JPH022882A - カルボニル化合物のアンモオキシメーション用の触媒を製造する方法 - Google Patents
カルボニル化合物のアンモオキシメーション用の触媒を製造する方法Info
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- JPH022882A JPH022882A JP63172813A JP17281388A JPH022882A JP H022882 A JPH022882 A JP H022882A JP 63172813 A JP63172813 A JP 63172813A JP 17281388 A JP17281388 A JP 17281388A JP H022882 A JPH022882 A JP H022882A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C249/00—Preparation of compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
- C07C249/04—Preparation of compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton of oximes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J29/00—Catalysts comprising molecular sieves
- B01J29/89—Silicates, aluminosilicates or borosilicates of titanium, zirconium or hafnium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C01B37/005—Silicates, i.e. so-called metallosilicalites or metallozeosilites
-
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- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/14—The ring being saturated
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、珪素及びチタンを含有するゼオライト構造
を示し、特に細流床反応器中でのカルボニル化合物のア
ンモオキシメーションに適した触媒を製造する方法に関
する。
を示し、特に細流床反応器中でのカルボニル化合物のア
ンモオキシメーションに適した触媒を製造する方法に関
する。
[従来の技術]
独国特許1,245,371号から、5〜40℃の温度
において、適宜な反応成分の比に従って、燐タングステ
ン酸又は類似化合物から成る触媒の存在下で、液相中で
のシクロヘキサノンのアンモニア及び過−酸化水素によ
る触媒反応(「アンモオキシメーション反応」と呼ばれ
る)によってシクロヘキサノン−オキシムを得ることが
知られている。しかしながら、この方法の欠点は、この
種の触媒が、特に触媒から生成物を分離する際に、取扱
うのが困難であるということである。
において、適宜な反応成分の比に従って、燐タングステ
ン酸又は類似化合物から成る触媒の存在下で、液相中で
のシクロヘキサノンのアンモニア及び過−酸化水素によ
る触媒反応(「アンモオキシメーション反応」と呼ばれ
る)によってシクロヘキサノン−オキシムを得ることが
知られている。しかしながら、この方法の欠点は、この
種の触媒が、特に触媒から生成物を分離する際に、取扱
うのが困難であるということである。
本出願人によるヨーロッパ特許第208.311号には
、この触媒作用に、酸化珪素及び酸化チタンを基とする
合成結晶性多孔質材料(チタン−シリカライト)による
有効な代替手段が存在し得ると教示されている。このこ
とについては、米国特許第4,410,501号並びに
ヨーロッパ特許第132.550号及び同第190,6
09号をも参照されたい。
、この触媒作用に、酸化珪素及び酸化チタンを基とする
合成結晶性多孔質材料(チタン−シリカライト)による
有効な代替手段が存在し得ると教示されている。このこ
とについては、米国特許第4,410,501号並びに
ヨーロッパ特許第132.550号及び同第190,6
