JPH02282977A - 交代ブロック処理方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 光ディスク装置において書込みデータが正常に記録され
なかったときの交代処理に関し、一つのトラックに集中
して不良ブロックが発生した場合の読出し時の検索時間
短縮を目的とし、ユーザに出荷前に検出した不良ブロッ
クのアドレスを記載した一次欠陥リストと、ユーザに出
荷後発生した不良ブロックのアドレスと該不良ブロック
に代えて書き込んだ交代ブロックのアドレスを対として
記載した二次欠陥リストとを光ディスク媒体上に備えて
管理する光ディスクの交代処理において、前記一次欠陥
リストおよび二次欠陥リストに、不良部のアドレスが不
良セクタを示すものか不良トランクを示すものかを識別
するフラグを備え、前記光ディスク媒体上の一つのトラ
ック内に予め定めた数取上の不良セクタを認識したとき
、該トラックの全てのブロックを不良ブロックとして扱
い、前記一次欠陥リストおよび二次欠陥リストには、実
際の不良ブロックの数だけ記載することなく、該トラッ
クのアドレスを一つだけ記載すると共に、前記不良トラ
ックを示すフラグを立てるように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、光ディスク装置において書込みデータが正常
に記録されなかったときの交代処理に関する。

光ディスク装置では、書込みコマンドによって媒体にデ
ータを書き込んだ後にそれが正しく書けたかどうかをチ
エツクを行う、チエツクのときにデータが誤り検出訂正
コード（ＥＣＣ）によっても訂正不能となった（これを
訂正不能データチエツクと呼ぶ）ならば、予め準備しで
ある交代領域の未使用ブロックを探し、そこにデータを
書き込む、続出し時には、読出し動作を行ったときにデ
ータチエツクが発生すると、交代領域にデータが書かれ
ている可能性があるので、交代領域を探索して１亥当ブ
ロツクを探し出してデータを読み出す。

これが交代処理であり、交代処理では、交代領域の効率
的な探索処理が要求される。

〔従来の技術］ 光ディスク装置では、書込みコマンドによって媒体にデ
ータを書き込んだ後にそれが正しく書けたかどうかかを
チエツクを行い、チエツクのときにデータがＥＣＣによ
っても訂正不能となったならば、未使用の交代ブロック
を探し、そこにデータを書き込む。その場合に、磁気デ
ィスク装置の場合に行われているように、ＩＤ（）ラッ
クアドレス、セクタアドレス等の識別情報）部を使用し
て不良ブロックのアドレスと交代ブロックのアドレスお
よび不良／交代を示すフラグを書き込んで、これによっ
て不良ブロックと交代ブロックのリンクを取ることは行
われない。現在のところ、磁気ディスクと違いＩＤ部を
書き直すことが出来ないためである。（ＩＤ部は予めプ
リグループで書き込まれており書き換え不可能となって
いる）。

読出し時には、読出し動作を行ったときに、データチエ
ツクが発生すると、交代領域にデータが書かれている可
能性があるので、交代領域の先頭からデータを順番に読
んでいって該当ブロックを探し出す、交代ＳＲ域の最後
まで行っても交代ブロックが見つからないときには、書
いた時点では正常であったが読み出すまでの間に何らか
の異常が起こってデータチエツクになったと判断する。

この場合には、ソフトアエアに対してデータチエツクが
住したことを報告する。

最近、ｌ５Ｏ（国際標準機構）は、光磁気ディスクのよ
うに書き換え可能な光ディスクの交代処理のために、上
記のような従来の交代処理方式に加えてマツプ方式を規
格化した。マツプ方式では、第７図に示すように、光デ
ィスク媒体の記録領域を、一次欠陥リスト（Ｐｒｉｍａ
ｒｙ　Ｄｅｆｅｃｔ　Ｌｉ５Ｌ　）と二次欠陥リスト（
Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｄｅｆｅｃｔ　Ｌｉ５ｔ　）とユ
ーザエリアに分割する。ユーザエリアはまた、一次エリ
アと交代エリアに分けられる。

