JPH02293852A - 静電記録体 - Google Patents
静電記録体Info
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- JPH02293852A JPH02293852A JP11582489A JP11582489A JPH02293852A JP H02293852 A JPH02293852 A JP H02293852A JP 11582489 A JP11582489 A JP 11582489A JP 11582489 A JP11582489 A JP 11582489A JP H02293852 A JPH02293852 A JP H02293852A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真技術を応用した複写機．プリンタ等
の電子写真感光体として使用される静電記録体に関する
。
の電子写真感光体として使用される静電記録体に関する
。
従来より、この種の静電記録体として、アモルファスセ
レン系，酸化亜鉛系，硫化カドミウム系，アモルファス
シリコン系等の無機系感光材料またはポリビニル力ルバ
ゾールートリニト口フルオレノン錯共重合体，フタ口シ
アニン系化合物，アゾ系化合物．ヒドラゾン系化合物，
ブタジエン系化合物等の有機系感光材料を導電性基板表
面に塗／＋ｉして感光層を形成したものが用いられてい
た。特に、有機系感光材料を用いた静電記録体（以下、
「ｆイ機感光体」と称する）は、無機系感光材料を用い
たものに比べて、設計の自由度，光感度の点、および低
コスト，無公害等の点で優れており、有機感光体が普及
しつつある。
レン系，酸化亜鉛系，硫化カドミウム系，アモルファス
シリコン系等の無機系感光材料またはポリビニル力ルバ
ゾールートリニト口フルオレノン錯共重合体，フタ口シ
アニン系化合物，アゾ系化合物．ヒドラゾン系化合物，
ブタジエン系化合物等の有機系感光材料を導電性基板表
面に塗／＋ｉして感光層を形成したものが用いられてい
た。特に、有機系感光材料を用いた静電記録体（以下、
「ｆイ機感光体」と称する）は、無機系感光材料を用い
たものに比べて、設計の自由度，光感度の点、および低
コスト，無公害等の点で優れており、有機感光体が普及
しつつある。
しかしながら、有機感光体は、機械的強度が弱く耐刷性
に欠けているという欠点がある。
に欠けているという欠点がある。
一方、アルミニウム基板を陽極酸化処理して機械的強度
に優れた多孔質陽極酸化膜（以下、「多孔質酸化膜」と
称する）を形成し、その多孔質酸化膜の微細孔中に各種
の機能素材を充填して新しい機能を引出す研究が一部で
行われるようになってきている。例えば、多孔質酸化膜
の微細孔中に磁性体．潤滑剤を電気化学的方法で充填さ
せ、機械的強度に優れた磁性記録媒体や摺動部材を得る
ための研究等がある。
に優れた多孔質陽極酸化膜（以下、「多孔質酸化膜」と
称する）を形成し、その多孔質酸化膜の微細孔中に各種
の機能素材を充填して新しい機能を引出す研究が一部で
行われるようになってきている。例えば、多孔質酸化膜
の微細孔中に磁性体．潤滑剤を電気化学的方法で充填さ
せ、機械的強度に優れた磁性記録媒体や摺動部材を得る
ための研究等がある。
そこで、上記多孔質酸化膜を用いて有機感光体に機械的
強度を持たせれば、耐刷性の改善を図ることができる。
強度を持たせれば、耐刷性の改善を図ることができる。
すなわち、特公昭４９−１０７０７号公報等に示されて
いるように、アルミニウム等の導電性基板上に形成され
た多孔質酸化膜からなる絶縁層またはマトリクスに対し
て、その孔中に有機感光材料を深部まで充填し、または
完全に突き抜けるまで充填する。このようにして作製さ
れる静電記録体は、互いに絶緑されかつ一様に配列され
た感光体柱が形成された構造のものとなる。このような
構造にすることにより、静電記録体自体の機械的強度が
向上するものとなり、耐刷性が改善できる。
いるように、アルミニウム等の導電性基板上に形成され
た多孔質酸化膜からなる絶縁層またはマトリクスに対し
て、その孔中に有機感光材料を深部まで充填し、または
完全に突き抜けるまで充填する。このようにして作製さ
れる静電記録体は、互いに絶緑されかつ一様に配列され
た感光体柱が形成された構造のものとなる。このような
構造にすることにより、静電記録体自体の機械的強度が
