JPH02291185A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPH02291185A JPH02291185A JP1111660A JP11166089A JPH02291185A JP H02291185 A JPH02291185 A JP H02291185A JP 1111660 A JP1111660 A JP 1111660A JP 11166089 A JP11166089 A JP 11166089A JP H02291185 A JPH02291185 A JP H02291185A
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Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業」二の利用分野]
本発明は、磁気センザーとして用いられる磁気抵抗効果
素子に関する。
素子に関する。
[従来の技術]
磁界の強さの変化を電気抵抗に変換する磁気抵抗効果素
子としては、ガラスなどの絶縁乱板上にパーマロイ等の
強磁性祠の薄膜で検出部を作り、この検出部両端に良導
体の端子部をパターン形成している。
子としては、ガラスなどの絶縁乱板上にパーマロイ等の
強磁性祠の薄膜で検出部を作り、この検出部両端に良導
体の端子部をパターン形成している。
このような磁気抵抗効果素子ては、電極部にリード線な
とを半+1I付It +,た場合、電極部とノjラス基
板との密着性が劣化し、リード線が外れるなとの欠陥が
発生するため、あらかじめガラス基板上に接着力の強い
金属たとえばクロ1、の薄膜を形成するようにしたもの
か特開昭63−as+シ:に示されている。
とを半+1I付It +,た場合、電極部とノjラス基
板との密着性が劣化し、リード線が外れるなとの欠陥が
発生するため、あらかじめガラス基板上に接着力の強い
金属たとえばクロ1、の薄膜を形成するようにしたもの
か特開昭63−as+シ:に示されている。
また、磁気抵抗体を形成する強磁性祠が卑金属で構成さ
れているため、真空状態で使用ケる場合はよいが、外気
に接触する状態で使用すると磁気抵抗体が酸化され易く
、時間の経過とともに磁気抵抗特性の劣化を生しる。こ
のため、磁気抵抗体の電極部を残して陽極酸化した金属
被模の保護層を形成し、前記金属被膜のない部分に電極
金属層を蒸着するものか、特開昭58−17G984号
に示されている。
れているため、真空状態で使用ケる場合はよいが、外気
に接触する状態で使用すると磁気抵抗体が酸化され易く
、時間の経過とともに磁気抵抗特性の劣化を生しる。こ
のため、磁気抵抗体の電極部を残して陽極酸化した金属
被模の保護層を形成し、前記金属被膜のない部分に電極
金属層を蒸着するものか、特開昭58−17G984号
に示されている。
[本発明が解決しようとする課題]
このように、ガラス基板と磁気抵抗体の電極部との間に
接着力の強い金属を配置し、また、電極部分を除いて磁
気抵抗体に陽極酸化した金属保護膜を形成させた場合、
この磁気抵抗効果素子を通電状態で湿気の多い雰囲気中
で使用したり、水など電解質を含む液体かイ」着すると
、アルミニウノ,、、銅、銀などの電極部の良導体と電
極部下層の金属端面の間、あるいは電極部かアルミニウ
ムの場合には電極部と検出部の強磁性体端而の間でイオ
ン化傾向の差による湿食を生し、電極部下層の金属ある
いは強磁性祠が侵されて、断線したり電極部の良導体と
ガラス基板の密着性か劣化してリート線が外れたり、検
出部の特性が劣化するなとの問題を生じている。
接着力の強い金属を配置し、また、電極部分を除いて磁
気抵抗体に陽極酸化した金属保護膜を形成させた場合、
この磁気抵抗効果素子を通電状態で湿気の多い雰囲気中
で使用したり、水など電解質を含む液体かイ」着すると
、アルミニウノ,、、銅、銀などの電極部の良導体と電
極部下層の金属端面の間、あるいは電極部かアルミニウ
ムの場合には電極部と検出部の強磁性体端而の間でイオ
ン化傾向の差による湿食を生し、電極部下層の金属ある
いは強磁性祠が侵されて、断線したり電極部の良導体と
ガラス基板の密着性か劣化してリート線が外れたり、検
出部の特性が劣化するなとの問題を生じている。
また、磁気抵抗効果素子に合成樹脂の保護層を塗布する
方法があるが、塗布の手数が煩雑なだけでなく、ヒー1
・ザイクルによる断線を生しる可能性があり、真空状態
