JP2002134830A - 半導体レーザ光量制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 モニタ電流の絶対値が非常にばらついても、
モニタ電流のランクによって抵抗を取り替える必要がな
い半導体レーザ光量制御回路を提供する。 【解決手段】 電圧バッファと抵抗の直列構造の固定イ
ンピーダンス回路１０８と、外部制御信号で動作制御す
る電圧バッファと抵抗の直列構造をｎ個並列接続した可
変インピーダンス回路１０９とを有し、基準電圧Ｖｒ１
を固定インピーダンス回路を介してコンパレータ回路１
０１の入力Ａに入力し、所望の光量に相当する基準電圧
Ｖｃを可変インピーダンス回路を介してコンパレータ回
路の入力Ｂに入力する。レーザダイオード１０５の光量
をモニタするフォトダイオード１０６の出力をコンパレ
ータ回路の入力Ｂに入力し、コンパレータ回路の出力に
応じてレーザダイオードの駆動電流を決定し、制御す
る。外部制御信号Ｓ１〜Ｓ８によって可変インピーダン
ス回路の抵抗値をＲ×（１／２）ⁿで可変させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
のような半導体レーザの出力光を所望の光量値に制御す
る半導体レーザ光量制御回路に関し、特にレーザビーム
プリンタやデジタル複写機等に好適な半導体レーザ光量
制御回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は従来のレーザダイオード駆動回路
（半導体レーザ光量制御回路）の構成例を示す。同図に
おいて、１０１はコンパレータ回路、１０２はサンプル
ホールド回路、１０３は電流増幅回路、１０４はスイッ
チング回路、１０５はレーザダイオード、１０６はフォ
トダイオード、１０７はモニタ抵抗である。

【０００３】従来のレーザダイオード駆動回路では、サ
ンプルホールド回路１０２がサンプリング状態にあると
き、レーザダイオード１０５から出力された光をフォト
ダイオード１０６にて検出し、フォトダイオード１０６
から出力される電流（以下、モニタ電流という）をモニ
タ抵抗Ｒｍに流して、モニタ電圧Ｖｍに変換し、次段の
コンパレータ回路１０１にて第１の基準電圧Ｖｒ１とそ
のモニタ電圧Ｖｍとを比較し、その比較結果である出力
電圧（誤差電圧）Ｖｅｒｒを発生させ、この電圧Ｖｅｒ
ｒをサンプルホールド回路１０２に入力し、そのサンプ
ルホールド回路１０２の出力電圧Ｖｓｈを電流増幅回路
１０３に入力する。

【０００４】電流増幅回路１０３は、第２の基準電圧Ｖ
ｒ２と上記電圧Ｖｓｈの電位差に応じた駆動電流Ｉｄｒ
ｖを出力する。この駆動電流Ｉｄｒｖを電流スイッチン
グ回路１０４を介してレーザダイオード１０５に供給す
ることで、レーザダイオード１０５の駆動電流Ｉｄｒｖ
を制御し、決定している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のＡＰＣ回路（自動光量制御回路）は、以下
に示すような課題をもっている。

【０００６】すなわち、比較的小パワー（５〜１０ｍＷ
級品）の半導体レーザのモニタ電流は、約数倍程度のバ
ラツキ幅を持っているのに対し、比較的大パワー（３０
ｍＷ級品）の半導体レーザのモニタ電流は、数十倍〜百
倍程度のバラツキ幅を持っている。

【０００７】このようなバラツキ幅の大きい半導体レー
ザを使用し、光量を設定する際、従来のように抵抗を用
いて光量設定を行うには、モニタ電流の大きさのランク
（等級）によって、抵抗値を変える必要があり、さら
に、抵抗値を変えるときは、半導体レーザを破壊させな
いように、発光量が小さく制御できる方から順々に変え
る必要があり、これは運用上非常に難しいことである。