向上するものとなり、耐刷性が改善できる。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、一般の多孔質酸化膜は、硫酸，蓚酸，燐酸ま
たはそれらの混合物を溶媒とした電解液中でアルミニウ
ムを陽極酸化処理することにより形成している。このよ
うな陽極酸化法により形成される多孔質酸化膜の微細孔
は、その孔径が０６０１〜０．０５μｍ程度である。こ
のような微細孔へ物質を充填する方法としては、電解着
色法に代表される電気化学的方法または真空加圧含浸法
がある。
たはそれらの混合物を溶媒とした電解液中でアルミニウ
ムを陽極酸化処理することにより形成している。このよ
うな陽極酸化法により形成される多孔質酸化膜の微細孔
は、その孔径が０６０１〜０．０５μｍ程度である。こ
のような微細孔へ物質を充填する方法としては、電解着
色法に代表される電気化学的方法または真空加圧含浸法
がある。
ところが、上記充填方法では多孔質酸化膜に形成されて
いる微細孔の孔径が小さいために、有機系感光材料を微
細孔中へ十分充填することができず、微細孔中に充填さ
れた感光材料とアルミニウム導電性基板との間に空間層
ができる。このような空間層は、感光材料に発生した電
荷の移動を妨げるものとなり、静電記録体として用いた
場合に、上記空間層が静電潜像の形成に悪影響を与る。
いる微細孔の孔径が小さいために、有機系感光材料を微
細孔中へ十分充填することができず、微細孔中に充填さ
れた感光材料とアルミニウム導電性基板との間に空間層
ができる。このような空間層は、感光材料に発生した電
荷の移動を妨げるものとなり、静電記録体として用いた
場合に、上記空間層が静電潜像の形成に悪影響を与る。
その結果、帯電ムラを生じ、良好な画像を得ることがで
きないという問題がある。
きないという問題がある。
そこで、本発明の目的は、絶縁材料の充填に適した孔径
を有する微細孔を形成することができ良好な画像を得る
ことができると共に、機械的強度が高く耐刷性に優れた
静電記録体を！２共することにある。
を有する微細孔を形成することができ良好な画像を得る
ことができると共に、機械的強度が高く耐刷性に優れた
静電記録体を！２共することにある。
〔課題を解決するための手段および作用〕本発明に係る
静電記録体は、導電性基板表面に形成された多孔質酸化
膜の微細孔中に絶縁材料を充填してなる静電記録体にお
いて、導電性基板を燐酸濃度０．１〜０．２ ｇ／ｌ
，温度２０〜３０℃の電解液中にて、電流密度１．５〜
２．５ Ａ／ｄ■２で陽極酸化処理することにより、そ
の導電性基阪表面に多孔質酸化膜を形成した。
静電記録体は、導電性基板表面に形成された多孔質酸化
膜の微細孔中に絶縁材料を充填してなる静電記録体にお
いて、導電性基板を燐酸濃度０．１〜０．２ ｇ／ｌ
，温度２０〜３０℃の電解液中にて、電流密度１．５〜
２．５ Ａ／ｄ■２で陽極酸化処理することにより、そ
の導電性基阪表面に多孔質酸化膜を形成した。
このようにして形成された多孔質酸化Ｊ換は、絶縁材料
の充填に適した孔径が０．１μｍ以上の微細孔が形成さ
れる。なお、多孔質酸化膜に形成される微細孔の孔径は
、電解液の燐酸濃度に左右される。燐酸濃度が０．２ｇ
／Ｎ以上になると、微細孔を形成する壁が表面からｒｉ
１壊され、披膜の硬度が著しく低下し好ましくない。ま
た、燐酸濃度が０．１ ｇ／Ｉ以下になると微細孔の孔
径が０．１μｍ以下となり、例えば光電導感光材料とし
て用いられる有機顔料や感光樹脂は、その粒子径との関
係から、十分充填することができず前記空間層が形成さ
れ易い。そこで、電解液を燐酸濃度０．１６ｇ／ｇ，温
度２５℃として、電解時の電流密度２ＡｌｄＩ１２に設
定することが望ましく、このように設定することにより
、孔径０．１ 〜０．２ ｐ ｍ，開口率６５９６の多
孔質酸化膜を形成することができる。
の充填に適した孔径が０．１μｍ以上の微細孔が形成さ
れる。なお、多孔質酸化膜に形成される微細孔の孔径は
、電解液の燐酸濃度に左右される。燐酸濃度が０．２ｇ
／Ｎ以上になると、微細孔を形成する壁が表面からｒｉ
１壊され、披膜の硬度が著しく低下し好ましくない。ま
た、燐酸濃度が０．１ ｇ／Ｉ以下になると微細孔の孔
径が０．１μｍ以下となり、例えば光電導感光材料とし
て用いられる有機顔料や感光樹脂は、その粒子径との関
係から、十分充填することができず前記空間層が形成さ
れ易い。そこで、電解液を燐酸濃度０．１６ｇ／ｇ，温
