JPH02280326A - 平坦化方法 - Google Patents
平坦化方法Info
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- JPH02280326A JPH02280326A JP10195189A JP10195189A JPH02280326A JP H02280326 A JPH02280326 A JP H02280326A JP 10195189 A JP10195189 A JP 10195189A JP 10195189 A JP10195189 A JP 10195189A JP H02280326 A JPH02280326 A JP H02280326A
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置製造における平坦化技術に関し、
更に詳しくはコンタクトホール等の配線用開口部へ金属
材料を平坦に埋め込んで良好な配線を形成するエツチン
グ方法に係るものがある。
更に詳しくはコンタクトホール等の配線用開口部へ金属
材料を平坦に埋め込んで良好な配線を形成するエツチン
グ方法に係るものがある。
［発明の概要］
本発明は、基体上に金属材料を被着する工程と、該被着
した金属材料上に有機塗布膜又は無機塗布膜を形成する
工程と、ドライエツチングにより前記塗布膜及び少なく
とも金属材料の一部を除去する工程を備えた平坦化方法
において、 エツチングガスにフッ素系ガスのみを用いることにより
、 金属材料と、有機塗布膜又は無機塗布膜のエッチレート
に差を生じさせることなく平坦化が可能となり、また、
低パワー密度のドライエツチングでよいため、該塗布膜
下の下地膜をエツチングする不都合を防止するようにし
たものである。
した金属材料上に有機塗布膜又は無機塗布膜を形成する
工程と、ドライエツチングにより前記塗布膜及び少なく
とも金属材料の一部を除去する工程を備えた平坦化方法
において、 エツチングガスにフッ素系ガスのみを用いることにより
、 金属材料と、有機塗布膜又は無機塗布膜のエッチレート
に差を生じさせることなく平坦化が可能となり、また、
低パワー密度のドライエツチングでよいため、該塗布膜
下の下地膜をエツチングする不都合を防止するようにし
たものである。
上記エツチングガスとしては、この他、フッ素系ガスと
塩素系ガスの混合ガス、フッ素系ガスと窒素ガスの混合
ガス、フッ素系ガスと希ガスの混合ガスを用いてもよい
。
塩素系ガスの混合ガス、フッ素系ガスと窒素ガスの混合
ガス、フッ素系ガスと希ガスの混合ガスを用いてもよい
。
［従来の技術］
従来、この種の平坦化方法としては、第６図Ａ〜第６図
Ｃに示すようなものが知られている。
Ｃに示すようなものが知られている。
この方法の手順としては、先ず、不純物拡散領域１ａが
所定位置に形成され、且つ該拡散領域１ａと離れた表面
位置に多結晶シリコンで成る配線層２が形成されたシリ
コン基板Ｉの上にＳｉｎ。
所定位置に形成され、且つ該拡散領域１ａと離れた表面
位置に多結晶シリコンで成る配線層２が形成されたシリ
コン基板Ｉの上にＳｉｎ。
膜３を形成し、次に、コンタクトホール３ａ、３ｂを、
夫々不純物拡散領域１ａ、配線層２の上に開口させる。
夫々不純物拡散領域１ａ、配線層２の上に開口させる。
次に、第６図Ａに示すように、これらコンタクトホール
３ａ、３ｂ内に高融点金属であるタングステン（Ｗ）を
選択成長させて、タングステン配線４，５を形成する。
３ａ、３ｂ内に高融点金属であるタングステン（Ｗ）を
選択成長させて、タングステン配線４，５を形成する。
この場合、コンタクトホール３ａ、３ｂは、深さが異な
るため、浅いコンタクトホール３ｂ内のタングステン配
線４ｂの上部５ａは、５ｉＯｚ膜３の表面より突出し、
この突出部はネイルヘッド（ｎａｉ ｌ ｈｅａｄ）と
称されている。
るため、浅いコンタクトホール３ｂ内のタングステン配
線４ｂの上部５ａは、５ｉＯｚ膜３の表面より突出し、
この突出部はネイルヘッド（ｎａｉ ｌ ｈｅａｄ）と
称されている。
次に、この上部を除去するために、第６図Ｂに示すよう
に、レジスト５をもって平坦化し、そして、レジスト５
とタングステンの上部５λを、同じエッチレートで全面
的にエッチバックを行なって、タングステン配線４．５
をコンタクトホール３ａ、３ｂ内に残し、基板表面を平
