JPH02276A - β−ラクタム化合物の製造法 - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、優れた抗菌活性を有するβ−ラクタム化合物
の有用な光学活性合成中間体の製造法に関する。
の有用な光学活性合成中間体の製造法に関する。
(従来の技術)
従来、化合物(I)を還元し、医薬品としては、好まし
い光学活性な1β−メチル誘導体を合成する方法として
は、特開昭61−165365号公報記載の方法が知ら
れているが、β/αの比が、7.7/1〜1.1/1で
あり、立体選択性が悪く、工業的に生産を行なう場合に
、分離精製の工程等が必要となる。
い光学活性な1β−メチル誘導体を合成する方法として
は、特開昭61−165365号公報記載の方法が知ら
れているが、β/αの比が、7.7/1〜1.1/1で
あり、立体選択性が悪く、工業的に生産を行なう場合に
、分離精製の工程等が必要となる。
(当該発明が解決しようとする問題点)本発明者等は、
優れた抗菌活性を有するβ−ラクタム化合物の合成中間
体として、β−ラクタムの4位の側鎖が1−(ヒドロキ
シアルキル)エチレン誘導体である化合物の選択的な合
成法について、鋭意研究を行なった結果、本発明の方法
により、化合物(III)が優れた立体選択性かつ高収
率で得られること及び用いる触媒が再生使用可能である
こと等を見出し、本発明を完成した。
優れた抗菌活性を有するβ−ラクタム化合物の合成中間
体として、β−ラクタムの4位の側鎖が1−(ヒドロキ
シアルキル)エチレン誘導体である化合物の選択的な合
成法について、鋭意研究を行なった結果、本発明の方法
により、化合物(III)が優れた立体選択性かつ高収
率で得られること及び用いる触媒が再生使用可能である
こと等を見出し、本発明を完成した。
[構成]
本発明の新規なβ−ラクタム化合物の製造法は、一般式
[式中、R1及びR2は、水素原子又は水酸基の保護基
を示し、R3は、水素原子又はアミノ基の保護基を示す
。]で表わされるβ−ラクタム化合物を、 一般式 一般式 [式中、R4、R5及びR6は、同−又は異なって置換
されていてもよいアリール基、置換されていてもよい直
鎖若しくは分枝鎖の低級アルキル基又は置換されていて
もよい炭素数3乃至7個のシクロアルキル基を示す。]
で表わされる立体不斉ルテニウム化合物の存在下に、還
元することを特徴とする [式中、R1、R2及びR3は、前記と同意義を示す。
を示し、R3は、水素原子又はアミノ基の保護基を示す
。]で表わされるβ−ラクタム化合物を、 一般式 一般式 [式中、R4、R5及びR6は、同−又は異なって置換
されていてもよいアリール基、置換されていてもよい直
鎖若しくは分枝鎖の低級アルキル基又は置換されていて
もよい炭素数3乃至7個のシクロアルキル基を示す。]
で表わされる立体不斉ルテニウム化合物の存在下に、還
元することを特徴とする [式中、R1、R2及びR3は、前記と同意義を示す。
]で表わされる光学活性β−ラクタム化合物の製造法で
ある。
ある。
上記一般式において、
R1及びR2の定義における水酸基の保護基とは、反応
における保護基を示し、例えば、ホルミル、アセチル、
プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、ペンタノイル
、ピバロイル、バレリル、イソバレリル、オクタノイル
、ラウロイル、バルミトイル、ステアロイルのようなア
ルキルカルボニル基、クロロアセチル、ジクロロアセチ
ル、トリクロロアセチル、トリフルオロアセチルのよう
なハロゲン化アルキルカルボニル基、メトキシアセチル
のような低級アルコキシアルキルカルボニル基、(E)
−2−メチル−2−ブテノイルのような不飽和アルキル
カルボニル基等の脂肪族アシル基;ベンゾイル、α−ナ
フトイル、β−ナフトイルのようなアリールカルボニル
基、2−ブロモベンゾイル、4−クロロベンゾイルのよ
うなハロゲン化アリールカルボニル基、Z、4,6−ト
リメチルベンゾイル、4−トルオイルのような低級アル
キル化アリールカルボニル基、4−アニソイルのような
低級アルコキシ化アリールカルボニル基、4−ニトロベ
ンゾイル、2−ニトロベンゾイルのようなニトロ化アリ
ールカルボニル基、2−(メトキシカルボニル)ベンゾ
イルのような低級アルコキシカルボニル化アリールカル
ボニル基、4−フェニルベンゾイルのようなアリール化
アリールカルボニル基等の芳香族アシル基;テトラヒド
ロピラン−2−イル、3−ブロモテトラヒドロピラン−
2−イル、4−メトキシテトラヒドロピラン−4−イル
、テトラヒドロチオピラン−2−イル、4−メトキシテ
トラヒドロチオピラン−4−イルのようなテトラヒドロ
ピラニル又はテトラヒドロチオピラニル基;テトラヒド
ロフラン−2−イル、テトラヒドロチオフラン−2−イ
ルのようなテトラヒドロフラニル又はテトラヒドロチオ
フラニル基;トリメチルシリル、トリエチルシリル、イ
ソプロピルジメチルシリル、t−ブチルジメチルシリル
、メチルジイソプロピルシリル、メチルジ−t−ブチル
シリル、トリイソプロピルシリルのようなトリ低級アル
キルシリル基、ジフェニルメチルシリル、ジフェニルブ
チルシリル、ジフェニルイソプロピルシリル、フエニル
ジイソプロピルシリルのような1乃至2個のアリール基
で置換されたトリ低級アルキルシリル基等のシリル基;
メトキシメチル、1゜エージメチル−1−メトキシメチ
ル、エトキシメチル、プロポキシメチル、イソプロポキ
シメチル、ブトキシメチル、t−ブトキシメチルのよう
な低級アルコキシメチル基、2−メトキシエトキシメチ
ルのような低級アルコキシ化低級アルコキシメチル基、
2.2.2−トリクロロエトキシメチル、ビス(2−ク
ロロエトキシ)メチルのようなハロゲン化低級アルコキ
シメチル等のアルコキシメチル基;1−エトキシエチル
、■−メチルー1−メトキシエチル、1−(イソプロポ
キシ)エチルのような低級アルコキシ化エチル基、2,
2,2−トリクロロエチルのようなハロゲン化エチル基
、2−(フェニルゼレニル)エチルのようなアリールゼ
レニル化エチル基等の置換エチル基;ベンジル、フェネ
チル、3−フェニルプロピル、α−ナフチルメチル、β
−ナフチルメチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメ
チル、α−ナフチルジフェニルメチル、9−アンスリル
メチルのような1乃至3個のアリール基で置換された低
