JPH0229943A - フォトディテクタの位置合わせ方法および光ピックアップヘッド装置 - Google Patents

フォトディテクタの位置合わせ方法および光ピックアップヘッド装置

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JPH0229943A
JPH0229943A JP63178623A JP17862388A JPH0229943A JP H0229943 A JPH0229943 A JP H0229943A JP 63178623 A JP63178623 A JP 63178623A JP 17862388 A JP17862388 A JP 17862388A JP H0229943 A JPH0229943 A JP H0229943A
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慶明 金馬
Makoto Kato
誠 加藤
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光ディスクあるいは光カードなど、元媒体も
しくは光磁気媒体上に記憶される光学情報を記録・再生
あるいは消去可能な光ピックアップヘッド装置に関する
ものである。
従来の技術 高密度・大容世の記憶媒1体として、ピット状パターン
を用いる光メモリ技術は、ディジタルオーディオディス
ク、ビデオディスク、文書ファイルディスク、さらには
データファイルと用途を拡張しつつ、実用化されてきて
いる。ミクロンオーダに絞られた光ビームを介して情報
の記録再生が高い信頼性のもとに首尾よ(遂行されるメ
カニズムは、ひとえにその光学系に因っている。光ピッ
クアップヘッド装置(以下OPUと略す)の基本的な機
能は、 (1)回折限界の微小スポットを形成する集光
性、 (■)前記光学系の焦点制御とピット信号検出、
および(III)同トラッキング制御の3種類に大別さ
れる。これらは、目的、用途に応じて、各種の光学系な
らびに光電変換検出方式の組合せによって実現されてい
る。第7図は、従来のOPUの一例を示す模式図である
。通常、TE−・モードで発振する半導体レーザ光源1
からの発散波面(電場:水平偏波)をコリメートレンズ
2で平行ビームとし、偏光ビームスプリッタ107で左
方の四分の一波長板(1/4λ板)18に選択反射する
。1/4λ板18を通過した円偏光波面は、レンズ3で
大略1μm程度のスポットに絞られ、光記憶媒体面4上
に到達し、ピット状パターン40を照射する。媒体面で
反射・回折された光束は、再びレンズ3を逆に進んで1
/4λ板18を通過すると垂直偏波の平行ビームとなり
、偏光ビームスプリッタ−107を透過してビームスプ
リッタ19で2方向に分割される。一方の反射光は集光
レンズ20、ならびに非点収差を付与する円柱状レンズ
21を通って四分割フォトディテクタ559に入射し、
フォーカス(焦点)誤差(以下FEと略す)信号に変換
される。他方の透過光ハ、ファーフィールドパターンの
まま、 トラッキング誤差(以下TEと略す)信号検出
用の二分割フォトディテクタ22に入る。
ここで、1/4λ板18は、偏光ビームスプリッタ10
7と組み合わせることによって、光量の利用効率を亮め
ることと同時に、半導体レーザへの戻り光を抑圧して、
信号光成分に不要なノイズが増加しないための工夫であ
る。しかし、再生専用ディスクのOPUでは1.光量設
計に余裕があり、1/4λ板と偏光ビームスプリッタを
省くことが可能であり、特に小型化、低価格化のために
は、部品の省略、複合化が図られている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、再生専用OPUにおいても、ビーム分割
手段、非点収差あるいはナイフェツジ法などによる焦点
制御手段、またトラッキング制御手段を独立、もしくは
結合して構成する必要がある。そのために従来用いられ
てきた光学部品は、ビームスプリッタ、レンズ、プリズ
ム等いずれも大量に製作・組立・調整することは容易で
はなく、小型化、低価格化、ffi産性、高信頼性の面
で問題があった。
これらの問題が生じる共通の理由として、第1に高精度
の平面あるいは非球面を要する光学部品は、多くの工程
を経て初めて所望の加工が実現されるのでプレス手段等
を用いるが如き生産が一般に困難であること、第2に多
数の部品を組み合わせて所定の総合性能を発揮させるた
めには、組立−調整にも多くの時間と複雑な検査・測定
装置を要すること、第3に部品の小型化に限界があると
ころから、全光学系の小型化にも大きな制約があった0 上記課題の解決方法として、1枚のホログラム素子にフ
ォーカスおよびトラッキング制御用の所定波面を記録し
ておき、光ヘッドの読み取りビームで再生される各波面
を光検出器に導く技術が最近開示されている。
1)特開昭52−108908号 、大井上、永井2)
特開昭[i2− lG350号 、大井上、永井3)特
開昭Gl 79G77号 、松下、辰巳4)Y、に1m
ura et al、”旧gh Performanc
e 0ptical )lead using 0pt