度２５℃として、電解時の電流密度２ＡｌｄＩ１２に設
定することが望ましく、このように設定することにより
、孔径０．１ 〜０．２ ｐ ｍ，開口率６５９６の多
孔質酸化膜を形成することができる。
以下、実施例に拭づいて本発明を具体的に説明する。
まず、実施例１〜実施例４および比較例１で用いる感光
材料を作る。すなわち、ポリビニル力ルバゾール１重量
部．トリニトロフルオレノン１重量部，ＴＨＦ （テト
ラヒド口フラン）５０重量部を混合して撹拌し、液体状
をなす感光材料を合成する。
材料を作る。すなわち、ポリビニル力ルバゾール１重量
部．トリニトロフルオレノン１重量部，ＴＨＦ （テト
ラヒド口フラン）５０重量部を混合して撹拌し、液体状
をなす感光材料を合成する。
実施例１
アルミニウム板（ Ａ−１０５０）を脱脂化学研磨した
後、このアルミニウム板を、燐酸濃度０．１Ｇｇ／Ｉ，
温度２５℃の電解液中にて、直流電流密度２Ａ／ｄａ２
． ７！ｉ解時間６０分で陽極酸化処理した。このよう
にして、アルミニウム基板上に形成された多孔質酸化膜
は、その膜厚が１５μｍ，微細孔の孔径が０．１５μｍ
，微細孔の孔底と被膜の形成されているアルミニウム基
板表面との間に形成されるバリア層の厚さが０．０４μ
ｍであった。
後、このアルミニウム板を、燐酸濃度０．１Ｇｇ／Ｉ，
温度２５℃の電解液中にて、直流電流密度２Ａ／ｄａ２
． ７！ｉ解時間６０分で陽極酸化処理した。このよう
にして、アルミニウム基板上に形成された多孔質酸化膜
は、その膜厚が１５μｍ，微細孔の孔径が０．１５μｍ
，微細孔の孔底と被膜の形成されているアルミニウム基
板表面との間に形成されるバリア層の厚さが０．０４μ
ｍであった。
次に、この多孔質酸化膜か形成されているアルミニウム
基板を、上記ｉ（Ｋ体状をなす感光材料中に浸漬し、か
つ減圧して多孔質酸化膜の微細孔中に感光材料を含浸さ
せる。この状態を２０分間維持した後、感光材料中から
取出し、８０℃で１．５時間乾燥する。このようにして
、感光層の形成された（多孔質酸化膜の微細孔中に感光
材料が充填された）静電記録体を得た。
基板を、上記ｉ（Ｋ体状をなす感光材料中に浸漬し、か
つ減圧して多孔質酸化膜の微細孔中に感光材料を含浸さ
せる。この状態を２０分間維持した後、感光材料中から
取出し、８０℃で１．５時間乾燥する。このようにして
、感光層の形成された（多孔質酸化膜の微細孔中に感光
材料が充填された）静電記録体を得た。
実施例２
上記実施例１と同一の電解液を用い、かつ同一の電解条
件でアルミニウム基板上に多孔質酸化膜を形成した後、
２次電解処理した。２次電解は、１次電解と同一条件の
電解液を用い、しかも電流反転電源により正負両成分を
含んだ脈流を生成し電流密度２Ａ／ｄａ ２，正成分の
ｄｕｔｙ７ ５％に設定して電解時間を１０分間とした
。２次７ヒ解処理された多孔質酸化膜は、微細孔の孔径
が０．１６μｍ，バリア層の厚さが約０．０２μｍであ
った。
件でアルミニウム基板上に多孔質酸化膜を形成した後、
２次電解処理した。２次電解は、１次電解と同一条件の
電解液を用い、しかも電流反転電源により正負両成分を
含んだ脈流を生成し電流密度２Ａ／ｄａ ２，正成分の
ｄｕｔｙ７ ５％に設定して電解時間を１０分間とした
。２次７ヒ解処理された多孔質酸化膜は、微細孔の孔径
が０．１６μｍ，バリア層の厚さが約０．０２μｍであ
った。
次に、このような多孔質酸化膜に、上記実施例１と同様
にして感光層を形成して静電記録体を得た。
にして感光層を形成して静電記録体を得た。
実施例３
上記実施例１と同一の電解液および同一の電解条件でア
ルミニウム基板上に多孔質酸化膜を形成した後、さらに
２次電解として、ホウ酸アンモニウム０．０４ｇ／Ω，
温度２５℃の２次電解液を用い、直流電流密度２Ａ／ｄ
＋ ２で７．５分間だけ２次電解処理した。このような
２次電解処理を行なったところ、微細孔の孔径が０．１
５μｍ，バリア層の厚さが０，０５μｒｎの多孔質酸化
膜が形成された。
ルミニウム基板上に多孔質酸化膜を形成した後、さらに
２次電解として、ホウ酸アンモニウム０．０４ｇ／Ω，
温度２５℃の２次電解液を用い、直流電流密度２Ａ／ｄ
＋ ２で７．５分間だけ２次電解処理した。このような
２次電解処理を行なったところ、微細孔の孔径が０．１
５μｍ，バリア層の厚さが０，０５μｒｎの多孔質酸化
膜が形成された。
次に、このような多孔質酸化膜に、上記実施例１と同様
