JPH02282997A - 垂直ヒューズテスト用改良方法 - Google Patents

垂直ヒューズテスト用改良方法

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JPH02282997A
JPH02282997A JP2053867A JP5386790A JPH02282997A JP H02282997 A JPH02282997 A JP H02282997A JP 2053867 A JP2053867 A JP 2053867A JP 5386790 A JP5386790 A JP 5386790A JP H02282997 A JPH02282997 A JP H02282997A
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JP
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fuse
test
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writable
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JP2053867A
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Thomas M Luich
トーマス エム.ルイッチ
Michael S Millhollan
マイケル エス.ミルホーラン
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National Semiconductor Corp
Original Assignee
National Semiconductor Corp
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Publication date
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing

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  • Read Only Memory (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 皮■ユ1 本発明は、プログラマブル即ち書込み可能な装置に関す
るものであって、更に詳細には、プログラムされていな
い即ち書込みがされていない開放状態のヒユーズが十分
に高いインピーダンスを有するものであることを検証す
るための方法及び構成に関するものである。
藍米及1 例えばプログラマブルロジックアレイ(PLA)及びプ
ログラマブルリードオンリメモリ(PROM)等のよう
な書込み可能装置は従来公知である。このような書込み
可能装置において使用される一つのタイプのヒユーズは
、第1図に示した如きバイポーラトランジスタであり、
そのベースはフローティングしており、そのエミッタは
ヒユーズの一方の端子として作用し、且つそのコレクタ
は該ヒユーズの第二端子として作用する。製造されると
、トランジスタはそのコレクタとエミッタとの間で電流
を導通させるものではなく、従って「開放」状態にある
。書込み期間中、比較的大きな電流がエミッタからコレ
ククヘ流され、従ってベース・エミッタ接合を短絡し、
且つ書込まれたトランジスタとし、その書込まれたトラ
ンジスタは、第1図に示した如く、短絡されたベースと
エミッタがアノードとして作用し且つコレクタがカソー
ドとして作用するダイオードの等価物である。
このような書込み可能装置は、全てのヒユーズに手を触
れることなく (r4R放状態)で製造され且つ製造後
に、ヒユーズの所望のものに書込みが行われ(短絡され
)、所望の書込みが行われたパターンを与える。
書込み可能装置の利点としては、多数の装置を比較的低
いコストで製造し且つエンドユーザへ配送することが可
能であり、エンドユーザが比較的少ない数の装置を特定
のパターンに書込みを行う、勿論、これらのユーザへ、
ヒユーズが初期的番こは手が触れられていないがユーザ
によって書込みを行うことが可能な装置を供給すること
が重要である。初期的に全てのヒユーズに手が触れられ
でいることがないか、又は書込み期間中に開放状態とさ
せることが不可能なヒユーズを有する装置は欠陥商品で
ある。
従って、エンドユーザへ配送する前に従って書込みを行
う前に書込み可能装置をテストするための多数の技術が
使用されている。非常に簡単なテストは、ヒユーズが全
て初期的に手が触れられていないものであることを決定
するものである。しかしながら、例えば、書込みを行う
ことを所望するヒユーズを介して適宜の電流が流れるこ
とを阻止し従ってそのヒユーズの書込みを行うことを阻
止するような短絡回路が存在しないことを確認するため