09号をも参照されたい。
また、本出願人は、チタン−シリカライトに対して特殊
なりイブの後処理(H2O2による)を行なうことによ
って、種々のカルボニル化合物のアンモオキシメーショ
ン反応においてチタン−シリカライトに格別のそして全
く驚くべき触媒特性が付与されるということ(ヨーロッ
パ特許出願第877108.577号を参照されたい)
並びに、こうして活性化されたチタンシリカライトは攪
拌手段を備えた等温懸濁床反応器及び断熱細流床反応器
の両方において連続操作用に用いることができるという
ことを見出している。
なりイブの後処理(H2O2による)を行なうことによ
って、種々のカルボニル化合物のアンモオキシメーショ
ン反応においてチタン−シリカライトに格別のそして全
く驚くべき触媒特性が付与されるということ(ヨーロッ
パ特許出願第877108.577号を参照されたい)
並びに、こうして活性化されたチタンシリカライトは攪
拌手段を備えた等温懸濁床反応器及び断熱細流床反応器
の両方において連続操作用に用いることができるという
ことを見出している。
チタン−シリカライトは、数種のチタン源(例えば、随
意に現場で形成されるオルトチタン酸テトラエチル、オ
ルトチタン酸テトライソプロピル又はペルオキシチタネ
ート類等)並びに数種の珪素源(オルト珪酸テトラエチ
ル、シリカゾル等)から出発することによって製造する
ことができる。水熱合成並びに続いての熱処理及びH2
0□による活性化処理の下流において得られる生成物は
、微結晶性である。細流床反応器中でアンモオキシメー
ション法を実施しなければならない場合には、チタン−
シリカライトを好適な結合剤と共にこねて、次いでこの
混合物を球、ペレット、押出品(随意に、螺旋状又は非
螺旋状の溝を有する多裂片状の押出品)等の形にすると
いうような追加の工程を行なうことによってこの触媒を
注意深く造形する必要がある。
意に現場で形成されるオルトチタン酸テトラエチル、オ
ルトチタン酸テトライソプロピル又はペルオキシチタネ
ート類等)並びに数種の珪素源(オルト珪酸テトラエチ
ル、シリカゾル等)から出発することによって製造する
ことができる。水熱合成並びに続いての熱処理及びH2
0□による活性化処理の下流において得られる生成物は
、微結晶性である。細流床反応器中でアンモオキシメー
ション法を実施しなければならない場合には、チタン−
シリカライトを好適な結合剤と共にこねて、次いでこの
混合物を球、ペレット、押出品(随意に、螺旋状又は非
螺旋状の溝を有する多裂片状の押出品)等の形にすると
いうような追加の工程を行なうことによってこの触媒を
注意深く造形する必要がある。
本出願人はここに、チタン−シリカライトを基とする触
媒を、直接的に球、ベレット又は押出品の形で、極めて
容易に得ることのできる方法を開発した。
媒を、直接的に球、ベレット又は押出品の形で、極めて
容易に得ることのできる方法を開発した。
[発明の詳細な説明]
最も広い態様において、本発明は、酸化珪素及び酸化チ
タンを基とする結晶性の多孔質材料から成り、特に細流
床反応器中でのカルボニル化合物のアンモオキシメーシ
ョンに適した触媒を製造する方法であって、 ■予め形成した(予備形成)非晶質シリカのマトリック
スにチタン化合物とテンプレート化剤として作用する有
機窒素化合物とを含有する水溶液を含浸させること 並びに [2]こうして含浸させた材料を、シリカマトリックス
の形及び寸法を実質的に保持しながら、慣用のタイプの
水熱合成によってゼオライト構造にすること を特徴とする前記製造方法に関する。非晶質シリカのマ
トリックスは、通常入手できるタイプ及び寸法の球、押
出品(例えば、随意に螺旋状の溝を示す多裂片状の押出
品)又はシリカベレットから成ることができる。1〜1
0mmの直径を有する押出品の形の、80〜160m2
/gの表面積及び0.5〜L5crrTl/gの細孔容
積を有するシリカが特に好適であると示された。
タンを基とする結晶性の多孔質材料から成り、特に細流
床反応器中でのカルボニル化合物のアンモオキシメーシ
ョンに適した触媒を製造する方法であって、 ■予め形成した(予備形成)非晶質シリカのマトリック
スにチタン化合物とテンプレート化剤として作用する有
機窒素化合物とを含有する水溶液を含浸させること 並びに [2]こうして含浸させた材料を、シリカマトリックス
の形及び寸法を実質的に保持しながら、慣用のタイプの
水熱合成によってゼオライト構造にすること を特徴とする前記製造方法に関する。非晶質シリカのマ