級アルキル基、4−メチルベンジル、2,4.6−トリ
メチルベンジル、3,4.5−トリメチルベンジル、4
−メトキシベンジル、4−メトキシフエニルジフェニル
メチル、2−ニトロベンジ、ル、4−ニトロベンジル、
4−クロロベンジル、4−ブロモベンジル、4−シアノ
ベンジル、4−シアノベンジルジフェニルメチル、ビス
(2−ニトロフェニル)メチル、ピペロニルのような低
級アルキル、低級アルコキシ、ニトロ、ハロゲン、シア
ノ基でアリール環が置換された1乃至3個のアリール基
で置換された低級アルキル基等のアラルキル基;メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、t−ブトキシカル
ボニル、イソブトキシカルボニルのような低級アルコキ
シカルボニル基、2゜z、z−トリクロロエトキシカル
ボニル、2−トリメチルシリルエトキシカルボニルのよ
うなハロゲン又はトリ低級アルキルシリル基で置換され
た低級アルコキシカルボニル基等のアルコキシカルボニ
ル基;ビニルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニ
ルのようなアルケニルオキシカルボニル基;ベンジルオ
キシカルボニル、4−メトキシベンジルオキシカルボニ
ル、3,4−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、2
−ニトロベンジルオキシカルボニル、4−ニトロベンジ
ルオキシカルボニルのような、■乃至2個の低級アルコ
キシ又はニトロ基でアリール環が置換されていてもよい
アラルキルオキシカルボニル基のような反応における保
護基を拳げることかでき、好適には、シリル基である。
における保護基を示し、例えば、ホルミル、アセチル、
プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、ペンタノイル
、ピバロイル、バレリル、イソバレリル、オクタノイル
、ラウロイル、バルミトイル、ステアロイルのようなア
ルキルカルボニル基、クロロアセチル、ジクロロアセチ
ル、トリクロロアセチル、トリフルオロアセチルのよう
なハロゲン化アルキルカルボニル基、メトキシアセチル
のような低級アルコキシアルキルカルボニル基、(E)
−2−メチル−2−ブテノイルのような不飽和アルキル
カルボニル基等の脂肪族アシル基;ベンゾイル、α−ナ
フトイル、β−ナフトイルのようなアリールカルボニル
基、2−ブロモベンゾイル、4−クロロベンゾイルのよ
うなハロゲン化アリールカルボニル基、Z、4,6−ト
リメチルベンゾイル、4−トルオイルのような低級アル
キル化アリールカルボニル基、4−アニソイルのような
低級アルコキシ化アリールカルボニル基、4−ニトロベ
ンゾイル、2−ニトロベンゾイルのようなニトロ化アリ
ールカルボニル基、2−(メトキシカルボニル)ベンゾ
イルのような低級アルコキシカルボニル化アリールカル
ボニル基、4−フェニルベンゾイルのようなアリール化
アリールカルボニル基等の芳香族アシル基;テトラヒド
ロピラン−2−イル、3−ブロモテトラヒドロピラン−
2−イル、4−メトキシテトラヒドロピラン−4−イル
、テトラヒドロチオピラン−2−イル、4−メトキシテ
トラヒドロチオピラン−4−イルのようなテトラヒドロ
ピラニル又はテトラヒドロチオピラニル基;テトラヒド
ロフラン−2−イル、テトラヒドロチオフラン−2−イ
ルのようなテトラヒドロフラニル又はテトラヒドロチオ
フラニル基;トリメチルシリル、トリエチルシリル、イ
ソプロピルジメチルシリル、t−ブチルジメチルシリル
、メチルジイソプロピルシリル、メチルジ−t−ブチル
シリル、トリイソプロピルシリルのようなトリ低級アル
キルシリル基、ジフェニルメチルシリル、ジフェニルブ
チルシリル、ジフェニルイソプロピルシリル、フエニル
ジイソプロピルシリルのような1乃至2個のアリール基
で置換されたトリ低級アルキルシリル基等のシリル基;
メトキシメチル、1゜エージメチル−1−メトキシメチ
ル、エトキシメチル、プロポキシメチル、イソプロポキ
シメチル、ブトキシメチル、t−ブトキシメチルのよう
な低級アルコキシメチル基、2−メトキシエトキシメチ
ルのような低級アルコキシ化低級アルコキシメチル基、
2.2.2−トリクロロエトキシメチル、ビス(2−ク
ロロエトキシ)メチルのようなハロゲン化低級アルコキ
シメチル等のアルコキシメチル基;1−エトキシエチル
、■−メチルー1−メトキシエチル、1−(イソプロポ
キシ)エチルのような低級アルコキシ化エチル基、2,
2,2−トリクロロエチルのようなハロゲン化エチル基
、2−(フェニルゼレニル)エチルのようなアリールゼ
レニル化エチル基等の置換エチル基;ベンジル、フェネ
チル、3−フェニルプロピル、α−ナフチルメチル、β
−ナフチルメチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメ
チル、α−ナフチルジフェニルメチル、9−アンスリル
メチルのような1乃至3個のアリール基で置換された低
級アルキル基、4−メチルベンジル、2,4.6−トリ
メチルベンジル、3,4.5−トリメチルベンジル、4
−メトキシベンジル、4−メトキシフエニルジフェニル
メチル、2−ニトロベンジ、ル、4−ニトロベンジル、
4−クロロベンジル、4−ブロモベンジル、4−シアノ
ベンジル、4−シアノベンジルジフェニルメチル、ビス
(2−ニトロフェニル)メチル、ピペロニルのような低
級アルキル、低級アルコキシ、ニトロ、ハロゲン、シア
ノ基でアリール環が置換された1乃至3個のアリール基
で置換された低級アルキル基等のアラルキル基;メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、t−ブトキシカル
ボニル、イソブトキシカルボニルのような低級アルコキ
シカルボニル基、2゜z、z−トリクロロエトキシカル
ボニル、2−トリメチルシリルエトキシカルボニルのよ
うなハロゲン又はトリ低級アルキルシリル基で置換され
た低級アルコキシカルボニル基等のアルコキシカルボニ
ル基;ビニルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニ
ルのようなアルケニルオキシカルボニル基;ベンジルオ
キシカルボニル、4−メトキシベンジルオキシカルボニ
ル、3,4−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、2