坦に保ちながらレジスト５を除去しようとするものであ
る。斯るエツチングとしては、反応性イオンエツチング
等のドライエツチングが行なわれるものであって、その
エツチングガスとしては、四フッ化炭素（ＣＦ４）等の
フッ素系ガスと酸素ガス（０，）との混合ガスが用いら
れている。
に、レジスト５をもって平坦化し、そして、レジスト５
とタングステンの上部５λを、同じエッチレートで全面
的にエッチバックを行なって、タングステン配線４．５
をコンタクトホール３ａ、３ｂ内に残し、基板表面を平
坦に保ちながらレジスト５を除去しようとするものであ
る。斯るエツチングとしては、反応性イオンエツチング
等のドライエツチングが行なわれるものであって、その
エツチングガスとしては、四フッ化炭素（ＣＦ４）等の
フッ素系ガスと酸素ガス（０，）との混合ガスが用いら
れている。
のように酸素ガスによりフッ素ラジカル（Ｆ＊）が増加
し、タングステン配線５の上部５ａ（ネイルヘッド）が
露呈した時点でタングステンのエッチレートが大きくな
る問題点があった。
し、タングステン配線５の上部５ａ（ネイルヘッド）が
露呈した時点でタングステンのエッチレートが大きくな
る問題点があった。
また、このような問題を回避すべく高パワー密度のエツ
チングを行なうと、オーバーエッヂ時に、層間膜である
Ｓｔ、、膜３が第６図Ｃに破線で示すようにエツチング
されるという問題点があった。
チングを行なうと、オーバーエッヂ時に、層間膜である
Ｓｔ、、膜３が第６図Ｃに破線で示すようにエツチング
されるという問題点があった。
本発明は、このような従来の問題点に着目して創案され
たものであって、確実な平坦化を１成し、しかも下地絶
縁膜等の膜減りの無い平坦化方法を得んとするものであ
る。
たものであって、確実な平坦化を１成し、しかも下地絶
縁膜等の膜減りの無い平坦化方法を得んとするものであ
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来の方法にあっては、ドラ
イエツチング（エッチバック）を行なうに際して、エツ
チングガスとしてフッ素系ガスと酸素ガスを用いるため
、低パワー密度領域では、０、→２０＊ ＣＦ４＋Ｏ→ＣＦ、＋Ｆ＊ ［課題を解決するための手段］ そこで、本発明は、基体上に金属材料を被着する工程と
、該被着した金属材料上に有機塗布膜又は無機塗布膜を
形成する工程と、ドライエツチングにより前記塗布膜及
び少なくとも金属材料の一部を除去する工程を備えた平
坦化方法において、前記ドライエツチングのエツチング
ガスにフッ素系ガスのみを用いることを、その第１の解
決手段としている。
イエツチング（エッチバック）を行なうに際して、エツ
チングガスとしてフッ素系ガスと酸素ガスを用いるため
、低パワー密度領域では、０、→２０＊ ＣＦ４＋Ｏ→ＣＦ、＋Ｆ＊ ［課題を解決するための手段］ そこで、本発明は、基体上に金属材料を被着する工程と
、該被着した金属材料上に有機塗布膜又は無機塗布膜を
形成する工程と、ドライエツチングにより前記塗布膜及
び少なくとも金属材料の一部を除去する工程を備えた平
坦化方法において、前記ドライエツチングのエツチング
ガスにフッ素系ガスのみを用いることを、その第１の解
決手段としている。
また、上記エツチングガスにフッ素系ガスと塩素系ガス
との混合ガスを用いることを、第２の解決手段としてい
る。
との混合ガスを用いることを、第２の解決手段としてい
る。
さらに、上記エツチングガスにフッ素系ガスと窒素ガス
との混合ガスを用いることを、第３の解決手段としてい
る。
との混合ガスを用いることを、第３の解決手段としてい
る。
さらにまた、上記エツチングガスにフッ素系ガスと希ガ
スとの混合ガスを用いることを第４の解決手段としてい
る。
スとの混合ガスを用いることを第４の解決手段としてい
る。
［作用］
エツチングガスに、フッ素系ガスのみ、又は、フッ素系
ガスと塩素系ガスとの混合ガス、又は、フッ素系ガスと
窒素ガスとの混合ガス、又は、フッ素系ガスと希ガスと
の混合ガスを用いるため、有機塗布膜や無機塗布膜は、
ラジカル成分でエツチングされることなく、イオン主体
のエツチング作用となる。このため、エツチングが進み
金属材料が露出したときに、上記の有機又は無機塗布膜
が等方的にエツチングされることが防止される。
ガスと塩素系ガスとの混合ガス、又は、フッ素系ガスと
