JPH02291185A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業」二の利用分野］ 本発明は、磁気センザーとして用いられる磁気抵抗効果
素子に関する。

［従来の技術］ 磁界の強さの変化を電気抵抗に変換する磁気抵抗効果素
子としては、ガラスなどの絶縁乱板上にパーマロイ等の
強磁性祠の薄膜で検出部を作り、この検出部両端に良導
体の端子部をパターン形成している。

このような磁気抵抗効果素子ては、電極部にリード線な
とを半＋１Ｉ付Ｉｔ　＋，た場合、電極部とノｊラス基
板との密着性が劣化し、リード線が外れるなとの欠陥が
発生するため、あらかじめガラス基板上に接着力の強い
金属たとえばクロ１、の薄膜を形成するようにしたもの
か特開昭６３−ａｓ＋シ：に示されている。

また、磁気抵抗体を形成する強磁性祠が卑金属で構成さ
れているため、真空状態で使用ケる場合はよいが、外気
に接触する状態で使用すると磁気抵抗体が酸化され易く
、時間の経過とともに磁気抵抗特性の劣化を生しる。こ
のため、磁気抵抗体の電極部を残して陽極酸化した金属
被模の保護層を形成し、前記金属被膜のない部分に電極
金属層を蒸着するものか、特開昭５８−１７Ｇ９８４号
に示されている。

［本発明が解決しようとする課題］ このように、ガラス基板と磁気抵抗体の電極部との間に
接着力の強い金属を配置し、また、電極部分を除いて磁
気抵抗体に陽極酸化した金属保護膜を形成させた場合、
この磁気抵抗効果素子を通電状態で湿気の多い雰囲気中
で使用したり、水など電解質を含む液体かイ」着すると
、アルミニウノ，、、銅、銀などの電極部の良導体と電
極部下層の金属端面の間、あるいは電極部かアルミニウ
ムの場合には電極部と検出部の強磁性体端而の間でイオ
ン化傾向の差による湿食を生し、電極部下層の金属ある
いは強磁性祠が侵されて、断線したり電極部の良導体と
ガラス基板の密着性か劣化してリート線が外れたり、検
出部の特性が劣化するなとの問題を生じている。

また、磁気抵抗効果素子に合成樹脂の保護層を塗布する
方法があるが、塗布の手数が煩雑なだけでなく、ヒー１
・ザイクルによる断線を生しる可能性があり、真空状態
で使用ずろ場合に保護脱からガスを発生ずる欠点がある
。

本発明は、このような点にがんかみ、リート部における
湿食を防ぎ、り−１へ線の外れや検出部の特性劣化を減
少させ、真空雰囲気中でも使用が可能な磁気抵抗効果素
子を提供することを目的とする。

１課題を解決するための手段］ このため、本発明は基板」−に形成されたり−１・部を
、上層の良導体と下層のアルミニウＪ・、クロム、チタ
ン、ジルコンのいずれかの金属とで２層に構成し、前記
下層の露出された側面を酸化金属としており、また、こ
のリード部下層と同種または異種の酸化金属で検出部の
強磁性体層を覆うようにしている。

［作用］ したがって、リード部の良導体とガラス基板間にお｛Ｊ
るリード部下層の露出した側面が酸化保護膜を形成し、
リード部の良導体と下層金属あるいは強磁性薄膜間との
電解質液体による湿食をなくし、リード部の外れや特性
劣化を著しく減少ざＵる。また、検出部の強磁性体表面
にも強固で緻密な保護膜を形成ずろことができる。

［実施例］ これを図に示す実施例について説明ケる。

第１実施例 第１図および第２図に示した実施例において、１はガラ
ス基板、２は検出部で前記カラス基板１」−に７０％ニ
ッケルーコバルｌ・合金を６００人の厚さに蒸着し、フ
ォＩ・リソグラフで所要のパターンにパターンニングし
て強磁性体層２１を形成させている。ついて、リード部
３の位置にクロムを２００人の厚さに蒸着してりーＩ・
部下層３ｌを形成し、さらにリード部下層３Ｉの上に銅
を５０００人の厚さに蒸着してリード部上層３２を形成
させ、所要のパターンにパターンニングしてリード部３
を形成させる。

つぎに、検出部２が酸化しないようあらかじめ必要な部
分にレジストした基板全体を真空槽に入れ、４〜６Ｐａ
に調整して酸素中でプラズマ処理を行い、パターンニン
グにより露出されたリード部下層３１のクロｌ・層側而
３３を酸化させた。