【０００８】本発明は、上述のような課題を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、モニタ
電流の絶対値が非常にばらついても、モニタ電流の絶対
値のバラツキを十分吸収することで、モニタ電流のラン
クによって抵抗を取り替える必要がなく、光量設定の運
用が容易になり、さらには消灯時の電流を的確に制御す
ることで、十分な高速性を持つ半導体レーザ光量制御回
路を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の半導体レーザ光量制御回路の発明
は、電圧バッファと抵抗の直列構造の第１のインピーダ
ンス回路と、外部制御信号で動作制御する電圧バッファ
と抵抗の直列構造を複数ｎ（ｎは正の整数）個並列接続
した第２のインピーダンス回路と、第１の基準電圧Ｖ１
を前記第１のインピーダンス回路を介して一方の入力端
Ａに入力し、所望の光量に相当する第２の基準電圧Ｖ２
を前記第２のインピーダンス回路を介して他方の入力端
Ｂに入力し、かつ半導体レーザの出力光量を検出する光
量検出回路の出力を前記他方の入力端Ｂに入力する電圧
比較回路とを有し、該電圧比較回路の出力結果に応じて
前記半導体レーザの駆動電流を決定し、該半導体レーザ
の発光動作を制御し、かつ前記外部制御信号により前記
第２のインピーダンス回路のインピーダンス値を可変に
させることを特徴とする。

【００１０】ここで、前記外部制御信号により、前記第
２のインピーダンス回路のインピーダンス値を、

【００１１】

【数５】Ｒ×（１／２）ⁿ で可変にさせることを特徴とすることができる。

【００１２】また、前記第２のインピーダンス回路は、
１番目の抵抗値をＲとし、ｎ番目の抵抗値を

【００１３】

【数６】Ｒ／（ｎ−１） （ただしｎ≧２とする） とし、前記電圧バッファは、前記外部制御信号により出
力をフローティングにすることができることを特徴とす
ることができる。

【００１４】上記目的を達成するため、請求項４に記載
の半導体レーザ光量制御回路の発明は、第１の基準電圧
Ｖ１を第１のインピーダンス回路を介して第１の電圧比
較回路の一方の入力端Ａに入力し、所望の光量に相当す
る第２の基準電圧Ｖ２を第２のインピーダンス回路を介
して前記第１の電圧比較回路の他方の入力端Ｂに入力
し、半導体レーザの出力光量を検出する光量検出回路の
出力を前記第１の電圧比較回路の前記他方の入力端Ｂに
入力し、前記第１の電圧比較回路の出力結果に応じて前
記半導体レーザの駆動電流Ｉ１を決定し、該半導体レー
ザの発光光量を所望の光量に制御する第１の電流発生回
路と、前記第１の基準電圧Ｖ１を第３のインピーダンス
回路を介して第２の電圧比較回路の一方の入力端Ｃに入
力し、前記第２の基準電圧Ｖ２を第４のインピーダンス
回路を介して前記第２の電圧比較回路の他方の入力端Ｄ
に入力し、前記光検出回路の出力を電流増幅回路を介し
て前記第２の電圧比較回路の他方の入力端Ｄに接続し、
前記第２の電圧比較回路の出力結果に応じて前記所望の
光量の１／ｍ（ｍは正の整数）を制御する第２の電流発
生回路と、前記第２の電流発生回路の出力電流から前記
半導体レーザの発光しきい値電流Ｉ２を算出する第１の
電流演算回路と、前記第１の電流発生回路の出力電流Ｉ
１から前記第１の電流演算回路の出力電流Ｉ２を減じた
電流Ｉ３を前記半導体レーザに供給する半導体レーザ駆
動回路とを有し、前記第２のインピーダンス回路のイン
ピーダンス値と前記第４のインピーダンス回路のインピ
ーダンス値を、外部制御信号によって可変にさせること
を特徴とする。

【００１５】ここで、前記前記第２のインピーダンス回
路と前記第４のインピーダンス回路は、それぞれ外部制
御信号で動作制御する電圧バッファと抵抗の直列構造を
複数ｎ（ｎは正の整数）個並列接続した構成を有し、該
外部制御信号により該第２のインピーダンス回路と該第
４のインピーダンス回路のそれぞれのインピーダンス値
を、