で使用ずろ場合に保護脱からガスを発生ずる欠点がある
。
方法があるが、塗布の手数が煩雑なだけでなく、ヒー1
・ザイクルによる断線を生しる可能性があり、真空状態
で使用ずろ場合に保護脱からガスを発生ずる欠点がある
。
本発明は、このような点にがんかみ、リート部における
湿食を防ぎ、り−1へ線の外れや検出部の特性劣化を減
少させ、真空雰囲気中でも使用が可能な磁気抵抗効果素
子を提供することを目的とする。
湿食を防ぎ、り−1へ線の外れや検出部の特性劣化を減
少させ、真空雰囲気中でも使用が可能な磁気抵抗効果素
子を提供することを目的とする。
1課題を解決するための手段]
このため、本発明は基板」−に形成されたり−1・部を
、上層の良導体と下層のアルミニウJ・、クロム、チタ
ン、ジルコンのいずれかの金属とで2層に構成し、前記
下層の露出された側面を酸化金属としており、また、こ
のリード部下層と同種または異種の酸化金属で検出部の
強磁性体層を覆うようにしている。
、上層の良導体と下層のアルミニウJ・、クロム、チタ
ン、ジルコンのいずれかの金属とで2層に構成し、前記
下層の露出された側面を酸化金属としており、また、こ
のリード部下層と同種または異種の酸化金属で検出部の
強磁性体層を覆うようにしている。
[作用]
したがって、リード部の良導体とガラス基板間にお{J
るリード部下層の露出した側面が酸化保護膜を形成し、
リード部の良導体と下層金属あるいは強磁性薄膜間との
電解質液体による湿食をなくし、リード部の外れや特性
劣化を著しく減少ざUる。また、検出部の強磁性体表面
にも強固で緻密な保護膜を形成ずろことができる。
るリード部下層の露出した側面が酸化保護膜を形成し、
リード部の良導体と下層金属あるいは強磁性薄膜間との
電解質液体による湿食をなくし、リード部の外れや特性
劣化を著しく減少ざUる。また、検出部の強磁性体表面
にも強固で緻密な保護膜を形成ずろことができる。
[実施例]
これを図に示す実施例について説明ケる。
第1実施例
第1図および第2図に示した実施例において、1はガラ
ス基板、2は検出部で前記カラス基板1」−に70%ニ
ッケルーコバルl・合金を600人の厚さに蒸着し、フ
ォI・リソグラフで所要のパターンにパターンニングし
て強磁性体層21を形成させている。ついて、リード部
3の位置にクロムを200人の厚さに蒸着してりーI・
部下層3lを形成し、さらにリード部下層3Iの上に銅
を5000人の厚さに蒸着してリード部上層32を形成
させ、所要のパターンにパターンニングしてリード部3
を形成させる。
ス基板、2は検出部で前記カラス基板1」−に70%ニ
ッケルーコバルl・合金を600人の厚さに蒸着し、フ
ォI・リソグラフで所要のパターンにパターンニングし
て強磁性体層21を形成させている。ついて、リード部
3の位置にクロムを200人の厚さに蒸着してりーI・
部下層3lを形成し、さらにリード部下層3Iの上に銅
を5000人の厚さに蒸着してリード部上層32を形成
させ、所要のパターンにパターンニングしてリード部3
を形成させる。
つぎに、検出部2が酸化しないようあらかじめ必要な部
分にレジストした基板全体を真空槽に入れ、4〜6Pa
に調整して酸素中でプラズマ処理を行い、パターンニン
グにより露出されたリード部下層31のクロl・層側而
33を酸化させた。
分にレジストした基板全体を真空槽に入れ、4〜6Pa
に調整して酸素中でプラズマ処理を行い、パターンニン
グにより露出されたリード部下層31のクロl・層側而
33を酸化させた。
第2実施例
第3図および第4図において、ガラス括板1の上面に8
1%ニッケルー鉄合金を600人の厚さにスパッタして
検出部2の強磁性体層21を形成し、フ」1〜リソグラ
フにより所要のパターンに構成した。ついで、この強磁
性体層2lを覆うとともにリード部3位置にクロノ、を
200人の厚さに蒸着して検出部−L層22とリード部
下層3lを形成し、さらにリード部3の位置に銀を50
00人蒸着してリート部上層32を構成し、フt l−
リソクラフによるパターンニングによりり−1・部3を
構成させる。
1%ニッケルー鉄合金を600人の厚さにスパッタして
検出部2の強磁性体層21を形成し、フ」1〜リソグラ
フにより所要のパターンに構成した。ついで、この強磁
性体層2lを覆うとともにリード部3位置にクロノ、を
200人の厚さに蒸着して検出部−L層22とリード部
下層3lを形成し、さらにリード部3の位置に銀を50
00人蒸着してリート部上層32を構成し、フt l−