窒素ガスとの混合ガス、又は、フッ素系ガスと希ガスと
の混合ガスを用いるため、有機塗布膜や無機塗布膜は、
ラジカル成分でエツチングされることなく、イオン主体
のエツチング作用となる。このため、エツチングが進み
金属材料が露出したときに、上記の有機又は無機塗布膜
が等方的にエツチングされることが防止される。
また、上記したように、エツチングガスに酸素ガスが含
まれないため、ラジカル成分が増加せず、金属材料のエ
ッチレートが大きくなることがない。
まれないため、ラジカル成分が増加せず、金属材料のエ
ッチレートが大きくなることがない。
さらに、このようにラジカル成分が増加しないため、低
パワー密度のエツチングが可能となり、下地絶縁膜の膜
減りも防止出来る。
パワー密度のエツチングが可能となり、下地絶縁膜の膜
減りも防止出来る。
［実施例］
以下、本発明に係る平坦化方法の詳細を実施例に基づい
て説明する。なお、第１実施例〜第４実施例は、第１図
Ａに示すような半導体装置の製造プロセスにおける平坦
化工程に本発明を適用したものである。
て説明する。なお、第１実施例〜第４実施例は、第１図
Ａに示すような半導体装置の製造プロセスにおける平坦
化工程に本発明を適用したものである。
（第１実施例）
図中１はシリコン基板であって、該基板１には不純物拡
散領域１ａが形成されており、また、該基板１の表面に
は多結晶シリコンでなる配線層２が形成されている。
散領域１ａが形成されており、また、該基板１の表面に
は多結晶シリコンでなる配線層２が形成されている。
次に、基板上の全面に層間膜としてＳｉｎ、膜３を形成
し、このＳｉｎ、膜３にコンタクトホール３ａ、３ｂを
開設する。
し、このＳｉｎ、膜３にコンタクトホール３ａ、３ｂを
開設する。
そして、タングステン選択ＣＶＤ法を用いてコンタクト
ホール３ａ、３ｂ内にタングステンを堆積させ、タング
ステン配線４．５を形成する。なお、タングステン選択
ＣＶＤ法においては、六フッ化タングステン（Ｗ Ｐ
ｓ ）ガスを水素ガス等で還元してコンタクトホール３
ａ、３ｂ内にタングステンを堆積させるものであって、
これは、コンタクトホール３ａ、３ｂの底部に露出する
シリコン基板１や、多結晶シリコンでなる配線層２が、
Ｓｉｎ、膜３に比べて堆積速度が著しく速いことを利用
したものである。
ホール３ａ、３ｂ内にタングステンを堆積させ、タング
ステン配線４．５を形成する。なお、タングステン選択
ＣＶＤ法においては、六フッ化タングステン（Ｗ Ｐ
ｓ ）ガスを水素ガス等で還元してコンタクトホール３
ａ、３ｂ内にタングステンを堆積させるものであって、
これは、コンタクトホール３ａ、３ｂの底部に露出する
シリコン基板１や、多結晶シリコンでなる配線層２が、
Ｓｉｎ、膜３に比べて堆積速度が著しく速いことを利用
したものである。
このようにして深い方のコンタクトホール３ａに基準を
とってタングステン選択ＣＶＤを行なうと、浅い方のコ
ンタクトホール３ｂ側に堆積したタングステン配線５の
上部５ａはＳ ｉ Ｏを膜３の表面より突出して形成さ
れる。
とってタングステン選択ＣＶＤを行なうと、浅い方のコ
ンタクトホール３ｂ側に堆積したタングステン配線５の
上部５ａはＳ ｉ Ｏを膜３の表面より突出して形成さ
れる。
次に、第１図Ａに示すように、有機塗布膜としてのレジ
スト６を塗布して平坦化を行なう。なお、レジスト６は
粘度の低いものを選定し、タングステン配線５の上部５
ａの上端からレジスト６表面までの距離（厚さ）をでき
る限り小さくするようにする。
スト６を塗布して平坦化を行なう。なお、レジスト６は
粘度の低いものを選定し、タングステン配線５の上部５
ａの上端からレジスト６表面までの距離（厚さ）をでき
る限り小さくするようにする。
次いで、平行平板型の反応性イオンエツチング装置を用
いて、反応ガスとして六フッ化イオウ（ＳＰＪを３０Ｓ
ＣＣＭの流量で供給し、また、圧力を６．７ＰａＳＦＲ
パワーを０．０８Ｗ／ｃｍに設定して、レジスト６のエ
ッチバックを行なう。本実施例においては、このエッチ
バックに際し、レジストのエッチレートが９３０人／分
でタングステンのエッチレートが８６０人／分であった
。
いて、反応ガスとして六フッ化イオウ（ＳＰＪを３０Ｓ
ＣＣＭの流量で供給し、また、圧力を６．７ＰａＳＦＲ
パワーを０．０８Ｗ／ｃｍに設定して、レジスト６のエ