【００１６】

【数７】Ｒ×（１／２）ⁿ で可変にさせることを特徴とすることができる。

【００１７】また、前記前記第２のインピーダンス回路
と前記第４のインピーダンス回路は、それぞれ１番目の
抵抗値をＲとし、ｎ番目の抵抗値を

【００１８】

【数８】Ｒ／（ｎ−１） （ただしｎ≧２とする） とし、前記電圧バッファは、前記外部制御信号により出
力をフローティングにすることができることを特徴とす
ることができる。

【００１９】また、前記１／ｍは１／４であることを特
徴とすることができる。

【００２０】また、前記半導体レーザがレーザダイオー
ドであることを特徴とすることができる。

【００２１】また、前記半導体レーザ光量制御回路を有
する記録装置を特徴とすることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。

【００２３】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態におけるレーザダイオード駆動回路の構成を
示す。同図において、１０１はコンパレータ回路、１０
２はサンプルホールド回路、１０３は電流増幅回路、１
０４はスイッチング回路、１０５はレーザダイオード、
１０６はフォトダイオードであり、これらの構成要素の
接続関係と機能および信号の流れは図５で上述した従来
例とほぼ同様である。１０８は本発明を適用した固定イ
ンピーダンス回路、１０９は本発明を適用した可変イン
ピーダンス回路である。

【００２４】固定インピーダンス回路１０８は、基準電
圧Ｖｒ１を入力とする電圧バッファに抵抗値Ｒの抵抗が
直列に接続されており、この抵抗の他端はコンパレータ
回路１０１のマイナス（−）入力端に接続されている。

【００２５】可変インピーダンス回路１０９は、所望の
光量に設定する電圧Ｖｃを入力とする電圧バッファと抵
抗の直列接続を、８ｂｉｔ（ビット）のＤＡＣ（デジタ
ルアナログ変換器）を考慮して、８個並列に接続された
構成になっており、その出力は、コンパレータ回路１０
１のプラス（＋）入力端に接続されている。

【００２６】可変インピーダンス回路１０９の電圧バッ
ファに接続されている抵抗値は、１番目をＲとし、２番
目以上のｎ番目は、

【００２７】

【数９】Ｒ／（ｎ−１） …
（１） （ただしｎ≧２とする） となる。

【００２８】そして、外部制御信号Ｓ１〜Ｓ８により可
変インピーダンス回路１０９のインピーダンス値を

【００２９】

【数１０】Ｒ×（１／２）ⁿ …
（２） で可変にする。

【００３０】これにより、可変インピーダンス回路１０
９で与えられる抵抗値を非常に広範囲に変化させること
ができ、モニタ電流の絶対値のバラツキを十分吸収でき
る。例えば、ｎ＝８の場合、可変インピーダンス回路の
抵抗値は、ＲからＲ／１２８まで変化させることができ
る。

【００３１】すなわち、可変インピーダンス回路１０９
の電圧バッファは制御信号を入力し、その制御信号をＳ
１からＳ８とし、ＤＡＣ等からの制御信号Ｓ１〜Ｓ８に
より、オン・オフ動作が選択できる。この制御信号によ
り電圧バッファがオフ状態にしたとき、電圧バッファの
出力はフローティング状態になっている。

【００３２】フォトダイオード１０６のカソード側はコ
ンパレータ回路１０１の＋入力端に接続されている。コ
ンパレータ回路１０１は２つの入力電圧の電位差に応じ
て、出力電圧（誤差電圧）Ｖｅｒｒを発生させ、サンプ
ルホールド回路１０２は電圧Ｖｅｒｒを入力し、出力と
してＶｓｈ発生させる。電圧Ｖｓｈは電流増幅回路１０
３に入力され、第２の基準電圧Ｖｒ２と電圧Ｖｓｈの電
位差に応じた駆動電流Ｉｄｒｖを出力する。電流Ｉｄｒ
ｖは電流スイッチング回路１０４を介してレーザダイオ
ード１０５に供給され、これにより駆動電流Ｉｄｒｖを
制御し、決定する。

