JPH0227999B2 - Chikansefuemujudotaioyobisonoseizoho - Google Patents

Chikansefuemujudotaioyobisonoseizoho

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JPH0227999B2
JPH0227999B2 JP57124943A JP12494382A JPH0227999B2 JP H0227999 B2 JPH0227999 B2 JP H0227999B2 JP 57124943 A JP57124943 A JP 57124943A JP 12494382 A JP12494382 A JP 12494382A JP H0227999 B2 JPH0227999 B2 JP H0227999B2
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JP
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group
general formula
compound
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benzyl
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JP57124943A
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Shigeru Torii
Hideo Tanaka
Junzo Nogami
Takashi Shiroi
Michio Sasaoka
Norio Saito
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Otsuka Chemical Co Ltd
Original Assignee
Otsuka Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Cephalosporin Compounds (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、置換セフエム誘導体及びその製造法
に関し、更に詳しくは、一般式 〔式中、R1は非置換のアリール基を示す。R2は、
水素原子又はカルボキシル基の保護基を示す。Y
は、基−SR3又は−SO2R4を示し、R3は2−ベン
ゾチアゾリル基、2−低級アルキル−1,3,4
−チアジアゾール−5−イル基又は低級アルキル
チオカルボン酸残基を示し、R4は非置換のアリ
ール基を示す。〕 で表わされる置換セフエム誘導体及びその製造法
に関する。 上記一般式()で表わされるセフアロスポリ
ン化合物は、抗菌作用、特にグラム陽性菌に対し
て強い抗菌作用を有し、抗菌剤として有用であ
る。また、該化合物は、7−位アミド基の脱アシ
ル化及び再アシル化により、新規2−置換−3−
セフエム誘導体に変換できる重要な合成中間体で
ある。 上記一般式()において、R1で示される非
置換のアリール基としては、例えば、フエニル
基、ナフチル基等を挙げることができる。 R2で表わされるカルボキシル基の保護基とし
ては、ベンゼン環上にニトロ基もしくは低級アル
コキシ基を有することのあるフエニル基を1〜3
個有する低級アルキル基、例えばベンジル基、ジ
フエニルメチル基、トリフエニルメチル基;p−
ニトロベンジル基、p−メトキシベンジル基、o
−ニトロベンジル基等;ベンゼン環上にニトロ基
もしくは低級アルコキシ基を有することのあるフ
エノキシ基を1〜3個有する低級アルキル基、例
えば、フエノキシメチル基、2−フエノキシエチ
ル基、p−ニトロフエノキシメチル基基、p−メ
トキシフエノキシメチル基等;ハロゲン原子を置
換基として有することのある低級アルキル基、例
えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n
−ブチル基、tert−ブチル基、2−クロロエチル
基、2,2,2−トリクロロエチル基等を挙げる
ことができる。 R3で表わされる2−低級アルキル−1,3,
4−チアジアゾール−5−イル基としては2−メ
チル−1,3,4−チアジアゾール−5−イル基
等を挙げることができる。低級アルキルチオカル
ボン酸残基としては、例えばメタンチオイル基、
エタンチオイル基、ヘキサンチオイル基等を挙げ
ることができる。 R4で示される非置換のアリール基としては、
例えばフエニル基等が挙げられる。 上記一般式()で表わされる化合物は、下記
反応工程式に従い製造できる。 即ち、まず、一般式 〔式中、R1及びR2は前記に同じであり、Xは水