lo+Ized Holographlc Optic
alElement”、プロシーディング オン ザ 
インターナシ日ナル シンポジウム オン オプティカ
ルメモリ(Proc、 of the Interna
tional Symposiumon 0ptica
l Memory) 、Tokyo、5ept、1G−
18,1987(p、131) 5 ) K、Tatsumi et al、”A Mu
ltl−functlonal Reflectlon
 Type Gratlng Le・ns for t
he CD 0ptlcal Head”、プロシーデ
ィング オン ザ インターナシ日ナル シンポジウム
 オン オプティカルメモリ(Proc、 of th
e International Symposlum
on 0pt1cal Memory) 、Tokyo
、5ept、1G−18,1987(p、127) 上記のうち、4)はFE倍信号ダブルナイフェツジ法で
、TE倍信号ファーフィールド(ホログラム素子面)上
に設けたスリット格子からの回折光強度によって検出す
る方法であり、他はすべて第6図に示すように非点収差
波面を四分割フォトディテクタ559で受光した信号か
ら演算してFE倍信号びTE倍信号検出するものである
。ところが、各方式とも微小スポットを取り扱うために
、フォトディテクタの調整をミクロンオーダーで精度よ
く行わなければデフォーカスが生じ、安定したフォーカ
ス制御及び信号検出ができない。しかもこのフォトディ
テクタの微妙な調整は光軸に対して上下、左右、前後の
3方向について行わなければならない。FE倍信号検出
するビームを用いてこの調整を行った場合、FI整過程
が複雑で多くの時間を必要とし、コストの増加及び生産
性の低下の要因となるので、フォトディテクタの調整を
簡素化するという課題があった。また、従来より光記憶
媒体の反射率の違いがFE倍信号TE倍信号RF倍信号
レベル変化をもたらし不安定な動作の原因となっていた
ので、光記憶媒体の反射率が異なっても安定して動作さ
せるという課題があった。
課題を解決するための手段 本発明は、上述の課題を解決するためにホログラム素子
からの1次回折光のみならずO次回舌先をも利用してフ
ォトディテクタの設定位置:J″4整を行う。さらに、
0次回折光の強度を検出してFE倍信号TE倍信号RF
倍信号出力強度を自動的に調整する。
作用 本発明では、ホログラム素子を用いた光ヘツド装置にお
いてFE倍信号しくはTE倍信号検出するフォトディテ
クタの位置調整を行う際、ホログラム素子からのO次回
舌先を利用することによりフォトディテクタの設定位置
調整が容易となる。
さらに位置精度も改善されるので、光ピックアップヘッ
ド装置において安定したFE倍信号びTE倍信号検出す
ることが可能となる。また、ホログラム素子からの0次
回折光の強度を検出して自動利得調整回路の基準信号と
し、この自動利得調整回路によってFE倍信号TE倍信
号RF倍信号出力強度を自動的に調整することにより、
反射率が異なる光記憶媒体に対しても安定して動作させ
ることが可能となる。
実施例 第1図(a)に、本発明の一実施例によるOPU装置の
概略構成を示す。同図において、1はフヒーレントビー
ムを発する半導体レーザ(例えば波長λe  800n
mでTEasモードで発振)、2はコリメートレンズ(
例えば焦点距離fc  20mm)、3は集光用の対物
レンズ、4は光記憶媒体(光ディスク)であって、光源
1から発したビームはコリメートレンズ2で平行ビーム
とされ、偏光ビームスプリッタ7を透過した後、波長板
8で円偏波となり、レンズ3でディスク4上に集光され
る。42は基板、41は保護膜である。ディスク4上で
反射されたビームは復路で再びレンズ3を通過してほぼ
平行光とされた後、波長板8を透過して垂直偏波となり
、偏光ビームスプリッタ7で反射される。偏光ビームス
プリッタ7からの反射光は非点収差波面を記録したホロ
グラム素子8に入射して、0次回折光の他に、軸外に非
点収差をもつ回折光波面を生成し、レンズ9でこの回折
光を集光し、フォトディテクタ6で受光する。
第1図(b)はフォトディテクタ5とこのフォトディテ
クタ面上における回折光の様子を示したものである。波
面70はO次回舌先、波面71,72はそれぞれ1次の
非点収差再生光とその共役光である。ここでホログラム
素子6はフーリエ変換型ホログラムであって、コリメー
トレンズ9を介してこれら波面70,71.72は収束
され、ディスク上に焦点が正しく結ばれているときには
0次回折光70の収束点を含んでレンズ2の光軸に垂直
なX−X′面とは前後する位置の2面に各々直交する方
向に非点像を結ぶ。フォトディテクタ5は0次回折光7
0を受光する頁分割フォトディテクタ52及び1次回折
光71を受光する四分割フォトディテクタ51から構成
されており、さらにそれらはおのおの検出器521,5
22.523.524.525及び511,512,5
13゜514により構成されている。。各焦点面とX−
X”面との間隔はδ1=δ2=δと設計する。
第2図は第1図(b)で示した四分割フォトディテクタ
51の各分割領域511,512,513.514. 
