JPH02281739A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02281739A JPH02281739A JP1103941A JP10394189A JPH02281739A JP H02281739 A JPH02281739 A JP H02281739A JP 1103941 A JP1103941 A JP 1103941A JP 10394189 A JP10394189 A JP 10394189A JP H02281739 A JPH02281739 A JP H02281739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- bonding pad
- die
- bonding
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 31
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
絶縁基板上に形成するダイボンディングパッドに関し、
信頼度の高いボンディングを低価格に実現することを目
的とし、 ＩＣチップを樹脂ボンディングする絶縁基板上のダイボ
ンディングパッドであって、絶縁基板上のＩＣチップ搭
載領域内に形成する導体薄膜からなる上記ダイボンディ
ングパッドが、厚さ１０μｍ以上で且つ少なくとも一直
線上にない三点を含む線状パターンで構成する。
的とし、 ＩＣチップを樹脂ボンディングする絶縁基板上のダイボ
ンディングパッドであって、絶縁基板上のＩＣチップ搭
載領域内に形成する導体薄膜からなる上記ダイボンディ
ングパッドが、厚さ１０μｍ以上で且つ少なくとも一直
線上にない三点を含む線状パターンで構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は絶縁基板上に形成する半導体装置に係り、特に
信頼度の高いボンディングを低価格に実現して生産性の
高いボンディング作業ができるグイポンディングパッド
に関する。
信頼度の高いボンディングを低価格に実現して生産性の
高いボンディング作業ができるグイポンディングパッド
に関する。
一般に、アルミナ等からなる絶縁基板上に電極としての
ダイボンディングパッドを形成し該ダイボンディングパ
ッド上にＩＣチップを導電性接着剤等で接合して形成す
るハイブリッドＩＣやチップ・オン・ボードＩＣ（ＣＯ
Ｂ・ＩＣ）の分野では、ＩＣチップの裏面に形成されて
いる電極と上記絶縁基板上のダイボンディングパッドお
よび該絶縁基板との間の電気的１機械的接続の信頼度は
これら各半導体装置としての信頼度を保証する上で必要
不可欠な条件である。
ダイボンディングパッドを形成し該ダイボンディングパ
ッド上にＩＣチップを導電性接着剤等で接合して形成す
るハイブリッドＩＣやチップ・オン・ボードＩＣ（ＣＯ
Ｂ・ＩＣ）の分野では、ＩＣチップの裏面に形成されて
いる電極と上記絶縁基板上のダイボンディングパッドお
よび該絶縁基板との間の電気的１機械的接続の信頼度は
これら各半導体装置としての信頼度を保証する上で必要
不可欠な条件である。
現在、ＩＣチップのダイボンディング方法には共晶ボン
ディングや樹脂ボンディング等種々の手段が実用化され
ており、例えば低価格で量産する場合には樹脂ボンディ
ングをまた特に信頼性の高いボンディングが要求される
場合には価格的に高い共晶ボンディングを行う等目的や
用途によって使い分けている現状にあるが、低価格で特
に信頼性の高いボンディングが実現できるボンディング
方法が強く望まれている。
ディングや樹脂ボンディング等種々の手段が実用化され
ており、例えば低価格で量産する場合には樹脂ボンディ
ングをまた特に信頼性の高いボンディングが要求される
場合には価格的に高い共晶ボンディングを行う等目的や
用途によって使い分けている現状にあるが、低価格で特
に信頼性の高いボンディングが実現できるボンディング
方法が強く望まれている。
第３図は従来のダイボンディングパッドの例を示す図で
あり、（ａ）はボンディング前の状態をまた（ｂ）はボ
ンディング後の状態を断面で示したものである。
あり、（ａ）はボンディング前の状態をまた（ｂ）はボ