素原子又は塩素原子を示す。〕 で表わされるチアゾリノアゼチジノン化合物と、
一般式 YM 〔式中、Yは前記に同じであり、Mは水素原子又
はアルカリ金属を示す。〕 で表わされる化合物とを、有機溶媒中で、強塩基
の存在下に反応させて、一般式 〔式中、R1、R2及びYは前記に同じ〕 で表わされる化合物を得る。このチオ化反応は、
一般式YMで表わされるチオ化剤、即ち、一般式 R3SH 〔式中、R3は前記に同じ〕で表わされるチオー
ル又は一般式 R4SO2H 〔式中、R4は前記に同じ〕で表わされるスルフ
イン酸誘導体又はこれらのアルカリ金属塩を用い
て行なわれる。上記チオ化剤を、アルカリ金属塩
の形態で用いる場合、強塩基を用いることなくチ
オ化反応を行なうことができる。これらチオ化剤
は、一般式()の化合物に対し、約2倍モル以
上、好ましくは約2〜4倍モル用いるのがよい。
上記強塩基としては、アミン誘導体が好ましく、
例えば、トリエチルアミン、ピリジン、N,N−
ジメチルアミノピリジン、ピペリジン、ピロリジ
ン等が例示できる。これら強塩基は、一般式
()の化合物に対し、約2倍モル以上、好まし
くは2〜4倍モル程度存在させるのがよい。この
チオ化反応は、一般式()の出発物質、チオ化
剤及び強塩基を溶解し、且つ反応に関与しない不
活性有機溶媒中で行なうのが好ましい。かかる不
活性有機溶媒としては、例えば、アセトン、ジメ
トキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ベンゼン、エーテル等が例示できる。これら
不活性有機溶媒の使用量は、一般式()の出発
物質に対し、約10〜1000重量倍使用するのがよ
い。反応温度は、使用するチオ化剤の種類等によ
つても変わり得るが、一般に−78〜+100℃程度、
好ましくは−30〜+80℃程度とすればよい。ま
た、このチオ化反応は、不活性ガス、例えばアル
ゴンガス、窒素ガス等の雰囲気下で良好に行なわ
れ、通常0.5〜24時間程度で完結する。 尚、本チオ反応において、一般式()の出発
物質において、Xが塩素原子である化合物(
a)を用いた場合には、アリル位の塩素原子のみ
がチオ化反応を受け、チアゾリン環上のメチレン
に置換した塩素原子はチオ化反応を受けず、一般
〔式中、R1、R2及びYは前記に同じ〕 で表わされる置換チアゾリノアゼチジノン化合物
が得られる。この化合物は、酢酸を含有する有機
溶媒中で、亜鉛を作用させることにより、一般式
()の化合物へと変換できる。酢酸の使用量と
しては特に制限がなく広範囲から適宜選択され得
るが、通常一般式()で表わされる化合物に対
して1〜10倍モル量程度、好ましくは2〜4倍モ
ル量程度の酢酸を反応系内に存在させるのがよ
い。また、一般式()で表わされる化合物と亜
鉛との使用割合としては特に限定されず広い範囲
内で適宜選択できるが、通常一般式()で表わ
される化合物に対して1〜10倍モル量、好ましく
は2〜4倍モル量とするのがよい。有機溶媒とし
ては、原料化合物()及び目的化合物()に
不活性な溶媒を広く使用でき、例えば酢酸エチ
ル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化
炭素、ベンゼン等通常使用される有機溶媒を挙げ
ることができる。これら有機溶媒の使用量は、一
般式()の化合物に対し、10〜1000重量倍程度
使用するのがよい。反応温度は、比較的低温度を
採用するのが望しく、一般に−50〜+20℃程度が
好適である。反応時間は、一般に0.1〜1時間程
度でよい。 上記で得られる一般式()の化合物は、次い
で、一般式 R5SW () 〔式中、R5は置換もしくは非置換のアリール基
又は置換もしくは非置換の芳香族複素環残基を示
し、Wはハロゲン原子を示す。〕 で表わされる含硫黄化合物との反応によつて、一
般式 〔式中、R1、R2、R5及びYは前記に同じ〕 で表わされる化合物へと変換される。 ここでR5で表わされる非置換アリール基とし
ては、フエニル基等を、置換アリール基として
は、置換基としてニトロ基、ハロゲン原子等を有
するフエニル基、例えばp−ニトロフエニル基、
ペンタクロロフエニル基等を例示できる。また、
置換もしくは非置換の芳香族複素環残基として
は、例えば2−ピリジル基、2−ベンゾチアゾリ
ル基、1,3,4−チアジアゾール−5−イル
基、2−メチル−1,3,4−チアジアゾール−
5−イル基、1,2,3,4−テトラゾール−5
−イル基、1−メチル−1,2,3,4−テトラ
ゾール−5−イル基、1−フエニル−1,2,
3,4−テトラゾール−5−イル基等を挙げるこ
とができる。Wで示されるハロゲン原子としては
例えば塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げる