リソクラフによるパターンニングによりり−1・部3を
構成させる。
つぎに、ガラス基板全体を真空槽に入れ4〜6Paに調
整して酸素中でプラズマ処理を行い、パターンニングに
より露出されたリード部下層3Iのクロム層側面33お
よび検出部上層22のクロム金属層を酸化金属とした。
整して酸素中でプラズマ処理を行い、パターンニングに
より露出されたリード部下層3Iのクロム層側面33お
よび検出部上層22のクロム金属層を酸化金属とした。
この場合、検出部の強磁性体層21が酸化されないよう
プラズマ処理時間を制御する。
プラズマ処理時間を制御する。
なお、検出部」一層22の夕〔1ム金属層は、ケベて酸
化させる必要はなく、強磁性体と接する側7こクロムの
純金属層を残しても良く、この場合酸化金属層を少なく
とも50人の厚ざとしピンポールなどの発生を防止して
保護膜の効果が失イつれないようにし、純金属層は20
人以下の厚さにして強磁性体の抵抗変化率の特性劣化を
生じないようにずる必要がある。
化させる必要はなく、強磁性体と接する側7こクロムの
純金属層を残しても良く、この場合酸化金属層を少なく
とも50人の厚ざとしピンポールなどの発生を防止して
保護膜の効果が失イつれないようにし、純金属層は20
人以下の厚さにして強磁性体の抵抗変化率の特性劣化を
生じないようにずる必要がある。
前記第1実施例および第2実施例で作成した磁気抵抗効
果素子を純水を入れた容器内に密閉して5時間通電した
後、顕微鏡で観察した結果、いずれの素子にもリード部
下層の湿食は認められず、リード部の良導体と基板の密
着は良好に保持されていノこ。
果素子を純水を入れた容器内に密閉して5時間通電した
後、顕微鏡で観察した結果、いずれの素子にもリード部
下層の湿食は認められず、リード部の良導体と基板の密
着は良好に保持されていノこ。
なお、リート郎の良導体として前記の銅に替えて銀、ア
ルミニウムを用いても同様の効果を得ることかできる。
ルミニウムを用いても同様の効果を得ることかできる。
また、検出部上層22およびリード郎下層3lを構成ず
るクロl・層に替えてアルミニウム、チタン、ジルコン
などを用いることができ、検出部上層22とリード部下
層31は異なる金属を用いて別個に蒸着形成させるよう
にしても、Jこい。
るクロl・層に替えてアルミニウム、チタン、ジルコン
などを用いることができ、検出部上層22とリード部下
層31は異なる金属を用いて別個に蒸着形成させるよう
にしても、Jこい。
[本発明の効果]
このように本発明は、絶縁基板」一に強磁性体層をパタ
ーン形成させた検出郎と、この検出部Zこ接続してアル
ミニウム、クロム、チタン、ジルコンのいずれかの金属
を蒸着したリート部下層と、このリード部下層の1二に
、良導体のリード部上層をそなえており、前記り−1・
部下層の露出された側面部を酸化金属としているので、
リート部の湿食が防止されリード部とカラス基板との密
着性を保持することができ、リード線の剥離を生しるこ
とがなく、特性の優れた素子を得られるととらに、リー
1・部下層と同種あるいは異種の金属で検出部の強磁性
体層を覆い前記リード部下層とともに酸化金属とするこ
とにより、検出部の強磁性体を酸化から保護し、磁気抵
抗の特性劣化を防ぐことができろ。
ーン形成させた検出郎と、この検出部Zこ接続してアル
ミニウム、クロム、チタン、ジルコンのいずれかの金属
を蒸着したリート部下層と、このリード部下層の1二に
、良導体のリード部上層をそなえており、前記り−1・
部下層の露出された側面部を酸化金属としているので、
リート部の湿食が防止されリード部とカラス基板との密
着性を保持することができ、リード線の剥離を生しるこ
とがなく、特性の優れた素子を得られるととらに、リー
1・部下層と同種あるいは異種の金属で検出部の強磁性
体層を覆い前記リード部下層とともに酸化金属とするこ
とにより、検出部の強磁性体を酸化から保護し、磁気抵
抗の特性劣化を防ぐことができろ。
第1図および第2図は本発明の実施例を示ず1一面図と
Δ−A線に沿う断面図、第3図は他の実施例を示す−1
−面図、第4図(」そのA−Δ線に沿う断面図である。 1はガラス基板、2は検出部、3はりーl・部、2Iは
強磁性体層、22は検出部」一層、3lはリード部下層
、32はり−1・部上層、33(J側面、4fJ酸化金
属層である。 第 1 図 第2図
Δ−A線に沿う断面図、第3図は他の実施例を示す−1
−面図、第4図(」そのA−Δ線に沿う断面図である。 1はガラス基板、2は検出部、3はりーl・部、2Iは