ンディング後の状態を断面で示したものである。
図（ａ）で、１はアルミナ（八ρ２０３）等からなる絶
縁基板であり、２は該絶８Ｍ基板１上の所定位置の少な
（とも被搭載ＩＣチップをカバーするに足る領域Ａ、と
該領域Ａ、に繋がる信号線路Ａ２とで形成されている厚
さ１０μｍの金（Ａｕ）Ｆ４膜からなるダイボンディン
グパッドを、また３は該ダイボンディングパッド２上の
上記領域Ａ１部分に塗布した例えば恨（Ａｇ）ペースト
の如きエポキシ系導電樹脂からなる厚さ３０μｍ程度の
接着剤、４は該接着剤３を介して上記のダイボンディン
グパッド２にボンディング接続するＩＣチップをそれぞ
れ示しており、該ＩＣチップ４の上記ダイボンディング
パッド２との接合面すなわち接着剤３で接着される面全
面には厚さ３μｍ程度の金蒸着膜４ａが被膜形成されて
いる。
縁基板であり、２は該絶８Ｍ基板１上の所定位置の少な
（とも被搭載ＩＣチップをカバーするに足る領域Ａ、と
該領域Ａ、に繋がる信号線路Ａ２とで形成されている厚
さ１０μｍの金（Ａｕ）Ｆ４膜からなるダイボンディン
グパッドを、また３は該ダイボンディングパッド２上の
上記領域Ａ１部分に塗布した例えば恨（Ａｇ）ペースト
の如きエポキシ系導電樹脂からなる厚さ３０μｍ程度の
接着剤、４は該接着剤３を介して上記のダイボンディン
グパッド２にボンディング接続するＩＣチップをそれぞ
れ示しており、該ＩＣチップ４の上記ダイボンディング
パッド２との接合面すなわち接着剤３で接着される面全
面には厚さ３μｍ程度の金蒸着膜４ａが被膜形成されて
いる。
そこで上記ＩＣチップ４を図示矢印Ｆのように接着剤３
上に載置し該ＩＣチ・ンプ４をその上部から押圧した状
態で該接着剤３を硬化させると図（ｂ）に示す状態にす
ることができる。
上に載置し該ＩＣチ・ンプ４をその上部から押圧した状
態で該接着剤３を硬化させると図（ｂ）に示す状態にす
ることができる。
この場合には、該接着剤３が低温硬化する材料であると
共に低価格であることから特別な装置を使用することな
（効率的なボンディング作業を実施することができる。
共に低価格であることから特別な装置を使用することな
（効率的なボンディング作業を実施することができる。
しかしかかる場合には、ＩＣチップ４の破壊等の面から
該ＩＣチップ４の押圧力には制約があり、結果的にダイ
ボンディングパッド２と上記ＩＣチップ４との間に介在
する接着剤３の厚さｔに５〜１５μｍ程度のバラツキが
生じたり、該ＩＣチップ４がグイポンディングパッド２
ひいては絶縁基板１に対して傾いたまま硬化する等のこ
とがあり、長期にわたってＩＣとしての特性を確保する
ことに難点がある。
該ＩＣチップ４の押圧力には制約があり、結果的にダイ
ボンディングパッド２と上記ＩＣチップ４との間に介在
する接着剤３の厚さｔに５〜１５μｍ程度のバラツキが
生じたり、該ＩＣチップ４がグイポンディングパッド２
ひいては絶縁基板１に対して傾いたまま硬化する等のこ
とがあり、長期にわたってＩＣとしての特性を確保する
ことに難点がある。
更に上記の如き接着剤の場合には、本質的に金属特に金
（Ａｕ）に対する密着性が悪いためにボンディング後の
上記ＩＣチップ４のダイボンディングパッド２すなわち
絶縁基板ｌに対する密着度が不安定になって剥離し易（
なり、絶縁基板上のＩＣチップに該絶縁基板に平行に力
を加えて該ＩＣチップを剥離させるときの力（以下ダイ
シェア強度とする）が低下する。
（Ａｕ）に対する密着性が悪いためにボンディング後の
上記ＩＣチップ４のダイボンディングパッド２すなわち
絶縁基板ｌに対する密着度が不安定になって剥離し易（
なり、絶縁基板上のＩＣチップに該絶縁基板に平行に力
を加えて該ＩＣチップを剥離させるときの力（以下ダイ
シェア強度とする）が低下する。
従って、ＩＣチップ４のボンディングの特に高い信頼度
とボンディング後の上記ダイシェア強度の安定化が強く
要求される場合には、図（ａ）における接着剤３を使用
せず例えば４００°Ｃ以上に加熱した図（ａ）のダイボ
ンディングパッド２の所定領域Ａ１部分にＩＣチップ４
の金蒸着膜４８面をこすりつけて行う共晶ボンディング
法を実施するようにしている。
とボンディング後の上記ダイシェア強度の安定化が強く
要求される場合には、図（ａ）における接着剤３を使用
せず例えば４００°Ｃ以上に加熱した図（ａ）のダイボ
