−等に用いられる強
誘電性液晶の配向方法に関するものである。

（従来の技術） 一般的な強誘電性液晶セルの構造を第２図に示し、その
配向処理をラビング法を用いて説明する。

この液晶セル１は、ガラス基板４土に厚さ約０．０５［
μｍ］の透明−１極５を設け、その上に配向ｇ！６を設
ける。

そして、この配向膜６を布等で擦って配向膜ＩＱＩをし
た後、配向膜６を内側にして同じらのを２枚貼り合わせ
る。

次に、等り相まで加熱した液晶をこの配向ＩＦＪ６の間
に封入する。

そし−Ｃ１この液晶セル１を−１０［’Ｃ／ｈ］の割合
でＳ　ｍ　Ｇ　”相まで徐々に冷ＩＩづることにより、
配向処理をされた液晶セル１が１″１られる。

（発明が解決しにうとする課題） ところが、このＳ　ｍ　Ｃ”相に相転移するとさＣＸ−
１幅１ｒμｍｌ、ＩＸさ数［ｍｍｌから数１−［ｍｍｌ
の配向欠陥（ディスロケーション）がイ１−じてしまい
、多数の不良がでるといった課題があった。

（課題を解決するための手段） 一１二記課題を解決するための手段として、強誘電性液
晶のラビング法による配向操作ｋＪｊいて、徐々に４亀
を下げたときにｓｍ△相から３　ｍ　Ｃ”ｌ：相へ相転
移する相転移温度の近傍で、σ℃周波の１界を印加する
ことにより、配向欠陥を防止または減少させようとする
ものである。

（作用） 配向処理で徐々に冷却して、ＳｍＡ相からＳ　ｍ　Ｃ”
：相に相転移するときに配向欠陥が生じる理由としては
、この相転移のときに分子がチルトして、層構造の間隔
が変化するのであるが、この変化がスムーズに行なわれ
ず、層構造にずれが生じるためであると考えられる。

そして、この層構造のずれを解消させるためには電界や
磁界等の外力を加えれば良く、この外力が最も効果的に
作用させるにはＳｍＣ＊相の中でも最も粘性係数の低い
温度である相転移温度ＴＣ付近に加えれば良い。

よって、本発明では、ＳｍＣ＊相への相転移４度近傍で
、周波数１［Ｈｚｌ以下で電弄強１哀１　、５ｘ　１０
　　　［Ｖ／ｍ１程度の低周波電界を印加して層構造を
揺動させ、配向欠陥を解消させようとするものである。

（実施例） 本発明の強誘電性液晶の配向方法の実施例を第１図およ
び第２図に基づいて説明する。

［実施例１］ 配向膜６としてポリイミドを使用して、従来例と同様の
ラビング法で液晶セル１を得る。

つまり、ガラス基板４上に厚さ約０．０５［ａ　ｍ　］
の透明電極５を設け、その上に配向膜６を設ける。

そして、この配向膜６を布等で擦って配向処理をした後
、配向膜６を内側にして同じもの２枚を約２Ｅμｍ］の
スペーナ８を間に２枚挟んで貼り合わせる。

次に、等月相まで加熱した液晶７をこの２枚の配向膜６
とスペーサ８とで囲まれた空間に封入する。

そして、この液晶セル１を精密オーブン２で１０［℃／
ｈ］の割合で温度が低下するように温度調節をしながら
ＳｍＣ＊相へ転移するまで冷却する。

そして、ここで得た液晶セル１上の直径５［ｍｍｌの円
を横切る配向欠陥の数を数える。

次に、この液晶セル１の液晶をもう一度等月相まで加熱
してから、精密オーブン２で温度調節をしながら冷却す
る。

そして、今度はその際に、ＳｍＣ＊相への相転移温度Ｔ
ｃを中心に±３Ｅ℃］変化する間だけ、ファンクション
ジェネレータ３により０．８［１−１ｚ］、３０　［Ｖ
、−、］の方形波を印加する。

そして、その後で液晶セル１上の直径５　［ｍｍ］の円
を横切る配向欠陥の数を数える。

また、これと同様のことを別々の液晶セル１で３痕繰返
し行なう。

その結果を表１に示ず。

表１ この結果より、Ｓ　ｍ　Ｃ”相への相転移温度の前後で
低周波電界を印加すると、低周波電界を印加しない場合
に比べて、配向欠陥が極端に減少することが判る。

［実施例２１ 実施例１と同様にして得られる液晶セル１と、第１図に
示される実施例１と同様の実験回路において、この液晶
セル１を精密オーブン２で−１０［℃／ｈ］の割合で温
度が低下するように温度調節をしながら冷却する。

次に、Ｓ　ｍ　Ｃ”相への転移温度ＴＣより３［℃］低
い渇１＆の所で、ファンクションジェネレータ３により
０．８［Ｈｚ］、３０［Ｖ　　　　］＋７）方形波−ｐ を１０分間印加する。

そして、電圧を印加する前・後で液晶セル１上の直径５
　［ｍｍ］の円を横切る配向欠陥の数を数える。

また、これと同様のことを別々の液晶セル１で３痕繰返
し行なう。

その結果を表２に示す。

表２

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の強誘電性液晶の配向方法の回路図、第
２図は液晶セルの断面図である。 １・・・液晶セル、２・・・精密オーブン、３・・・フ
ァンクシコンジェネレータ、４・・・ガラス基板、５・
・・透明電極、６・・・配向膜、７・・・液晶、８・・
・スペーサ。 この結果より、Ｓ　ｍ　Ｃ：ｌ：相への相転移温度より
少し低い温度の所で低周波電界を印加すると、低周波電
界を印加する前に比べで、配向欠陥が極端に減少するこ
とが判る。 （発明の効果） 本発明の強誘電性液晶の配向方法は、ＳｍＣ：Ｉ：相へ
の相転移温度の近傍で、低周波電界を印加したので、液
晶の配向欠陥を極端に減少することかできる。 また、これにより、表示素子として利用したときなどは
、コントラストの向上や素子としての欠陥が減少する等
、質の向上がはかれるという効果がある。 特　許　出願人　日本ビクター株式会社代表考　垣木　
邦夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 強誘電性液晶のラビング法による配向操作において、徐
   々に一度を下げてＳｍＡ相からＳｍＣ＾＊相へ相転移す
   る際に相転移温度の近傍で、低周波電界を印加すること
   により、配向欠陥を防止または減少させたことを特徴と
   する強誘電性液晶の配向方法。