にして感光層を形成して静電記録体を得た。
にして感光層を形成して静電記録体を得た。
実施例４
上記実施例２で２次電解処理した多孔質酸化膜をさらに
３次電解処理した。３次電解液は実施例３の２次電解液
と同一のものを用い、３次電解条？は、直流電流密度２
Ａ／ｄａ ２， ３次電解時間を１５分間とした。こ
のような３次電解処理を行なったところ、微細孔の孔径
が０．１５μｍ１バリア層の厚さが０．０５μｍの多孔
質酸化膜が形成された。
３次電解処理した。３次電解液は実施例３の２次電解液
と同一のものを用い、３次電解条？は、直流電流密度２
Ａ／ｄａ ２， ３次電解時間を１５分間とした。こ
のような３次電解処理を行なったところ、微細孔の孔径
が０．１５μｍ１バリア層の厚さが０．０５μｍの多孔
質酸化膜が形成された。
そして、上記実施例１と同様にして感光層を形成して静
電記録体を得た。
電記録体を得た。
比較例１
実施例１における電解液の燐酸濃度を０．１ｇ／ｇとし
、直流電流密度を２．５Ａ／ｄＩＩ１２として電解処理
したところ、微細孔の孔径が０．１μｍ，バリア層の厚
さが０．０５μｍの多孔質酸化膜が形成された。
、直流電流密度を２．５Ａ／ｄＩＩ１２として電解処理
したところ、微細孔の孔径が０．１μｍ，バリア層の厚
さが０．０５μｍの多孔質酸化膜が形成された。
そして、実施例１と同一条件で上記感光材料を含浸させ
た後、含浸させた感光材料の乾燥時間を１，５時間とし
て、比較用の静電記録体を得た。
た後、含浸させた感光材料の乾燥時間を１，５時間とし
て、比較用の静電記録体を得た。
上記実施例１〜４および比較例１で１１だ静電記録体の
電子写真特性を評価するために、第１図に示すＪＦ１定
装置にて、受容電位ＶＯ＋暗減衰ＤＤ，光半減衰露光ｆ
ｆｉ Ｅ ＋ ／■，残留電位ＶＲをＡｌｌ定した。
電子写真特性を評価するために、第１図に示すＪＦ１定
装置にて、受容電位ＶＯ＋暗減衰ＤＤ，光半減衰露光ｆ
ｆｉ Ｅ ＋ ／■，残留電位ＶＲをＡｌｌ定した。
すなわち、コロナ帯電装置１により静電記録体２に対す
る印加電圧を６ＫＶまで調節して受容電位■ｏを測定す
る。次に、静電記録体２をノ＼ロゲンランブ３（５ルク
ス）で露光し、このときの電位を電位計４でＪ）１定し
、その電位の減衰速度から暗減衰ＤＤおよび光半減衰露
光量Ｅｌ／２を測定する。
る印加電圧を６ＫＶまで調節して受容電位■ｏを測定す
る。次に、静電記録体２をノ＼ロゲンランブ３（５ルク
ス）で露光し、このときの電位を電位計４でＪ）１定し
、その電位の減衰速度から暗減衰ＤＤおよび光半減衰露
光量Ｅｌ／２を測定する。
なお、暗減衰ＤＤは、（５秒後の帯電電位）／（初期帯
電電位）ＸＩＯＯで計算している。そして、上記露光し
た静電記録体２を除電ランブ５で除電した後、その残留
１ｕ位Ｖを電位計６でＡＰ＋定する。
電電位）ＸＩＯＯで計算している。そして、上記露光し
た静電記録体２を除電ランブ５で除電した後、その残留
１ｕ位Ｖを電位計６でＡＰ＋定する。
このようにして得たΔＰ１定結果を表１に示す。
上記表１に示すΔ？１定結果には、比較例１は、実施例
１〜４の電子写真特性に比べて、受容電位ｖｏが低く、
しかも残留電位Ｖ．および光半減衰露光量Ｅ＋ｚ２が高
いことが示されており、多孔質酸化膜に形成される微細
孔の孔径が０．ＩＯμｍ以下になると、その電子写真特
性が著しく低下することがわかる。これは、微細孔の孔
径が０．１μｍ以下であると、絶縁材料が十分に充填さ
れずに、孔底近傍に空間層が形成されることに起因する
ものと考えられる。
１〜４の電子写真特性に比べて、受容電位ｖｏが低く、
しかも残留電位Ｖ．および光半減衰露光量Ｅ＋ｚ２が高
いことが示されており、多孔質酸化膜に形成される微細
孔の孔径が０．ＩＯμｍ以下になると、その電子写真特
性が著しく低下することがわかる。これは、微細孔の孔
径が０．１μｍ以下であると、絶縁材料が十分に充填さ
れずに、孔底近傍に空間層が形成されることに起因する
ものと考えられる。
また、実施例２および実施例４のａ＞＋定結果には、脈
流を用いて電解することにより微細孔の孔壁が平滑化す
ることが示されている。
流を用いて電解することにより微細孔の孔壁が平滑化す
ることが示されている。
また、実施例３および実施例４のａ？１定結果には、電
解液の溶媒としてホウ酸アンモニウムを用い、複数回の
電解処理を重ねることにより、微細孔の孔径を変えるこ