ことができる。 上記一般式()の化合物は、不活性溶媒、例
えばジオキサン中、相当するジスルフイド又はチ
オールに当モル量の分子状ハロゲンを反応させる
ことにより製造される。本発明では、こうして得
られる化合物()を反応混合物から単離して反
応に供してもよいし、反応混合物をそのまま反応
に供してもよい。 上記一般式()の化合物と一般式()の化
合物との反応は、含水有機溶媒中で行なわれる。
有機溶媒としては、例えばジメチルスルホキシ
ド、ジオキサン等が例示できる。これら有機溶媒
は水と共存させて使用される。上記有機溶媒の使
用量は、一般式()の化合物に対して約10〜
1000重量倍とするのがよい。 含水有機溶媒中に占める水の量としては特に限
定がなく広い範囲内から適宜選択できるが、通常
一般式()の化合物に対して1〜500倍モル量、
好ましくは10〜100倍モル量程度用いるのがよい。
一般式()の化合物と一般式()の化合物と
の使用割合としては特に限定はなく、広い範囲内
で適宜選択できが、通常前者に対して後者を等モ
ル〜10倍モル、好ましくは等モル〜4倍モル用い
るのがよい。該反応は、通常−10〜60℃程度、好
ましくは室温付近にて、0.1〜2時間程度を要し
て行なわれる。 最後に、一般式()で表わされる化合物を有
機溶媒中、塩基と反応させて、本発明の目的化合
物である一般式()で表わされる2−(チオ置
換)−3−(チオ置換メチル)−3−セフエム誘導
体を得る。該反応において、用いられる有機溶媒
としては、原料化合物及び目的化合物に不活性な
溶媒を広く使用でき、好ましくはテトラヒドロフ
ラン、ジメトキシエタン、ジエチルエーテル、ジ
オキサン、塩化メチレン、クロロホルム、アセト
ニトリル、ニトロエタン、ニトロメタン等の非プ
ロトン性溶媒、特に好ましくはテトラヒドロフラ
ンを使用するのがよい。また、該反応において用
いられる塩基としては、1,8−ジアザビシクロ
〔5,4,0〕ウンデセ−7−エン、トリエチル
アミン、アンモニア、ピリジン、N,N−ジメチ
ルアミノピリジン等の有機塩基を用いるのが好ま
しく、特に、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,
0〕ウンデセ−7−エンを用いるのが好ましい。
化合物()と塩基との使用割合としては特に限
定されず広範囲内で適宜選択できるが、通常前者
に対して後者を等モル〜8倍モル量、好ましくは
2倍モル量用いるのがよい。該反応は、通常−
120〜+20℃程度、好ましくは−100〜−50℃程度
にて好適に進行し、通常0.02〜2時間程度で完結
する。 本発明で得られる新規2−(チオ置換)−3−
(チオ置換メモリ)−3−セフエム誘導体は、反応
終了後、常法により抽出単離し、カラムクロマト
グラフあるいは再結晶により精製することができ
る。 尚、前記出発物質である一般式()の化合物
は、次の如くして製造できる。即ち、ペニシリン
誘導体から、例えばR.D.G.Cooper,J.A.C.S.92
2575(1970)の方法に従い製造される一般式 〔式中、R1及びR2は前記に同じ〕 で表わされる化合物を、まず、特開昭57−59896
号(特願昭55−137022号)の方法により一般式 〔式中、R1及びR2は、前記に同じ。〕で表わされ
る化合物へと変換する。 次いで、上記一般式(B)の化合物を、光照射
下、有機溶媒中で塩素を作用させて一般式 〔式中、R1及びR2は前記に同じ〕 で表わされる化合物を得る(特願昭56−67135
号)。即ち、光照射下一般式(B)で表わされる
化合物に塩素を作用させるに際し、使用される有
機溶媒としては塩素に対して不活性な溶媒をいず
れも使用でき、例えばジクロルメタン、ジブロム
エタン、ジクロルエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、酢酸メチル、酢
酸エチル、ギ酸メチル、酢酸ブチル、プロピオン
酸エチル等のエステル類、ジエチルエーテル、ジ
ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等のエーテル類、アセトニトリル、ブチロニト
リル等のニトリル類、ペンタン、ヘキサン、シク
ロヘキサン等の炭化水素類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水
素、二硫化炭素、又はこれらの混溶媒等を挙げる
ことができる。塩素としては通常分子状塩素が用
いられる。一般式(B)で表わされる化合物と塩
素との使用割合としては特に限定がなく、広い範
囲内にて適宜選択することができるが、通常前者
に対して後者を1〜10倍モル量、好ましくは1〜
5倍モル量用いるのがよい。本反応においては光
照射下に一般式(B)の化合物に塩素を反応させ
