JPH0229180B2 - Sekigaisenkenshutsuki - Google Patents
SekigaisenkenshutsukiInfo
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- JPH0229180B2 JPH0229180B2 JP58098333A JP9833383A JPH0229180B2 JP H0229180 B2 JPH0229180 B2 JP H0229180B2 JP 58098333 A JP58098333 A JP 58098333A JP 9833383 A JP9833383 A JP 9833383A JP H0229180 B2 JPH0229180 B2 JP H0229180B2
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
- H01L25/042—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、防犯、防災用の熱赤外線検知システ
ム、工業における熱管理システム、温度分布測定
などに利用される赤外線検出器に関するものであ
る。
ム、工業における熱管理システム、温度分布測定
などに利用される赤外線検出器に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
複数の素子を１次元又は２次元に配列してなる
多素子型赤外線検出器においては、相隣る素子間
に、信号電極分離のための不感帯がかならず必要
である。第１図および第２図にその一例を示す。
図において１１は赤外線検出素子で、素子マウン
ト基板１４上に形成される。１２は出力信号取出
しリード配線で、赤外線検出素子１１に導電性接
着剤にて固定される。１３はパツケージで、赤外
線検出素子１１を内蔵し、赤外線照射面には赤外
線透過窓１７が設けられている。１５はアースピ
ン、１６は出力ピンである。
多素子型赤外線検出器においては、相隣る素子間
に、信号電極分離のための不感帯がかならず必要
である。第１図および第２図にその一例を示す。
図において１１は赤外線検出素子で、素子マウン
ト基板１４上に形成される。１２は出力信号取出
しリード配線で、赤外線検出素子１１に導電性接
着剤にて固定される。１３はパツケージで、赤外
線検出素子１１を内蔵し、赤外線照射面には赤外
線透過窓１７が設けられている。１５はアースピ
ン、１６は出力ピンである。
この実施例では、クロストーク防止のために不
感領域は、信号電極の分離のためでけでなく第２
図に示すように赤外線検出素子自体も分離してお
り、かつその空間を利用して、信号電極のリード
線を引きまわしている。
感領域は、信号電極の分離のためでけでなく第２
図に示すように赤外線検出素子自体も分離してお
り、かつその空間を利用して、信号電極のリード
線を引きまわしている。
この不感領域は赤外線検出器としては当然のこ
とながら狭いことが望ましいが、各素子の分離も
必要であることから完全に不感領域をゼロにする
ことはできない。
とながら狭いことが望ましいが、各素子の分離も
必要であることから完全に不感領域をゼロにする
ことはできない。
発明の目的
本発明は、以上のような欠点を解消するもので
多素子型赤外線検出器における不感領域が素子間
にはなく、かつ相互の分離も可能とした構成の赤
外線検出器を提供することを目的としている。
多素子型赤外線検出器における不感領域が素子間
にはなく、かつ相互の分離も可能とした構成の赤
外線検出器を提供することを目的としている。
発明の構成
本発明は複数の赤外線検出素子を、相隣る素子
の赤外受光面が互いに段差を有し、かつ視野方向
から見たときの受光面が互いに接触または重複す
るように一次元又は二次元に配列した赤外線検出
器である。
の赤外受光面が互いに段差を有し、かつ視野方向
から見たときの受光面が互いに接触または重複す
るように一次元又は二次元に配列した赤外線検出
器である。
実施例の説明
以下本発明の実施例について図面とともに詳細
に説明する。
に説明する。
第３図は本発明による赤外線検出器を視野方向
から見た場合の平面図であり、第１図の各構成部
と同一部分には同一符号を付して説明を省略す
る。赤外検出素子１１の受光面は視野方向から見
た場合互いに接触または重複しており、各素子間
に不感領域は存在しない。一方各赤外検出素子１
１の分離は第４図、第５図に示すように相隣る素
子間に段差があるように傾斜して配列させること
により行なつている。この場合、素子マウント基
板１４も断面がのこぎり波状になるように形成す
る。
から見た場合の平面図であり、第１図の各構成部
と同一部分には同一符号を付して説明を省略す
る。赤外検出素子１１の受光面は視野方向から見
た場合互いに接触または重複しており、各素子間
に不感領域は存在しない。一方各赤外検出素子１
１の分離は第４図、第５図に示すように相隣る素
子間に段差があるように傾斜して配列させること
により行なつている。この場合、素子マウント基
板１４も断面がのこぎり波状になるように形成す
る。
赤外線検出素子１１は、第４図および第５図に
示すような段差のあるセラミツク基板１４に１枚
ずつ貼り付けられ、赤外線受光面全面にニクロム
電極を蒸着する。蒸着膜厚は、シート抵抗で制御
し、300〜400Ω／□とする。裏面は、セラミツク
基板１４との間に導電性接着剤を用い素子の固定
と電気的導通を達成し、セラミツク基板１４上で
共通電極として、全素子アース電極を１ケ所にま
とめる。実施例では、アース電極のリード端子１
５を２ケ所設けているが、これは１ケ所でもよ
い。信号取出し電極は素子毎に独立してリード線
１２でパツケージの足１６に導通させなければな
らないので、中央の二列については、垂直の分離
面をはわせる。