トリックスは、通常入手できるタイプ及び寸法の球、押
出品(例えば、随意に螺旋状の溝を示す多裂片状の押出
品)又はシリカベレットから成ることができる。1〜1
0mmの直径を有する押出品の形の、80〜160m2
/gの表面積及び0.5〜L5crrTl/gの細孔容
積を有するシリカが特に好適であると示された。
チタン源としては、例えばチタン酸アルキル、Ti Q
Cβ2、ペルオキシチタネート類(随意に現場で形成さ
れる)、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミン
チタネート等のような数種の水溶性化合物を使用するこ
とができる。触媒中のSi:Tiのモル比は、少なくと
も30であるのが有利であり、好ましくは50である。
Cβ2、ペルオキシチタネート類(随意に現場で形成さ
れる)、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミン
チタネート等のような数種の水溶性化合物を使用するこ
とができる。触媒中のSi:Tiのモル比は、少なくと
も30であるのが有利であり、好ましくは50である。
水酸化テトラプロピルアンモニウムは、最も広く用いら
れるテンプレート化剤の一つと認められる。
れるテンプレート化剤の一つと認められる。
100〜350℃の温度において乾燥させた予備形成非
晶質シリカをr IND、 ENG、 CHEM、 P
RODRED、 DEV、、、第20巻(1981年)
、第441頁に記載の乾式含浸法に従って含浸させるこ
とによって、非常に良好な結果が得られた。
晶質シリカをr IND、 ENG、 CHEM、 P
RODRED、 DEV、、、第20巻(1981年)
、第441頁に記載の乾式含浸法に従って含浸させるこ
とによって、非常に良好な結果が得られた。
こうして含浸させた予備形成固体状材料をオートクレー
ブに移し、この中で自己発生圧力下、150〜200℃
、好ましくはほぼ175°Cの温度において2〜20日
間、好ましくは3〜11日間保存する。水熱合成の終わ
りに、固体状材料(これは、出発原料として用いたシリ
カの形及び寸法を維持する)を、pHが中性になるまで
水で洗浄し、120〜130°Cにおいて15時間乾燥
させ、次いで随意に焼成する(例えば430°Cにおい
て10時間)。
ブに移し、この中で自己発生圧力下、150〜200℃
、好ましくはほぼ175°Cの温度において2〜20日
間、好ましくは3〜11日間保存する。水熱合成の終わ
りに、固体状材料(これは、出発原料として用いたシリ
カの形及び寸法を維持する)を、pHが中性になるまで
水で洗浄し、120〜130°Cにおいて15時間乾燥
させ、次いで随意に焼成する(例えば430°Cにおい
て10時間)。
この場合、その後に過酸化水素水溶液による活性化洗浄
を、随意に5以下のpKを有する酸、好ましくは硫酸、
燐酸及び塩酸から選択される酸の存在下又は溶液100
kgにつき少なくとも10kgのN Hsの存在下で行
なうことによって、最良の収率が得られる。
を、随意に5以下のpKを有する酸、好ましくは硫酸、
燐酸及び塩酸から選択される酸の存在下又は溶液100
kgにつき少なくとも10kgのN Hsの存在下で行
なうことによって、最良の収率が得られる。
本発明に従って製造された触媒は、例えばアセトン、シ
クロヘキサノン、メチルニチルケトン(2−ブタノン)
、アセトフェノン又はシクロドデカノンのような種々の
カルボニル化合物のH2O2及びN H3によるアンモ
オキシメーションにおいて、数十時間の連続操作で何ら
減衰することなく使用することができた。アンモオキシ
メーションの前に、例えばヨーロッパ特許出願筒877
108.577号に開示されたような触媒の活性化洗浄
を行なうことによって、特に良好な結果が得られる。こ
うして得られた触媒は、過酸化水素に適合した表面を備
えた細流法反応器に用いることができる。
クロヘキサノン、メチルニチルケトン(2−ブタノン)
、アセトフェノン又はシクロドデカノンのような種々の
カルボニル化合物のH2O2及びN H3によるアンモ
オキシメーションにおいて、数十時間の連続操作で何ら
減衰することなく使用することができた。アンモオキシ
メーションの前に、例えばヨーロッパ特許出願筒877
108.577号に開示されたような触媒の活性化洗浄
を行なうことによって、特に良好な結果が得られる。こ
うして得られた触媒は、過酸化水素に適合した表面を備
えた細流法反応器に用いることができる。
オキシムへの転化は、25〜100・°C(好ましくは