に付加的なテストが必要となる。このような技術は、米
国特許第4,670,708号に記載されている。別の
従来技術では、ビット線とワード線との間の短絡を検知
するものであり、それは米国特許第4,595,875
号及び第4,701.695号に記載されている。米国
特許第4.625,162号は、ヒユーズ自身が短絡さ
れているか否かを決定し、その際に書込み期間中にそれ
が開放されることを防止するための別の技術が2敞され
ている。
ヒユーズ装置を有する典型的な従来装置の一例を第2図
に概略示しである。ヒユーズアレイ108は、?I数個
のヒユーズ185−1−1乃至185−M−Nを有して
おり、それらは複数個の行うイン190−1乃至190
−N及び列ライン180−1乃至180−Mからなるア
レイ状に配列されており、各ヒユーズは単一の列ライン
と単一の行ラインとの間に固有的に接続されている。こ
のように、適切に単一の行ラインと単一の列ラインとを
アドレスすることにより、個々のヒユーズをアドレスす
ることが可能である1例えば行ドライバ106−N等の
ような複数個の行ドライバを使用して、行ライン190
−1乃至190−Hの所望の一つを選択的にイネーブル
させる。第2図に示した如く、行ドライバ106−Nは
、プルアップトランジスタ160とプルダウントランジ
スタ162とを有しており、これらのトランジスタは、
夫々、端子+63及び164を介してそれらのベースへ
印加される相補的信号によって制御される。
デコーダアレイ104は、列180−1乃至180−M
の所望の一つを選択するために使用される。各列180
−1乃至180−Mと関連して、複数個のダイオード1
41−1−1乃至141−M−Nが設けられており、そ
れらのアノードは共通接続されており且つそれらのカソ
ードは、夫々、共通デコードドライバ103のドライバ
130−1乃至130−Nの出力リードへ接続されてい
る。
現実には、ダイオード141−1−1乃至141−M−
Nの全てが存在するわけではなく、ドライバ130−1
乃至130−Nからの特定の組の信号が列180−1乃
至180−Mの一つのみを選択するようにデフード技術
を与えるのに充分な数のダイオードが存在している。ヒ
ユーズ用ドライバアレイ105は、各列と関連する一組
のヒユーズ用ドライバを有している。従って、例λば。
列180−1は、それと関連して、ヒユーズ用ドライバ
150−1及び151−1を有している。
行190−1乃至190−Mも、それと関連して、例え
ばドライバ139−Mのような書込み用行ドライバを有
している。書込み用行ドライバは、例えばドライバ10
6−N等のような行ドライバを読取ることにより与^ら
れる電流量よりも著しく大きな1を流量を与λる。
書込み期間中、ヒユーズ用電圧即ち溶融電圧(典型的に
は、1O−15V)がヒユーズ用パッドlO1へ供給さ
れる。ヒユーズ用パッド101へ高い書込み用電圧が印
加されると、約5.5Vのツェナーブレークダウン電圧
を有するツェナーダイオード122はブレークダウンし
、且つ約0.8Vのベーススレッシュホールド電圧を有
するPNP )ランジスタ120はターンオンする。
トランジスタ120が導通状態となると、トランジスタ
123へ充分なベース駆動が供給されて。
トランジスタ123がタンオーンし、且つトランジスタ
125へ充分なベース駆動が与えられて、トランジスタ
125がターンオンし、従ってヒュズ用パッド101へ
印加される溶融電圧はトランジスタ125のエミッタへ
供給される。この溶融電圧がトランジスタ125のエミ
ッタへ供給されると、ヒユーズ用ドライバ150−1及
び151−1 (列180−1の場合)は、ダイオード
141−1−1乃至141−1−Nからトランジスタ1
51−1のベースへ印加される電圧が高の場合(即ち、
列180−1がドライバl 30−1乃至130−Nに
よって選択される場合)、ターンオンする。このことは
、溶融電流がヒユーズ用パッド101から、トランジス
タ125を介し、トランジスタ150−1及び151−
1を介して、列180−1へ流れることを可能とする。
関連する行ラインから電流をシンクするために、行19
0−1乃至190−Hの一つが例λば書込み用ドライバ
139等のようなそれの対応する書込み用行ドライバに
よって選択されると、書込み用電流が列180−1と選
択された行との間に接続されている選択されたヒユーズ
装置を介して通過され、従ってそのヒユーズ装置を開放
状態とさせる。
読取り期間中、ヒユーズ用バッドlO■から書込み用電
圧が除去され、且つヒユーズ用ドライバ105はデコー
ドドライバ103の動作によってディスエーブルされる
0行190−1乃至190−Nの選択された一つが、そ
れと関連する行ドライバによってイネーブルされ、その
選択された行をプルダウンさせる1例えばセンスアンプ
195−Mのような適宜のセンスアンプが1列18〇−
】乃至180−Mへ接続され、且つ選択された行とその
列とに関連するヒユーズが開放状態であるか又は短絡状
態であるかを検知する。