となくバリア層の厚さが変化することが示されている。
解液の溶媒としてホウ酸アンモニウムを用い、複数回の
電解処理を重ねることにより、微細孔の孔径を変えるこ
となくバリア層の厚さが変化することが示されている。
本発明によれば、燐酸濃度０．１〜０．２ｇ／１．温度
２０〜３０℃の電解液により、電流密度１．５〜２．５
Ａ／ｄｓ２で導電性基板を陽極酸化処理して多孔質酸
化膜を形成しているので、絶縁材料の充填に適した孔径
を有する微細孔を形成でき電子写真特性を改善できると
共に、機械的強度が高く耐刷性に優れた静電記録体を提
供できる。
２０〜３０℃の電解液により、電流密度１．５〜２．５
Ａ／ｄｓ２で導電性基板を陽極酸化処理して多孔質酸
化膜を形成しているので、絶縁材料の充填に適した孔径
を有する微細孔を形成でき電子写真特性を改善できると
共に、機械的強度が高く耐刷性に優れた静電記録体を提
供できる。
第１図は電子写真特性を４−１定するための１１定装置
の概略的な構成図である。 第１ 図
の概略的な構成図である。 第１ 図
Claims (2)
- （１）導電性基板の表面に形成された多孔質酸化膜の微
細孔中に絶縁材料を充填してなる静電記録体において、 前記導電性基板を、燐酸濃度０．１〜０．２ｇ／ｌ、温
度２０〜３０℃の電解液中で、電流密度１．５〜２．５
Ａ／ｄｍ＾２で陽極酸化処理して前記多孔質酸化膜を形
成したことを特徴とする静電記録体。 - （２）前記絶縁材料は、有機系感光材料であることを特
徴とする請求項１記載の静電記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11582489A JPH02293852A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 静電記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11582489A JPH02293852A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 静電記録体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02293852A true JPH02293852A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14672019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11582489A Pending JPH02293852A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 静電記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02293852A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07301935A (ja) * | 1994-05-06 | 1995-11-14 | Kobe Steel Ltd | 印刷性に優れた感光体ドラムの製造方法 |
| US6410197B1 (en) * | 1998-09-18 | 2002-06-25 | Lexmark International, Inc. | Methods for treating aluminum substrates and products thereof |
-
1989
- 1989-05-09 JP JP11582489A patent/JPH02293852A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07301935A (ja) * | 1994-05-06 | 1995-11-14 | Kobe Steel Ltd | 印刷性に優れた感光体ドラムの製造方法 |
| US6410197B1 (en) * | 1998-09-18 | 2002-06-25 | Lexmark International, Inc. | Methods for treating aluminum substrates and products thereof |
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