−ニトロベンジルオキシカルボニル、4−ニトロベンジ
ルオキシカルボニルのような、■乃至2個の低級アルコ
キシ又はニトロ基でアリール環が置換されていてもよい
アラルキルオキシカルボニル基のような反応における保
護基を拳げることかでき、好適には、シリル基である。
R3の定義におけるアミノ基の保護基とは、通常アミノ
基の保護基として使用されるものであれば限定はないが
、好適には、例えば、前記脂肪族アシル基;前記芳香族
アシル基;前記アルコキシカルボニル基;前記アルケニ
ルオキシカルボニル基;前記「1乃至2個の低級アルコ
キシ又はニトロ基でアリール環が置換されていてもよい
アラルキルオキシカルボニル基」 ;前記シリル基又は
後記アルキル基である。
基の保護基として使用されるものであれば限定はないが
、好適には、例えば、前記脂肪族アシル基;前記芳香族
アシル基;前記アルコキシカルボニル基;前記アルケニ
ルオキシカルボニル基;前記「1乃至2個の低級アルコ
キシ又はニトロ基でアリール環が置換されていてもよい
アラルキルオキシカルボニル基」 ;前記シリル基又は
後記アルキル基である。
R4、R5及びR6の定義における「置換されていても
よいアリール基」とは、アリール基の環上に、■乃至4
個の下記より選択される置換基を有していてもよいアリ
ール基を示す。アリール基としては、例えばフェニル、
ナフチルのような炭素数6乃至10個の芳香族炭化水素
基を挙げることができ、好適にはフェニル基である。該
環上の置換基としては、アミノ基:ニトロ基;シアノ基
;後記低級アルキル、後記ハロゲノ低級アルキル又は前
記アラルキルで置換されていてもよいカルボキシ基;カ
ルバモイル基:弗素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原
子のようなハロゲン原子;後記低級アルキル基;メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ
、t−ブトキシのような低級アルコキシ基;後記ハロゲ
ノ低級アルキル基;前記脂肪族アシル基及びメチレンジ
オキシ、エチレンジオキシ、プロピレンジオキシのよう
な炭素数1乃至4個のアルキレンジオキシ基を挙げるこ
とができ、好適には、低級アルキル基、ハロゲン原子又
はハロゲン化低級アルキル基である。
よいアリール基」とは、アリール基の環上に、■乃至4
個の下記より選択される置換基を有していてもよいアリ
ール基を示す。アリール基としては、例えばフェニル、
ナフチルのような炭素数6乃至10個の芳香族炭化水素
基を挙げることができ、好適にはフェニル基である。該
環上の置換基としては、アミノ基:ニトロ基;シアノ基
;後記低級アルキル、後記ハロゲノ低級アルキル又は前
記アラルキルで置換されていてもよいカルボキシ基;カ
ルバモイル基:弗素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原
子のようなハロゲン原子;後記低級アルキル基;メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ
、t−ブトキシのような低級アルコキシ基;後記ハロゲ
ノ低級アルキル基;前記脂肪族アシル基及びメチレンジ
オキシ、エチレンジオキシ、プロピレンジオキシのよう
な炭素数1乃至4個のアルキレンジオキシ基を挙げるこ
とができ、好適には、低級アルキル基、ハロゲン原子又
はハロゲン化低級アルキル基である。
「置換されていてもよいアリール基」としては、好適に
は、フェニル、ナフチルのようなアリール基;2−フル
オロフェニル、3−フルオロフェニル、4−フルオロフ
ェニル、2−クロロフェニル、3−クロロフェニル、4
−クロロフェニル、2−ブロモフェニル、3−ブロモフ
ェニル、4−ブロモフェニル、3,5−ジフルオロフェ
ニル、2,5−ジフルオロフェニルζ2.6−ジフルオ
ロフェニル、2,4−ジフルオロフェニル、3,5−ジ
ブロモフェニル、2,5−ジブロモフェニル、2.6−
ジクロロフェニル、2,4−ジクロロフェニル、2,3
.ロートリフルオロフェニル、2,3,4− トリフル
オロフェニル、3,4.5−トリフルオロフェニル、2
.5.ロートリフルオロフェニル、2,4.ロートリフ
ルオロフェニル、2,3.6−トリブロモフェニル、2
,3,4−トリブロモフェニル、3,4.5− トリブ
ロモフェニル、2ア5,6−トリクロロフエニル、2,
4,6−トリクロロフエニルのようなハロゲン原子で置
換されたアリール基;2−トリフルオロメチルフェニル
、3−トリフルオロメチルフェニル、4−トリフルオロ
メチルフェニル、2−トリクロロメチルフェニル、3−
ジクロロメチルフェニル、4−トリクロロメチルフェニ
ル、2−トリブロモメチルフェニル、3−ジブロモメチ
ルフェニル、4−ジブロモメチルフェニル、3,5−ビ
ストリフルオロメチルフェニル、2,5−ビストリフル
オロメチルフェニル、2,6−ビストリフルオロメチル
フェニル、2,4−ビストリフルオロメチルフェニル、
3,5−ビストリブロモメチルフェニル、2,5−ビス
ジブロモメチルフェニル、2,6−ビスジクロロメチル
メチルフェニル、2,4−ビスジクロロメチルフェニル
、Z、3.6−トリストリフルオロメチルフェニル、2
.3.4−トリストリフルオロメチルフェニル、3,4
゜5−トリストリフルオロメチルフェニル、2,5,6
−1−・リストリフルオロメチルフェニル、2,4.6
−トリストリフルオロメチルフェニル、2,3.6−ト
リストリブロモメチルフェニル、2,3,4−トリスジ
ブロモメチルフェニル、3,4,5−トリストリブロモ
メチルフェニル、Z、5.6−トリスジクロロメチルメ
チルフエニル、2,4.6−トリスジクロロメチルフエ
ニルのようなハロゲノ低級アルキル基で置換されたアリ
ール基;2−メチルフェニル、3−メチルフェニル、4
−メチルフェニル、2−エチルフェニル、3−プロピル
フェニル、4−エチルフェニル、2−ブチルフェニル、
3−ペンチルフェニル、4−ペンチルフェニル、3,5
−ジメチルフェニル、2,5−ジメチルフェニル、2,
6−ジメチルフェニル、2,4−ジメチルフェニル、3
,5−ジブチルフェニル、2,5−ジブチルフェニル、
2,6−ジプロピルメチルフェニル、2,4−ジプロピ
ルフェニル、2,3.6−トリメチルフェニル、2,3
.4− トリメチルフェニル、3,4,5−トリメチル
フェニル、2,5゜6−トリメチルフェニル、2,4.