ンディングパッド２の所定領域Ａ１部分にＩＣチップ４
の金蒸着膜４８面をこすりつけて行う共晶ボンディング
法を実施するようにしている。
しかし、この場合には絶縁基板１を加熱する作業に加え
てＩＣチップ４のボンディング作業が一個ずつ行われる
ことから、特別な装置を必要とすると共に多くの工数が
かかる等高価な工程になる難点がある。
てＩＣチップ４のボンディング作業が一個ずつ行われる
ことから、特別な装置を必要とすると共に多くの工数が
かかる等高価な工程になる難点がある。
従来の如き形状のダイボンディングパッドでは、樹脂ボ
ンディングの場合には長期にわたってＩＣとしての特性
を確保することができずまたＩＣチップの絶縁基板に対
するダイシェア強度が不安定になると言う問題があり、
また共晶ボンディングの場合には高価な工程になると言
う問題があった。
ンディングの場合には長期にわたってＩＣとしての特性
を確保することができずまたＩＣチップの絶縁基板に対
するダイシェア強度が不安定になると言う問題があり、
また共晶ボンディングの場合には高価な工程になると言
う問題があった。
〔課題を解決するための手段］
上記問題点は、ＩＣチップを樹脂ボンディングする絶縁
基板上のグイポンディングパッドであって、 絶縁基板上のＩＣチップ搭載領域内に形成する導体薄膜
からなる上記ダイボンディングパッドが、厚さ１０μｍ
以上で且つ少なくとも一直線上にない三点を含む線状パ
ターンで構成されてなるダイボンディングパッドによっ
て解決される。
基板上のグイポンディングパッドであって、 絶縁基板上のＩＣチップ搭載領域内に形成する導体薄膜
からなる上記ダイボンディングパッドが、厚さ１０μｍ
以上で且つ少なくとも一直線上にない三点を含む線状パ
ターンで構成されてなるダイボンディングパッドによっ
て解決される。
エポキシ系導電樹脂からなる接着剤を使用してＩＣチッ
プを絶縁基板上の電極に接合する場合、該ＩＣチップと
絶縁基板の間に介在する接着剤の厚さによって該ＩＣチ
ップの絶縁基板に対するダイシェア強度が変わり、特に
該接着剤の厚さが１０μｍ以下の場合にはグイシェア強
度が急激に低下することが実験的に確認できた。
プを絶縁基板上の電極に接合する場合、該ＩＣチップと
絶縁基板の間に介在する接着剤の厚さによって該ＩＣチ
ップの絶縁基板に対するダイシェア強度が変わり、特に
該接着剤の厚さが１０μｍ以下の場合にはグイシェア強
度が急激に低下することが実験的に確認できた。
一方、該ＩＣチップの接合面すなわち金蒸着膜面ばその
一部でもダイボンディングパッドと導通させるとＩＣチ
ップとしての電気的特性を損なうことがない。
一部でもダイボンディングパッドと導通させるとＩＣチ
ップとしての電気的特性を損なうことがない。
本発明では、絶縁基板上のＩＣチップを搭載する所定領
域内に厚さ１０μｍのダイボンディングパッドを少なく
とも直線上にない三点を含む線状もしくは網目状に形成
するようにしている。
域内に厚さ１０μｍのダイボンディングパッドを少なく
とも直線上にない三点を含む線状もしくは網目状に形成
するようにしている。
この場合、該絶縁基板上の上記所定領域全面に接着剤を
塗布した後にＩＣチップを押圧すると、ダイボンディン
グパッド形成部分でＩＣチップとの導通をとることがで
きると共にダイボンディングパッド非形成部分では上記
絶縁基板とＩＣチップ接合面との間に最低でも１０μｍ
の厚さの接着剤が介在することになる。
塗布した後にＩＣチップを押圧すると、ダイボンディン
グパッド形成部分でＩＣチップとの導通をとることがで
きると共にダイボンディングパッド非形成部分では上記
絶縁基板とＩＣチップ接合面との間に最低でも１０μｍ
の厚さの接着剤が介在することになる。
従って、ＩＣチップとしての電気的特性を損なわず且つ
グイシェア強度も低下させることのないＩＣチップの接
合が実現できるダイボンディングパッドを得ることがで
きる。
グイシェア強度も低下させることのないＩＣチップの接
合が実現できるダイボンディングパッドを得ることがで
きる。
１実施例１
第１図は本発明になるダイボンディングパッドを説明す
る図であり、（八）は−例を示す斜視図。
る図であり、（八）は−例を示す斜視図。