示すような段差のあるセラミツク基板１４に１枚
ずつ貼り付けられ、赤外線受光面全面にニクロム
電極を蒸着する。蒸着膜厚は、シート抵抗で制御
し、300〜400Ω／□とする。裏面は、セラミツク
基板１４との間に導電性接着剤を用い素子の固定
と電気的導通を達成し、セラミツク基板１４上で
共通電極として、全素子アース電極を１ケ所にま
とめる。実施例では、アース電極のリード端子１
５を２ケ所設けているが、これは１ケ所でもよ
い。信号取出し電極は素子毎に独立してリード線
１２でパツケージの足１６に導通させなければな
らないので、中央の二列については、垂直の分離
面をはわせる。
赤外線検出素子１１は焦電型のチタン酸鉛セラ
ミツク板を用いた。寸法は、0.5mm×0.5mm×0.03
mmとした。
ミツク板を用いた。寸法は、0.5mm×0.5mm×0.03
mmとした。
信号取出しの配線のために、わずかな不感領域
が生ずる可能性があるが、段差を第６図のように
隣接する素子のうち上部になる素子が若干におお
いかぶさるようにするか、第７図のように、垂直
段差面に斜めにくにこむように切り込んで形成す
れば、完全に不感領域はゼロになる。１８は信号
取出電極、１９はアース電極である。
が生ずる可能性があるが、段差を第６図のように
隣接する素子のうち上部になる素子が若干におお
いかぶさるようにするか、第７図のように、垂直
段差面に斜めにくにこむように切り込んで形成す
れば、完全に不感領域はゼロになる。１８は信号
取出電極、１９はアース電極である。
第８図、第９図は他の実施例を示す。第８図は
第４図、第９図は第５図に相当する。段差は第８
図、第９図に示すように相隣る素子の設定位置の
高さをたがいちがいの組合せにすることにより実
現する。この場合、信号取出し電極は、高い位置
に設定された素子については、アース電極部を飛
び越えてリード線を引き出さなければならない。
第４図、第９図は第５図に相当する。段差は第８
図、第９図に示すように相隣る素子の設定位置の
高さをたがいちがいの組合せにすることにより実
現する。この場合、信号取出し電極は、高い位置
に設定された素子については、アース電極部を飛
び越えてリード線を引き出さなければならない。
赤外線検出素子１１は、スパツタ蒸着法による
焦電薄膜を用いた。１素子の寸法は0.2mm×0.2mm
で蒸着膜厚は5μｍである。これにより不感領域
がゼロの多素子型赤外線検出器ができた。
焦電薄膜を用いた。１素子の寸法は0.2mm×0.2mm
で蒸着膜厚は5μｍである。これにより不感領域
がゼロの多素子型赤外線検出器ができた。
次に第３の実施例を説明する。第１０図に示す
ように第８図の実施例と同様に相隣る素子の設定
位置の高さをたがいちがいの組合せとし、高い位
置の素子は、低い位置の受光面に一部覆いかぶさ
るような大きさにする。これにより、入射角がα
より小さい斜め入射赤外線に対しても不感領域の
ない多素子型赤外線検出器が得られる。
ように第８図の実施例と同様に相隣る素子の設定
位置の高さをたがいちがいの組合せとし、高い位
置の素子は、低い位置の受光面に一部覆いかぶさ
るような大きさにする。これにより、入射角がα
より小さい斜め入射赤外線に対しても不感領域の
ない多素子型赤外線検出器が得られる。
第１１図は第１０図の構成の赤外線検出器を使
用した赤外線検出系を示す。赤外線焦光レンズ２
０と多素子型赤外線検出器を組合せた赤外線検出
系においてレンズ周辺から入射する赤外線は斜め
入射光として赤外線検出器に入るが、第１０図に
示すような構造の多素子型赤外線検出器なので、
全ての入射赤外線はどれかの素子の受光面でかな
らず検出される。ここで、最大入射角をθとし、
段差と素子受光面の重なり巾とでなす角をαとす
ると、αθとなつている。
用した赤外線検出系を示す。赤外線焦光レンズ２
０と多素子型赤外線検出器を組合せた赤外線検出
系においてレンズ周辺から入射する赤外線は斜め
入射光として赤外線検出器に入るが、第１０図に
示すような構造の多素子型赤外線検出器なので、
全ての入射赤外線はどれかの素子の受光面でかな
らず検出される。ここで、最大入射角をθとし、
段差と素子受光面の重なり巾とでなす角をαとす
ると、αθとなつている。
発明の効果
以上のように、本発明は複数の赤外線検出素子
を相隣る素子の赤外受光面が互いに段差を有し、
かつ視野方向から見たときの受光面が互いに接触
またま重複するように一次元又は二次元に配列し
た赤外線検出器で、素子間に不感領域のない多素
子型赤外線検出器を提供することができ、この赤
外線検出器を用いることにより、複数に区分して
ある一定領域の視野を不感帯なしに区別して監視
することができる。
を相隣る素子の赤外受光面が互いに段差を有し、
かつ視野方向から見たときの受光面が互いに接触
またま重複するように一次元又は二次元に配列し
た赤外線検出器で、素子間に不感領域のない多素
子型赤外線検出器を提供することができ、この赤
外線検出器を用いることにより、複数に区分して
ある一定領域の視野を不感帯なしに区別して監視
することができる。
第１図は従来の多素子型赤外線検出器の一例を
示す平面図、第２図は、第１図のＡ−A′線断面
図、第３図は、本発明による多素子型赤外線検出
器の一実施例を示す平面図、第４図は第３図のＡ
−A′断面図、第５図は第３図のＢ−B′断面図、
第６図および第７図は第４図の部分拡大図に相当
する図で、各々信号電極のリード線引き出しの構
造の実施例を示す断面図、第８図および第９図は
本発明の他の実施例を示す断面図、第１０図は本
発明による赤外線検出器の更に他の実施例を示す
断面図、第１１図は第１０図の赤外線検出器を利
用した赤外線検出系の概略図である。 １１……赤外線検出素子、１２……リード配
線、１３……パツケージ、１４……素子マウント
基板、１５……アースピン、１６……出力ピン、
