JPH02287933A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents

半導体レーザ駆動回路

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JPH02287933A
JPH02287933A JP1108832A JP10883289A JPH02287933A JP H02287933 A JPH02287933 A JP H02287933A JP 1108832 A JP1108832 A JP 1108832A JP 10883289 A JP10883289 A JP 10883289A JP H02287933 A JPH02287933 A JP H02287933A
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JP
Japan
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semiconductor laser
circuit
sample
voltage
hold
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JP1108832A
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English (en)
Inventor
Shinji Kubota
真司 久保田
Makoto Takashima
誠 高嶋
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体レーザの光を絞った微小スポットを用
いて、光デイスク上に情報を記録したり、あるいは記録
した光デイスク上の情報を消去・再生する光デイスク装
置等に用いられ、特に複数の半導体レーザを用いたマル
チビーム用の半導体し−ザ駆動回路に関するものである
従来の技術 近年、光デイスク装置の転送速度を高めるため、複数の
レーザビームを用いて光ディスクのデータ転送を並列に
行なう方法が用いられようとしている。
複数のレーザビームを得る方法の具体例を第5図を用い
て説明する。ここでは複数のレーザビームの一例として
、3個の場合について説明する。
第5図において1は半導体レーザを同じ基板上に3個形
成した発光素子である。ここでは、LDl。
LD2.LD3の3つの半導体レーザが、独立に発光す
る。光受光器2は半導体レーザの後ろの光をモニタして
、光出力を一定に制御するのに用いられる。光受光器2
も半導体レーザに対応して、独立にPDI、PD2.P
D3の3個ある。3は半導体レーザの活性層で、ここか
らレーザ発振の光出力が取り出される。4は光出力で、
3個の半導体レーザからそれぞれBMl、BM2.8M
3の3つの光ビームがとりだされる。この3つのビーム
を用いて、ディスク転送を並列に行なうことができる。
上記マルチビームの発光素子を用いた、従来の半導体レ
ーザ駆動回路を第6図に示す。第6図においてマルチビ
ームの数は一般数Nで表ワシ、3からN−1は図では省
略している。
本図において5. 6. 7は光受光器PDI、PD2
.PDNで、対応する半導体レーザの光出力を受けて、
光出力に応じた8、  9. 10のモニタ電流IMを
発生する。11. 12.13はモニタ電流IMを電圧
に変換する抵ttRである。14゜15.18は電流電
圧変換用のアンプIVで、モニタ電流IMから17.1
8.19のモニタ電圧VMを発生する。20.21.2
2はサーボアンプSAで、モニタ電圧VMと基準電圧V
Rとの比較を行い、28,27.28の制御電圧vSを
発生する。23.24.25は半導体レーザの光出力を
決める基準電圧VRである。29.30.31は半導体
レーザの電流源CR−@、前記制御電圧VSにより制御
され、32,33.34の駆動電流ILを流す。35.
38.37は半導体レーザLDである。
以上のように構成された従来の半導体レーザ駆動回路に
おいて、以下その動作を、N個のなかから1番目の半導
体レーザについて説明する。
35の半導体レーザLDIめ光出力を5の光受光器PD
Iがモニタして、光出力に応じた8のモニタ電流IMI
を発生する。モニタ電流IMIは電流電圧変換器14の
IVIによりモニタ電圧VM1に変換される。半導体レ
ーザしDlの光出力を設定する23の基準電圧VRIと
、前記モニタ電圧VM1がサーボアンプSAIで比較さ
れ、その差に応じた26の制御電圧VSIが発生する。
制御電圧VSIは、29の電流源CRIを駆動して32
の駆動電流ILLを流し、半導体レーザLD1の光出力
を一定にする。
他の2番目の半導体レーザLD2からN番目の半導体レ