一次欠陥リスト（Ｐｒｉｍａｒｙ　Ｄｅｆｅｃｔ　Ｌｉ
５ｔ）には、第８図（ａ）に示すように、媒体出荷時の
不良ブロックのアドレスが書かれている。第８図（ａ）
の例では、Ｎ個の不良ブロックのアドレスＤ１〜ＤＨが
書かれている。これらの不良ブロックには、交代ブロッ
クを割り当てるのではなく、そのブロックを使用しない
ことにして、全体のアドレスを一つ後ろにずらすことに
なる。

二次欠陥リスト（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｄｅｆｅｃｔ　
Ｌｉ５ｔ）は、第８図ら）に示すように、ユーザに出荷
された後で新たに発生した欠陥ブロックに対処するもの
で、不良ブロックのアドレス（ＤＩ、Ｄア、−・・）と
これらに対する交代ブロックのアドレス（Ａ＋、Ａｚ、
−・−）の両方が対（ベア）で書いであるリストである
。

光ディスク制御装置は、媒体が光ディスク装置にローデ
ィングされてレディ状態になったときに、両欠陥リスト
の値を読み取って保持しておき、以降の書込み、読出し
時の処理に利用する。

第７図に示す例では、１，２，３．４が不良フロックで
、フロック１０１．１０２．１０３．１０４がそれぞれ
の交代フロックである。

これらのうち、ブロヴク３だけが出荷前に検出された不
良ブロックであり、ブロック３のアドレスは一次欠陥リ
ストに書かれ、その交代ブロック１０３はブロック３の
次のブロックに書き込まれる。

ブロック１，２．４の交代ブロックは交代エリアに書き
込まれ、二次欠陥リストに、フロックｌと１０１．２と
１０２．４と１０４のアドレスがベアで書かれる。

第９図は、一次欠陥リストの構成を示す図である。

このリストでは、一つのデータは４バイトで構成され、
不良ブロックのアドレスが小さい順に入っている。最初
の４バイト（バイト番号０〜３）には、リストの先頭を
示す符号（００Ｈは１６進のＯＯ）、一次欠陥リストで
あることを示す識別子ＯＩＨ、リストの長さの上位バイ
ト、および下位バイトから成るリスト情報が書かれてい
る。各不良ブロックのアドレスは、第１バイトに不良ブ
ロックのトラック番号の上位バイト、第２バイトにその
中位バイト、第３バイトにその下位バイト、第４バイト
にセクタ番号が書かれる。

第１０図は、二次欠陥リストの構成を示す図である。

このリストでは、一つのデータは８バイトで構成され、
不良ブロックのアドレス４バイトと、交代ブロックのア
ドレス４バイトがベアで入っている。最小の８バイト（
バイト番号Ｏ〜７）は、第９図の場合と同様なリスト情
報が書かれている。

バイト番号８〜１１には、最初の不良ブロックのアドレ
スが、続いてバイト番号１２〜１５にはそれに対する交
代ブロックのアドレスが書かれている。アドレスの内容
は、第９図の場合と同様である。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記に説明したような交代ブロック処理において、第７
図に示す不良ブロック５，６，７．−．１３．１４のよ
うに、成るトラックに集中している場合、仮に媒体出荷
時に不良フロックとして認識されたとしたら、それぞれ
に対応した交代ブロックが１０５．１０６．１０７．−
・−，１１３，１１４となり、一次欠陥リストには、５
〜１４のアドレスが書かれることになる。

読出し処理時には、毎回読出しするブロックが不良ブロ
ックであるかどうかを欠陥リストとの照らし合わせでチ
エツクする必要があるが、このように不良ブロックが集
中している場合にも、ブロック単位で不良部分を管理し
ているため、欠陥リストが大きくなり、続出しするブロ
ックの数だけ毎回必要な欠陥リストとの照らし合わせ処
理時間が、不良ブロックの数に比例して長くなるという
問題があった。