エンドユーザへ送る前にヒユーズ185−1−1−乃至
185−M−Nが手が触れられていないものであるか否
かを決定する従来の一技術は、エミッタの一体性のテス
トを使用することによって行う、このテストは、ヒユー
ズ用バッド101を介して各ヒユーズを介し所定量の電
流を強制的に流して行う、この所定の”l INを強制
的に流すために必要な電圧を測定して、テスト中のヒユ
ーズを包含する全経路のインピーダンスを決定する。こ
のエミッタ一体性テストは、ヒユーズ装置を包含するヒ
ユーズ用経路の一体性を検証するのに役立つが、開放状
態にあるか又は短絡状態にあるヒユーズのインピーダン
スをより精密に決定するためには有用ではない、しかし
ながら、開放状態にあるヒユーズの場合でも、トランジ
スタ120及び抵抗121を介してヒユーズ用バッド1
01から接地へ電流■、(典型的に、2−6mA)が流
れ、電流I2  (典型的に、200μA)がトランジ
スタ123及び抵抗124を介して接地へ流れ、且つ電
流I3  (典型的に、3−6mA)が抵抗140−1
乃至140−Mを介し且つダイオード141−1−1乃
至141−M−Nを介し且つトランジスタ151−1乃
至151−Mを介して流れる。更に、トランジスタ15
0−1乃至150−Mのエミッタと基板との間には、第
2図に示したウロく、寄生トランジスタ153が存在す
る。
このトランジスタも、付加的な電流I、を引込む、従っ
て、エミッタ一体性テストの期間中にはこのように多く
の電流が流れるので、例えば、全ヒユーズアレイ108
に対して全体で1uAの程度の小さな漏れ電流を検知す
ることは不可能である。
開方々状態にあるヒユーズの抵抗を検知する別の1に末
技術のテスト方法は、検証回路を使用するものである。
この検証回路は、書込み中のヒユーズが、実際に、書込
まれたということをfa認するために書込み期間中に使
用されるものである。この検証は、それが迅速な速度を
必要とするものではないので、書込み期間中に使用され
る書込み用行ドライバ回路を使用して行われる。第3図
は、行ライン400に接続されており且つ列403へ接
続されているヒユーズ401を有するこのような占込み
用行ドライバ回路139−Nを概略量、している。セン
スアンプ405は、ヒユーズ401の書込み状態に関連
する列403上の電圧レベルを検知するために列403
へ接続されている。端子314ヘイネーブル(論理l)
信号が印加されると、行ライン402がVbe (31
7)+Vbe(316)+Vbe (315)−Vsc
hに等しいレベルヘプルされる。尚、Vbe (3t5
)は、トランジスタ315のベース−エミッタ電圧であ
り、Vbe(316)はトランジスタ316のベースー
エミック電圧であり、Vbe(317)はトランジスタ
317のベースーエミック電圧であり、且つVschは
ショットキトランジスタ315のベースとコレクタとの
間のショットキ電圧である。
VbeがO,SVであり且ツV s c hが約0゜5
Vである典型的な場合、書込み用行ドライバ139−N
は、行ライン402が選択されると。
行ライン402を約1.9Vのレベルヘプルする。短絡
されたヒユーズ401は、約0.9Vのベース−エミッ
タ電圧を有している。開放状態(書込みなし)のヒユー
ズ401は、それを介して実質的に電流が流れることは
なく、従って正供給電圧Vbeへ接続されている抵抗4
04は1列403を5vヘプルアツプする。逆に、ヒュ
ーズ401が書込まれており、即ち短絡状態にあると、
列403は行ライン電圧(約1.9V)+ヒユーズ40
1のベース−エミッタ電圧降下(約0.9V)に等しい
電圧へプルダウンされる。従って、列403は、ヒユー
ズが開放状態にある場合の約5Vからトランジスタ40
1が短絡状態にある約5−2.8V=2.2Vへスイン
グする。
センスアンプ405はこの範囲の中間におけるスレッシ
ュホールド電圧、即ち約1.IVのスイングを有するよ
うに設計される。従って、約11にΩの抵抗404の典
型的な抵抗値の場合、センスアンプ405によって漏れ
電流を検知するのに充分な量列403をプルダウンする
ためには列403上にl 0OuAの漏れ電流が与えら
れることを必要とする。しかしながら、現在の回路にお
いては、100μAはかなりの量の漏れ電流であると考
えられており、且つ例えばluAの程度のより小さな値
の漏れ電流を検知することが望まれている。この量より
も大きな漏れ電流は、書込みを阻止したり又はヒユーズ
の適切な読取りを阻止する壊滅的な欠陥を発生するもの
ではないが、列上のデータを読取る能力を著しく劣化さ
せる。更に、より高速の装置の場合1列プルアップ抵抗
404の値が減少され、センスアンプ405を漏れ電流
に対する感度をより悪くする。
圧−旬 本発明は1以上の点に迄みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、書込み可能装置にお
いて書込みが行われていない開放状態のヒユーズが充分
に高いインピーダンスを有することを検証することが可