40〜90°C1より好ましくは60〜90°C)の温
度において実施することができる。15°Cにおいて実
施した試験は、決定的に悪い結果を与えた。この反応は
、大気圧下で実施することもでき、また、少なくとも合
成に必要な量のアンモニアを反応媒体中に溶解させてお
くために、それより僅かに高い圧力下で実施することも
できる。
40〜90°C1より好ましくは60〜90°C)の温
度において実施することができる。15°Cにおいて実
施した試験は、決定的に悪い結果を与えた。この反応は
、大気圧下で実施することもでき、また、少なくとも合
成に必要な量のアンモニアを反応媒体中に溶解させてお
くために、それより僅かに高い圧力下で実施することも
できる。
H,0□ :力ルボニル化合物のモル比は一般的に0.
3〜2.5、好ましくは05〜1.5である(ここで、
H20□はlθ0%純枠な過酸化水素を意味し、希釈水
を含まない)。NH,:カルボニル化合物のモル比は1
以上(好ましくは1,5)であり、それ以外の場合には
並行して妨害反応が起こる。反応媒体は水又は有機溶媒
から成ることができる。現実に、溶媒としてt−ブチル
アルコール及び(又は)シクロヘキサノールを場合によ
ってジオキサン又はトルエンと混合して用いることによ
って、格別に良好な結果が得られた。t−ブチルアルコ
ール(及び(又は)シクロヘキサノール) :カルボニ
ル化合物のモル比は一般に0.1〜100である。空間
速度を純触媒(結合剤を含まない)1kgにつきケトン
0.1〜200 k g/待時間好ましくは2〜200
kg/時間)の範囲に保持すること並びにケトンを有機
溶媒、例えばt−ブチルアルコール(及び(又は)シク
ロヘキサノール)との混合物として供給することが推奨
される。
3〜2.5、好ましくは05〜1.5である(ここで、
H20□はlθ0%純枠な過酸化水素を意味し、希釈水
を含まない)。NH,:カルボニル化合物のモル比は1
以上(好ましくは1,5)であり、それ以外の場合には
並行して妨害反応が起こる。反応媒体は水又は有機溶媒
から成ることができる。現実に、溶媒としてt−ブチル
アルコール及び(又は)シクロヘキサノールを場合によ
ってジオキサン又はトルエンと混合して用いることによ
って、格別に良好な結果が得られた。t−ブチルアルコ
ール(及び(又は)シクロヘキサノール) :カルボニ
ル化合物のモル比は一般に0.1〜100である。空間
速度を純触媒(結合剤を含まない)1kgにつきケトン
0.1〜200 k g/待時間好ましくは2〜200
kg/時間)の範囲に保持すること並びにケトンを有機
溶媒、例えばt−ブチルアルコール(及び(又は)シク
ロヘキサノール)との混合物として供給することが推奨
される。
[実施例]
以下の実施例は本発明を例示するためのものであり、そ
の範囲を何ら限定しない。
の範囲を何ら限定しない。
iLL二 〇の≦のチタン−シリカライトのAオルト
チタン酸テトライソプロピル0.6gを室温において攪
拌下で脱イオン水10crr?で加水分解して白色のゼ
リー状懸濁液を形成させ、これに30重重量過酸化水素
20cm’を添加した。これによって橙色の透明な溶液
が得られた。この着色溶液に20重量%水酸化テトラプ
ロピルアンモニウム水溶液30crn’を添加し、得ら
れた透明な溶液を20cm’の容量まで蒸発させて濃縮
した。
チタン酸テトライソプロピル0.6gを室温において攪
拌下で脱イオン水10crr?で加水分解して白色のゼ
リー状懸濁液を形成させ、これに30重重量過酸化水素
20cm’を添加した。これによって橙色の透明な溶液
が得られた。この着色溶液に20重量%水酸化テトラプ
ロピルアンモニウム水溶液30crn’を添加し、得ら
れた透明な溶液を20cm’の容量まで蒸発させて濃縮
した。
120rr?/gの表面積及び1.1 c rr?/
gの細孔容積を有する非晶質シリカから成る直径4mm
の押出品(固体状円筒体)30gを、真空下に保持した
回転式フラスコ内に装入した。フラスコ内を常に真空下
に保持しながら、この押出品上に上記の溶液をゆっくり
流した。こうして含浸させた押出品なオートクレーブに
移し、自己発生の圧力下で175℃において9時間、水
熱合成にかけた。それが終了し冷却した後に、得られた
まだ押出品の形にある固体を、中性のpHになるまで脱
イオン水で長時間洗浄し、120℃において15時間乾
燥させ、次いで430℃において10時間焼成した。元
素分析の結果、この固体はTi/(Ti+5i)=0.
