JPH02287425A - 光シャッタ及び、その製造方法 - Google Patents
光シャッタ及び、その製造方法Info
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- JPH02287425A JPH02287425A JP10963189A JP10963189A JPH02287425A JP H02287425 A JPH02287425 A JP H02287425A JP 10963189 A JP10963189 A JP 10963189A JP 10963189 A JP10963189 A JP 10963189A JP H02287425 A JPH02287425 A JP H02287425A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光プリンター カメラ、光コンピユー［従来の
技術］ 従来の光シャッタは第３図に示すように、電気光学効果
を有する透光性基板上に対向する電極を設けた電気光学
素子とその前後に設けられた偏光板、検光板によって構
成されている。
技術］ 従来の光シャッタは第３図に示すように、電気光学効果
を有する透光性基板上に対向する電極を設けた電気光学
素子とその前後に設けられた偏光板、検光板によって構
成されている。
電気光学効果を有する材料としてＰＬＺＴ （Ｐｂ、Ｌ
ａ （Ｚｒ、Ｔｉ）０３）を用いた 場合、２次の電気
光学効果（カー効果）を利用する。このとき光を透過さ
せるＰＬＺＴの厚みは材料としての複屈折の限界から最
低でも１５０μｍ程度を必要とする。
ａ （Ｚｒ、Ｔｉ）０３）を用いた 場合、２次の電気
光学効果（カー効果）を利用する。このとき光を透過さ
せるＰＬＺＴの厚みは材料としての複屈折の限界から最
低でも１５０μｍ程度を必要とする。
［発明が解決しようとする課題］
したがって、光シャッタはバルク材料に六って構成され
ている。このため光シャッタの高集積化や大面積化は困
難であった。
ている。このため光シャッタの高集積化や大面積化は困
難であった。
本発明の目的とするところは薄膜化、高集積化大面積化
が可能な光シャッタを提供することにある。
が可能な光シャッタを提供することにある。
〔課麗を解決するための手段］
本発明は上記課題を解決するため、
電気光学効果を有する透光性材料を用いた光シャタにお
いて、光を透過させる層に透明電極を設けたことを特徴
とする。
いて、光を透過させる層に透明電極を設けたことを特徴
とする。
［実施例］
以下実施例にしたがって本発明の詳細な説明する。第１
図は本発明の光シャッタの概略断面図である。電気光学
効果素子は透光性のない基板となる材料に電気光学効果
を有する材料に透明電極を埋め込んだ形になっている。
図は本発明の光シャッタの概略断面図である。電気光学
効果素子は透光性のない基板となる材料に電気光学効果
を有する材料に透明電極を埋め込んだ形になっている。
透明電極に電圧を与える配線は電気光学効果材料と透明
電極の上部に形成する。Ｍ上部には外部からの光の進法
を防ぐ遮光層を形成する。また、透明電極を前段と後段
とにわけ、前段とｆ＆段とを交互に配置する。光は電気
光学効果材料と透明電極を透過することになる。光シャ
ッタの光源からの光は偏光板によりされ、端光され電気
光学効果素子のカー効果を経て検光板を通ることによっ
て光シャッタとなる。
電極の上部に形成する。Ｍ上部には外部からの光の進法
を防ぐ遮光層を形成する。また、透明電極を前段と後段
とにわけ、前段とｆ＆段とを交互に配置する。光は電気
光学効果材料と透明電極を透過することになる。光シャ
ッタの光源からの光は偏光板によりされ、端光され電気
光学効果素子のカー効果を経て検光板を通ることによっ
て光シャッタとなる。
このような構造とすることによってよって、まず、光シ
ャッタを薄膜形成技術によって製作することが可能とな
る。なぜならば、電気光学効果材料の厚みでなく光の通
る光路長を確保丁れば良いのである。また、透明１ｉＥ
極を前段、後段と交互に配置することによって、光シャ
ッタの集積度を２倍にすることが可能となる。これは従
来の光シャッタが駆動電圧を与える電極及び配線によっ
てその集積度が制限されていたのに対して、本発明によ
れ（よ透明電極を電気光学効果材料内部に設けることに
よって光は透明電極内も通過できるため可能となるので
ある。さらに透明電極を３段、４段とする事も求める光
の強度が少なくても良い場合は可能である。さらに、こ
の構造は大面パ化が容易である。
ャッタを薄膜形成技術によって製作することが可能とな
る。なぜならば、電気光学効果材料の厚みでなく光の通
る光路長を確保丁れば良いのである。また、透明１ｉＥ
極を前段、後段と交互に配置することによって、光シャ
ッタの集積度を２倍にすることが可能となる。これは従
来の光シャッタが駆動電圧を与える電極及び配線によっ
てその集積度が制限されていたのに対して、本発明によ
れ（よ透明電極を電気光学効果材料内部に設けることに
よって光は透明電極内も通過できるため可能となるので
ある。さらに透明電極を３段、４段とする事も求める光
の強度が少なくても良い場合は可能である。さらに、こ
の構造は大面パ化が容易である。