ーザLDHについても全く同様に制御される。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の従来の構成では、マルチビームの数
、すなわち半導体レーザの数が増えると、それに応じて
電流電圧変換器kvの数も増え、回路規模が大きくなっ
てしまうと言う問題点を存していた。
また光出力は、基準電圧VRで設定されるため、N個の
基準電圧VRが変動したら、N個の半導体レーザの光出
力が変動してし士うことになる。
本発明はかかる点に鑑み、半導体レーザの数が多くなる
マルチビーム用に回路規模がコンパクトで、光出力の変
動が少ない半導体レーザ駆動回路を提供することを目的
とする。
課題を解決するための手段 本発明は、N個(N≧2)の半導体レーザから構成され
る発光素子と、それぞれの半導体レーザの光を受けて光
出力に応じた一gニタ信号を発生するN個の光受光器と
、前記N個の光受光器からのモニタ信号の1つを時分割
で選択する第1の制御回路と、モニタ信号から半導体レ
ーザの光出力を所定の光出力に制御する制御電圧を演算
する演算部と、選択された時には前記制御電圧をサンプ
ルし選択されていない時には制御電圧をホールドする独
立したN個のサンプルホールド回路と、N個のサンプル
ホールド回路の出力により前記各半導体レーザに各々電
流を流す独立したN個の電流源と、前記第1の制御回路
で選択した光受光器に対応する半導体レーザに接続した
サンプルホールド回路を選択し、前記演算部で演算され
た制御電圧をそのサンプルホールド回路lと供給する第
2の制御回路と、を備えたことを特徴とするものである
作用 本発明は前記した構成により、N個のサンプルホールド
回路で制御電圧をホールドして、半導体レーザを駆動し
ている。第1の制御回路で時分割で選択したN個のなか
の1つの光受光器より得られるモニタ信号から演算部で
制御電圧が演算され、対応する半導体レーザのサンプル
ホールド回路にホールドされる。このように第1の制御
回路で光受光器を選択することで、電流電圧変換器を共
用化し、回路規模をコンパクトにすることが出来る。
また制御電圧を演算部で演算することで、光出力を設定
する基準電圧を共用化し、N個の半導体レーザの光出力
の変動を抑えるようにしている。
実施例 第1図は本発明の実施例における半導体レーザ駆動回路
のブロック図を示す。先に説明した従来例の第6図に追
加した部分の説明をする。
40はN個のモニタ電流から1つを時分割で選択する第
1の制御回路である。41. 42. 43はアナログ
スイッチSWAで、通常はオーブン状態で、第1の制御
回路で選択きれた1つがオンになり、モニタ電流IMを
次段の電流電圧変換器14に接続する。44,45.4
8はアナログスイッチSWAのゲートGAで、第1の制
御回路40により、時分割でどれか1つが選択される。
47はAD変換器で、17のアナログのモニタ電圧VM
をAD変換して、48のディジタルのモニタ電圧VMD
を発生する。49はcpUで、48のモニタ電圧VMD
より、所定の光出力になる制御電圧50のVSDを演算
する。51はDA変換器で、CPU49のディジタルの
制御電圧VSDを52のアナログの制御電圧vSに変換
する。53はアナログの制御電圧VSを、N個の駆動回
路のうちの1つに選択して接続する第2の制御回路であ
る。
54.55.58はアナログスイッチSWBで、通常は
オーブン状態で制御電圧VSをホールドし、第2の制御
回路53で選択された1つがオンになって、DA変換器
51と後段のサンプルホールド回路を接続する。57.
58.59はアナログスイッチSWBのゲー)GBで、
第2の制御回路53によりどれか1つが選択される。6
0.E!1.82はホールド用のコンデンサである。8
3.Ei4゜65はサンプルホールド用のバッファーア
ンプSHである。66.67.88は後段の電流源CR
を駆動する制御電圧VSHである。VSHは、第2の制
御回路53が選択しているアナログスイッチSWBがオ
ン状態では、DA変換器の出力VSが、それ以外ではホ
ールドした電圧が発生している。
以上のように構成された半導体レーザ駆動回路において
、まずCPU49がモニタ電圧VMDから、制御電圧V
SDをどのよろに演算するかを説明する。第2図は半導
体レーザの駆動電流と光出力との関係を示す図である。
駆動電流は、電流源の抵抗により、制御電圧VSDに変
換できる。また光出力は、電流電圧変換器の抵抗により
、モニタ電圧VMDに変換できる。つまり第2図は制御
電圧VSDを横軸に、モニタ電圧VMDを縦軸に取った
ものと言える。ここで設定したい光出力がP、の場合に
駆動電流Isをどのように演算するかを説明する。駆動
電流11+  Imをテスト電流として流した時の、光