能な書込み可能装置を提供することを目的とする。
1−滅 本発明によれば、ヒユーズアレイにおける漏れ電流をテ
ストするための新規な方法及び構成が提供される0本発
明によれば、装置の通常動作期間中に、列をテスト回路
から分離するためにダイオードがアレイ内の各列へ接続
されている。テスト期間中、電流が該ダイオードを介し
て列へ供給され、且つ対応する漏れ電流が測定される0
本発明の一実施例においては、各ダイオードのアノード
が単一のテスト点へ共通に接続されており、且つ全ヒユ
ーズアレイからの全漏れ電流が同時的に測定される1本
発明の別の実施例においては、テストダイオードの所望
の一つ、従って単一の列を介しての漏れ電流が任意の与
えられた時間に測定されるように列の内で対応する一つ
を選択的にアドレスするためにアドレス手段が使用され
る0本発明の更に別の実施例においては、全ての列が同
時的にアドレスされるか又は個別的にアドレスされるか
に拘わらず、任意の与えられた時間において、単一のヒ
ユーズの漏れ電流又は全体の行と関連するヒユーズの全
漏れ電流の何れかを測定することが可能であるように行
が個別的にアドレスされる。
実」【例 以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
について詳細に説明する。
第4図は、本発明の一実施例に基づいて構成された書込
み可能装置を示した概略図である。書込み可能装置20
0は、テストダイオード170−1乃至170−Mを有
しており、該ダイオードのカソードは、夫々、列280
−1乃至280−Mの関連する一つへ接続されており、
且つアノードはテスト点175へ共通接続されている。
装置200の書込み及び読取りは、第2図の従来回路に
おけるのと同一の対応で行われる。しかしながら、本発
明によれば、ヒユーズ285−1−1乃至285−M−
Nを介しての漏れ電流の測定は非常に精密な態様で行わ
れる。第4図に示した実施例においては、漏れテスト期
間中、書込み用パッド201へ同等電圧は印加されず、
且つヒユーズ用ドライバ205はデコーダ203を介し
て印加される適宜のアドレス信号によってディスエーブ
ルされる。従って、ヒユーズアレイ208は、書込み回
路から完全に分離される。
本発明の一実施例においては、漏れテスト期間中、行2
90−1乃至行290−Nの各々がイネーブルされ、そ
の際にその夫々の行ドライバ206によって接地ヘブル
される。テストパッドl75へ淵れテスト電圧が印加さ
れ、それは該ヒユーズのブレークダウン電圧+ダイオー
ド170−1乃至170−Mを横断しての順方向バイア
ス電圧降下以下である。ヒユーズブレークダウン電圧が
典を的な約3.5vであり、且つ順方向バイアスダイオ
ード降下が約0.5Vである場合、約3.5Vのテスト
電圧が使用される。ヒユーズを介しである量の漏れがあ
ると仮定すると、ダイオード170−3乃至170−M
は順方向バイアスされる。ダイオード170−1乃至1
70  Mを介して流れる全電流量は、ヒユーズ285
−1−1乃至285−MNを介して流れる漏れ電流の和
に起因するものである。この電流は、バッド175にお
いて容易に測定され、それは、例えば、装置パッケージ
上の外部ビンへ供給される。勿論、このビンは、約3.
5Vのテスト電圧から得られる漏れ電流を測定するため
に適宜のテスト回路又は電子的テスタへ接続させること
が可能である7本発明の別のア施例においては、パッド
175は装置バ・ンケージ上の外部ビンへは接続せず漏
れ電流を測定するために、パッケージングの前に、グイ
ソート(種m分け)の期間中に使用される。本発明の一
実施例においては、全漏れ電流がlμ八へ上であると、
その装置は拒否される。興味あることであるが、この漏
れ電流が多数のヒユーズからの漏れの結果であるか又は
単一のヒユーズからの漏れであるかは重要なことではな
い8なぜならば、一つの列を介しての漏れ電流は、書込
み可能論理装置においてその列のセンス動作即ち検知動
作を遅滞化させるものであるからである。
本発明の別の実施例においては、テスト電圧を個々の列
へ逐次的に印加し且つ個々の列に起因する漏れ電流を測
定することが可能であるようにテスト電圧をダイオード
170−1乃至170−Mの所望の一つへ印加するため
に適宜のアドレス手段(不図示)を使用する。この場合
、例えば、何れかの個々の列がlμAを超大る漏れ電流
を有する場合にはその装置は拒否される0本発明の別の
実施例においては、特に書込み可能リードオンリメモリ
の場合に適したものであるが、任意の与えられた時間に
単一のヒユーズを読取り、アドレス手段を使用して個々
の列からの漏れ電流を検知するためにダイオード1.7
0−1乃至170−Mの一つヘテスト電圧を供給し、且
つ個々の行ラインなイネーブルさせて、その際にアレイ
内の各個々のヒユーズに対しての漏れ電流を測定するこ
とを可能とする4本発明の更に別の実施例においては、
テストヒユーズ170−1乃至170−Mのノードが第