次に、第２図により本発明の電気光学効果素子の製造方
法を説明する。まず、第２図（ａ）に示すように光透過
性のない基板材料に透明電極とする材料を形成する０本
実施例１；於いては基板材料としてＳｉ、透明電極材料
として工Ｔｏ（Ｉｎ＊０３・Ｓｎｏｗ）を用いたが、基
板材料としては光透過性のないセラミックス材料であれ
ばよく、透明電極としてはＩＴＯの他に５ｎＯｔ、Ｚｎ
Ｏなどが考えられる。透明電極の形成方法は真空蒸着法
、イオンブレーティング法、ＣＶＤ法、レーザービーム
法、クラスターイオンビーム法、スパッタ法等が考えら
れる。本実施例に於いてはＤＣマグネトロンスパッタに
よってＩＴＯを形成した。
法を説明する。まず、第２図（ａ）に示すように光透過
性のない基板材料に透明電極とする材料を形成する０本
実施例１；於いては基板材料としてＳｉ、透明電極材料
として工Ｔｏ（Ｉｎ＊０３・Ｓｎｏｗ）を用いたが、基
板材料としては光透過性のないセラミックス材料であれ
ばよく、透明電極としてはＩＴＯの他に５ｎＯｔ、Ｚｎ
Ｏなどが考えられる。透明電極の形成方法は真空蒸着法
、イオンブレーティング法、ＣＶＤ法、レーザービーム
法、クラスターイオンビーム法、スパッタ法等が考えら
れる。本実施例に於いてはＤＣマグネトロンスパッタに
よってＩＴＯを形成した。
形成したＩＴＯを前段、後段の電極とするため、フォト
リソグラフィーの技術により、レジストパターンを形成
し、エツチングする事によって透明電極とする。エツチ
ング方法についてはドライ、ウェトいろいろ考えられる
が、本実施例に於いてはイオンミーリングを用いてエツ
チングを行なった。形成された透ｌ１ｌＩ電極が第２図
（ｂ）である。
リソグラフィーの技術により、レジストパターンを形成
し、エツチングする事によって透明電極とする。エツチ
ング方法についてはドライ、ウェトいろいろ考えられる
が、本実施例に於いてはイオンミーリングを用いてエツ
チングを行なった。形成された透ｌ１ｌＩ電極が第２図
（ｂ）である。
電気光学効果材料は透明電極を形成した基板全部に成膜
する０本実施例に於し）てはＰＬＺＴを用ｉたがそのほ
かにＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏｓ等が考えられる。
する０本実施例に於し）てはＰＬＺＴを用ｉたがそのほ
かにＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏｓ等が考えられる。
ＰＬＺＴ薄膜の形成は透明電極と同様に種−々の方法が
利用できるが、本実施例に於いてはＲＦマグネトロンス
パッタを用塾）た。さらに、フォトレジストを透明電極
パターンの段差を緩和するために塗布し第２図（ｃ）と
する。なお、透明電極と電気光学効果をもつ材料の形成
順序は本実施例と逆にすることも可能である。
利用できるが、本実施例に於いてはＲＦマグネトロンス
パッタを用塾）た。さらに、フォトレジストを透明電極
パターンの段差を緩和するために塗布し第２図（ｃ）と
する。なお、透明電極と電気光学効果をもつ材料の形成
順序は本実施例と逆にすることも可能である。
次にフォトレジストと電気光学効果を有する材料とを同
時にエツチングすることにより、第２図（ｄ）となる０
本実施例においてはイオンミーリングによりエツチング
を行なった。
時にエツチングすることにより、第２図（ｄ）となる０
本実施例においてはイオンミーリングによりエツチング
を行なった。
さらに透明電極に電圧を加える配線材料を形成し、パタ
ーンニング、エツチングし、上面に絶縁性遮光層を形成
することによって第２図（ｅ）に示す様に電気光学効果
素子が得られる。配線材料としてはＡ１、Ａｌ−３ｉ、
等のＡ１合冷やＣｕ、Ｎ１等の金属材料が使用でき
る本実施例ではＡｌをＤＣスパッタで形成した。上面の
絶縁性遮光層の材料は有機絶縁性塗Ｊ東 有色絶縁性セ
ラミック等考えられるが、本実施例においては絶縁層と
してＳｉＯ２を遮光層としてＡｌを全面に形成 し、（
絶縁端子金属膜）という方法をとった。
ーンニング、エツチングし、上面に絶縁性遮光層を形成
することによって第２図（ｅ）に示す様に電気光学効果
素子が得られる。配線材料としてはＡ１、Ａｌ−３ｉ、
等のＡ１合冷やＣｕ、Ｎ１等の金属材料が使用でき
る本実施例ではＡｌをＤＣスパッタで形成した。上面の
絶縁性遮光層の材料は有機絶縁性塗Ｊ東 有色絶縁性セ
ラミック等考えられるが、本実施例においては絶縁層と
してＳｉＯ２を遮光層としてＡｌを全面に形成 し、（
絶縁端子金属膜）という方法をとった。
本実施例では基板にＳｉを用いたが５、本発明によれば
基板に光シャッタの駆動回路を形成し、透明電極を直接
駆動することも可能である。また本発明によれば、膜形
成した表面が平坦化されるため表面にＳｉ等を成長させ
回路を形成することも可能である。
基板に光シャッタの駆動回路を形成し、透明電極を直接
駆動することも可能である。また本発明によれば、膜形
成した表面が平坦化されるため表面にＳｉ等を成長させ
回路を形成することも可能である。
第１図は本発明の光シャッタの概略断面図。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の光シヤツタ電気光学効