本発明が解決しようとする課題は、このような従来の問
題点を解消した交代ブロック処理方式を提供することに
ある。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は、本発明の構成と原理を示す図である。

図において、ｌは光ディスク媒体であり、その記録領域
構成を示している。

１１は一次欠陥リスト（Ｐｒｉｍａｒｙ　Ｄｅｆｅｃｔ
　Ｌｉ５ｔ）であり、ユーザに出荷前に検出した不良ブ
ロックのアドレスを記載する。

１２は二次欠陥リスト（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｄｅｆｅ
ｃｔ　Ｌｉ５ｔ）であり、ユーザに出荷後発生した不良
ブロックのアドレスとこれに代わって書き込んだ交代ブ
ロックのアドレスを対をなして記載する。

Ｆはフラグであり、一次欠陥リスト１１および二次欠陥
リスｌ−１２において、不良部のアドレスが不良セクタ
を示すか不良トラックを示すかの識別に用いる。

〔作　用〕

本発明では、一次欠陥リスｔ−（Ｐｒｉｍａｒｙ　Ｄｅ
ｆｅｃｔＬｉｓｔ）１１および二次欠陥リスト（Ｓｅｃ
ｏｎｄａｒｙ　ＤｅｆｅｃｔＬｉｓｔ）１２に、１ビツ
トのフラグを設け、フラグが“０”であるか°１”であ
るかによって、そこで示されるアドレスが不良セクタで
あるか、不良トラックであるか区別できるようにする。

そして、一つのトラック内に予め定めた個数（例えば１
０個）以上の不良ブロックを認識した場合には、そのト
ラックのブロックを全て不良ブロックとして扱い、実際
に発生した不良ブロックの数だけ欠陥リストＩＩまたは
１２に記載するのではなく、そのトランクのアドレスを
一つだけ記載すると共に、前記不良トラックを示すアド
レスであることを識別するフラグを立てる（フラグを“
ｌ”とする）。

即ち、第１図に示すように、一次欠陥リストは、出荷前
に検出した不良ブロックのアドレスＤＩ、Ｄ３を書き、
不良ブロックａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅのアドレスに替えて不
良トラックアドレスＤＴ２を書き、そのフラグをｌＩｎ
とする。二次欠陥リストでは、出荷後に発生した不良ブ
ロックのアドレスＤ１．１．　０１２とそれらの交代ブ
ロックのアドレスＡ１１、　　Ａ１２を書き、不良ブロ
ックｍ、ｎ、ｏ、ｐ。

ｑ、ｒのアドレスに替えて不良トラックアドレスＤＴ１
３とその交代トラックのアドレスＡＴ１３を書き、その
フラグを°゛１”とする。

本来ならば、不良ブロックの数だけ欠陥リスト１１また
は１２の内容が増加するところ、一つの不良トラックを
示すアドレスの増加だけで済む。そのため、読出し処理
時に、目的ブロックが不良ブロックであるかどうかのチ
エツクのための欠陥リス目１および１２との照らし合わ
せにおいて、フラグの立っているトラックについては１
回の照らし合わせだけでそのトラック内の全ての不良ブ
ロックとの照らし合わせが済むことになり、照らし合わ
せ処理の回数が減り、読出し処理時間を短縮することが
できる。

第２図は、フラグおよびブロックアドレスの構成例を示
す図である。

第９図および第１０図に示したように、ブロックアドレ
スは４バイトで表され、そのうち３バイトはトラックア
ドレスとして用意されているが、実際のトラック数はｉ
ｓ、ｏｏｏ本程度でありこれが３倍となっても２バイト
で充分間に合う。従って、第２図に示すように、トラン
ク番号ＭＳＢの第１ピントを使用してフラグとする。