【００３３】本実施形態の構成において、制御信号Ｓ１
〜Ｓ８により可変インピーダンス回路１０９の電圧バッ
ファの動作を選択する行為は、抵抗値を可変している行
為に相当し、例えば、制御信号Ｓ１により動作する電圧
バッファのみ選択した場合の抵抗値はＲとなり、また、
全ての電圧バッファを選択した場合の抵抗値はＲ／１２
８となる。

【００３４】したがって、フォトダイオード１０６のモ
ニタ電流の絶対値が非常にばらついたとしても、制御信
号Ｓ１〜Ｓ８により可変インピーダンス回路１０９の電
圧バッファを選択することで、抵抗を変える必要がなく
なり、光量設定の運用が容易になる。

【００３５】また、所望の光量を設定する電圧Ｖｃに
は、可変抵抗によるアナログ電圧、あるいは、ＤＡＣ等
を用いたデジタル電圧のどちらの方法でも与えることが
可能である。

【００３６】（第２の実施形態）上述の本発明の第１の
実施形態では、レーザダイオード１０５のアノードから
電流を供給するタイプを使用した場合の構成を示した。

【００３７】これに対し、図２は、本発明の第２の実施
形態として、レーザダイオード１０５のカソードから電
流を供給するタイプを使用した場合の構成例を示す。即
ち、スイッチング回路１０４はレーザダイオートのカソ
ード側に接続している。

【００３８】そして、これに対応するため、図２に示す
ように、固定インピーダンス回路１０８の抵抗はコンパ
レータ回路１０１の−入力端に接続されており、可変イ
ンピーダンス回路１０９の抵抗はコンパレータ回路１０
１の＋入力端に接続されており、フォトダイオード１０
６のアノード側はコンパレータ回路１０１の−入力端に
接続されている。このように、本実施形態における構成
は、コンパレータ回路１０１に入力される信号が第１の
実施形態とは逆になっていることを除けば、回路構成も
その作用も全く同じであり、よってその説明は省略す
る。

【００３９】したがって、本実施形態でも、第１の実施
形態と同様な効果が得られる。

【００４０】（第３の実施形態）上述した本発明の第１
の実施形態，および第２の実施形態では、駆動電流その
ものがスイッチング電流であり、そのためレーザダイオ
ード１０５に特有な発光遅延が大きくなり、その結果と
して十分な高速性を確保できないという課題が発生す
る。この課題を解決するにあたり、駆動電流にバイアス
電流を印加することが考えられるが、レーザダイオード
１０５のしきい値電流は、製造された時点で既にバラツ
キを持っており、さらに、動作温度によっても変動す
る。したがって、十分な高速性を確保するには、消灯時
の駆動電流を制御する必要がある。

【００４１】図３は、上記のような課題を解決する本発
明の第３の実施形態におけるレーザダイオード駆動回路
の構成を示す。本実施形態では、以下に説明するよう
に、第１実施形態と同様にして所望の光量を得る為に必
要な電流Ｉｍａｘを決定した後、電流Ｉｍａｘを供給し
た状態で所望の２５％光量Ｐｏ／４を実現する為に必要
な電流を測定し、その測定値からしきい値電流Ｉｐｏを
算出し、この算出したしきい値電流Ｉｐｏにオフセット
電流Ｉｘを加算した電流Ｉｐを電流Ｉｍａｘから減算し
た電流（Ｉｍａｘ−Ｉｐ）を、データによる変調時にお
けるパルス電流としている。

【００４２】同図において、１０１は第１のコンパレー
タ回路、１０２は第１のサンプルホールド回路、１０３
は第１の電流増幅回路、１０４は第１のスイッチング回
路、１０５はレーザダイオード、１０６はフォトダイオ
ード、１０８は第１の固定インピーダンス回路、１０９
は第１の可変インピーダンス回路である。２０１は第２
のコンパレータ回路、２０２は第２のサンプルホールド
回路、２０３は第２の電流増幅回路、２０４は第３の電
流増幅回路、２０５は第２のスイッチング回路、２０６
は第４の電流増幅回路である。２０８は第２の固定イン
ピーダンス回路、２０９は第２の可変インピーダンス回
路である。