第２実施例 第３図および第４図において、ガラス括板１の上面に８
１％ニッケルー鉄合金を６００人の厚さにスパッタして
検出部２の強磁性体層２１を形成し、フ」１〜リソグラ
フにより所要のパターンに構成した。ついで、この強磁
性体層２ｌを覆うとともにリード部３位置にクロノ、を
２００人の厚さに蒸着して検出部−Ｌ層２２とリード部
下層３ｌを形成し、さらにリード部３の位置に銀を５０
００人蒸着してリート部上層３２を構成し、フｔ　ｌ−
リソクラフによるパターンニングによりり−１・部３を
構成させる。

つぎに、ガラス基板全体を真空槽に入れ４〜６Ｐａに調
整して酸素中でプラズマ処理を行い、パターンニングに
より露出されたリード部下層３Ｉのクロム層側面３３お
よび検出部上層２２のクロム金属層を酸化金属とした。

この場合、検出部の強磁性体層２１が酸化されないよう
プラズマ処理時間を制御する。

なお、検出部」一層２２の夕〔１ム金属層は、ケベて酸
化させる必要はなく、強磁性体と接する側７こクロムの
純金属層を残しても良く、この場合酸化金属層を少なく
とも５０人の厚ざとしピンポールなどの発生を防止して
保護膜の効果が失イつれないようにし、純金属層は２０
人以下の厚さにして強磁性体の抵抗変化率の特性劣化を
生じないようにずる必要がある。

前記第１実施例および第２実施例で作成した磁気抵抗効
果素子を純水を入れた容器内に密閉して５時間通電した
後、顕微鏡で観察した結果、いずれの素子にもリード部
下層の湿食は認められず、リード部の良導体と基板の密
着は良好に保持されていノこ。

なお、リート郎の良導体として前記の銅に替えて銀、ア
ルミニウムを用いても同様の効果を得ることかできる。

また、検出部上層２２およびリード郎下層３ｌを構成ず
るクロｌ・層に替えてアルミニウム、チタン、ジルコン
などを用いることができ、検出部上層２２とリード部下
層３１は異なる金属を用いて別個に蒸着形成させるよう
にしても、Ｊこい。

［本発明の効果］ このように本発明は、絶縁基板」一に強磁性体層をパタ
ーン形成させた検出郎と、この検出部Ｚこ接続してアル
ミニウム、クロム、チタン、ジルコンのいずれかの金属
を蒸着したリート部下層と、このリード部下層の１二に
、良導体のリード部上層をそなえており、前記り−１・
部下層の露出された側面部を酸化金属としているので、
リート部の湿食が防止されリード部とカラス基板との密
着性を保持することができ、リード線の剥離を生しるこ
とがなく、特性の優れた素子を得られるととらに、リー
１・部下層と同種あるいは異種の金属で検出部の強磁性
体層を覆い前記リード部下層とともに酸化金属とするこ
とにより、検出部の強磁性体を酸化から保護し、磁気抵
抗の特性劣化を防ぐことができろ。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の実施例を示ず１一面図と
Δ−Ａ線に沿う断面図、第３図は他の実施例を示す−１
−面図、第４図（」そのＡ−Δ線に沿う断面図である。 １はガラス基板、２は検出部、３はりーｌ・部、２Ｉは
強磁性体層、２２は検出部」一層、３ｌはリード部下層
、３２はり−１・部上層、３３（Ｊ側面、４ｆＪ酸化金
属層である。 第　１　図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　絶縁基板上に強磁性体をパターン形成させた検出部
   と、前記検出部に接続してアルミニウム、クロム、チタ
   ン、ジルコンのいずれかの金属を蒸着形成したリード部
   下層および良導体よりなるリード部上層で構成されたリ
   ード部とをそなえ、前記リード部下層の露出された側面
   を酸化金属にしたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 ２　絶縁基板上に強磁性体をパターン形成させた検出部
   と、前記検出部に接続してアルミニウム、クロム、チタ
   ン、ジルコンのいずれかの金属を蒸着形成したリード部
   下層および良導体からなるリード部上層とで構成された
   リード部をそなえ、前記リード部下層の露出された側面
   を酸化金属にするとともに、このリード部下層と同種あ
   るいは異種の前記金属により検出部を覆う検出部上層を
   形成し、この検出部上層を酸化金属にしたことを特徴と
   する磁気抵抗効果素子。 ３　前記検出部上層が、強磁性体と接する側に純金属を
   残して酸化されている特許請求の範囲第２項記載の磁気
   抵抗効果素子。 ４　前記検出部を構成する強磁性体が、ニッケル−鉄合
   金、あるいはニッケル−コバルト合金である特許請求の
   範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の磁気抵抗効
   果素子。