ッチバックを行なう。本実施例においては、このエッチ
バックに際し、レジストのエッチレートが９３０人／分
でタングステンのエッチレートが８６０人／分であった
。
このようにしてレジスト６が除去された時点でエッチバ
ックを終了することにより、第１図Ｂに示すような平坦
化されたタングステン配線４．５を形成することが出来
た。なお、ＳｉＯ，膜３は、エツチングが低パワー密度
であるため、膜減りが生じなかった。
ックを終了することにより、第１図Ｂに示すような平坦
化されたタングステン配線４．５を形成することが出来
た。なお、ＳｉＯ，膜３は、エツチングが低パワー密度
であるため、膜減りが生じなかった。
（第２実施例）
本実施例においては、第１図Ａに示すレジスト６を第１
実施例と同じ装置を用いてエッチバックを行なった。
実施例と同じ装置を用いてエッチバックを行なった。
反応性イオンエツチングに用いた反応ガスは六フッ化イ
オウ（ＳＦｅ）と塩素（ＣＩ２ｔ）を用いた。
オウ（ＳＦｅ）と塩素（ＣＩ２ｔ）を用いた。
その流量は、六フッ化イオウを３０ＳＣＣＭ、塩素を２
８８ＣＣＭとした。また、圧力を６，７Ｐａ、ＲＦパワ
ーを０．０８Ｗ／ｃｍ’に設定した。
８８ＣＣＭとした。また、圧力を６，７Ｐａ、ＲＦパワ
ーを０．０８Ｗ／ｃｍ’に設定した。
本実施例においては、タングステンとレジストのエッチ
レートが共に７５０人／分であり、第１図Ｂに示すよう
に、確実に平坦化されたタングステン配線４．５を得る
ことが出来た。
レートが共に７５０人／分であり、第１図Ｂに示すよう
に、確実に平坦化されたタングステン配線４．５を得る
ことが出来た。
（第３実施例）
本実施例においては、エツチングガスとして、六フッ化
イオウ（Ｓ Ｆ ｅ）と窒素（Ｎ、）の混合ガスを用い
た。これらガスの流量は、５ＦＩｌを３０ＳＣＣＭＳＮ
、を２８ＳＣＣＭとした。なお、他の条件は、第１実施
例と同様である。
イオウ（Ｓ Ｆ ｅ）と窒素（Ｎ、）の混合ガスを用い
た。これらガスの流量は、５ＦＩｌを３０ＳＣＣＭＳＮ
、を２８ＳＣＣＭとした。なお、他の条件は、第１実施
例と同様である。
そして、タングステンとレジストのエッチレートは、第
２実施例と同様７５０人／分であり、確実に平坦化され
たタングステン配線４．５を得ることが出来た。
２実施例と同様７５０人／分であり、確実に平坦化され
たタングステン配線４．５を得ることが出来た。
本実施例においても、上記両実施例と同様、オーバーエ
ッチ時に５ｉｆｔ膜３の膜減りが生じず、またレジスト
６が等方的にエツチングされることもなかった。そして
、タングステンが露出しても、このタングステンのみが
速くエツチングされることもなかった。
ッチ時に５ｉｆｔ膜３の膜減りが生じず、またレジスト
６が等方的にエツチングされることもなかった。そして
、タングステンが露出しても、このタングステンのみが
速くエツチングされることもなかった。
（第４実施例）
本実施例におけるエツチングガスは、六フッ化イオウ（
ＳＦ、）と希ガスであるアルゴン（Ａｒ）の混合ガスを
用いた。なお、アルゴンガスの流量は少量に設定した。
ＳＦ、）と希ガスであるアルゴン（Ａｒ）の混合ガスを
用いた。なお、アルゴンガスの流量は少量に設定した。
また、他の条件は、第１実施例等と同様である。
本実施例においては、第２及び第３実施例と同様のエッ
チレートが得られ、また、同様の結果が得られた。
チレートが得られ、また、同様の結果が得られた。
これら実施例においてレジストのエツチング終点の検出
方法としては、例えば、以下のような方法を用いること
が出来る。以下の方法は、エツチングガスとしてＳ Ｆ
ｅとＮｔを混合して用いた例を示している。
方法としては、例えば、以下のような方法を用いること
が出来る。以下の方法は、エツチングガスとしてＳ Ｆ
ｅとＮｔを混合して用いた例を示している。
即ち、タングステンをレジストでエツチングした際のア
ンダーエッチ（レジストとタングステンがエツチングさ
れている）とオーバーエッチ（レジストと下地Ｓｉｎ、
膜がエツチングされている）時の発光スペクトルを調べ
た。第２図は、その発光スペクトルの差を示している。
ンダーエッチ（レジストとタングステンがエツチングさ
れている）とオーバーエッチ（レジストと下地Ｓｉｎ、
膜がエツチングされている）時の発光スペクトルを調べ
た。第２図は、その発光スペクトルの差を示している。