6−トリメチルフェニル、2,3.6−トリブチルフェ
ニル、Z、3,4−トリペンチルフェニル、3,4.5
−トリブチルフェニル、2,5゜6−トリプロビルメチ
ルフエニル、2,4,6−トリプロビルフエニルのよう
な低級アルキル基で置換されたアリール基;2−メトキ
シフェニル、3−メトキシフェニル、4−メトキシフェ
ニル、2−エトキシフェニル、3−プロポキシフェニル
、4−エトキシフェニル、2−ブトキシフェニル、3−
ペントキシフェニル、4−ペントキシフェニル、3,5
−ジメトキシフェニル、2.5−ジメトキシフェニル、
2,6−ジメトキシフェニル、2.4−ジメトキシフェ
ニル、3,5−ジブトキシフェニル、2,5−ジニトロ
フェニル、2,6−ジプロポキシメトキシフェニル、2
,4−ジプロポキシフェニル、2,3.6−トリメトキ
シフェニル、2,3.4−トリメトキシフェニル、3,
4.5−トリメトキシフェニル、2.5.6−トリメト
キシフェニル、2,4.6−トリメトキシフェニル、2
,3,6−トリブトキシフェニル、2,3゜4−トリペ
ントキシフェニル、3,4,5−トリブトキシフェニル
、2,5.6−トリプロポキシフエニル、2,4゜6−
トリプロポキシフエニルのような低級アルコキシ基で置
換されたアリール基;2−アミノフェニル、3−アミノ
フェニル、4−アミノフェニル、3,5−ジアミノフェ
ニル、2,5−ジアミノフェニル、2,6−ジアミノフ
ェニル、2,4−ジアミノフェニルのようなアミノ基で
置換されたアリール基;2−ニトロフェニル、3−二ト
ロフェニル、4−ニトロフェニル、3,5−ジニトロフ
ェニル、2,5−ジニトロフェニル、2,6−ジニトロ
フェニル、2,4−ジニトロフェニルのヨウなニトロ基
で置換されたアリール基;2−シアノフェニル、3−シ
アノフェニル、4−シアノフェニル、3゜5−ジシアノ
フェニル、2,5−ジシアノフェニル、2゜6−ジシア
ノフェニル、2,4−ジシアノフェニルのようなシアノ
基で置換されたアリール基;2−アセチルフェニル、3
−アセチルフェニル、4−アセチルフェニル、3,5−
ジアセチルフェニル、2,5−ジアセチルフェニル、2
,6−ジアセチルフェニル、2,4−ジアセチルフェニ
ル、2,3.6−トリプロピオニルフエニルのような脂
肪族アシル基で置換されたアリール基;2−カルボキシ
フェニル、3−カルボキシフェニル、4−カルボキシフ
ェニルのようなカルボキシ基で置換されたアリール基;
2−カルバモイルフェニル、3−カルバモイルフェニル
、4−カルバモイルフェニル、3,5−ジカルバモイル
フェニル、2,5−ジカルバモイルフェニル、2,6−
ジカルバモイルフエニル、2.4−ジカルバモイルフェ
ニルのようなカルバモイル基で置換されたアリール基;
3,4−メチレンジオキシフェニルのようなアルキレン
ジオキシ基で置換されたアリール基を拳ぼることができ
る。
は、フェニル、ナフチルのようなアリール基;2−フル
オロフェニル、3−フルオロフェニル、4−フルオロフ
ェニル、2−クロロフェニル、3−クロロフェニル、4
−クロロフェニル、2−ブロモフェニル、3−ブロモフ
ェニル、4−ブロモフェニル、3,5−ジフルオロフェ
ニル、2,5−ジフルオロフェニルζ2.6−ジフルオ
ロフェニル、2,4−ジフルオロフェニル、3,5−ジ
ブロモフェニル、2,5−ジブロモフェニル、2.6−
ジクロロフェニル、2,4−ジクロロフェニル、2,3
.ロートリフルオロフェニル、2,3,4− トリフル
オロフェニル、3,4.5−トリフルオロフェニル、2
.5.ロートリフルオロフェニル、2,4.ロートリフ
ルオロフェニル、2,3.6−トリブロモフェニル、2
,3,4−トリブロモフェニル、3,4.5− トリブ
ロモフェニル、2ア5,6−トリクロロフエニル、2,
4,6−トリクロロフエニルのようなハロゲン原子で置
換されたアリール基;2−トリフルオロメチルフェニル
、3−トリフルオロメチルフェニル、4−トリフルオロ
メチルフェニル、2−トリクロロメチルフェニル、3−
ジクロロメチルフェニル、4−トリクロロメチルフェニ
ル、2−トリブロモメチルフェニル、3−ジブロモメチ
ルフェニル、4−ジブロモメチルフェニル、3,5−ビ
ストリフルオロメチルフェニル、2,5−ビストリフル
オロメチルフェニル、2,6−ビストリフルオロメチル
フェニル、2,4−ビストリフルオロメチルフェニル、
3,5−ビストリブロモメチルフェニル、2,5−ビス
ジブロモメチルフェニル、2,6−ビスジクロロメチル
メチルフェニル、2,4−ビスジクロロメチルフェニル
、Z、3.6−トリストリフルオロメチルフェニル、2
.3.4−トリストリフルオロメチルフェニル、3,4
゜5−トリストリフルオロメチルフェニル、2,5,6
−1−・リストリフルオロメチルフェニル、2,4.6
−トリストリフルオロメチルフェニル、2,3.6−ト
リストリブロモメチルフェニル、2,3,4−トリスジ
ブロモメチルフェニル、3,4,5−トリストリブロモ
メチルフェニル、Z、5.6−トリスジクロロメチルメ
チルフエニル、2,4.6−トリスジクロロメチルフエ
ニルのようなハロゲノ低級アルキル基で置換されたアリ
ール基;2−メチルフェニル、3−メチルフェニル、4
−メチルフェニル、2−エチルフェニル、3−プロピル
フェニル、4−エチルフェニル、2−ブチルフェニル、
3−ペンチルフェニル、4−ペンチルフェニル、3,5
−ジメチルフェニル、2,5−ジメチルフェニル、2,
6−ジメチルフェニル、2,4−ジメチルフェニル、3
,5−ジブチルフェニル、2,5−ジブチルフェニル、
2,6−ジプロピルメチルフェニル、2,4−ジプロピ
ルフェニル、2,3.6−トリメチルフェニル、2,3
.4− トリメチルフェニル、3,4,5−トリメチル
フェニル、2,5゜6−トリメチルフェニル、2,4.
6−トリメチルフェニル、2,3.6−トリブチルフェ
ニル、Z、3,4−トリペンチルフェニル、3,4.5
−トリブチルフェニル、2,5゜6−トリプロビルメチ
ルフエニル、2,4,6−トリプロビルフエニルのよう
な低級アルキル基で置換されたアリール基;2−メトキ
シフェニル、3−メトキシフェニル、4−メトキシフェ
ニル、2−エトキシフェニル、3−プロポキシフェニル
、4−エトキシフェニル、2−ブトキシフェニル、3−
ペントキシフェニル、4−ペントキシフェニル、3,5
−ジメトキシフェニル、2.5−ジメトキシフェニル、
2,6−ジメトキシフェニル、2.4−ジメトキシフェ
ニル、3,5−ジブトキシフェニル、2,5−ジニトロ
フェニル、2,6−ジプロポキシメトキシフェニル、2
,4−ジプロポキシフェニル、2,3.6−トリメトキ
シフェニル、2,3.4−トリメトキシフェニル、3,
4.5−トリメトキシフェニル、2.5.6−トリメト
キシフェニル、2,4.6−トリメトキシフェニル、2
,3,6−トリブトキシフェニル、2,3゜4−トリペ
ントキシフェニル、3,4,5−トリブトキシフェニル
、2,5.6−トリプロポキシフエニル、2,4゜6−
トリプロポキシフエニルのような低級アルコキシ基で置
換されたアリール基;2−アミノフェニル、3−アミノ
フェニル、4−アミノフェニル、3,5−ジアミノフェ
ニル、2,5−ジアミノフェニル、2,6−ジアミノフ
ェニル、2,4−ジアミノフェニルのようなアミノ基で
置換されたアリール基;2−ニトロフェニル、3−二ト
ロフェニル、4−ニトロフェニル、3,5−ジニトロフ
ェニル、2,5−ジニトロフェニル、2,6−ジニトロ
フェニル、2,4−ジニトロフェニルのヨウなニトロ基
で置換されたアリール基;2−シアノフェニル、3−シ
アノフェニル、4−シアノフェニル、3゜5−ジシアノ
フェニル、2,5−ジシアノフェニル、2゜6−ジシア
ノフェニル、2,4−ジシアノフェニルのようなシアノ
基で置換されたアリール基;2−アセチルフェニル、3
−アセチルフェニル、4−アセチルフェニル、3,5−