るが、その際の光照射用光源としては、通常の光
化学反応において使用されるタングステンランプ
等の光源を広く使用できる。本反応は通常−20〜
100℃程度にて行なわれる。 次いで、上記で得られた一般式(C)の化合物
に塩基性化合物を作用させることにより、一般式 〔式中、R1及びR2は前記に同じ〕 で表わされる化合物を得る(特願昭56−67136
号)。より詳しく述べると、一般式(C)の化合
物に塩素性化合物を作用させると脱塩酸反応が起
こり一般式(a)で表わされる本発明の出発化
合物が生成する。塩基性化合物としては従来公知
のものを広く使用できるが、有機アミン類を用い
るのが好ましく、具体的にはジメチルアミン、ジ
エチルアミン、トリエチルアミン、エチルジイソ
プロピルアミン、ピペリジン、ルチジン、ピリジ
ン、1,5−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウン
デセン−5,1,5−ジアザビシクロ〔4,3,
0〕ノネン−5等を例示できる。塩基性化合物の
使用量としては特に限定がなく広い範囲内で適宜
選択することができるが、通常一般式(C)で表
わされる化合物に対して0.5〜10倍モル量、好ま
しくは1〜5倍モル量用いられる。この脱塩酸反
応は有機溶媒中で行なつてもよいし、或いは使用
する塩基性化合物を溶媒として使用することもで
きる。有機溶媒としては原料化合物、目的化合物
及び塩基性化合物に対して不活性な溶媒を広く使
用でき、例えば塩化メチレン、クロロホルム、四
塩化炭素、ジクロルエタン、ジブロムエタン等の
ハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の炭化水素類、ベンゼン、クロル
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素類等を挙げることができる。該反応は室温下、
加温下及び冷却下のいずれでも行なわれるが、通
常−20〜80℃の範囲内で行なうのがよい。 斯くして得られる本発明の出発化合物(a)
は通常行なわれている分離手段、例えば溶媒抽
出、カラムクロマトグラフイー等の手段により反
応混合物から容易に単離精製される。 また、上記一般式(a)の化合物に、酢酸の
存在下亜鉛を作用させることにより、一般式(
b)の化合物を得ることができる(特願昭56−
69687号)。この場合、酢酸の使用量としては特に
制限がなく広範囲から適宜選択され得るが、通常
一般式(a)で表わされる化合物に対して1〜
10倍モル量、好ましくは2〜4倍モル量の酢酸を
反応系内に存在させるのがよい。また一般式(
a)で表わされる化合物と亜鉛との使用割合とし
ては特に限定されず広い範囲内で適宜選択できる
が、通常一般式(a)で表される化合物に対し
て通常1〜10倍モル量、好ましくは2〜4倍モル
量とするのがよい。該反応は一般に有機溶媒中に
て行なわれる。有機溶媒としては原料化合物及び
目的化合物に不活性な溶媒を広く使用でき、例え
ば酢酸エチル、酢酸メチル、プロピオン酸メチル
等のエステル類、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル類、塩化メチ
レン、ジクロルエタン、クロロホルム、四塩化炭
素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類等を挙げるこ
とができる。該反応においては比較的低温下に反
応を行なうことが望ましく、その反応温度として
は−50〜30℃程度が好適である。 斯くして得られる本発明の出発化合物(b)
は通常行なわれている分離手段、例えば溶媒抽
出、カラムクロマトグラフイー等の手段により反
応混合物から容易に単離精製される。 以下実施例より本発明を更に詳しく説明する。
実施例において、Phはフエニル基、Meはメチル
基、Etはエチル基を示す。 実施例 1 2−(3−フエニルジクロロメチル−7−オキ
ソ−4−チア−2,6−ジアザビシクロ〔3,
2,0〕ヘプト−2−エン−6−イル)−3−ク
ロロメチル−4−クロロ−2−ブテン酸メチル
33.5mgとジチオ炭酸O−エチルナトリウム41.3mg
にアセトン1mlを加えて均一溶液とし、室温下4
時間かきまぜる。次に、エーテル5mlを加えて希
釈し、これを飽和食塩水で洗浄し、Na2SO4で乾
燥したのち濃縮する。得られた残渣をシリカゲル
カラム上でベンゼン−酢酸エチル(25:1)を用
いてクロマトグラフイーを行い2−(3−フエニ
ルジクロロメチル−7−オキソ−4−チア−2,
6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−2−
エン−6−イル)−3−エトキシチオキソチオメ
チル−4−エトキシチオキソチオ−2−ブテン酸