同図中、上半分は下地Ｓｉｎ、がエツチングされている
時に発光強度が強いピーク、下半分はタングステンがエ
ツチングされている時に発光強度が強いピークを示して
いる。従って、オーバーエッチ時には、上半分の発光が
強くなり、下半分発光が弱くなる。このため、以下に示
すような発光をモニターすればよい。
時に発光強度が強いピーク、下半分はタングステンがエ
ツチングされている時に発光強度が強いピークを示して
いる。従って、オーバーエッチ時には、上半分の発光が
強くなり、下半分発光が弱くなる。このため、以下に示
すような発光をモニターすればよい。
（イ）Ｎ、の発光の増加をモニターする。
図中、↓印で示すものであり、例えば、２８１４ｎｍ、
２８２．０ｎｍ、２９５．３ｎｍ、２９６２ｎｍ、２９
７．７ｎｍ、３１０．４ｎｍ、３１１゜７ｎｍ、 ３
１ ３．６ｎｍ、 ３ １ ５．９ｎｍ、 ３３
３゜９ｎｍ、 ３３７．１ｎｍ、 ３５０．０ｎｍ
、 ３５３゜７ｎｍ、 ３５７．７ｎｍ、 ３７
１．０ｎｍ、 ３７５゜５ｎｍ、 ３８０．５ｎ
ｍ、 ３８５．８ｎｍ、 ３８９５ｎｍ、 ３９
４．３ｎｍ、 ４ ０５．９ｎｍ、 ６７０５ｎｍ
、７１６．５ ｎｍ、が該当する。
２８２．０ｎｍ、２９５．３ｎｍ、２９６２ｎｍ、２９
７．７ｎｍ、３１０．４ｎｍ、３１１゜７ｎｍ、 ３
１ ３．６ｎｍ、 ３ １ ５．９ｎｍ、 ３３
３゜９ｎｍ、 ３３７．１ｎｍ、 ３５０．０ｎｍ
、 ３５３゜７ｎｍ、 ３５７．７ｎｍ、 ３７
１．０ｎｍ、 ３７５゜５ｎｍ、 ３８０．５ｎ
ｍ、 ３８５．８ｎｍ、 ３８９５ｎｍ、 ３９
４．３ｎｍ、 ４ ０５．９ｎｍ、 ６７０５ｎｍ
、７１６．５ ｎｍ、が該当する。
（ロ）ＳｉＮの発光の増加をモニターする。
図中※印で示すものであり、例えば、４０５゜Ｉ ｎｍ
、４２３．９ ｎｍが該当する。
、４２３．９ ｎｍが該当する。
（ハ）ＣＮの発光の減少をモニターする。
図中Ｏ印で示すものであり、例えば、３５８゜６ｎｍ、
３５９．０ｎｍ、４１８．１ ｎｍ、４１９７ｎｍが該
当する。
３５９．０ｎｍ、４１８．１ ｎｍ、４１９７ｎｍが該
当する。
（ニ）長波長側のＮ、の発光をモニターする。
図中目印で示すものであり、例えば、■５７０〜６１０
ｎｍ、■６２５〜６８０ ｎｍ、■７２０〜７８０ｎｍ
が該当する。
ｎｍ、■６２５〜６８０ ｎｍ、■７２０〜７８０ｎｍ
が該当する。
ところで、上記第２実施例において、エツチング条件を
ＲＦパワーを０ 、２４ Ｗ ／ ｃ ｍ ’、圧力を
２．０ｐａに設定し、エツチングガスであるＳＦｌｌと
ＣＱｔの流量比を変えて、タングステンとレジストのエ
ッチレートのｃｆｆｔ添加量依存性を調べると第３図の
グラフのような結果となった。これにより、ｃＱｔの添
加量が２．５％で、タングステンとレジストのエッチレ
ートが１＝１となることが判る。
ＲＦパワーを０ 、２４ Ｗ ／ ｃ ｍ ’、圧力を
２．０ｐａに設定し、エツチングガスであるＳＦｌｌと
ＣＱｔの流量比を変えて、タングステンとレジストのエ
ッチレートのｃｆｆｔ添加量依存性を調べると第３図の
グラフのような結果となった。これにより、ｃＱｔの添
加量が２．５％で、タングステンとレジストのエッチレ
ートが１＝１となることが判る。
第２実施例におけるエツチング終点の検出方法としては
、以下のような方法が用いられた。
、以下のような方法が用いられた。
第４図及び第５図は、タングステンのエッチバック時と
、オーバーエッチ時の発光スペクトルを示している。オ
ーバーエッチ時には２５０〜２６０ｎｍ、２７０〜２９
０ｎｍ、３００〜３１０ｎｍの発光（矢印で示す）が大
きくなる。従って、第２実施例においては、上記波長を
モニターすればよい。
、オーバーエッチ時の発光スペクトルを示している。オ
ーバーエッチ時には２５０〜２６０ｎｍ、２７０〜２９
０ｎｍ、３００〜３１０ｎｍの発光（矢印で示す）が大
きくなる。従って、第２実施例においては、上記波長を
モニターすればよい。
以上、各実施例について説明したが、本発明は、この他
各種の設計変更及び条件変更が可能である。
各種の設計変更及び条件変更が可能である。
例えば、基体上に被着する金属材料としてはタングステ
ンに限られるものではなく、また、エッチバックされる
膜としてはレジスト等の有機塗布膜に限られず、各種の
無機塗布膜を適用しても勿論よい。
ンに限られるものではなく、また、エッチバックされる