 で検出される1次回折光71.及び三分割フォトディ
テクタ52の各分割領域521゜522.523,52
4.525で検出されるO次回舌先70の関係を模式的
にかつ一般的に表している。第2図(b)はディスク上
に合焦点のスポラ)が−形一成された場合であり、第2
図(a)及び(C)は各々逆位相でのデフォーカス状態
を示す。1次回折光71は、そのフォーカス状態により
スポットの形状が変化するが、0次回折光70は、大き
さは変化するがその形状は同心円で一定である。1次回
折光をフォトディテクタの位置調整に用いた場合、フォ
トディテクタ51の各ディテクタ511,512,51
3.514の出力は、光軸の前後方向に対するフォトデ
ィテクタの位置に対してビーム形状が変化することによ
り出、力も大きく変化するため、フォトディテクタの位
置が把握しにくく調整が容易ではないが、0次回折光は
どのようなフォーカス状態でもビーム形状は変化しない
のでフォトディテクタの位置調整は容易となる。例えば
、フォトディテクタ5の調整がずれていて、O次回舌先
70が700の位置にずれている場合には、5分割フォ
トディテクタ52のディテクタ523.524のみに出
力が現れる。
このときには、フォトディテクタ5を光軸に対して上下
左右方向に動かし、521,522,523.524の
出力がほぼ等しくなるようにすればよく、さらに、光軸
の前後方向に対して調整がずれている場合には、ディテ
クタ70の出力が最も太き(なるようにフォトディテク
タ5を光軸に対して前後方向に動かすことにより調整可
能となる。
ディスク上に合焦点のスポ・ットが形成され、さらに正
確にフォトディテクタが調整された場合には、フォトデ
ィテクタ52は、ディテクタ525からのみ出力が得ら
れる。この出力を利用して光記憶媒体からのRF倍信号
検出することも可能であり、この場合、O次回舌先はホ
ログラム素子に記録された情報を含まず、光記憶媒体に
記録された情報のみを含んでいるので、良好な信号が得
られる。
なお、ここでは0次回折光を受光するのに複数に分割し
たフォトディテクタを用いたが、ビームが強度分布を有
する場合(例えばガウス分布)には、0次回折光を単一
のフォトディテクタで受光しフォトディテクタの位置調
整を行うことも可能である。
第3図は、本発明の別の実施例を説明する概念図であ−
リ、−例えば第1図(a)に示した光学系においてホロ
グラム素子6に、フレネルゾーンプレートのような一対
の共役な焦点を有する波面を再生可能なホログラム素子
を用いることによりフォトディテクタ55上で得られる
1次回折光74゜75と0次回折光73の関係を表して
いる。第3図(b)は、ディスク4上に合焦点のスポッ
トが形成された場合であり、同図(a)及び(C)は各
々逆相でのデフォーカス状態を示す。FE倍信号フォト
ディテクタ5512と5522の差動をとることにより
得られ、さらにフォトディテクタ5511.5513.