【００４３】第１の固定インピーダンス回路１０８と第
２の固定インピーダンス回路２０８は、第１の実施形態
で説明した図１の固定インピーダンス回路１０８と同じ
回路構造をしており、また第１の可変インピーダンス回
路１０９と第２の可変インピーダンス回路２０９も、第
１の実施形態で説明した図１の可変インピーダンス回路
１０９と同じ回路構成をしている。

【００４４】第１のコンパレータ回路１０１の−入力端
には、第１の基準電圧Ｖｒ１を入力とする第１の固定イ
ンピーダンス回路１０８の出力端が接続されており、第
１のコンパレータ回路１０１の＋入力端には所望の光量
に設定する電圧Ｖｃを入力とする第１の可変インピーダ
ンス回路１０９の出力端とフォトダイオード１０６の出
力端とが接続されている。第１のコンパレータ回路１０
１は、２つの入力電圧を比較し、電圧Ｖｅｒｒ１を第１
のサンプルホールド回路１０２へ出力する。第１のサン
プルホールド回路１０２は入力電圧Ｖｅｒｒ１に基づい
て電圧Ｖｓｈ１を第１の電流増幅回路１０３へ出力す
る。第１のサンプルホールド回路１０２に入力される制
御信号をＯＮ−ＡＰＣとする。

【００４５】同様に、第２のコンパレータ回路２０１の
−入力端には、第１の基準電圧Ｖｒ１を入力とする第２
の固定インピーダンス回路２０８の出力端が接続されて
おり、第２のコンパレータ回路２０１の＋入力には所望
の光量に設定する電圧Ｖｃを入力とする第２の可変イン
ピーダンス回路２０９とフォトダイオード１０６の出力
を入力とする第４の電流増幅回路２０６の出力端が接続
されている。第２のコンパレータ回路２０１は、２つの
入力電圧を比較して、電圧Ｖｅｒｒ２を第２のサンプル
ホールド回路２０２へ出力する。第２のサンプルホール
ド回路２０２は入力電圧Ｖｅｒｒ２に基づいて電圧Ｖｓ
ｈ２を第２の電流増幅回路２０３へ出力する。第２のサ
ンプルホールド回路２０２に入力される制御信号をＯＦ
Ｆ−ＡＰＣとする。

【００４６】第２の電流増幅回路２０３の出力は、第３
の電流増幅回路２０４に入力され、この第３の電流増幅
回路２０４には、制御信号としてＯＦＦ−ＡＰＣが入力
されている。第３の電流増幅回路２０４は、第２のサン
プルホールド回路２０２がサンプリング状態にあるとき
には、その出力ゲインを３／４とし、第２のサンプルホ
ールド回路２０２がホールド状態にあるときには、その
出力ゲインを１とする。

【００４７】第３の電流増幅回路２０４の出力電流と、
第２のスイッチング回路２０５を介して出力されるオフ
セット電流と称する電流Ｉｘとを加算して、その加算結
果を第１のスイッチング回路１０４に入力する。第２の
スイッチング回路２０５は、第２のサンプルホールド回
路２０２がサンプリング状態にあるときＯＦＦ状態とな
り、第２のサンプルホールド回路２０２がホールド状態
にあるときＯＮ状態となる。

【００４８】レーザダイオード１０５には、第１の電流
増幅回路１０３の出力電流Ｉｍａｘから第１のスイッチ
ング回路１０４の出力電流Ｉｐを減じた電流が供給され
る。

【００４９】本実施形態の構成で、第１の実施形態と同
様に、モニタ電流のランク分けを、第１と第２の可変イ
ンピーダンス回路１０９、２０９への制御信号Ｓ１〜Ｓ
８を選択することで可能となり、電圧Ｖｃに所望の光量
に相当する電圧を与えることで光量を設定することがで
きる。

【００５０】図４は、本実施形態における駆動電流の時
間変化を示し、図面上方のグラフの縦軸は発光強度、横
軸は駆動電流であり、図面下方のタイミングチャートの
縦軸は時間、横軸は駆動電流である。