膜としてはレジスト等の有機塗布膜に限られず、各種の
無機塗布膜を適用しても勿論よい。
また、フッ素系ガスとは、Ｓ Ｆ ａに限るものではな
く、四フッ化炭素（ＣＦ、）その他のものでもよい。同
様に塩素系ガス及び希ガスも、上記実施例で用いたもの
に限られるものではない。
く、四フッ化炭素（ＣＦ、）その他のものでもよい。同
様に塩素系ガス及び希ガスも、上記実施例で用いたもの
に限られるものではない。
また、金属材料が露呈するまでは、エツチングガスをＯ
２のみでエッチバックを行ない、その後、上記した各実
施例を適用して、スループットを向上させるようにして
も勿論よい。
２のみでエッチバックを行ない、その後、上記した各実
施例を適用して、スループットを向上させるようにして
も勿論よい。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明に依れば、金属
材料と、有機又は無機塗布膜のエッチレートに差を生じ
させることなく、良好な平坦化が行なえる効果がある。
材料と、有機又は無機塗布膜のエッチレートに差を生じ
させることなく、良好な平坦化が行なえる効果がある。
また、低パワー密度のドライエツチングで行なえるため
、塗布膜の下地膜を膜減りさせることが無いという利点
がある。
、塗布膜の下地膜を膜減りさせることが無いという利点
がある。
第１図Ａ及び第１図Ｂは本発明に係る平坦化方法の各実
施例が適用できる工程図、第２図はタングステンのエツ
チング時の発光スペクトルを示すグラフ、第３図はタン
グステンとレジストのエッチレートのｃｔ２を添加量依
存性を示すグラフ、第４図はタングステンの反応性イオ
ンエツチング時の発光スペクトルを示すグラフ、第５図
はタングステンのオーバーエッチ時の発光スペクトルを
示すグラフ、第６図Ａ〜第６図Ｃは従来例の工程図であ
る。 １・・・ンリコン基板、３・・Ｓ１０．膜、４．５・・
・タングステン配線、６・・・レジスト。 ３１ る 第２図Ｂ ＣＬ２／Ｃ３Ｆａ ＋ Ｃ１２’ｌ ’／＋Ｗとレジス
トのエッチレートのＣｌ２Ｌ７Ｊ］量イ友存ＩＫ第３図 浪１ｃ（ｎｍ） Ｗ ＲＩＥ吟の売尤スへクトル ＥＪｌｔ （ｎｍ） Ｗ ＲＩＥオーバーエッ＋８キｆ）光尤スペクトル第５
図
施例が適用できる工程図、第２図はタングステンのエツ
チング時の発光スペクトルを示すグラフ、第３図はタン
グステンとレジストのエッチレートのｃｔ２を添加量依
存性を示すグラフ、第４図はタングステンの反応性イオ
ンエツチング時の発光スペクトルを示すグラフ、第５図
はタングステンのオーバーエッチ時の発光スペクトルを
示すグラフ、第６図Ａ〜第６図Ｃは従来例の工程図であ
る。 １・・・ンリコン基板、３・・Ｓ１０．膜、４．５・・
・タングステン配線、６・・・レジスト。 ３１ る 第２図Ｂ ＣＬ２／Ｃ３Ｆａ ＋ Ｃ１２’ｌ ’／＋Ｗとレジス
トのエッチレートのＣｌ２Ｌ７Ｊ］量イ友存ＩＫ第３図 浪１ｃ（ｎｍ） Ｗ ＲＩＥ吟の売尤スへクトル ＥＪｌｔ （ｎｍ） Ｗ ＲＩＥオーバーエッ＋８キｆ）光尤スペクトル第５
図
Claims (4)
- （１）基体上に金属材料を被着する工程と、該被着した
金属材料上に有機塗布膜又は無機塗布膜を形成する工程
と、ドライエッチングにより前記塗布膜及び少なくとも
金属材料の一部を除去する工程を備えた平坦化方法にお
いて、 前記ドライエッチングのエッチングガスにフッ素系ガス
のみを用いることを特徴とする平坦化方法。 - （２）基体上に金属材料を被着する工程と、該被着した
金属材料上に有機塗布膜又は無機塗布膜を形成する工程
と、ドライエッチングにより前記塗布膜及び少なくとも
金属材料の一部を除去する工程を備えた平坦化方法にお
いて、 前記ドライエッチングのエッチングガスにフッ素系ガス
と塩素系ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする平
坦化方法。 - （３）基体上に金属材料を被着する工程と、該被着した
金属材料上に有機塗布膜又は無機塗布膜を形成する工程
と、ドライエッチングにより前記塗布膜及び少なくとも
金属材料の一部を除去する工程を備えた平坦化方法にお
いて、 前記ドライエッチングのエッチングガスにフッ素系ガス
と窒素系ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする平