45%の原子比に従ってチタンを含有することか示され
た。X線回折の結果、米国特許第4.410,501号
に示されるもののようなチタン−シリカライトの典型的
な反射によって特徴づけられる結晶性生成物の存在が示
された。TRスペクトル(960及び550cm−’に
典型バンドが存在した)(米国特許第4.410.50
1号を参照されたい)及び窒素吸収等製線(BET法)
によって、チタン−シリカライトの存在が確認された。
gの細孔容積を有する非晶質シリカから成る直径4mm
の押出品(固体状円筒体)30gを、真空下に保持した
回転式フラスコ内に装入した。フラスコ内を常に真空下
に保持しながら、この押出品上に上記の溶液をゆっくり
流した。こうして含浸させた押出品なオートクレーブに
移し、自己発生の圧力下で175℃において9時間、水
熱合成にかけた。それが終了し冷却した後に、得られた
まだ押出品の形にある固体を、中性のpHになるまで脱
イオン水で長時間洗浄し、120℃において15時間乾
燥させ、次いで430℃において10時間焼成した。元
素分析の結果、この固体はTi/(Ti+5i)=0.
45%の原子比に従ってチタンを含有することか示され
た。X線回折の結果、米国特許第4.410,501号
に示されるもののようなチタン−シリカライトの典型的
な反射によって特徴づけられる結晶性生成物の存在が示
された。TRスペクトル(960及び550cm−’に
典型バンドが存在した)(米国特許第4.410.50
1号を参照されたい)及び窒素吸収等製線(BET法)
によって、チタン−シリカライトの存在が確認された。
肚2 : H2ozによる 媒の活
30重量%過酸化水素26cゴ及び希硫酸(10重量%
)230crrfから製造した水溶液中に、例1におい
て得られた生成物13gを注入した。次いで、得られた
混合物を70℃において2時間攪拌した。液体をデカン
テーションによって除去した。新たな溶液を用いてこの
活性化をもう一度繰り返した。押出品を液体から炉別し
、脱イオン水で洗浄(中性のpHになるまで)した。最
後に生成物を120℃において15時間乾燥させ、55
°Cにおいて2時間焼成した。
)230crrfから製造した水溶液中に、例1におい
て得られた生成物13gを注入した。次いで、得られた
混合物を70℃において2時間攪拌した。液体をデカン
テーションによって除去した。新たな溶液を用いてこの
活性化をもう一度繰り返した。押出品を液体から炉別し
、脱イオン水で洗浄(中性のpHになるまで)した。最
後に生成物を120℃において15時間乾燥させ、55
°Cにおいて2時間焼成した。
[
例1に従って得られた触媒2gを細流床反応器内に装入
し、シクロヘキサノン8.67重量%、t−ブチルアル
コール44.53重量%及び水40.80重量%を含有
する有機溶液12cm’/時間、34重量%過酸化水素
0.66cm’/時間並びにアンモニアガス0.4 I
2/時間を供給した。80℃の温度において、35.5
%のシクロヘキサノン転化率及び74.8%の対応オキ
シム選択率が得られた。
し、シクロヘキサノン8.67重量%、t−ブチルアル
コール44.53重量%及び水40.80重量%を含有
する有機溶液12cm’/時間、34重量%過酸化水素
0.66cm’/時間並びにアンモニアガス0.4 I
2/時間を供給した。80℃の温度において、35.5
%のシクロヘキサノン転化率及び74.8%の対応オキ
シム選択率が得られた。
汎A
例1の触媒を例2の触媒に置き換えて、例3を繰り返し
た。37.6%のシクロヘキサノン転化率及び93.6
%の対応オキシム選択率が得られた。
た。37.6%のシクロヘキサノン転化率及び93.6
%の対応オキシム選択率が得られた。
健j−
例1に従って製造した触媒5gを細流床反応器内に装入
し、シクロへキサノン8.10重量%、H20□2.6
4重量%、t−ブチルアルコール40、90重量%及び
水48.36重量%を含有する有機溶液30crn’/
時間並びにアンモニアガスlβ/時間を供給した。80
℃の温度において、47.5%のシクロヘキサノン転化
率及び79.8%の対応オキシム選択率が得られた。
し、シクロへキサノン8.10重量%、H20□2.6
4重量%、t−ブチルアルコール40、90重量%及び
水48.36重量%を含有する有機溶液30crn’/
時間並びにアンモニアガスlβ/時間を供給した。80
℃の温度において、47.5%のシクロヘキサノン転化
率及び79.8%の対応オキシム選択率が得られた。
ユ互
90rn”/gの表面積及びo、6cm’/gの細孔容