〔実施例〕

第３図は、本発明の一実施例における光ディスク制訓装
置の構成を示す図である。

図において、２は光ディスク制御装置であり、図示しな
い上位装置（ホスト計算機）からのコマンドにより、図
示しない下位装置（光ディスク装置）へのデータの書込
み、若しくは下位装置（光ディスク装置）からのディス
クの続出しを制御する。

２１はマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）であり、光ディス
ク制御装置２全体の動作を制御する。書込み時における
二次欠陥リストの作成、読出し時における目的ブロック
の一次および二次欠陥リストとの照合は、ＭＰＵ２１の
プログラムにより行われる。

２２は制御記憶であり、ＭＰＵ２１が実行するマイクロ
プログラムを格納する。

２３は欠陥リスト格納メモリであり、図示してない光デ
ィスク装置にセットされた光ディスク媒体から読み出し
た一次欠陥リストおよび二次欠陥リストを格納する。

２４は作業用メモリであり、ＭＰＵ２１の作業用領域と
して使用される。

２５は上位インタフェース回路であり、上位装置である
ホスト計算機との間のインタフェース処理を行う。

２６は下位インタフェース回路であり、下位装置である
光ディスク装置とのインタフェース処理を行う。

２７はディスク転送バッファであり、上位装置から下位
装置へ、および下位装置から上位装置への転送データを
一次保持する。

２８は上位インタフェース制御回路であり、上位インタ
フェース回路２５を制御する。

２９は下位インタフェース制御回路であり、下位インタ
フェース回路２６を制御する。

２１０はエラー訂正処理回路であり、ＥＣＣによってデ
ータ中のエラーを検出し訂正可能なエラーを訂正する。

第４図は、本発明の一実施例における媒体試験器３の構
成を示す図である。

媒体試験器３は、光ディスク媒体の出荷前に、媒体に対
して全面書込み／読出しを行い、不良ブロックは交代処
理を行って一次欠陥リストを作成する。

媒体試験器３の内部構成は、上位インタフェース回路２
５、上位インタフェース制御回路２８、作業用メモリ２
４が無いほかは光ディスク制御ｎ装置２と同様である。

Ｍ　Ｐ　Ｕ３１、制御記憶３２、欠陥リスト格納メモリ
３３、下位インタフェース回路３６、データ転送バンフ
ァ３７、下位インタフェース制御回路３９およびエラー
訂正処理回路３１０は、それぞれ光ディスク制御装置２
の２１．２２．２３．２Ｇ、２７．２９および２１０に
対応するが、制御記憶３２内に格納のプログラムは制御
記憶２２のものとは異なる。

本実施例では、１ブロツクが１，０２４バイト・フォー
マットと呼ばれる形式で記録・再生される。

第５図は、１，０２４バイト・フォーマントのデータ構
成を示す図である。１　、０２４バイト・フォーマット
では、　１　、０２４バイトのデータｌ、２．３．　−
・・１　、０２４が横に１０段に並べられ、これに１２
バイトの制御データＰ１，１〜Ｐ３，４、および４バイ
トのＣＲＣ（巡回冗長検査コード）　ＣＲＣ−１−ＣＲ
Ｃ−４を付加して１０段・　１０４列とし、この各段ご
とに１６バイトのＥＣＣＲコード（第１段に対してはＥ
ｌ。

ｌ〜ε１，１６の１６バイト、第１０段に対してはＥｌ
ｏ、　Ｉ〜ＥＩ０．１６の１６バイト）が作成され（こ
れを１０段インタリーブのＥＣＣという）、このＥＣＣ
１６列を付加して記録される。

再生時には、直列書込みデータについてはＣＲＣにより
検査し、１０段に並べられたデータについては各段ごと
にＥＣＣによるエラー検査が行われ、訂正可能なエラー
は訂正される。