坦化方法。 - （４）基体上に金属材料を被着する工程と、該被着した
金属材料上に有機塗布膜又は無機塗布膜を形成する工程
と、ドライエッチングにより前記塗布膜及び少なくとも
金属材料の一部を除去する工程を備えた平坦化方法にお
いて、 前記ドライエッチングのエッチングガスにフッ素系ガス
と希ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする平坦化
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195189A JPH02280326A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195189A JPH02280326A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 平坦化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02280326A true JPH02280326A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14314200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10195189A Pending JPH02280326A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02280326A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008136A (en) * | 1996-12-11 | 1999-12-28 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor device capable of improving etching rate ratio of insulator to refractory metal |
| WO2005064598A1 (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Tdk Corporation | 凹凸パターンの凹部充填方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10195189A patent/JPH02280326A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008136A (en) * | 1996-12-11 | 1999-12-28 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor device capable of improving etching rate ratio of insulator to refractory metal |
| US6214744B1 (en) * | 1996-12-11 | 2001-04-10 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor device capable of improving etching rate ratio of insulator to refractory metal |
| WO2005064598A1 (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Tdk Corporation | 凹凸パターンの凹部充填方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
| US7300595B2 (en) | 2003-12-25 | 2007-11-27 | Tdk Corporation | Method for filling concave portions of concavo-convex pattern and method for manufacturing magnetic recording medium |
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