出力をP+、Peとする。これより光出力の傾きSLが
SL”(Pg  P+)/(Is−I+)で計算される
。この傾きSLより設定する光出力Psに対応する駆動
電流ImがIs= Ia+(Ps−Pe)/SLと計算
される。これより駆動電流1.に対応する制御電圧VS
DをCPU49が出力すれば、所定の光出力PSが、設
定されることになる。
第3図を用いて、第1図で示した本実施例の半導体レー
ザ駆動回路の動作を説明する。ここではN個の駆動回路
のうち簡単のために2つの場合について説明する。また
アナログスイッチ41〜43゜54〜56の制御は第1
の制御回路40と第2の制御回路53により時分割で行
なわれる。
信号線は上から5WA1は、1番目の光受光器PDIに
つながったアナログスイッチ、5WA2は2番目の光受
光器PD2につながったアナログスイッチである。VM
は電流電圧変換器14の出力であるモニタ電圧である。
CPUはCPU49の演算状態を表わす。D/A (V
S)はDA変換器51の出力である。SWB 1は1番
目のサンプルホールド回路のアナログスイッチ、5WB
2は2番目のサンプルホールド回路のアナログスイッチ
である。
時間む1でアナログスイッチ5WAIがオンで、1番目
の光受光器PDIのモニタ電流IMIが電流電圧変換器
に入り、モニタ電圧VMがVMIになる。この時アナロ
グスイッ−% S WA 2はオフである。このモニタ
電圧VMIより、CPU49が1番目の半導体レーザL
DIが所定の光出力になる制御電圧VS1を演算する。
アナログスイッチ5WBIもtlでオン状態になり、1
番目のサンプルホールド回路SHIはサンプル状態にな
っており、CPU49の制御電圧が1番目の電流源に接
続される。アナログスイッチ5WB2はオフで、2番目
のサンプルホールド回路SH2はホールド状態になって
いる。
時間t2でCPUの演算が終わると、アナログスイッチ
5WAIがオフとな劣。モニタ電圧VMは光受光器から
のモニタ電流が来ないため、ゼロになる。CPU49が
演算した結果の制御電圧VS1が、’D/A変換器51
より時間t2で出力される。アナログスイッチ5WBI
はオンで、1番目のサンプルホールド回路gH1は制御
電圧vS1をサンプルする。
時間t3でアナログスイッチ5WBIがオフとなり、第
1のサンプルホールド回路SHIがホールド状態になり
、D/A変換器51に出力されていた制御電圧vS1を
ホールPする。ホールド状態は次にアナログスイッチ5
WAI、5WBIが選択されるまで続く。
ホールドが完了した時間t3の後、時間t4でD/A変
換器の出力がゼロになる。
時間t5で、アナログスイッチ5WA2がオンで、2番
目の光受光器PD2めモニタ電流IM2が電流電圧変換
器14に入り、モニタ電圧VMがVM2になる。この時
アナログスイッチSWA 1はオフである。このモニタ
電圧VM2よりCPU49が2番目の半導体レーザLD
2が所定の光出力になる制御電圧VS2を演算する。ア
ナログスイッチ5WB2も時間t5で牙ン杖態になり、
2番目のサンプルホールド回路はサンプル状態になって
おり、CPU49の制御電圧が2番目の電流源に接続さ
れる。アナログスイッチSWB 1はオフで、1番目の
サンプルホールド回路は先程の制御電圧vS1をホール
ドする状態になっている。
時間t6でCPU49の演算が終わると、アナログスイ
ッチ5WA2がオフとなる。モニタ電圧VMは光受光器
PD2からのモニタ電流が来ないため、ゼロになる。C
PU49が演算した結果の制御電圧VS2が、時間t6
で出力される。アナログスイッチ5WB2はオンで、2
番目のサンプルホールド回路SH2は制御常圧VS2を
サンプルしている。
時間t7でアナログスイッチ5WB2がオフとなり、第
2のサンプルホールド回路SH2がホールド状態になり
、D/A変換器51に出力されていた制御電圧VS2を
ホールドする。ホールド状態は次に、アナログスイッチ
gWA2,5WB2が選択されるまで続く。
ホールドが完了した時間t7の後、時間t8でD/A変
換器の出力がゼロになる。
ここで、第3図において示すように、1番目のアナログ
スイッチ5WAIが選択されてから、次に2番目のアナ
ログスイッチが選択されるまでの時間間隔をTSとする
。この時間TSは、時分割で選択されるが、回路がサン
プルホールドを用いているためある制限が必要となる。
これを第4図を用いて説明する。第4図はサンプルホー
ルド回路のコンデンサのディスチャーツジで発生するド
ループを示している。横軸に時間、縦軸にホールドした
電圧VSを表わす。最初ホールドした電圧VSTが、時
間が経つと実線で示すように、だんだんドループで減少
する。
ここで光出力の変動許容限界に対応する電圧の変化をd
Vとすれば、ホールト時間の限界Teが図のように決定