ジアセチルフェニル、2,5−ジアセチルフェニル、2
,6−ジアセチルフェニル、2,4−ジアセチルフェニ
ル、2,3.6−トリプロピオニルフエニルのような脂
肪族アシル基で置換されたアリール基;2−カルボキシ
フェニル、3−カルボキシフェニル、4−カルボキシフ
ェニルのようなカルボキシ基で置換されたアリール基;
2−カルバモイルフェニル、3−カルバモイルフェニル
、4−カルバモイルフェニル、3,5−ジカルバモイル
フェニル、2,5−ジカルバモイルフェニル、2,6−
ジカルバモイルフエニル、2.4−ジカルバモイルフェ
ニルのようなカルバモイル基で置換されたアリール基;
3,4−メチレンジオキシフェニルのようなアルキレン
ジオキシ基で置換されたアリール基を拳ぼることができ
る。
R4、R5及びRGの定義における「置換されていても
よい直鎖若しくは分枝鎖の低級アルキル基」とは、低級
アルキル基又はハロゲノ低級アルキル基を示す。低級ア
ルキル基とは、例えば、メチル。
よい直鎖若しくは分枝鎖の低級アルキル基」とは、低級
アルキル基又はハロゲノ低級アルキル基を示す。低級ア
ルキル基とは、例えば、メチル。
エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イ
ソブチル、S−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、イ
ソペンチル、2−メチルブチル、ネオペンチル、ローヘ
キシル、4−メチルペンチル、3−メチルペンチル、2
−メチルペンチル、3,3−ジメチルブチル、2゜2−
ジメチルブチル、1.エージメチルブチル、1,2−ジ
メチルブチル、1,3−ジメチルブチル、2,3−ジメ
チルブチルのような炭素数1乃至6個の直鎖若しくは分
枝鎖アルキル基を拳げることかでき、好適には、炭素数
1乃至4個の直鎖若しくは分枝鎖アルキル基である。ハ
ロゲノ低級アルキル基としては、例えば、トリフルオロ
メチル リブロモメチル、ジフルオロメチル、ジクロロメチル、
フルオロメチル、ゾロロメチル、2,2.2−トリフル
オロエチル、n−トリフルオロプロピル、2−トリフル
オロメチルブチル、4−トリフルオロメチルペンチル、
3−トリフルオロメチルペンチル、2−トリフルオロメ
チルペンチル、3.3−トリフルオロジメチルブチルの
ような炭素数1乃至6個の直鎖若しくは分枝鎖ハロゲノ
アルキル基を拳げることかでき、好適には炭素数1乃至
4個の直鎖若しくは分枝鎖ハロゲノアルキル基である。
ソブチル、S−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、イ
ソペンチル、2−メチルブチル、ネオペンチル、ローヘ
キシル、4−メチルペンチル、3−メチルペンチル、2
−メチルペンチル、3,3−ジメチルブチル、2゜2−
ジメチルブチル、1.エージメチルブチル、1,2−ジ
メチルブチル、1,3−ジメチルブチル、2,3−ジメ
チルブチルのような炭素数1乃至6個の直鎖若しくは分
枝鎖アルキル基を拳げることかでき、好適には、炭素数
1乃至4個の直鎖若しくは分枝鎖アルキル基である。ハ
ロゲノ低級アルキル基としては、例えば、トリフルオロ
メチル リブロモメチル、ジフルオロメチル、ジクロロメチル、
フルオロメチル、ゾロロメチル、2,2.2−トリフル
オロエチル、n−トリフルオロプロピル、2−トリフル
オロメチルブチル、4−トリフルオロメチルペンチル、
3−トリフルオロメチルペンチル、2−トリフルオロメ
チルペンチル、3.3−トリフルオロジメチルブチルの
ような炭素数1乃至6個の直鎖若しくは分枝鎖ハロゲノ
アルキル基を拳げることかでき、好適には炭素数1乃至
4個の直鎖若しくは分枝鎖ハロゲノアルキル基である。
尚、基自体として好適には、炭素数1乃至4個のアルキ
ル基である。
ル基である。
R4、R5及びR6の定義における「置換されていても
よい炭素数3乃至7個のシクロアルキル基」とは、シク
ロアルキル基の環上に、前記[置換されていてもよいア
リール基]において記載した置換基より選択される置換
基が1乃至4個有していてもよいシクロアルキル基を示
す。シクロアルキル基とは、シクロプロピル、シクロブ
チル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ルのような3乃至7員環状飽和炭化水素基を示し、好適
には5乃至7員環状飽和炭化水素基である。
よい炭素数3乃至7個のシクロアルキル基」とは、シク
ロアルキル基の環上に、前記[置換されていてもよいア
リール基]において記載した置換基より選択される置換
基が1乃至4個有していてもよいシクロアルキル基を示
す。シクロアルキル基とは、シクロプロピル、シクロブ
チル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ルのような3乃至7員環状飽和炭化水素基を示し、好適
には5乃至7員環状飽和炭化水素基である。
本発明は、化合物(I)を溶媒に溶かし、脱気させ、こ
の溶液にルテニウム化合物(II)の脱気溶液を加え、
更にこの溶液を脱気した後、オートクレーブ中で、高圧
水素ガス雰囲気にて攪拌下、接触還元することにより達
成される。
の溶液にルテニウム化合物(II)の脱気溶液を加え、
更にこの溶液を脱気した後、オートクレーブ中で、高圧
水素ガス雰囲気にて攪拌下、接触還元することにより達
成される。
使用される溶媒としては、反応を阻害しないものであれ
ば特に限定はないが、好適には、メタノール、エタノー
ルのようなアルコール類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンのような芳香族炭化水素類;エーテル、ジメトキシエ
タン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラ
ヒドロフランのようなエーテル類;ジクロロメタン、ク
ロロホルムのようなハロゲン化炭化水素類及びこれらの
混合溶媒を拳げることかでき、更に好適には、アルコー
ル類又はアルコール類と上記他の溶媒との混合溶媒であ
る。
ば特に限定はないが、好適には、メタノール、エタノー
ルのようなアルコール類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンのような芳香族炭化水素類;エーテル、ジメトキシエ
タン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラ
ヒドロフランのようなエーテル類;ジクロロメタン、ク
ロロホルムのようなハロゲン化炭化水素類及びこれらの
混合溶媒を拳げることかでき、更に好適には、アルコー
ル類又はアルコール類と上記他の溶媒との混合溶媒であ
る。
使用されるルテニウム化合物としては、前記定義された
化合物であれば特に限定はないが、好適には、−紋穴(
II)において、 (1)R4が、置換されていてもよいアリール基である
化合物 R4が、フェニル又はトリルである化合物R5及びR6
が同−又は異なって、置換されていてもよい直鎖若しく
は分枝鎖の低級アルキル基である化合物 (4) R’及びR6が同−又は異なって、ハロゲン
原子で置換されていてもよい直鎖若しくは分枝鎖の炭素
数1乃至4個のアルキル基である化合物 (5)R5及びR6が同−又は異なって、メチル、t−
ブチル又はトリフルオロメチルである化合物 (6)R4が、置換されていてもよいアリール基であり
、R5及びR6が同−又は異なって、置換されていても
よい直鎖若しくは分枝鎖の低級アルキル基である化合物 (7)R4が、置換されていてもよいアリール基であり
、R5及びR6が同−又は異なって、ハロゲン原子で置
換されていてもよい直鎖若しくは分枝鎖の炭素数1乃至
4個のアルキル基である化合物 (8)R4が、置換されていてもよいアリール基であり
、R5及びR6が同−又は異なって、メチル、t−ブチ