メチル36.8mg(収率81%)を得る。 NMR(CDCl3,δ,ppm) 1.40(t,6H,7.5Hz)、3.80(s,3H)、
3.95(bs,2H)、4.29及び4.50(ABq,
2H,13.5Hz)4.63(q,4H,7.5Hz)、
5.98(d,1H,4.5Hz)、6.19(d,1H,
4.5Hz)、7.20〜7.90(m,5H) 実施例 2 2−(3−フエニルジクロロメチル−7−オキ
ソ−4−チア−2,6−ジアザビシクロ〔3,
2,0〕ヘプト−2−エン−6−イル)−3−エ
トキシチオキソチオメチル−4−エトキシチオキ
ソチオ−2−ブテン酸メチル31.8mg及び亜鉛粉末
8.6mgを塩化メチレン0.43mlに混合し、0〜−5
℃に冷却する。これに、酢酸0.12mlを加え、1.5
時間はげしくかきまぜる。反応終了後、エーテル
(5ml)を加えて希釈し、これを飽和重ソウ水、
飽和食塩水でそれぞれ洗浄したのち、Na2SO4
乾燥する。減圧下溶媒を除去し、残渣をシリカゲ
ルカラム上でベンゼン−酢酸エチル(15:1)を
用いてクロマトグラフイーを行い、2−(3−ベ
ンジル−7−オキソ−4−チア−2,6−ジアザ
ビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−2−エン−6−
イル)−3−エトキシチオキソチオメチル−4−
エトキシチオキソチオ−2−ブテン酸メチル24.3
mg(収率85%)を得る。 IR(CHCl3,cm-1)1769,1717 NMR(CDCl3,δ,ppm) 1.38(t,3H,7.5Hz)、1.42(t,3H,
7.5Hz)、3.76(s,3H)、3.93(bs,2H)、
3.97(s,2H)、4.26及び4.5(ABq,2H,
13.5Hz)4.64(q,4H,7.5Hz)、5.84(d,
1H,5Hz)、6.01(d,1H,4.5Hz)、
7.26(s,5H) 実施例 3 2−(3−ベンジル−7−オキソ−4−チア−
2,6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−
2−エン−6−イル)−3−クロロメチル−4−
クロロ−2−ブテン酸メチル21.8mgとジチオ炭素
O−エチルナトリウム36.8mgにアセトン1mlを加
えて均一溶液とし、室温下40分間かきまぜる。次
にエーテル5mlを加えて希釈し、これを飽和食塩
水で洗浄し、Na2SO4で乾燥したのち濃縮する。
得られた残渣をシリカゲルカラム上でベンゼン−
酢酸エチル(10:1)を用いてクロマトグラフイ
ーを行い、2−(3−ベンジル−7−オキソ−4
−チア−2,6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕
ヘプト−2−エン−6−イル)−3−エトキシチ
オキソチオメチル−4−エトキシチオキソチオ−
2−ブテン酸メチル26.0mg(収率83%)を得る。 IR(CHCl3,cm-1)1769,1717 NMR(CDCl3,δ,ppm) 1.38(t,3H,7.5Hz)、1.42(t,3H,
7.5Hz)、3.76(s,3H)、3.93(bs,2H)、
3.97(s,2H)、4.26及び4.51(ABq,
2H,13.5Hz)4.64(q,4H,7.5Hz)、
5.84(d,1H,5Hz)、6.01(d,1H,
4.5Hz)、7.26(s,5H) 実施例 4 出発物質として、2−(3−ベンジル−7−オ
キソ−4−チア−2,6−ジアザビシクロ〔3,
2,0〕ヘプト−2−エン−6−イル)−3−ク
ロロメチル−4−クロロ−2−ブテン酸ベンジル
を用いる以外は実施例3と同様にして、2−(3
−ベンジル−7−オキソ−4−チア−2,6−ジ
アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−2−エン−
6−イル)−3エトキシチオキソメチル−4−エ
トキシチオキソチオ−2−ブテン酸ベンジルを得
る(収率93%)。 IR(CHCl3,cm-1)1775,1720 NMR(CDCl3,δ,ppm) 1.36(t,3H,7.5Hz)、1.39(t,3H,
7.5Hz)、3.82(bs,2H)、4.00(s,2H)、
4.28及び4.53(ABq,2H,14Hz)、4.63
(q,2H,7.5Hz)、4.66(q,2H,7.5
Hz)5.25(s,2H)、5.79(d,1H,4.5
Hz)、5.99(d,1H,4.5Hz)、7.20(s,
5H) 実施例 5 2−(3−ベンジル−7−オキソ−4−チア−
2,6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−
2−エン−6−イル)−3−クロロメチル−4−
クロロ−2−ブテン酸メチル26.6mg及びベンゼン