積によって特徴づけられ且つ直径2mmの押出円筒体の
形にある、異なるタイプのシリカを含浸させて、例1を
繰り返した。含浸においては、例1におけるものの半分
の容量まで蒸発させて濃縮した溶液を使用し、含浸法の
他の点は変えなかった。X線回折分光分析、IR分光分
析及び窒素吸収(BET法)によって、チタン−シリカ
ライトの形成が確認された。また、この触媒は細流床反
応器中でのカルボニル化合物のアンモオキシメーション
反応に適し、高いオキシム選択率をもたらすということ
もわかった。
積によって特徴づけられ且つ直径2mmの押出円筒体の
形にある、異なるタイプのシリカを含浸させて、例1を
繰り返した。含浸においては、例1におけるものの半分
の容量まで蒸発させて濃縮した溶液を使用し、含浸法の
他の点は変えなかった。X線回折分光分析、IR分光分
析及び窒素吸収(BET法)によって、チタン−シリカ
ライトの形成が確認された。また、この触媒は細流床反
応器中でのカルボニル化合物のアンモオキシメーション
反応に適し、高いオキシム選択率をもたらすということ
もわかった。
Claims (12)
- (1)カルボニル化合物のアンモオキシメーション用の
、酸化珪素及び酸化チタンを基とする合成結晶性多孔質
材料から成る触媒を製造する方法であって、 [1]予め形成した非晶質シリカのマトリックスにチタ
ン化合物とテンプレート化剤として作用する有機窒素化
合物とを含有する水溶液を含浸させること 並びに [2]こうして含浸させた材料を、シリカマトリックス
の形及び寸法を実質的に保持しながら、慣用のタイプの
水熱合成によってゼオライト構造にすること を特徴とする前記製造方法。 - (2)前記含浸が乾式含浸であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の方法。 - (3)前記マトリックスが押出グラニュール(押出品)
から成ることを特徴とする特許請求の範囲第1又は2項
記載の方法。 - (4)前記押出グラニュールが随意に螺旋状の溝を示す
多裂片の形を有することを特徴とする特許請求の範囲第
3項記載の方法。 - (5)前記の水熱合成に次いで、430℃以下、好まし
くは130℃の温度における熱処理及び続いての過酸化
水素水溶液による活性化洗浄を行なうことを特徴とする
特許請求の範囲第1〜4項のいずれかに記載の方法。 - (6)前記洗浄を、5以下のpKを有する酸、好ましく
は硫酸、燐酸及び塩酸から選択される酸の存在下で行な
うことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の方法。 - (7)前記の過酸化水素水溶液に、溶液100kgにつ
き少なくとも10kgのNH_3を含有させることを特
徴とする特許請求の範囲第5項記載の方法。 - (8)シリカ源のチタン源に対する比が、最終的な触媒
中のSi:Tiのモル比が30以上、好ましくは50に
なるような比であることを特徴とする特許請求の範囲第
1〜7項のいずれかに記載の方法。 - (9)出発原料として用いられるチタン化合物が随意に
現場で形成したチタン酸アルキル及びペルオキシチタン
酸塩から選択されることを特徴とする特許請求の範囲第
1〜8項のいずれかに記載の方法。 - (10)特許請求の範囲第1〜9項のいずれかに記載の
方法に従って製造される、カルボニル化合物のアンモオ
キシメーション用の触媒。 - (11)前記カルボニル化合物がアセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、シクロドデカノン及びア
セトフェノンから選択されることを特徴とする特許請求
の範囲第10項記載の触媒。 - (12)細流床反応器内で連続的に用いられることを特
徴とする特許請求の範囲第10又は11項記載の触媒。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT21266/87A IT1222022B (it) | 1987-07-14 | 1987-07-14 | Metodo per la preparazione di un catalizzatore per l' ammossimazione di composti carbonilici |