ル又はトリフルオロメチルである化合物 (9) R4が、フェニル又はトリルであり、R5及
びR6が同−又は異なって、置換されていてもよい直鎖
若しくは分枝鎖の低級アルキル基である化合物 (10) R4が、フェニル又はトリルであり、R5
及びR6が同−又は異なって、ハロゲン原子で置換され
ていてもよい直鎖若しくは分枝鎖の炭素数1乃至4個の
アルキル基である化合物 (11) R4が、フェニル又はトリルであり、R5
及びR6が同−又は異なって、メチル、t−ブチル又は
トリフルオロメチルである化合物 を拳げることかできる。
化合物であれば特に限定はないが、好適には、−紋穴(
II)において、 (1)R4が、置換されていてもよいアリール基である
化合物 R4が、フェニル又はトリルである化合物R5及びR6
が同−又は異なって、置換されていてもよい直鎖若しく
は分枝鎖の低級アルキル基である化合物 (4) R’及びR6が同−又は異なって、ハロゲン
原子で置換されていてもよい直鎖若しくは分枝鎖の炭素
数1乃至4個のアルキル基である化合物 (5)R5及びR6が同−又は異なって、メチル、t−
ブチル又はトリフルオロメチルである化合物 (6)R4が、置換されていてもよいアリール基であり
、R5及びR6が同−又は異なって、置換されていても
よい直鎖若しくは分枝鎖の低級アルキル基である化合物 (7)R4が、置換されていてもよいアリール基であり
、R5及びR6が同−又は異なって、ハロゲン原子で置
換されていてもよい直鎖若しくは分枝鎖の炭素数1乃至
4個のアルキル基である化合物 (8)R4が、置換されていてもよいアリール基であり
、R5及びR6が同−又は異なって、メチル、t−ブチ
ル又はトリフルオロメチルである化合物 (9) R4が、フェニル又はトリルであり、R5及
びR6が同−又は異なって、置換されていてもよい直鎖
若しくは分枝鎖の低級アルキル基である化合物 (10) R4が、フェニル又はトリルであり、R5
及びR6が同−又は異なって、ハロゲン原子で置換され
ていてもよい直鎖若しくは分枝鎖の炭素数1乃至4個の
アルキル基である化合物 (11) R4が、フェニル又はトリルであり、R5
及びR6が同−又は異なって、メチル、t−ブチル又は
トリフルオロメチルである化合物 を拳げることかできる。
最も好適には、
及び
の化合物である。
尚、ルテニウム化合物の量は、多量に使用しても問題は
ないが、通常、β−ラクタム化合物(I)に対して1/
100〜11500モルを用いることによって実施され
る。
ないが、通常、β−ラクタム化合物(I)に対して1/
100〜11500モルを用いることによって実施され
る。
反応圧力は、通常、O〜120気圧で行なわれるが、好
適には1〜110気圧であり、β/α選択性を向上させ
るためには、水素圧は低い方が良好である。
適には1〜110気圧であり、β/α選択性を向上させ
るためには、水素圧は低い方が良好である。
反応温度は、通常0℃乃至50℃で行なわれるが、好適
には、10℃乃至40℃である。
には、10℃乃至40℃である。
反応時間は、主に反応圧力、反応温度、原料化合物、及
び使用される溶媒の種類によって異なるが、通常1時間
乃至4日間である。
び使用される溶媒の種類によって異なるが、通常1時間
乃至4日間である。
反応終了後、目的化合物(III)は常法に従って、反
応混合物から採取される。例えば、反応混合物に水と混
和しない有機溶媒を加え、水洗後、溶剤を留去すること
によって得られる。得られた目的化合物は必要ならば、
常法、例えば再結晶、再沈殿又はクロマトグラフィー等
によって更に精製できる。
応混合物から採取される。例えば、反応混合物に水と混
和しない有機溶媒を加え、水洗後、溶剤を留去すること
によって得られる。得られた目的化合物は必要ならば、
常法、例えば再結晶、再沈殿又はクロマトグラフィー等
によって更に精製できる。
本発明の原料化合物(I)は、公知化合物であり、例え
ば、特開昭61−109765号公報又は特開昭61−
165365号公報記載の方法に従って以下に示す工程
により製造される。
ば、特開昭61−109765号公報又は特開昭61−
165365号公報記載の方法に従って以下に示す工程
により製造される。
上記式中 R1、R′l及びR3は前記と同意義を示す
。R7は、フェニル、トリルのようなアリール基を示し
、好適にはトリル基である。
。R7は、フェニル、トリルのようなアリール基を示し
、好適にはトリル基である。
一方、光学活性なルテニウム化合物(II)は、例えば
、野依ら[ジャーナルオブオーガニックケミストリー、
51,629、(1986年)及びジャーナルオブアメ
リカン ケミカル ソサイエティー、108,7117
−7119、(1986年)コの方法に従って、原料と
して光学活性なルテニウム化合物を用い、有機酸塩をメ
タノール、エタノール、L−ブタノールのようなアルコ
ール類の溶媒中で、20〜110℃の温度で3〜15時
間反応させた後、溶媒を留去して、エーテル、テトラヒ
ドロフランのようなエーテル類又はメタノール、エタノ
ール、t−ブタノールのようなアルコール類の溶媒で抽
出後、乾固することにより得ることができ、更に、再結
晶することにより、精製品を得ることができる。
、野依ら[ジャーナルオブオーガニックケミストリー、
51,629、(1986年)及びジャーナルオブアメ
リカン ケミカル ソサイエティー、108,7117
−7119、(1986年)コの方法に従って、原料と
して光学活性なルテニウム化合物を用い、有機酸塩をメ
タノール、エタノール、L−ブタノールのようなアルコ
ール類の溶媒中で、20〜110℃の温度で3〜15時
間反応させた後、溶媒を留去して、エーテル、テトラヒ
ドロフランのようなエーテル類又はメタノール、エタノ
ール、t−ブタノールのようなアルコール類の溶媒で抽
出後、乾固することにより得ることができ、更に、再結
晶することにより、精製品を得ることができる。
以下に、実施例及び参考例をあげて本発明を更に具体的
に説明する。
に説明する。
操作は全てアルゴン気流下で行なった。減圧上加熱乾燥
し、系内をアルゴン置換した5 mllシュシンク反応
管に(3S、 4S)−3−[(IR)−1−t −ブ
チルジメチルシリルオキシエチル]−4−(1−ヒドロ
キシメチルエチニル)−アゼチジン−2−オン(25m
g、 87μmol)と脱気メタノール(2,5ml)
を加えて、3回凍結脱気を行なった。この基質溶液に、 を有するルテニウム化合物(0,5mg、 0.59μ
mol)を加えて、2回凍結脱気した。減圧乾燥し、系
内をアルゴン置換した内部にガラス管を有するステンレ
スオートクレーブ中に、アルゴン圧を利用し、キャニス
ラーで移した。反応容器内を純度99.99999%の
水素を加えて、開始水素圧100気圧、28℃で15時
間攪拌した。圧力を解放後、濃黄色の反応溶液を減圧上
溶媒を留去し、粗生成物(26mg)を得た。270
M)(zのプロトンNMR分析により、目的化合物を、
変換率が100%で得ることができた。
し、系内をアルゴン置換した5 mllシュシンク反応
管に(3S、 4S)−3−[(IR)−1−t −ブ
チルジメチルシリルオキシエチル]−4−(1−ヒドロ
キシメチルエチニル)−アゼチジン−2−オン(25m
g、 87μmol)と脱気メタノール(2,5ml)
を加えて、3回凍結脱気を行なった。この基質溶液に、 を有するルテニウム化合物(0,5mg、 0.59μ
mol)を加えて、2回凍結脱気した。減圧乾燥し、系
内をアルゴン置換した内部にガラス管を有するステンレ
スオートクレーブ中に、アルゴン圧を利用し、キャニス
ラーで移した。反応容器内を純度99.99999%の
水素を加えて、開始水素圧100気圧、28℃で15時
間攪拌した。圧力を解放後、濃黄色の反応溶液を減圧上
溶媒を留去し、粗生成物(26mg)を得た。270
M)(zのプロトンNMR分析により、目的化合物を、