5521及び5523の出力も利用すればFE倍信号出
力強度は増加する。
この検出方法はスポットサイズディテクシ日ンと呼ばれ
ており衆知の技術である。このときには、1次回折光7
4と75は形状が変化せず、この1次回折光を利用して
フォトディテクタを調整することも可能である。しかし
ながら、例えば1次回折光74が740の位置にあって
もフォトディテクタ551の出力は変化せず、フォトデ
ィテクタの位置が把握しにくい。このときにも、0次回
折光73を利用してフォトディテクタの位置設定を行え
ば、最適調整が可能である。O次回舌先を用いてフォト
ディテクタの調整を行った場合には、光源に波長変動が
生じて1次回折光がフォトディテクタ上で移動しても、
最も安定にしかもその波長変動の許容範囲も広<FE倍
信号安定に検出できる。
第4図は、本発明の更に別の実施例である。同図(a)
は、ホログラム素子66の機能領域区分を示し、フォー
カス制御用に非点収差を含む波面を記録した領域6θ1
.692. 693と単純な格子パターンを各々他と異
なる方向に記録したスリット状格子の領域694.89
5とからなる。
同図(b)は、例えば第1図(a)に示したようなOP
Uの構成においてフォトディテクタ555を用いた場合
のフォトディテクタ555上におけるホログラム素子6
6から再生される波面を示しており、FE倍信号4分割
フォトディテクタ543の出力を第6図のように演算す
ることにより、RF倍信号検出はフォトディテクタ54
4より、TE倍信号フォトディテクタ541と542か
ら差動検出される。なお、この実施例で示したTE信号
検出のためのスリット状格子は他の実施例においても勿
論適用可能である。この場合、FE倍信号TE倍信号び
RF倍信号同一の半導体基板上に形成したフォトディテ
クタで検出できるため、光学系の調整は容易となり、さ
らに部品点数の減少、低価格化、小型化等が実現可能で
ある。
第5図は、本発明の更に別の実施例を示す概念図である
。フォトディテクタ上のビームと信号検出の様子は第3
図で示したスポットサイズディテクシ日ン方式である。
FE倍信号例えばフォトディテクタ5512と5522
の出力を演算回路35で差動することにより得られる。
ここで、フォトディテクタ5505の出力を低域濾波器
39に通過させ、フォトディテクタ5505の出力から
RF倍信号遮断し、0次回折光のビーム強度にのみ依存
した出力を得る。この出力を利用して、FE倍信号自動
利得調整増幅器36とRF倍信号自動利得調整増幅器3
7の利得を調整し、FE倍信号びRF倍信号出力振幅が
ほぼ一定となるように制御する。このことにより、光源
の出力、光記憶媒体(光ディスク)の反射率の差異によ
りフォトディテクタ55へ入射するビーム強度が変化し
ても、FE倍信号びRF信号1を安定に出力可能となる
。もちろんここで、第4図に示したスリット格子をホロ
グラムに記録するか、FE信号検出用のフォトディテク
タからの演算によるか、もしくは他の方法によりTE倍
信号検出すれば、このTE倍信号対しても低域濾波PJ
39の出力を用いてFE倍信号RF倍信号同様に出力振
幅をほぼ一定に保つことが可能であることは言うまでも
ない。また、ここではFE倍信号検出方法としてスポッ
トサイズディテクシ日ン方式を一例として示したが、勿
論他の方法でも全く同様な効果が得られる。
発明の効果 本発明ではホログラム素子からの1次回折光のみならず
0次回折光をも検出することにより以下に示す効果を有
する。
(−I)−フ、オドディテクタの位置調整が著しく容易
となり、調整工程が簡素化される。
(II)フォトディテクタの位:δ精度が改善されるた
め、フォーカス誤差(FE)信号、及びトラッキング誤
差(TE)信号を安定して検出することが可能である。
(III)レーザーの波長変動に対する許容範囲が最も
広い位置に調整できるので、 温度変化の激しい環境下においても使用条件の厳しい所
でも、光源に半導体レーザーを用いることができ、しか
も動作は非常に安定である。
(It/)レーザーの波長変動に対する許容範囲が最も
広い位置に調整できるので、 レーザーのロフトのばらつきによって発振波長が異なっ
ても安定な動作が可能である。
(V)I〜■により生産性と歩留まりが向−ヒし、低価
格化が実現できる。
(Vl)フォーカス誤差(FE)信号、トラッキング誤
差(TE)信号もしくはさらに高周波情報(RF)信号
を1つの基板上に形成したフォトディテクタで検出でき
るため光学系の、JJ整が容易となり部品点数の減少、
低価格化、小型化等が実現可能となる。
(■)0次回折光のビーム強度を検出してFE倍信号し
くはTE倍信号しくはさらにRF倍信号出力振幅の制御
を行うこと・により、光源の出方変動やディスクの反射
率の差異にょってフォトディテクタに入射する光の強度