【００５１】時間ｔ１〜ｔ２の間では、所望の１００％
光量を実現する為に必要な電流Ｉｍａｘを決定する。こ
の時、第１のスイッチング回路はＯＦＦ状態になってお
り電流Ｉｍａｘを減じる電流Ｉｐはない。

【００５２】時間ｔ２〜ｔ３の間では、電流Ｉｍａｘを
供給した状態で所望の２５％光量を実現する為に必要な
電流（Ｉｍａｘ−Ｉｎ）を減じて、しきい値電流を算出
するに必要な電流Ｉｐｏを次式（３）により決定する。

【００５３】

【数１１】 Ｉｐｏ＝（３／４）×（Ｉｍａｘ−Ｉｎ） …（３） この時、第１のスイッチング回路１０４はＯＮ状態、第
３の電流増幅回路２０４のゲインは３／４、第２のスイ
ッチング回路２０５はＯＦＦ状態である。

【００５４】時間ｔ３〜ｔ４の間では、第３の電流増幅
回路２０４のゲインを１にし、第２のスイッチング回路
２０５をＯＮ状態にし、パルス電流Ｉｐを次式（４）に
より決定する。

【００５５】

【数１２】 Ｉｐ＝Ｉｐｏ＋Ｉｘ …（４） 時間ｔ４以降は、データに応じた光パルス変調（発光時
の電流はＩｍａｘ，消灯時の電流はＩｍａｘ−Ｉｐ）が
行われる。

【００５６】本実施形態を用いることで、モニタ電流が
非常にばらついたとしても、モニタ電流のランクに応じ
た抵抗の変更を必要とせず、また、高速性に十分対応し
た消灯時の電流制御も安定に行える。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
以下の効果が得られる。 （１） 本発明の第１の態様によれば、モニタ電流が非
常にばらついたとしても、オン・オフ動作選択可能な電
圧バッファと抵抗とで構成される可変インピーダンス回
路により、そのモニタ電流のバラツキを吸収するので、
モニタ電流のランクに応じて抵抗を変える必要がなく、
光量設定の運用が容易なレーザダイオード駆動回路が実
現できる。 （２） 本発明の第２の態様によれば、第１の形態と同
様な効果を得ることができ、さらに、消灯時の電流を制
御することで、十分な高速性を持つレーザダイオード駆
動回路が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態のレーザダイオード駆
動回路の構成を示す回路図である。

【図２】本発明の第２の実施形態のレーザダイオード駆
動回路の構成示す回路図である。

【図３】本発明の第３の実施形態のレーザダイオード駆
動回路の構成を示す回路図である。

【図４】本発明の第３の実施形態における駆動電流の時
間変化を示すグラフおよびタイミングチャートである。

【図５】従来のレーザダイオード駆動回路の構成例を示
す回路図である。

【符号の説明】

１０１，２０１ コンパレータ回路 １０２，２０２ サンプルホールド回路 １０３，２０３ 電流増幅回路 １０４，２０５ スイッチング回路 １０５ レーザダイオード １０６ フォトダイオード １０７ モニタ抵抗 １０８，２０８ 固定インピーダンス回路 １０９，２０９ 可変インピーダンス回路 ２０４，３０４ 電流増幅回路 ２０６ 電流増幅回路