媒体試験器３は、媒体に対して全面書込み／読出しを行
った結果、■ブロック内で、次の条件のうち一つ以上が
存在するとき、これを不良ブロックであると認識する。

これらの条件は、ＥＣＣにより訂正可能な範囲にマージ
ンを加え、厳しくしたものである。

（＋）　　読出し不可のＩＤが３個中２個以上ある。こ
れは、各セクタごとにプリグループで３個書き込まれて
いるＩＤの読出しが正常に出来ないものが２個以上ある
ときである。

（２）　　セクタマークが読出し不可である。これは、
前記のセクタごとのプリグループの先頭に記録されてい
るパターン（セクタマーク）の読出しが正常に出来ない
ことである。

（３）直列書込みデータ（媒体から読み出したままのデ
ータ）で、エラーバイトが連続３０バイトを超える。

（４）　　ブロック当たりの合計のエラーバイトが４０
バイトを超える。

（５）前記の１０段の各段当たり（ＩＥＣＣＥＣＣイン
タリープ）でエラーバイトが５バイトを超える。

媒体試験器３は、以上の基準で不良ブロックを認識し、
交代処理を行う。同一のトランク内に１０個以上不良ブ
ロックが含まれる場合は、不良トラックと認識する。

媒体全面の試験の結果、例えば不良ブロックがｄ　＋、
　ｄ　ｚ、−、ｄ　＋ｆｆと１３個あったとする。その
うちのｄ、ｌ”””ｄｌＺの１０個のブロックが同一ト
ラック内であった場合、媒体試験器２が作成した一次欠
陥リストを第６図（ａ）に示す。

第６図（ａ）において、Ｄｌはブロックｄ、のアドレス
であり、Ｄ２はブロックｄ２のアドレスであり、Ｄ４は
ブロックｄ４のアドレスである。ＤＴ。

はフ゛ロンクｄ、〜ｄ１２の含まれるトランクのアドレ
スである。このとき、ＤＴ、は不良トラックのアドレス
であるから、それを示すフラグを°゛１”とする。他の
ブロックアドレスのフラグはパ０”としておく。

媒体試験器３は、以上の一次欠陥リストを欠陥リスト格
納メモリ３３上で作成した後、媒体１の所定トランクに
書き込む。

光ディスク制御装置２は、光ディスク媒体が読出しでき
る状態になると（光ディスク装置がレディ信号を上げて
いる状Ｂ）、まず最初に一次欠陥リストおよび二次欠陥
リストを読み込み、欠陥リスト格納メモリ２３に格納す
る。

その後上位装置の命令に従い、続出しおよび書込み処理
を実行する。

書込み処理の際には、書込み動作時および確認読出し動
作時に、前述の媒体試験器３の場合と同一の条件が、一
つ以上当てはまる場合不良ブロックと認識して交代処理
を行う。同時に、欠陥リスト格納メモリ２３に格納され
ている二次欠陥リストを更新する。

そのとき、１命令当たりで発生した不良ブロックが、ｄ
ｚ＋、　　ｄｚ□、・−’、ｄ３３であったとし、その
うちのｄ２．〜ｄｆｆ３の１０ブロツクが同一トラック
で発生したとする。そのとき光ディスク制御装置２が作
成した二次欠陥リストを、第６図（ｂ）に示す。

第６図（ｂ）において、Ｄ、がａＺ＋のブロックアドレ
スであり、Ｄ１□がｄ。のブロックアドレスであり、Ｄ
Ｉ４が（１２４のブロックアドレスである。ＤＴ３はｄ
　ｚｉ〜ｄ３Ｚの含まれるトラックアドレスである。Ａ
１１はｄｚｌの交代ブロックアドレス、Ａ１□がｄ２□
の交代ブロックアドレス、Ａｌ１がｄｚａの交代ブロッ
クアドレスである。ＡＴ、３はｄＺ３〜ｄ３Ｌの含まれ
るトラックの交代トランクアドレスである。