が変化してもきわめて安定した信号の検出と制御が可能
である。
(■)0次回折光はホログラムに記録したti’?lU
を含まないので、光記憶媒体(例えば光ディスク)に記
録された情報を良好に検出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明の一実施例を示す光ヘツド装置の
概略構成図、同図(b)は同図(a)に示す光ヘツド装
置におけるフォトディテクタと回折光の関係図、第2図
(a L(b )、(c )は本発明を説明する一般的
原理図、第3図(a )、(b )、(c)は本発明の
別の実施例を説明するフォトディテクタの構成図、第4
図(a)は本発明の他の実施例を説明するホログラム素
子の構成図、同図(b)は同図(a)に示すホログラム
素子を用いた光ヘツド装置における回折光とフォトディ
テクタの関係図、第5図は本発明の別の実施例を説明す
る概念図、第8図(a L(b )、(c )は従来の
光ヘツド光学系のフォーカス制御信号検出方法の概念図
、第7図は従来の光ヘツド光学系の非点収差波面検出系
の一例を示す構成図である。 1・・・半導体レーザもしくは相当のフヒーレント光源
、2・・・コリメートレンズ、3・・・レンズ、4・・
・光記憶媒体(光ディスク)、5・・・フォトディテク
タ、6・・・ホログラム素子、7・・φ偏光ビームスプ
リッタ、8・・・波長板、9・・・レンズ、66・・・
ホログラム素子、70・・・0次回折光、71・・・1
次回折光、72・・・1次回折光(共役像)、107・
・・偏光ビームスプリッタ、691・・・ホログラム領
域、692・・・ホログラム領域、693φ・・ホログ
ラム領域、694・・・単純格子パターン、695・φ
・単純格子パターン。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか1名54−l 、5”4Z 5S あ・・−5負算回謝シ 3に、37−゛−盲勧利搏聾目【目跡 39・・−低域洗液息 F 3/、 32−70算回訃 お−・・差動回路 34・−信号XIL理0跡 ご−四分v1チオチクタ フ1−・−ラP魚収基再主:IL面 (bン (C〕 第 図 /−m−光源 2− コリメー)レンス /8−−・4浪長板 19−  ビームスブリック 21−  円社リンス 2z−・2分ID17^トテイテクグ 40・−・ヒ1ヅト 107・−鳴光ビゝムスプリッグ 葛9−4−分紗172)テンテクタ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)コヒーレントビームもしくは準単色のビームを発
    する光源と、前記光源からのビームを受け光記憶媒体上
    へ微小スポットに収束する集光光学系と、前記光記憶媒
    体で反射したビームを受け回折光を発生させるホログラ
    ム素子と、前記ホログラム素子からの0次回折光及び1
    次回折光を各々受光する同一の半導体基板上に形成した
    複数のフォトディテクタとを少なくとも具備し、さらに
    前記0次回折光を受光するフォトディテクタに隣接もし
    くはその近傍に複数のフォトディテクタを配置している
    ことを特徴とする光ピックアップヘッド装置。
  2. (2)コヒーレントビームもしくは準単色のビームを発
    する光源と、前記光源からのビームを受け光記憶媒体上
    へ微小スポットに収束する集光光学系と、前記光記憶媒
    体で反射したビームを受け回折光を発生させるホログラ
    ム素子と、このホログラム素子からの0次回折光を受光
    するフォトディテクタと、0次回折光のビーム強度のみ
    を出力する低域濾波器と、この出力を利用してフォーカ
    ス誤差(FE)信号、もしくはトラッキング誤差(TE
    )信号、もしくはさらに高周波情報(RF)信号の出力
    強度を制御する自動利得調整装置とを少なくとも具備し
    た光ピックアップヘッド装置。
JP63178623A 1988-07-18 1988-07-18 フォトディテクタの位置合わせ方法および光ピックアップヘッド装置 Expired - Lifetime JPH083908B2 (ja)

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US5243585A (en) * 1991-01-07 1993-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical head including focusing error detecting system
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