（Ｂ）はこの場合の断面図、（Ｃ）は他の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
また第２図は導電性樹脂接着剤の厚さとグイシェア強度
との関係を説明する図である。
との関係を説明する図である。
第１図（Ａ） 、 （Ｂ）で、１の絶縁基板、４のＩＣ
チップはいずれも第３図同様のものである。
チップはいずれも第３図同様のものである。
また１１は該絶縁基板１上のＩＣチップの搭載領域中に
少なくとも一直線上にない三点ρ＋、ｐｚ＋ ｐｘを含
むように該絶縁基板１上に形成した渦巻状の厚さ１０μ
ｍの金（Ａｕ）Ｆｌｌ膜からなるダイボンディングパッ
ドを示している。
少なくとも一直線上にない三点ρ＋、ｐｚ＋ ｐｘを含
むように該絶縁基板１上に形成した渦巻状の厚さ１０μ
ｍの金（Ａｕ）Ｆｌｌ膜からなるダイボンディングパッ
ドを示している。
なお３は該ダイボンディングパッド１１上の所定領域全
面に塗布した第３図同様のエポキシ系導電樹脂からなる
厚さ３０μｍの接着剤である。
面に塗布した第３図同様のエポキシ系導電樹脂からなる
厚さ３０μｍの接着剤である。
そこで上記ＩＣチップ４を図示矢印Ｆのように接着剤３
上に載置し該ＩＣチップ４をその上部から第３図同様の
押圧力で押圧すると、該ＩＣチップ４の領域内にあるグ
イポンディングパッド１１の面積が第３図の場合に比し
て小さいため該ダイボンディングパッド１１に対する単
位面積当たりの押圧力が増大して結果的に上記ダイボン
ディングパッド上にある接着剤３の一部がはみ出してダ
イボンディングパッド非形成部分に押し出されることか
ら、該ダイボンディングパッドｌｌ上の接着剤３の厚さ
が第３図の場合よりも薄くなると共に、該ＩＣチップ４
は少なくとも一直線上にない三点例えばｐｌ、 ｐｌ、
Ｉ）ｌを含む該ダイボンディングパッド１１によって
絶縁基板ｌに平行に且つ安定した状態で保持される。
上に載置し該ＩＣチップ４をその上部から第３図同様の
押圧力で押圧すると、該ＩＣチップ４の領域内にあるグ
イポンディングパッド１１の面積が第３図の場合に比し
て小さいため該ダイボンディングパッド１１に対する単
位面積当たりの押圧力が増大して結果的に上記ダイボン
ディングパッド上にある接着剤３の一部がはみ出してダ
イボンディングパッド非形成部分に押し出されることか
ら、該ダイボンディングパッドｌｌ上の接着剤３の厚さ
が第３図の場合よりも薄くなると共に、該ＩＣチップ４
は少なくとも一直線上にない三点例えばｐｌ、 ｐｌ、
Ｉ）ｌを含む該ダイボンディングパッド１１によって
絶縁基板ｌに平行に且つ安定した状態で保持される。
ここで接着剤３を硬化させると、例えばダイボンディン
グパッド１１の点ｐ＋、 ｐ３を結ぶ線ｃ−ｃ’の断面
で示す図（Ｂ）の如く、ｐｌ、 Ｉ）３の近傍領域では
３亥ダイポンデイングパツド１１とＩＣチップ４が第３
図の場合よりも良好な導通が得られると共に、該ダイボ
ンディングパッド１１の非形成領域では上記接着剤３が
最低でも該ダイボンディングパッド１１の厚さすなわち
１０ｕｍを確保して絶縁基板ｌと接合されることになっ
て該絶縁基板ｌに対するＩＣチップ４のグイシェア強度
を低下させることがない。
グパッド１１の点ｐ＋、 ｐ３を結ぶ線ｃ−ｃ’の断面
で示す図（Ｂ）の如く、ｐｌ、 Ｉ）３の近傍領域では
３亥ダイポンデイングパツド１１とＩＣチップ４が第３
図の場合よりも良好な導通が得られると共に、該ダイボ
ンディングパッド１１の非形成領域では上記接着剤３が
最低でも該ダイボンディングパッド１１の厚さすなわち
１０ｕｍを確保して絶縁基板ｌと接合されることになっ
て該絶縁基板ｌに対するＩＣチップ４のグイシェア強度
を低下させることがない。
他の実施例を示す図（Ｃ）は図（＾）における渦巻状パ
ターンを持つダイボンディングパッド１１のみを網目状
パターンを持つグイポンディングパッド１２に置き換え
たものである。
ターンを持つダイボンディングパッド１１のみを網目状
パターンを持つグイポンディングパッド１２に置き換え
たものである。
この場合には、該グイポンディングパッド１２の孔１２
ａの部分で接着剤３が最低でも１Ｏｕ１１１を確保して
絶縁基板ｌと接合されることから図（Ａ）の場合と同様
の効果を得ることができる。
ａの部分で接着剤３が最低でも１Ｏｕ１１１を確保して