する。
これより先の第3図においで、i番目から次のi+1番
目が選択される時間をTSとし、駆動する半導体レーザ
の個数がN個あれば、ホールド時間の限界をTeとして
、T e /’ N > T Sの条件が求められる。
以上のように本実施例によれば、複数の光受光器からの
モニタ電流の1つを時分割で選択する第1の制御回路と
、モニタ電圧から半導体レーザの光出力を所定の光出力
に制御する制御電圧を演算するCPUと、第1の制御回
路で選択した光受光器に対応する半導体レーザに接続し
たサンプルホールド回路を選択し、前記制御電圧をサン
プルホールド回路に供給する第2の側御回路とを設ける
ことにより、マルチビーム用の複数の半導体レーザの駆
動回路をコンパクトにでき、また光出力を設定する基準
電圧を共用化して光出力の変動を抑えることができる。
発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、複数の光受光器か
らのモニタ信号の1つを時分割で選択する第1の制御回
路と、モニタ信号から半導体レーザの光出力を所定の光
出力に制御する制御電圧を演算する演算部と、第1の制
御回路で選択した光受光器に対応する半導体レーザに接
続したサンプルホールド回路を選択し、前記制御電圧を
サンプルホールド回路に供給する第2の制御回路とを設
けることにより、マルチビーム用の複数の半導体レーザ
の駆動回路をコンパクトにでき、また光出力を設定する
基準電圧を共用化して光出力の変動を抑えることができ
、その実用的効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明における実施例の半導体レーザ駆動回路
のブロック図、第2図は半導体レーザの光出力を設定す
る方法の説明図、第3図は実施令の半導体レーザ駆動回
路の動作説明図、第4図はサンプルホールド回路のドル
ープを説明するための図、第5図はマルチビームレーザ
を説明するための図、第6図は従来の半導体レーザ駆動
回路のブロック図である。 5・・・光受光器、  14・・・電流電圧変換器、1
7・・・モニタ電圧、  29・・・電流源、  35
・・・半導体レーザ、  41・・・アナログスイッチ
、49−CPU1 53・・・第2の制御回路、54・
・・アナログスイッチ、  e3・・・バッファーアン
プ。 代理人の氏名 弁理士 栗野 重孝 はか18第 2 
図 I。 IΣ I(蝋A) 第 図 乃

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)N個(N≧2)の半導体レーザから構成される発
    光素子と、 それぞれの半導体レーザの光を受けて光出力に応じたモ
    ニタ信号を発生するN個の光受光器と、前記N個の光受
    光器からのモニタ信号の1つを時分割で選択する第1の
    制御回路と、 モニタ信号から半導体レーザの光出力を所定の光出力に
    制御する制御電圧を演算する演算部と、選択された時に
    は前記制御電圧をサンプルし選択されていない時には制
    御電圧をホールドする独立したN個のサンプルホールド
    回路と、 N個のサンプルホールド回路の出力により前記各半導体
    レーザに各々電流を流す独立したN個の電流源と、 前記第1の制御回路で選択した光受光器に対応する半導
    体レーザに接続したサンプルホールド回路を選択し、前
    記演算部で演算された制御電圧をそのサンプルホールド
    回路に供給する第2の制御回路と、を備えたことを特徴
    とする半導体レーザ駆動回路。
  2. (2)時分割の周期は、サンプルホールド回路のドルー
    プによる半導体レーザの光出力の変動が、所定の値以下
    になるように選択されていることを特徴とする請求項1
    記載の半導体レーザ駆動回路。
  3. (3)第2の制御回路は、i(2≦i≦N)番目のサン
    プルホールド回路を選択する際、i番目以外のサンプル
    ホールド回路はすべてホールド状態にしておくことを特
    徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動回路。
JP1108832A 1989-04-27 1989-04-27 半導体レーザ駆動回路 Pending JPH02287933A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05342615A (ja) * 1992-06-08 1993-12-24 Mitsubishi Electric Corp 光記録再生装置
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