変換率が100%で得ることができた。
一方、水素添加生成物をシリカゲルカラム(BW−82
0MH12g、酢酸エチル:ヘキサン=1 : 1)に
供し、高極性物質を取り除いたのち、HPLC分析(D
evelosil 100−5.2−プロパツール:ヘ
キサン=1=10、流速1 ml/min、検出波長2
10 nm)することにより、α(23分溶出)/β(
19分溶出)=0.8:99.2であることが分かった
。
0MH12g、酢酸エチル:ヘキサン=1 : 1)に
供し、高極性物質を取り除いたのち、HPLC分析(D
evelosil 100−5.2−プロパツール:ヘ
キサン=1=10、流速1 ml/min、検出波長2
10 nm)することにより、α(23分溶出)/β(
19分溶出)=0.8:99.2であることが分かった
。
α、β体の構造は、得られた化合物のヒドロキシメチル
基を酸化し、既知のカルボン酸誘導体へと誘導すること
により同定した。即ち、得られた化合物(7mg、 2
4μmol)の乾燥ジメチルホルムアミド(1ml)溶
液にピリジニウム・ジクロメート(60mg、 0.1
6 mmol)を加え、25℃で2日間攪拌した。水(
1ml)を加え、酢酸エチル(1mlxs回)で抽出し
た。減圧上溶媒を留去し、1規定水酸化ナトリウム水溶
液(1ml)を加え、エーテル(1mlxa回)で洗浄
後、塩酸酸性にして酢酸エチル(1mlxs回)で抽出
した。無水硫酸すI・リウムで乾燥し、減圧上溶媒を留
去して、カルボン酸誘導体(5,1mg、 71%)を
得た。
基を酸化し、既知のカルボン酸誘導体へと誘導すること
により同定した。即ち、得られた化合物(7mg、 2
4μmol)の乾燥ジメチルホルムアミド(1ml)溶
液にピリジニウム・ジクロメート(60mg、 0.1
6 mmol)を加え、25℃で2日間攪拌した。水(
1ml)を加え、酢酸エチル(1mlxs回)で抽出し
た。減圧上溶媒を留去し、1規定水酸化ナトリウム水溶
液(1ml)を加え、エーテル(1mlxa回)で洗浄
後、塩酸酸性にして酢酸エチル(1mlxs回)で抽出
した。無水硫酸すI・リウムで乾燥し、減圧上溶媒を留
去して、カルボン酸誘導体(5,1mg、 71%)を
得た。
表記化合物ノNMRスヘクト)Li (270NH2,
CDC13)δppm: 0.13(3H,S、(CH
3)25i); 0.14(3H,s。
CDC13)δppm: 0.13(3H,S、(CH
3)25i); 0.14(3H,s。
(CH3)25i) ; 0.90(3H,d、に7.
6 H2,CH3CHCH20H) ;0.91(9H
2s、(CH3)3G); 1.34(3H,d、J=
6.2 Hz。
6 H2,CH3CHCH20H) ;0.91(9H
2s、(CH3)3G); 1.34(3H,d、J=
6.2 Hz。
CH3CO3i); 1.7〜1.9(IH,III、
HOCH:2CH); 3.15(LH。
HOCH:2CH); 3.15(LH。
dd、J31.7,8.9 Hz、C(4)H); 3
.28(LH,dd、J32.1゜8.9 Hz、C(
3)H); 3.47(LH,ad、ジ=8.4,11
.8 Hz。
.28(LH,dd、J32.1゜8.9 Hz、C(
3)H); 3.47(LH,ad、ジ=8.4,11
.8 Hz。
HOCHH); 3.57(LH,dd、J=4.6,
11.8 Hz、HOCHH);4.13(IH,dq
、に8.9,6.2 Hz、5iOCH); 6.35
(IH,s。
11.8 Hz、HOCHH);4.13(IH,dq
、に8.9,6.2 Hz、5iOCH); 6.35
(IH,s。
NH)。
赤外吸収スペクトル(KBr) cm−1: 3400
.3170゜3100、2940.2850.1750
゜[cz]o17−8.2 (cm1.055、メタノ
ール)。
.3170゜3100、2940.2850.1750
゜[cz]o17−8.2 (cm1.055、メタノ
ール)。
実施例2
上記の反応を、27℃、4気圧で実施すると、目的化合
物を、変換率が100%、α/β比が0.9=99.1
で得ることができた。
物を、変換率が100%、α/β比が0.9=99.1
で得ることができた。
実施何重
実施例1の反応を、
を有するルテニウム化合物を(3S、 4S)−3−[
(IR)−1−1−ブチルジメチルシリルオキシエチル
]−4−(1−ヒドロキシメチルエチニル)−アゼチジ
ン−2−オンに対し、1/158当量用い、21℃、1
00気圧で、18時間実施すると、変換率が100%、
α/β比が1.4 : 98.6で目的化合物を得るこ
とができた。
(IR)−1−1−ブチルジメチルシリルオキシエチル
]−4−(1−ヒドロキシメチルエチニル)−アゼチジ
ン−2−オンに対し、1/158当量用い、21℃、1
00気圧で、18時間実施すると、変換率が100%、
α/β比が1.4 : 98.6で目的化合物を得るこ
とができた。
実施錐先
実施例2の反応を、
を有するルテニウム化合物を(3S、 4S)−3−[
(IR)−1−1−ブチルジメチルシリルオキシエチル
]−4−(1−ヒドロキシメチルエチニル)−アゼチジ
ン−2−オンに対し、1/158当量用い、21℃、4
気圧で、18時間実施すると、変換率が100%、α/
β比が0.6 : 99.4で目的化合物を得ることが
できた。
(IR)−1−1−ブチルジメチルシリルオキシエチル
]−4−(1−ヒドロキシメチルエチニル)−アゼチジ
ン−2−オンに対し、1/158当量用い、21℃、4
気圧で、18時間実施すると、変換率が100%、α/
β比が0.6 : 99.4で目的化合物を得ることが
できた。
実瀞律叱i
実施例2の反応を、
実名鈴生i
実施例2の反応を、
を有するルテニウム化合物を(3S、 4S)−3−[
(IR)−1−t−ブチルジメチルシリルオキシエチル
]−4−(1−ヒドロキシメチルエチニル)−アゼチジ
ン−2−オンに対し、1/158当量用い、18℃、1
気圧で、18時間実施すると、変換率が100%、α/
β比が0.2 : 99.8で目的化合物を得ることが
できた。
(IR)−1−t−ブチルジメチルシリルオキシエチル
]−4−(1−ヒドロキシメチルエチニル)−アゼチジ
ン−2−オンに対し、1/158当量用い、18℃、1
気圧で、18時間実施すると、変換率が100%、α/
β比が0.2 : 99.8で目的化合物を得ることが
できた。
を有するルテニウム化合物を(3S、 4S)−3−[
(IR)−1−t−ブチルジメチルシリルオキシエチル
]−4−(1−ヒドロキシメチルエチニル)−アゼチジ
ン−2−オンに対し、1/147当量用い、18℃、1
気圧で、24時間実施すると、変換率が100%、α/
β比が0.1 : 99.9で目的化合物を得ることが
できた。
(IR)−1−t−ブチルジメチルシリルオキシエチル
]−4−(1−ヒドロキシメチルエチニル)−アゼチジ
ン−2−オンに対し、1/147当量用い、18℃、1
気圧で、24時間実施すると、変換率が100%、α/
β比が0.1 : 99.9で目的化合物を得ることが
できた。
ニル−アゼチジン−2−オン
(3S、 4S)−3−[(IR)−1−t−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル]−4−[(1−カルボキシ
−1−バラトリルチオ)エチル]−アゼチジンー2−オ
ン(0,9gt2.1 mmol)の乾燥テトラヒドロ
フラン(20ml)溶液を、0℃、アルゴン気流下に、
10 MBH3S(CH3)2 (0,5mL 5 m
mol)を加え、5分間攪拌した後、25℃で3時間攪
拌した。再び、0℃まで冷却し、メタノール(7ml)
を注意深く加えて5分間攪拌し、減圧上溶媒を留去した
。残炎を塩化メチレン(50ml)に溶解し、0℃で8
0%メタクロロ過安息香酸(450mg、 2.1 m
mol)を加え、25℃で1時間攪拌した。減圧上溶媒