スルフイン酸ナトリウム27.6mgをジメチルホルム
アミド1mlに溶かし、66℃に加熱して10時間かき
まぜる。反応終了後、室温まで放冷したのち、酢
酸エチル5mlを加えて希釈し、これを飽和食塩水
で洗い、Na2SO4で乾燥したのち濃縮する。得ら
れた残渣をシリカゲルカラムを用いて精製し、2
−(3−ベンジル−7−オキソ−4−チア−2,
6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−2−
エン−6−イル)−3−フエニルスルホニルメチ
ル−4−フエニルスルホニル−2−ブテン酸メチ
ル33.5mgを得る(収率82%) IR(CHCl3,cm-1)1773,1728 NMR(CDCl3,δ,ppm) 3.39(s,3H)、3.94(s,2H)4.35(s,
2H)、4.69(s,2H)、5.69(d,1H,4.5
Hz)、5.93(d,1H,4.5Hz)、7.30(s,
5H)、7.30〜7.90(m,10H) 実施例 6 出発物質として2−(3−ベンジル−7−オキ
ソ−4−チア−2,6−ジアザビシクロ〔3,
2,0〕ヘプト−2−エン−6−イル)−3−ク
ロロメチル−4−クロロ−2−ブテン酸ベンジル
を用いる以外実施例5と同様にして2−(3−ベ
ンジル−7−オキソ−4−チア−2,6−ジアザ
ビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−2−エン−6−
イル)−3−フエニルスルホニルメチル−4−フ
エニルスルホニル−2−ブテン酸ベンジルを得る
(収率53%)。 IR(CHCl3,cm-1)1768,1720 NMR(CDCl3,δ,ppm) 3.58及び3.85(ABq,2H,16Hz)、4.37
(s,2H)、4.67及び4.81(ABq,2H,14
Hz)、4.91及び4.98(ABq,2H,12Hz)、
5.63(d,1H,4.5Hz)、5.82(d,1H,
4.5Hz)、7.10〜7.90(m,20H) 実施例 7 2−(3−ベンジル−7−オキソ−4−チア−
2,6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−
2−エン−6−イル)−3−クロロメチル−4−
クロロ−2−ブテン酸メチル45.7mg及び2−メル
カプトベンゾチアゾール44.0mgにアセトン1mlを
加えて均一溶液とする。これに、トリエチルアミ
ン35μを加え、室温下1.5時間かきまぜる。次
に、エーテル10mlを加えて希釈し、5%塩酸水溶
液、飽和食塩水で洗い、Na2SO4で乾燥したのち
濃縮する。得られた残渣をシリカゲルカラムを用
いて精製し、2−(3−ベンジル−7−オキソ−
4−チア−2,6−ジアザビシクロ〔3,2,
0〕ヘプト−2−エン−6−イル)−3−(2−ベ
ンゾチアゾリル)チオメチル−4−(2−ベンゾ
チアゾリル)チオ−2−ブテン酸メチル44.7mgを
得る(収率60%) IR(CHCl3,cm-1)1773,1720 NMR(CDCl3,δ,ppm) 3.74(s,3H)、3.85(s,2H)、4.29
(s,2H)、4.63及び4.79(ABq,2H,13
Hz)、5.85(d,1H,4.5Hz)、6.00(d,
1H,4.5Hz)、7.15(s,5H)、7.10〜7.80
(m,8H) 実施例 8 2−(3−ベンジル−7−オキソ−4−チア−
2,6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−
2−エン−6−イル)−3−クロロメチル−4−
クロロ−2−ブテン酸ベンジル72.4mg及び2−ベ
ンゾチアゾリルチオナトリウム62.4mgにアセトン
2mlを加えて均一溶液とし、0〜−5℃で1時間
かきまぜる。次にエーテル10mlを加えて希釈し、
これを飽和食塩水で洗い、Na2SO4で乾燥したの
ち濃縮する。得られた残渣をシリカゲルカラム上
で精製し、2−(3−ベンジル−7−オキソ−4
−チア−2,6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕
ヘプト−2−エン−6−イル)−3−(2−ベンゾ
チアゾリル)チオメチル−4−(2−ベンゾチア
ゾリル)チオ−2−ブテン酸ベンジル94.1mgを得
る(収率83%) IR(CHCl3,cm-1)1775,1717 NMR(CDCl3,δ,ppm) 3.74(bs,2H)、4.33(bs,2H)、4.68及
び4.79(ABq,2H,13.5Hz)、5.22(s,
2H)、5.79(d,1H,4.5Hz)、5.94(d,
1H,4.5Hz)、7.16(s,5H)、7.33(s,
5H)、7.20〜7.80(m,8H) 実施例 9 2−(3−ベンジル−7−オキソ−4−チアー
2,6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−
2−エン−6−イル)−3−クロロメチル−4−
クロロ−2−ブテン酸ベンジル73.0mg及び2−メ
チル−5−メルカプト−1,3,4−チアジゾー
ル37.0mgにジメチルホルムアミド1mlを加えて均
一溶液とする。これを、−10℃に冷却し、トリエ
チルアミン43μを加えて1時間かきまぜる。反
応混合物に水を加え、ベンゼン−エーテル(1:
1)で抽出し、抽出液を5%希塩酸、飽和重ソウ
水、飽和食塩水で洗い、Na2SO4で乾燥したのち
濃縮する。得られた残渣は、シリカゲルカラム上
ベンゼン−酢酸エチル(3:1)にてクロマトグ
ラフイーを行い、2−(3−ベンジル−7−オキ
ソ−4−チア−2,6−ジアザビシクロ〔3,
2,0〕ヘプト−2−エン−6−イル)−3−(2
−メチル−1,3,4−チアジアゾール−5−イ
ル)チオメチル−4−(2−メチル−1,3,4
−チアジアゾール−5−イル)チオ−2−ブテン
酸ベンジル89.6mgを得る(収率87%)。 IR(CHCl3,cm-1)1733,1716 NMR(CDCl3,δ,ppm) 2.66(s,3H)、2.69(s,3H)、3.76
(bs,2H)、4.15(s,2H)、4.50及び
4.67(ABq,2H,14Hz)、5.20(s,2H)、
5.78(d,1H,4,5Hz)、5.90(d,
1H,4.5Hz)、7.19(s,5H)、7.31(s,
5H) 実施例 10 2−メチル−5−メルカプト−1,3,4−チ
アジアゾールに代えて1−メチル−5−メルカプ
ト−1,2,3,4−テトラゾールを用いる以外
は実施例9と同様にして、2−(3−ベンジル−
7−オキソ−4−チア−2,6ジアジビシクロ
〔3,2,0〕ヘプト−2−エン−6−イル)−3
−(1−メチル−1,2,3,4−テトラゾール
−5−イル)チオメチル−4−(1−メチル−1,
2,3,4−テトラゾール−5−イル)チオ−2
−ブテン酸ベンジルを得る(収率90%)。 IR(CHCl3,cm-1)1770、1722 NMR(CDCl3,δ,ppm) 3.78(bs,2H)、3.83(s,3H)、3.86
(s,3H)、4.08(ABq,2H)、4.51(bs,
2H)、5.19(bs,2H)、5.78(d,1H,4.5
Hz)、5.93(d,1H,4.5Hz)、7.20(s,
5H)、7.33(s,5H) 実施例 11 2−(3−ベンジル−7−オキソ−4−チア−
2,6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−
2−エン−6−イル)−3−(2−メチル−1,
3,4−チアジアゾール−5−イル)チオメチル
−4−(2−メチル−1,3,4−チアジアゾー
ル−5−イル)チオ−2−ブテン酸ベンジル44.0
mgにジオキサン0.7mlを加えて均一溶液とし、続
いて0.07mlの水を加える。 上記操作とは別に2−ベンゾチアゾリルスルフ
イド52.4mgをジオキサン2.5mlに加え、湯浴上で
加熱しながら均一溶液とし、これに塩素の四塩化
炭素溶液(0.8M)0.2mlを加えてしばらくの間ふ
りまぜる。これを、上記ジオキサン溶液に加え
て、室温で30分間かきまぜる。次に10mlの酢酸エ
チルを加えて希釈し、これを飽和食塩水で洗い、
Na2SO4で乾燥したのち濃縮する。得られた残渣
をシリカゲルカラム上ベンゼン−酢酸エチル
(8:1)を用いてクロマトグラフイーを行い、
2−(3−フエニルアセトアミド−4−(2−ベン
ゾチアゾリル)ジチオ−2−アゼチジノン−1−
イル)−3−(2−メチル−1,3,4−チアジア
ゾール−5−イル)チオメチル−4−(2−メチ
ル−1,3,4−チアジアゾール−5−イル)チ
オ−2−ブテン酸ベンジル50.4mgを得る(収率90
%)。 IR(CHCl3,cm-1)1777、1717 NMR(CDCl3,δ,ppm) 2.70(bs,6H)、3.75(bs,2H)、4.50及
び4.73(AB9,2H,13Hz)、4.50及び4.87
(ABq,2H,14Hz)、4.98及び5.13
(ABq,2H,12Hz)、5.40〜5.60(m,
2H)、7.10(s,5H)、7.10〜7.90(m,
10H) 実施例 12〜18 実施例11と同様の方法に従い、且つ適当な出発
物質を用いて次の化合物を製造する。
【表】 実施例 19 2−(3−ベンジル−7−オキソ−4−チア−
2,6−ジアザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−
2−エン−6−イル)−3−(2−ベンゾチアゾリ
ル)チオメチル−4−(2−ベンゾチアゾリル)
チオ−2−ブテン酸ベンジル77.0mgにジオキサン
3mlを加え均一溶液とし、続いて0.3mlの水を加