絶縁基板ｌと接合されることから図（Ａ）の場合と同様
の効果を得ることができる。
アルミナ（Ａ ｌ ｚｏ３）等からなる第３図同様の絶
縁基板上にエポキシ系導電樹脂からなる接着剤を介して
１ｍｍ角のＩＣチップを接合した場合の該接着剤の厚さ
とグイシェア強度との関係を説明する第２図は、横軸Ｘ
に接着剤の厚さをμｍ単位で、また縦軸Ｙにダイシェア
強度をＫｇ小単位とったものである。
縁基板上にエポキシ系導電樹脂からなる接着剤を介して
１ｍｍ角のＩＣチップを接合した場合の該接着剤の厚さ
とグイシェア強度との関係を説明する第２図は、横軸Ｘ
に接着剤の厚さをμｍ単位で、また縦軸Ｙにダイシェア
強度をＫｇ小単位とったものである。
図のカーブＣおよび・で示す各点は実験結果の例を示し
たもので、例えば点Ｆ＋ は接着剤の厚さを６μｍとし
たときのダイシェア強度が約２．４ Ｋｇなることを示
し、また点Ｆ２は接着剤の厚さが１０μｍのときのダイ
シェア強度が約４．８ Ｋｇ、 Ｆｓ点は接着剤を２
０μ冑としたときにダイシェア強度が約４．６ Ｋｇな
ることをそれぞれ表わしている。
たもので、例えば点Ｆ＋ は接着剤の厚さを６μｍとし
たときのダイシェア強度が約２．４ Ｋｇなることを示
し、また点Ｆ２は接着剤の厚さが１０μｍのときのダイ
シェア強度が約４．８ Ｋｇ、 Ｆｓ点は接着剤を２
０μ冑としたときにダイシェア強度が約４．６ Ｋｇな
ることをそれぞれ表わしている。
従って図から明らかな如く接着剤の厚さを１０μｍ以上
とすることによって、絶縁基板に対するＩＣチップの安
定した接合を実現させることができる。
とすることによって、絶縁基板に対するＩＣチップの安
定した接合を実現させることができる。
上述の如く本発明により、信頼度の高いボンディングを
効率よくしかも低価格に実現することができるダイボン
ディングパッドを容易に提供することができる。
効率よくしかも低価格に実現することができるダイボン
ディングパッドを容易に提供することができる。
第１図は本発明になるダイボンディングパッドを説明す
る図、 第２図は導電性樹脂接着剤の厚さとダイシェア強度との
関係を説明する図、 第３図は従来のダイボンディングパッドの例ヲ示す図、 である。図において、 ｌは絶縁基板、 ３は接着剤、 ４はＩＣチップ、 １１．１２はダイボンディングパッド、１２ａは孔、 をそれぞれ表わす。 （Ａン ρ） Ｊ ＣＣ） （ｂ）
る図、 第２図は導電性樹脂接着剤の厚さとダイシェア強度との
関係を説明する図、 第３図は従来のダイボンディングパッドの例ヲ示す図、 である。図において、 ｌは絶縁基板、 ３は接着剤、 ４はＩＣチップ、 １１．１２はダイボンディングパッド、１２ａは孔、 をそれぞれ表わす。 （Ａン ρ） Ｊ ＣＣ） （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩＣチップを樹脂ボンディングする絶縁基板上のダイボ
ンディングパッドであって、 絶縁基板上のＩＣチップ搭載領域内に形成する導体薄膜
からなる上記ダイボンディングパッドが、厚さ１０μｍ
以上で且つ少なくとも一直線上にない三点を含む線状パ
ターンで構成されてなることを特徴としたダイボンディ
ングパッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1103941A JP2754712B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1103941A JP2754712B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281739A true JPH02281739A (ja) | 1990-11-19 |
| JPH06166394A JPH06166394A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2754712B2 JP2754712B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=14367472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1103941A Expired - Fee Related JP2754712B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2754712B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61142446U (ja) * | 1985-02-23 | 1986-09-03 |