１７……赤外線透過窓、１８……信号取出電極、
１９……アース電極、２０……赤外線集光レン
ズ。
示す平面図、第２図は、第１図のＡ−A′線断面
図、第３図は、本発明による多素子型赤外線検出
器の一実施例を示す平面図、第４図は第３図のＡ
−A′断面図、第５図は第３図のＢ−B′断面図、
第６図および第７図は第４図の部分拡大図に相当
する図で、各々信号電極のリード線引き出しの構
造の実施例を示す断面図、第８図および第９図は
本発明の他の実施例を示す断面図、第１０図は本
発明による赤外線検出器の更に他の実施例を示す
断面図、第１１図は第１０図の赤外線検出器を利
用した赤外線検出系の概略図である。 １１……赤外線検出素子、１２……リード配
線、１３……パツケージ、１４……素子マウント
基板、１５……アースピン、１６……出力ピン、
１７……赤外線透過窓、１８……信号取出電極、
１９……アース電極、２０……赤外線集光レン
ズ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の赤外線検出素子を相隣る素子の赤外線
受光面が互に段差を有し、視野方向からみて赤外
線受光面が、互に相隣る素子間で接しているか重
複するよう配列したことを特徴とする赤外線検出
器。 ２ 相隣る素子間の段差をもつ側面部に信号取出
し電極からのリード線を配線したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の赤外線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098333A JPH0229180B2 (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | Sekigaisenkenshutsuki |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098333A JPH0229180B2 (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | Sekigaisenkenshutsuki |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59222731A JPS59222731A (ja) | 1984-12-14 |
| JPH0229180B2 true JPH0229180B2 (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=14216973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58098333A Expired - Lifetime JPH0229180B2 (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | Sekigaisenkenshutsuki |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0229180B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05191058A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-07-30 | Sony Tektronix Corp | 蓋 体 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06258137A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電型赤外線センサ |
| US5418198A (en) * | 1993-08-23 | 1995-05-23 | Magneco/Metrel, Inc. | Pelletizable gunning composition |
| US5554847A (en) * | 1994-10-11 | 1996-09-10 | Hughes Aircraft Company | Flexibly connectable high precision thermal and structural focal plane array mount |
| GB2315157B (en) * | 1996-07-11 | 1998-09-30 | Simage Oy | Imaging apparatus |
| US6873361B1 (en) * | 1999-01-28 | 2005-03-29 | Takeharu Etoh | Image sensor having a plurality of chips |
| WO2012029974A1 (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | 日本電気株式会社 | 赤外線検知センサおよび電子機器 |
-
1983
- 1983-06-02 JP JP58098333A patent/JPH0229180B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05191058A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-07-30 | Sony Tektronix Corp | 蓋 体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59222731A (ja) | 1984-12-14 |
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