4図に示した如く単一のテスト点へ共通に接続されてい
るが、個々の行ラインは任意の与えられた時間において
イネーブルされ、その際にアレイ内の任竜の与λられた
行に関連するヒユーズを介して流れる漏れ電流の和を検
知することを可能とする。
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
ではなく1本発明の技術的範囲を逸脱することなしにf
1々の変形が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
第1図は書込み可能ヒユーズ要素として使用される従来
技術のバイポーラトランジスタを示した概略図、第2図
は典型的な従来の書込み可能装置を示した概略図、第3
図はヒユーズと列とセンスアンプと共に書込み期間中に
使用される典型的な従来の行ドライバを示した概略図、
第4図は本発明の一実施例に基づいて構成された書込み
可能装置を示した概略図、である。 (符号の説明) テストダイオード テスト点 書込み可能装置 書込み用パッド ・デコーダ 、ヒユーズ用ドライバ ・ヒユーズアレイ :列 ヒユーズ 行 FIG、 7 FIG、3

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、書込み可能装置において、一個以上の行と一個以上
    の列とテストノードが設けられており、一個以上のヒュ
    ーズ装置が設けられており、各ヒューズ装置は一つの行
    と一つの列からなる独特の組の間に結合されており、一
    個以上の分難手段が設けられており、前記分離手段の各
    々は前記列の関連する一つへ結合された第一リードと前
    記テストノードへ結合された第二リードとを持っており
    、前記分離手段は前記装置の通常動作期間中ヒューズ装
    置を前記テストノードから分離すべく作用し、前記ヒュ
    ーズ装置の選択した一つ又はそれ以上のものを介しての
    漏れ電流を測定するために前記分離手段の一個又はそれ
    以上の前記第二リードヘテスト信号を印加する手段が設
    けられていることを特徴とする書込み可能装置。 2、特許請求の範囲第1項において、前記分離手段がダ
    イオードを有していることを特徴とする書込み可能装置
    。 3、特許請求の範囲第1項において、前記各ヒューズが
    バイポーラトランジスタを有しており、前記バイポーラ
    トランジスタのエミッタは関連する列へ結合されており
    、そのコレクタは関連する行へ結合されており、且つそ
    のベースはフローティングしていることを特徴とする書
    込み可能装置。 4、特許請求の範囲第3項において、前記分離手段の各
    々は、ダイオードを有しており、前記ダイオードのカソ
    ードは前記第一リードとして作用し且つそのアノードは
    前記第二リードとして作用することを特徴とする書込み
    可能装置。 5、特許請求の範囲第1項において、前記第二リードは
    、前記テスト信号を受取るために共通テスト点へ共通に
    結合されていることを特徴とする書込み可能装置。 6、特許請求の範囲第1項において、更に、全ての行を
    同時的にイネーブルさせる手段が設けられており、従っ
    て前記分離手段の各々を介して流れる電流が前記分離手
    段と関連する列と関連する前記ヒューズの各々を介して
    流れる漏れ電流の和であることを特徴とする書込み可能
    装置。 7、特許請求の範囲第1項において、更に、個々の行を
    選択的にイネーブルさせる手段が設けられており、前記
    分離手段の各々を介して流れる電流が前記分離手段と関
    連し且つ選択された行と関連する列と関連するヒューズ
    を介して流れる漏れ電流であることを特徴とする書込み
    可能装置。 8、特許請求の範囲第6項において、前記第二リードが
    共通に結合されており、前記テスト信号の結果として流
    れる電流が前記ヒューズを介しての漏れ電流の和である
    ことを特徴とする書込み可能装置。 9、特許請求の範囲第7項において、前記第二リードが
    共通に結合されており、前記テスト信号の結果として流
    れる電流が選択された行に関連するヒューズを介して流
    れる漏れ電流の和であることを特徴とする書込み可能装
    置。
JP2053867A 1989-03-07 1990-03-07 垂直ヒューズテスト用改良方法 Pending JPH02282997A (ja)

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US07/320,762 US4969124A (en) 1989-03-07 1989-03-07 Method for vertical fuse testing

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