-
1989
- 1989-04-24 JP JP1103941A patent/JP2754712B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61142446U (ja) * | 1985-02-23 | 1986-09-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2754712B2 (ja) | 1998-05-20 |
| JPH06166394A (ja) | 1994-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4450471A (en) | Semi-conductor power device assembly and method of manufacture thereof | |
| US6823915B2 (en) | Heat-conducting adhesive joint with an adhesive-filled, porous heat conductor | |
| JPH10199932A (ja) | 半導体チップ部品の実装方法 | |
| JPH02281739A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62172676A (ja) | 難ハンダ付性材料への端子の取付方法 | |
| JPS63284831A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JP3702929B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH03155144A (ja) | ベアー半導体ｉｃチップ実装方法 | |
| JP2785441B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH09223767A (ja) | リードフレーム | |
| JPS6269524A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61111553A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0766248A (ja) | 電子部品の熱圧着装置 | |
| JPH0936526A (ja) | 面付け電子部品のプリント基板への実装方法 | |
| JPH0845995A (ja) | 半導体実装基板 | |
| JPH03192744A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPS63160350A (ja) | Ｉｃチップのボンディング構造 | |
| JP2001024107A (ja) | 半導体装置実装構造 | |
| JPS60169146A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62115730A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPH1168010A (ja) | 絶縁物封止型電子装置及びその製造方法 | |
| JPH11345825A (ja) | 半導体チップの実装装置 | |
| JPS5896742A (ja) | 半導体素子の接続方法 | |
| JPH09246308A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS62285446A (ja) | 電気的接続接点の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |