JPH0227825B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0227825B2 JPH0227825B2 JP56191114A JP19111481A JPH0227825B2 JP H0227825 B2 JPH0227825 B2 JP H0227825B2 JP 56191114 A JP56191114 A JP 56191114A JP 19111481 A JP19111481 A JP 19111481A JP H0227825 B2 JPH0227825 B2 JP H0227825B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- light
- main surface
- semiconductor substrate
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置に係り、特に同一半導体
基板上に太陽電池と機能素子とを備えた半導体装
置に関するものである。
基板上に太陽電池と機能素子とを備えた半導体装
置に関するものである。
従来この種の半導体装置としては例えば特開昭
54−83386号公報に示されるようなものがあつた。
第３図はこの特開昭54−83386号公報に示された
従来の半導体装置である。図において、１は半導
体基板、２はこの半導体基板の主面に直接形成さ
れたMOSトランジスタ、３はこのMOSトランジ
スタ２上に絶縁膜７を介して設けられた太陽電池
で、この太陽電池３は、Ｎ型多結晶Si中にＰ型不
純物を注入して形成したものである。しかしなが
ら、このような従来の半導体装置においては、本
来光を遮蔽すべき機能素子（以下、光遮蔽型の機
能素子と称す）であるMOSトランジスタ２上に
太陽電池３を設けるようにしているので、太陽電
池３に入射した光が上記MOSトランジスタ２に
到達しないように、太陽電池３を形成する多結晶
シリコンの膜厚を厚くしたり、或いは太陽電池３
と絶縁膜７の間に光遮蔽膜を形成しなければなら
ず、製造に時間がかかつたり、製造工程が増大し
たりする問題が有つた。また、上記従来例におい
てはMOSトランジスタ２上に太陽電池３を形成
することからして、この太陽電池には多結晶シリ
コン膜を用いなければならず、このように多結晶
シリコンを用いた太陽電池は光電変換効率が悪い
という問題点も有つた。
54−83386号公報に示されるようなものがあつた。
第３図はこの特開昭54−83386号公報に示された
従来の半導体装置である。図において、１は半導
体基板、２はこの半導体基板の主面に直接形成さ
れたMOSトランジスタ、３はこのMOSトランジ
スタ２上に絶縁膜７を介して設けられた太陽電池
で、この太陽電池３は、Ｎ型多結晶Si中にＰ型不
純物を注入して形成したものである。しかしなが
ら、このような従来の半導体装置においては、本
来光を遮蔽すべき機能素子（以下、光遮蔽型の機
能素子と称す）であるMOSトランジスタ２上に
太陽電池３を設けるようにしているので、太陽電
池３に入射した光が上記MOSトランジスタ２に
到達しないように、太陽電池３を形成する多結晶
シリコンの膜厚を厚くしたり、或いは太陽電池３
と絶縁膜７の間に光遮蔽膜を形成しなければなら
ず、製造に時間がかかつたり、製造工程が増大し
たりする問題が有つた。また、上記従来例におい
てはMOSトランジスタ２上に太陽電池３を形成
することからして、この太陽電池には多結晶シリ
コン膜を用いなければならず、このように多結晶
シリコンを用いた太陽電池は光電変換効率が悪い
という問題点も有つた。
この発明は上記のような問題点に鑑みてなされ
たもので、製造が容易でしかも太陽電池の変換効
率が良い半導体装置を得ることを目的とする。
たもので、製造が容易でしかも太陽電池の変換効
率が良い半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、半導体基板の一
方の主面に太陽電池を直接形成し、かつ他方の主
面に光遮蔽型の機能素子を設けたものである。
方の主面に太陽電池を直接形成し、かつ他方の主
面に光遮蔽型の機能素子を設けたものである。
以下、この発明の一実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第１図に本発明の一実施例によるデバイスを示
す。第２図はこのデバイスの回路図である。
す。第２図はこのデバイスの回路図である。
図において、１は半導体基板、２はこの半導体
基板１の一方の主面に形成された機能素子で、例
えばメモリ機能をもつデバイス、論理素子あるい
はCPUデバイス等の光を遮断して用いられるべ
き機能素子である。３はこの光遮蔽型の機能素子
１に対向して上記半導体基板１の他方の主面に設
けられた太陽電池で、この太陽電池３は基板１に
直接不純物を注入することによつて得られた、接
合の浅いpn接合型の太陽電池である。４はこの
太陽電池３の表面に設けられた反射防止膜であ
る。この反射防止膜４の裏面部は電流源としての
働きをなす。これを電圧源に変換し、例えばVcc
の電圧源として用い、表面の光遮蔽型の機能デバ
イス２を駆動する。電流源から電圧源への変換
は、裏面部で行なつても良いし、表面部で行なつ
てもよい。裏面に設けられた太陽電池３から表面
への内部配線５は例えば、裏面よりパツケージ６
へつなぎパツケージ６の内壁面を配線し、これか
ら表面部に接続することにより可能である。
基板１の一方の主面に形成された機能素子で、例
えばメモリ機能をもつデバイス、論理素子あるい
はCPUデバイス等の光を遮断して用いられるべ
き機能素子である。３はこの光遮蔽型の機能素子
１に対向して上記半導体基板１の他方の主面に設
けられた太陽電池で、この太陽電池３は基板１に
直接不純物を注入することによつて得られた、接
合の浅いpn接合型の太陽電池である。４はこの
太陽電池３の表面に設けられた反射防止膜であ
る。この反射防止膜４の裏面部は電流源としての
働きをなす。これを電圧源に変換し、例えばVcc
の電圧源として用い、表面の光遮蔽型の機能デバ
イス２を駆動する。電流源から電圧源への変換
は、裏面部で行なつても良いし、表面部で行なつ
てもよい。裏面に設けられた太陽電池３から表面
への内部配線５は例えば、裏面よりパツケージ６
へつなぎパツケージ６の内壁面を配線し、これか
ら表面部に接続することにより可能である。
このような本実施例装置では、一つの基板に光
遮蔽型の機能デバイスとこれを駆動する電源とを
簡単に内蔵でき、しかもこの際太陽電池に入射さ
れるべき光が光遮蔽型の機能デバイスに入射され
ることはなく、光遮蔽型の機能デバイスを機能面
で劣化させることもない。
遮蔽型の機能デバイスとこれを駆動する電源とを
簡単に内蔵でき、しかもこの際太陽電池に入射さ
れるべき光が光遮蔽型の機能デバイスに入射され
ることはなく、光遮蔽型の機能デバイスを機能面
で劣化させることもない。
また太陽電池は半導体基板に直接形成され、し
かも基板の主面全面にわたつて形成可能であるた
め、光電変換効率を高めることができる。
かも基板の主面全面にわたつて形成可能であるた
め、光電変換効率を高めることができる。
また光遮蔽型の機能素子と太陽電池を基板の同
一主面側に重ねて設けようとすると、光遮蔽膜を
設けるか、太陽電池を形成する多結晶Siを厚くす
ることが必要となるが、本実施例ではこのような
ことは不要であるため構造及び製造も簡単とな
る。
一主面側に重ねて設けようとすると、光遮蔽膜を
設けるか、太陽電池を形成する多結晶Siを厚くす
ることが必要となるが、本実施例ではこのような
ことは不要であるため構造及び製造も簡単とな
る。
以上のように本発明に係る半導体装置によれ
ば、基板の一主面に光遮蔽型の機能素子を、該一
主面と反対側の主面にその駆動源である太陽電池
を設けるようにしたので、光遮蔽型の機能素子の
機能を劣化させずに、かつ簡単な構造及び製造で
もつて多機能化デバイスを得ることができ、しか
もその光電変換効率を高くできる効果がある。
ば、基板の一主面に光遮蔽型の機能素子を、該一
主面と反対側の主面にその駆動源である太陽電池
を設けるようにしたので、光遮蔽型の機能素子の
機能を劣化させずに、かつ簡単な構造及び製造で
もつて多機能化デバイスを得ることができ、しか
もその光電変換効率を高くできる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２
図はその回路図、第３図は従来の半導体装置を示
す断面図である。１は基板、２は光遮蔽型の機能
デバイス、３は太陽電池、である。
図はその回路図、第３図は従来の半導体装置を示
す断面図である。１は基板、２は光遮蔽型の機能
デバイス、３は太陽電池、である。
Claims (1)
- １ 半導体基板、この半導体基板の一方の主面に
直接形成された太陽電池、この太陽電池に対向し
て上記半導体基板の他方の主面に形成され、かつ
上記太陽電池と電気的に接続された光遮蔽型の機
能素子を備えたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191114A JPS5890786A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191114A JPS5890786A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890786A JPS5890786A (ja) | 1983-05-30 |
| JPH0227825B2 true JPH0227825B2 (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=16269088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191114A Granted JPS5890786A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890786A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5450288A (en) * | 1977-09-28 | 1979-04-20 | Hokusan Kk | Solar battery |
| JPS5483386A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56191114A patent/JPS5890786A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5450288A (en) * | 1977-09-28 | 1979-04-20 | Hokusan Kk | Solar battery |
| JPS5483386A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5890786A (ja) | 1983-05-30 |
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