える。 上記操作とは別にペンタクロロチオフエノール
122.2mgをジオキサン4mlに溶かし、これに塩素
の四塩化炭素溶液(0.8M)0.6mlを加えて、しば
らくの間ふりまぜる。これを、上記ジオキサン溶
液に加えて室温で30分間かきまぜる。実施例14と
同様の後処理を行うと、2−(3−フエニルアセ
トアミド−4−ペンタクロロフエニルジチオ−2
−アゼチジノン−1−イル)−3−(2−ベンゾチ
アゾリル)チオメチル−4−(2−ベンゾチアゾ
リル)チオ−2−ブテン酸ベンジル68.4mgを得る
(収率63%)。 IR(CHCl3,cm-1)1788、1716 NMR(CDCl3,δ,ppm) 3.42(s,2H)、4.64及び4.84(ABq,
2H,15Hz)、4.66(bs,2H)、5.02(dd,
1H,5Hz,8Hz)5.21(s,2H)、5.66
(d,1H,5Hz)、6,22(d,1H,8
Hz)、7.20(s,5H)、7.33(s,5H)、
7.10〜7.80(m,8H) 実施例 20 2−(3−フエニルアセトアミド−4−(2−ベ
ンゾチアゾリルジチオ)−2−アゼチジノン−1
−イル)−3−(2−ベンゾチアゾリルチオメチ
ル)−4−(2−ベンゾチアゾリルチオ)−2−ブ
テン酸ベンジル55.4mgをテトラヒドロフラン2ml
に溶かし、これを−78℃に冷却する。これに1,
8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセ−7
−エン20μを加え、−78℃で30分間かきまぜる。
次に5%希塩酸を0.5ml加えて、はげしくかまぜ
ながら室温にもどす。酢酸エチル5mlを加えて希
釈し、飽和食塩水で洗い、Na2SO4で乾燥したの
ち濃縮する。得られた残渣をシリカゲルカラム上
でベンゼン−酢酸エチル(20:1)を用いてクロ
マトグラフイーを行い、7−フエニルアセトアミ
ド−2−(2−ベンゾチアゾリルチオ)−3−(2
−ベンゾチアゾリルチオメチル)−3−セフエム
−4−カルボン酸ベンジル49.1mgを得る(収率79
%)。 IR(CHCl3,cm-1)1782,1740 NMR(CDCl3,δ,ppm) 3.37(bs,2H)、4.50及び4.85(ABq,
2H,14Hz)、5.22(s,2H)、5.29(d,
1H,4Hz)、5.60(dd,1H,4Hz,9
Hz)、5.72(s,1H)、6.48(d,1H,9
Hz)、7.00(s,5H)、7.30(s,5H)、
7.10〜8.00(m,8H) 実施例 21〜26 適当な出発物質を用い実施例20と同様にして次
の化合物を製造する。
【表】
【表】 実施例 27 2−(3−フエニルアセトアミド−4−ペンタ
クロロフエニルジチオ−2−アゼチジノン−1−
イル)−3−(2−ベンゾチアゾリルチオメチル)
−4−(2−ベンゾチアゾリルチオ)−2−ブテン
酸ベンジル46.7mgをテトラヒドロフラン2mlに溶
かし、これを−78℃に冷却する。これに、1,8
−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセ−7−
エン14μを加え、−78℃で30分間かきまぜる。
実施例20と同様の後処理を行い、7−フエニルア
セトアミド−2−(2−ベンゾチアゾリルチオ)−
3−(2−ベンゾチアゾリルチオメチル)−3−セ
フエム−4−カルボン酸ベンジル24.2mgを得る
(収率71%)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中、R1は非置換のアリール基を示す。R2は、
    水素原子又はカルボキシル基の保護基を示す。Y
    は、基−SR3又は−SO2R4を示し、R3は2−ベン
    ゾチアゾリル基、2−低級アルキル−1,3,4
    −チアジアゾール−5−イル基又は低級アルキル
    チオカルボン酸残基を示し、R4は非置換のアリ
    ール基を示す。〕 で表わされる置換セフエム誘導体。 2 一般式 〔式中、R1は非置換のアリール基を示し、R2は、
    水素原子又はカルボキシル基の保護基を示す。
    R5は、置換もしくは非置換のアリール基又は置
    換もしくは非置換の芳香族複素環残基を示す。Y
    は、基−SR3又は−SO2R4を示し、R3は2−ベン
    ゾチアゾリル基、2−低級アルキル−1,3,4
    −チアジアゾール−5−イル基又は低級アルキル
    チオカルボン酸残基を示し、R4は非置換のアリ
    ール基を示す。〕 で表わされる化合物を、有機溶媒中、塩基と反応
    させることを特徴とする一般式 〔式中、R1、R2及びYは前記に同じ〕 で表わされる置換セフエム誘導体の製造法。
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