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電圧バッファと抵抗の直列構造の第１の
   インピーダンス回路と、 外部制御信号で動作制御する電圧バッファと抵抗の直列
   構造を複数ｎ（ｎは正の整数）個並列接続した第２のイ
   ンピーダンス回路と、 第１の基準電圧Ｖ１を前記第１のインピーダンス回路を
   介して一方の入力端Ａに入力し、所望の光量に相当する
   第２の基準電圧Ｖ２を前記第２のインピーダンス回路を
   介して他方の入力端Ｂに入力し、かつ半導体レーザの出
   力光量を検出する光量検出回路の出力を前記他方の入力
   端Ｂに入力する電圧比較回路とを有し、 該電圧比較回路の出力結果に応じて前記半導体レーザの
   駆動電流を決定し、該半導体レーザの発光動作を制御
   し、かつ前記外部制御信号により前記第２のインピーダ
   ンス回路のインピーダンス値を可変にさせることを特徴
   とする半導体レーザ光量制御回路。
2. 【請求項２】 前記外部制御信号により、前記第２のイ
   ンピーダンス回路のインピーダンス値を、 【数１】Ｒ×（１／２）ⁿ で可変にさせることを特徴とする請求項１に記載の半導
   体レーザ光量制御回路。
3. 【請求項３】 前記第２のインピーダンス回路は、１番
   目の抵抗値をＲとし、ｎ番目の抵抗値を 【数２】Ｒ／（ｎ−１） （ただしｎ≧２とする） とし、前記電圧バッファは、前記外部制御信号により出
   力をフローティングにすることができることを特徴とす
   る請求項２に記載の半導体レーザ光量制御回路。
4. 【請求項４】 第１の基準電圧Ｖ１を第１のインピーダ
   ンス回路を介して第１の電圧比較回路の一方の入力端Ａ
   に入力し、所望の光量に相当する第２の基準電圧Ｖ２を
   第２のインピーダンス回路を介して前記第１の電圧比較
   回路の他方の入力端Ｂに入力し、半導体レーザの出力光
   量を検出する光量検出回路の出力を前記第１の電圧比較
   回路の前記他方の入力端Ｂに入力し、前記第１の電圧比
   較回路の出力結果に応じて前記半導体レーザの駆動電流
   Ｉ１を決定し、該半導体レーザの発光光量を所望の光量
   に制御する第１の電流発生回路と、 前記第１の基準電圧Ｖ１を第３のインピーダンス回路を
   介して第２の電圧比較回路の一方の入力端Ｃに入力し、
   前記第２の基準電圧Ｖ２を第４のインピーダンス回路を
   介して前記第２の電圧比較回路の他方の入力端Ｄに入力
   し、前記光検出回路の出力を電流増幅回路を介して前記
   第２の電圧比較回路の他方の入力端Ｄに接続し、前記第
   ２の電圧比較回路の出力結果に応じて前記所望の光量の
   １／ｍ（ｍは正の整数）を制御する第２の電流発生回路
   と、 前記第２の電流発生回路の出力電流から前記半導体レー
   ザの発光しきい値電流Ｉ２を算出する第１の電流演算回
   路と、 前記第１の電流発生回路の出力電流Ｉ１から前記第１の
   電流演算回路の出力電流Ｉ２を減じた電流Ｉ３を前記半
   導体レーザに供給する半導体レーザ駆動回路とを有し、 前記第２のインピーダンス回路のインピーダンス値と前
   記第４のインピーダンス回路のインピーダンス値を、外
   部制御信号によって可変にさせることを特徴とする半導
   体レーザ光量制御回路。
5. 【請求項５】 前記前記第２のインピーダンス回路と前
   記第４のインピーダンス回路は、それぞれ外部制御信号
   で動作制御する電圧バッファと抵抗の直列構造を複数ｎ
   （ｎは正の整数）個並列接続した構成を有し、 該外部制御信号により該第２のインピーダンス回路と該
   第４のインピーダンス回路のそれぞれのインピーダンス
   値を、 【数３】Ｒ×（１／２）ⁿ で可変にさせることを特徴とする請求項４に記載の半導
   体レーザ光量制御回路。
6. 【請求項６】 前記前記第２のインピーダンス回路と前
   記第４のインピーダンス回路は、それぞれ １番目の抵抗値をＲとし、ｎ番目の抵抗値を 【数４】Ｒ／（ｎ−１） （ただしｎ≧２とする） とし、前記電圧バッファは、前記外部制御信号により出
   力をフローティングにすることができることを特徴とす
   る請求項５に記載の半導体レーザ光量制御回路。
7. 【請求項７】 前記１／ｍは１／４であることを特徴と
   する請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体レーザ
   光量制御回路。
8. 【請求項８】 前記半導体レーザがレーザダイオードで
   あることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記
   載の半導体レーザ光量制御回路。
9. 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載の半
   導体レーザ光量制御回路を有することを特徴とする記録
   装置。