このとき、Ｄ　Ｔ　＋　３は不良トラックアドレスであ
るから、フラグを１”とする。他のブロックアドレスの
フラグは°“０”としておく。

欠陥リスト格納メモリ２３上で更新された二次欠陥リス
トは、速やかに媒体の所定の位置へ書き戻す。

〔発明の効果］ 以上の説明から明らかなように本発明によれば、欠陥リ
ストに不良トラックアドレスであることを示すフラグを
設は不良トラックアドレスを書き込むことにより、読出
し処理時に毎回必要な目的ブロックが不良ブロックでは
ないかのチエツク処理時間を短縮し、データ処理効率の
向上に寄与するという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の構成と原理を示す図、第２図はフラグ
とブロックアドレスの構成例を示す図、 第３図は本発明の一実施例における光ディスク制御装置
の構成を示す図、 第４図は本発明の一実施例における媒体試験器の構成を
示す図、 第５図は１　、０２４バイト・フォーマットのデータ構
成を示す図、 第６図は本発明の一実施例による欠陥リストの状態を示
す図、 第７図は光ディスク媒体内の記録領域構成を示す図、 第８図は一次／二次欠陥リストの記載例を示す図、 第９図は一次欠陥リストの構成を示す図、第１Ｏ図は二
次欠陥リストの構成を示す図である。 図において、 ｌは光ディスク媒体、　　２は光ディスク制御装置、３
は媒体試験器、　　　１１は一次欠陥リスト、１２は二
次欠陥リスト、　２１．３１はＭＰＵ、２２、３２は制
御記憶、 ２３、３３は欠陥リスト格納メモリ、 ２４は作業用メモリ、 ２５は上位インタフェース回路、 ２６、３６は下位インタフェース回路、２７、３７はデ
ータ転送バッファ、 ２８は上位インタフェース制御回路、 ２９、３９は下位インタフェース制御回路、２１０、３
１０はエラー訂正処理回路、を示す。 第 図 第 図 トラック番号　　トラック番号　　トラック番号ＭＳＢ
　　　　　　　　　　　　　　　ＬＳ［セクタ番号 ブロックアドレス フラグとブロックアドレスの構成例を示す図第 図 １．０２４バイト・）ｔ−マットのデータ構成を示す図
第 図 第 図 一次欠陥リスト （ａ） フラグ （ｂ） 本発明の一実施例による欠陥リストの状態を示す図第 図 一次／二次欠陥リストの記載例を示す図第 図 光ディスク媒体内のＦ！ＪｒＩＩ域構成を示す図第 図 一次欠陥リスト（ＰｒｉＩＩｌａｒｙ　［）ｅｆｅｃｔ
　Ｌｉ５ｔ）の構成を示す図第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ユーザに出荷前に検出した不良ブロックのアドレスを記
   載した一次欠陥リスト（１１）と、ユーザに出荷後発生
   した不良ブロックのアドレスと該不良ブロックに代えて
   書き込んだ交代ブロックのアドレスを対として記載した
   二次欠陥リスト（１２）とを光ディスク媒体（１）上に
   備えて管理する光ディスクの交代処理において、 前記一次欠陥リスト（１１）および二次欠陥リスト（１
   ２）に、不良部のアドレスが不良セクタを示すものか不
   良トラックを示すものかを識別するフラグ（Ｆ）を備え
   、 前記光ディスク媒体（１）上の一つのトラック内に予め
   定めた数以上の不良ブロックを認識したとき、該トラッ
   クの全てのブロックを不良ブロックとして扱い、前記一
   次欠陥リスト（１１）および二次欠陥リスト（１２）に
   は、実際の不良ブロックの数だけ記載することなく、該
   トラックのアドレスを一つだけ記載すると共に、前記不
   良トラックを示すフラグ（Ｆ）を立てるよう構成したこ
   とを特徴とする交代ブロック処理方式。