果素子の製造方法を示す図。 第３図は従来の光シャッタの概略図。 なお、１・偏光板、２・検光板の矢印の方向は光の偏光
方向を示す。 ［発明の効果Ｊ 本発明によれば従来バルク材料によって構成されていた
光シャッタを薄膜化することができる。 このため光シャッタの高集積化や大面積化は容易となる
。 さらに本発明によれば光シャッタの駆動回路も一体とし
て製造することが可能となり、光シャッタのハイブリッ
ド化、高機能化も同時に達成される。 ・電気光学効果素子 ・偏光板 ・検光′板 ・基板 ・透明電極 ・電気光学効果材料 ・配線 ・遮光層 ９ ・ １０ ・ １ト フォトレジスト ・ＳｉＯ２ ・１４．極 代理人弁理士 銘木喜三部（他１名） ３殺光蔵 第１１」 禎 図 （ａ） 第 図Ｃｂ） 纂 図（ｃ） 第２回 （ｄ） 萬 邑 （ｅ）
果素子の製造方法を示す図。 第３図は従来の光シャッタの概略図。 なお、１・偏光板、２・検光板の矢印の方向は光の偏光
方向を示す。 ［発明の効果Ｊ 本発明によれば従来バルク材料によって構成されていた
光シャッタを薄膜化することができる。 このため光シャッタの高集積化や大面積化は容易となる
。 さらに本発明によれば光シャッタの駆動回路も一体とし
て製造することが可能となり、光シャッタのハイブリッ
ド化、高機能化も同時に達成される。 ・電気光学効果素子 ・偏光板 ・検光′板 ・基板 ・透明電極 ・電気光学効果材料 ・配線 ・遮光層 ９ ・ １０ ・ １ト フォトレジスト ・ＳｉＯ２ ・１４．極 代理人弁理士 銘木喜三部（他１名） ３殺光蔵 第１１」 禎 図 （ａ） 第 図Ｃｂ） 纂 図（ｃ） 第２回 （ｄ） 萬 邑 （ｅ）
Claims (2)
- （１）電気光学効果を有する透光性材料を用いた光シャ
タにおいて、光を透過させる層に透明電極を設けたこと
を特徴とする光シャッタ。 - （２）電気光学効果を有する透光性材料を用いた光シャ
ッタの製造方法において、基板上に透明電極材料を形成
する工程、前記透明電極を所定パターンにエッチングす
る工程、前記エッチングされた透明電極上に電気光学効
果材料を形成する工程、前記電気光学効果材料をエッチ
ングする工程とからなる請求項１記載の光シャッタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10963189A JPH02287425A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 光シャッタ及び、その製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10963189A JPH02287425A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 光シャッタ及び、その製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02287425A true JPH02287425A (ja) | 1990-11-27 |
Family
ID=14515175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10963189A Pending JPH02287425A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 光シャッタ及び、その製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02287425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010071105A1 (ja) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | 日本電気株式会社 | 光スイッチ、画像表示装置、画像形成装置、及び光スイッチの製造方法 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP10963189A patent/JPH02287425A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010071105A1 (ja) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | 日本電気株式会社 | 光スイッチ、画像表示装置、画像形成装置、及び光スイッチの製造方法 |
| JP5218564B2 (ja) * | 2008-12-18 | 2013-06-26 | 日本電気株式会社 | 光スイッチ、画像表示装置、画像形成装置、及び光スイッチの製造方法 |
| US8509576B2 (en) | 2008-12-18 | 2013-08-13 | Nec Corporation | Optical switch, image display device, image forming device, and method for manufacturing optical switch |
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