強磁性体層、22は検出部」一層、3lはリード部下層
、32はり−1・部上層、33(J側面、4fJ酸化金
属層である。 第 1 図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 絶縁基板上に強磁性体をパターン形成させた検出部
と、前記検出部に接続してアルミニウム、クロム、チタ
ン、ジルコンのいずれかの金属を蒸着形成したリード部
下層および良導体よりなるリード部上層で構成されたリ
ード部とをそなえ、前記リード部下層の露出された側面
を酸化金属にしたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 2 絶縁基板上に強磁性体をパターン形成させた検出部
と、前記検出部に接続してアルミニウム、クロム、チタ
ン、ジルコンのいずれかの金属を蒸着形成したリード部
下層および良導体からなるリード部上層とで構成された
リード部をそなえ、前記リード部下層の露出された側面
を酸化金属にするとともに、このリード部下層と同種あ
るいは異種の前記金属により検出部を覆う検出部上層を
形成し、この検出部上層を酸化金属にしたことを特徴と
する磁気抵抗効果素子。 3 前記検出部上層が、強磁性体と接する側に純金属を
残して酸化されている特許請求の範囲第2項記載の磁気
抵抗効果素子。 4 前記検出部を構成する強磁性体が、ニッケル−鉄合
金、あるいはニッケル−コバルト合金である特許請求の
範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の磁気抵抗効
果素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1111660A JPH02291185A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1111660A JPH02291185A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02291185A true JPH02291185A (ja) | 1990-11-30 |
Family
ID=14566960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1111660A Pending JPH02291185A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02291185A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0715054A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Nec Corp | 磁気抵抗素子 |
US5828532A (en) * | 1996-10-24 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Getter layer lead structure for eliminating resistance increase phenomena and embrittlement and method for making the same |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1111660A patent/JPH02291185A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0715054A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Nec Corp | 磁気抵抗素子 |
US5828532A (en) * | 1996-10-24 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Getter layer lead structure for eliminating resistance increase phenomena and embrittlement and method for making the same |
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