IT21266A/87 | 1987-07-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH022882A true JPH022882A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=11179256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63172813A Pending JPH022882A (ja) | 1987-07-14 | 1988-07-13 | カルボニル化合物のアンモオキシメーション用の触媒を製造する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5041652A (ja) |
EP (1) | EP0299430B1 (ja) |
JP (1) | JPH022882A (ja) |
AT (1) | ATE64320T1 (ja) |
CA (1) | CA1322363C (ja) |
DE (1) | DE3863243D1 (ja) |
ES (1) | ES2022546B3 (ja) |
IT (1) | IT1222022B (ja) |
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JP2012224538A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Chinese Petrochemical Dev Corp | チタン−シリコン分子ふるいの製造方法とその分子ふるいを用いたシクロヘキサノンオキシムの製造方法 |
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IT1244680B (it) * | 1991-01-23 | 1994-08-08 | Montedipe Srl | Processo a piu' stadi per l'ammossimazione in fase liquida dei composti carbonilici |
IT1255745B (it) * | 1992-04-01 | 1995-11-15 | Enichem Anic Srl | Processo in due stadi per la produzione in fase liquida di ossime |
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ATE143831T1 (de) * | 1992-12-03 | 1996-10-15 | Kataleuna Gmbh Catalysts | Oxidationskatalysatoren |
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1987
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-
1988
- 1988-07-12 EP EP88111138A patent/EP0299430B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-12 DE DE8888111138T patent/DE3863243D1/de not_active Expired - Fee Related
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- 1988-07-12 AT AT88111138T patent/ATE64320T1/de not_active IP Right Cessation
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- 1988-07-13 CA CA000571994A patent/CA1322363C/en not_active Expired - Fee Related
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IT8721266A0 (it) | 1987-07-14 |
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EP0299430A1 (en) | 1989-01-18 |
ATE64320T1 (de) | 1991-06-15 |
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