を留去し、残炎をトルエン(300ml)に溶解し、2
時間還流した。減圧下溶媒留去後、シリカゲルカラム(
Blj−820MH,50g、酢酸エチル−ヘキサン=
1:1)に供し、粗生成物(290mg)を得た。ベン
ゼン:ヘキサン=5:1より再結晶し、表記化合物(2
00mgy 33%)を得た。
メチルシリルオキシエチル]−4−[(1−カルボキシ
−1−バラトリルチオ)エチル]−アゼチジンー2−オ
ン(0,9gt2.1 mmol)の乾燥テトラヒドロ
フラン(20ml)溶液を、0℃、アルゴン気流下に、
10 MBH3S(CH3)2 (0,5mL 5 m
mol)を加え、5分間攪拌した後、25℃で3時間攪
拌した。再び、0℃まで冷却し、メタノール(7ml)
を注意深く加えて5分間攪拌し、減圧上溶媒を留去した
。残炎を塩化メチレン(50ml)に溶解し、0℃で8
0%メタクロロ過安息香酸(450mg、 2.1 m
mol)を加え、25℃で1時間攪拌した。減圧上溶媒
を留去し、残炎をトルエン(300ml)に溶解し、2
時間還流した。減圧下溶媒留去後、シリカゲルカラム(
Blj−820MH,50g、酢酸エチル−ヘキサン=
1:1)に供し、粗生成物(290mg)を得た。ベン
ゼン:ヘキサン=5:1より再結晶し、表記化合物(2
00mgy 33%)を得た。
NMRスペクトル(270MH2,CDC13)δpp
m :0.11(6H,s、 (Clh)2si)、
0.90(9H,s、 (CH3hC)、 1.29(
3H,d、↓= 5.9Hz、 C旧CH)、 3.0
3(IH。
m :0.11(6H,s、 (Clh)2si)、
0.90(9H,s、 (CH3hC)、 1.29(
3H,d、↓= 5.9Hz、 C旧CH)、 3.0
3(IH。
dd、 J = 1.7.6.3 Hz、 G(3)H
)、 4.17(LH,d、 J=1.7 Hz、 C
(4)H)、 4.19(2H,s、 CthOH)。
)、 4.17(LH,d、 J=1.7 Hz、 C
(4)H)、 4.19(2H,s、 CthOH)。
4.21(IH,dq、 J = 6.3.5.9 H
z、 5iOCH)、 5.17(LH,s、 CHH
=C)、 5.20(II(、s、 CHH=C)、
6.14(LH,s、 NH)。
z、 5iOCH)、 5.17(LH,s、 CHH
=C)、 5.20(II(、s、 CHH=C)、
6.14(LH,s、 NH)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1及びR^2は、水素原子又は水酸基の保
護基を示し、R^3は、水素原子又はアミノ基の保護基
を示す。]で表わされるβ−ラクタム化合物を、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) [式中、R^4、R^5及びR^6は、同一又は異なっ
て置換されていてもよいアリール基、置換されていても
よい直鎖若しくは分枝鎖の低級アルキル基又は置換され
ていてもよい炭素数3乃至7個のシクロアルキル基を示
す。]で表わされる立体不斉ルテニウム化合物の存在下
に、還元することを特徴とする 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) [式中、R^1、R^2及びR^3は、前記と同意義を
示す。]で表わされる光学活性β−ラクタム化合物の製
造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63272704A JPH02276A (ja) | 1987-11-25 | 1988-10-28 | β−ラクタム化合物の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-296752 | 1987-11-25 | ||
JP29675287 | 1987-11-25 | ||
JP63272704A JPH02276A (ja) | 1987-11-25 | 1988-10-28 | β−ラクタム化合物の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02276A true JPH02276A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=26550342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63272704A Pending JPH02276A (ja) | 1987-11-25 | 1988-10-28 | β−ラクタム化合物の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02276A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3128656A1 (de) | 1981-07-20 | 1983-02-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Inkrementales lage-messsystem |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61165365A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-26 | Sumitomo Seiyaku Kk | β−ラクタム化合物の新規製造法 |
JPS62265293A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Takasago Corp | ルテニウム−ホスフイン錯体 |
JPS62265266A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Takasago Corp | N−アシル−テトラヒドロイソキノリン類の製造法 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63272704A patent/JPH02276A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61165365A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-26 | Sumitomo Seiyaku Kk | β−ラクタム化合物の新規製造法 |
JPS62265293A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Takasago Corp | ルテニウム−ホスフイン錯体 |
JPS62265266A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Takasago Corp | N−アシル−テトラヒドロイソキノリン類の製造法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3128656A1 (de) | 1981-07-20 | 1983-02-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Inkrementales lage-messsystem |
DE3128656C2 (de) | 1981-07-20 | 1983-10-20 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Inkrementales Lage-Meßsystem |
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