JPH02276471A - 高圧スイッチング電源装置 - Google Patents
高圧スイッチング電源装置Info
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- JPH02276471A JPH02276471A JP9700789A JP9700789A JPH02276471A JP H02276471 A JPH02276471 A JP H02276471A JP 9700789 A JP9700789 A JP 9700789A JP 9700789 A JP9700789 A JP 9700789A JP H02276471 A JPH02276471 A JP H02276471A
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- transformer
- capacitor
- circuit
- secondary winding
- hvt
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高電圧の大電力を出力するための高圧スイ
ッチング電源装置に関する。
ッチング電源装置に関する。
この発明は、高圧スイッチング電源装置において、直交
トランスと昇圧トランスとの間に直列共振コンデンサと
絶縁トランスを接続し、この絶縁トランスと1次側直列
共振コンデンサとにより直列共振回路を構成し、昇圧ト
ランスの2次側に4倍圧整流回路を接続するようにした
ことによって、小形軽量化、無効電力の低減、高圧変動
率の改善を図ったものである。
トランスと昇圧トランスとの間に直列共振コンデンサと
絶縁トランスを接続し、この絶縁トランスと1次側直列
共振コンデンサとにより直列共振回路を構成し、昇圧ト
ランスの2次側に4倍圧整流回路を接続するようにした
ことによって、小形軽量化、無効電力の低減、高圧変動
率の改善を図ったものである。
直流入力電源をスイッチング制御し、直交トランスや昇
圧トランス等を介して定電圧出力を得るスイッチング電
源装置が従来からある。
圧トランス等を介して定電圧出力を得るスイッチング電
源装置が従来からある。
これは、例えば特開昭62−64266号公報に記載さ
されているように、直流入力電源を発振駆動回路のスイ
ッチング素子によりスイッチング制御して、発振駆動回
路の発振周波数を制御するための直交トランスを介して
昇圧トランスの1次側に供給する。そして、二〇昇圧ト
ランスの2次側からの出力電圧に応じて制御回路が直交
トランスのインダクタンスを制御し、発振駆動回路の発
振周波数を制御して、昇圧トランスの2次側出力電圧を
安定化するものである。
されているように、直流入力電源を発振駆動回路のスイ
ッチング素子によりスイッチング制御して、発振駆動回
路の発振周波数を制御するための直交トランスを介して
昇圧トランスの1次側に供給する。そして、二〇昇圧ト
ランスの2次側からの出力電圧に応じて制御回路が直交
トランスのインダクタンスを制御し、発振駆動回路の発
振周波数を制御して、昇圧トランスの2次側出力電圧を
安定化するものである。
第4図は上述した従来のスイッチング電源装置の一例で
ある。
ある。
図において、PSは直流電源、C0は平滑コンデンサで
ある。そして、ODは発振駆動回路であり、この駆動回
路ODのスイッチングトランジスタQ、のコレクタとベ
ースは抵抗R,を介して、接続されており、エミッタと
ベースはダイオードD+を介して接続されている。そし
て、トランジスタQ、のエミッタとダイオードD1との
接続中点は、直交トランスP RTの2次巻線N m
l +抵抗R1及び駆動回路ODのコンデンサCIOを
介してトランジスタQ、のベースに接続される。また、
トランジスタQ1のコレクタと抵抗R1との接続中点は
抵抗R2を介してスイッチングトランジスタQ2のベー
スに接続される。そして、このトランジスタQ2のエミ
ッタは接地され、コレクタはダイオードD、と2次巻線
N□との接続中点に接続される。また、トランジスタQ
2のベースと抵抗R2との接続中点はダイオードD2を
介して接地されるとともに、コンデンサC11,直交ト
ランスPRTの抵抗Rm□及び2次巻線N、2を介して
接地される。また、トランジスタQ、のエミッタは直交
トランスPRTの1次巻線NA及びパワーチョークコイ
ルFCCを介して昇圧トランスHVTの1次巻線N、の
一端に接続される。そして、この1次巻線N、の他端は
共振用のコンデンサCIを介して接地される。
ある。そして、ODは発振駆動回路であり、この駆動回
路ODのスイッチングトランジスタQ、のコレクタとベ
ースは抵抗R,を介して、接続されており、エミッタと
ベースはダイオードD+を介して接続されている。そし
て、トランジスタQ、のエミッタとダイオードD1との
接続中点は、直交トランスP RTの2次巻線N m
l +抵抗R1及び駆動回路ODのコンデンサCIOを
介してトランジスタQ、のベースに接続される。また、
トランジスタQ1のコレクタと抵抗R1との接続中点は
抵抗R2を介してスイッチングトランジスタQ2のベー
スに接続される。そして、このトランジスタQ2のエミ
ッタは接地され、コレクタはダイオードD、と2次巻線
N□との接続中点に接続される。また、トランジスタQ
2のベースと抵抗R2との接続中点はダイオードD2を
介して接地されるとともに、コンデンサC11,直交ト
ランスPRTの抵抗Rm□及び2次巻線N、2を介して
接地される。また、トランジスタQ、のエミッタは直交
トランスPRTの1次巻線NA及びパワーチョークコイ
ルFCCを介して昇圧トランスHVTの1次巻線N、の
一端に接続される。そして、この1次巻線N、の他端は
共振用のコンデンサCIを介して接地される。
また、昇圧トランスHVTの2次巻線NHvの一端は2
倍圧整流回路RC,のダイオードDS+D6+チョーク
コイルL1を介して端子T1に接続される。そして、ダ
イオードD、とチョークコイルLlとの接続中点はコン
デンサc3.c、、b6子T2を介して接地される。ま
た、コンデンサC3と04との接続中点は昇圧トランス
)(VTの2次巻線N□の他端に接続されるとともに、
チョークコイルL2及び抵抗R0を介して接地される。
倍圧整流回路RC,のダイオードDS+D6+チョーク
コイルL1を介して端子T1に接続される。そして、ダ
イオードD、とチョークコイルLlとの接続中点はコン
デンサc3.c、、b6子T2を介して接地される。ま
た、コンデンサC3と04との接続中点は昇圧トランス
)(VTの2次巻線N□の他端に接続されるとともに、
チョークコイルL2及び抵抗R0を介して接地される。
また、コンデンサC3と、直列接続された抵抗R□、及
びRHV3と、直列接続された抵抗R□2及びR811
4とからなる並列回路が、チョークコイルL、と端子T
1との接続中点と、コンデンサC4と端子T2との接続
中点との間に接続される。また、端子T2は抵抗RC+
ダイオードD3.D、を介して、昇圧トランスHVT
の2次巻線NHvの一端に接続される。
びRHV3と、直列接続された抵抗R□2及びR811
4とからなる並列回路が、チョークコイルL、と端子T
1との接続中点と、コンデンサC4と端子T2との接続
中点との間に接続される。また、端子T2は抵抗RC+
ダイオードD3.D、を介して、昇圧トランスHVT
の2次巻線NHvの一端に接続される。
そして、抵抗RcとダイオードD、との接続中点と、抵
抗RHVI とRHV3との接続中点と、抵抗RHV!
とR□4との接続中点とが制御回路CCに接続される。
抗RHVI とRHV3との接続中点と、抵抗RHV!
とR□4との接続中点とが制御回路CCに接続される。
また、この制御回路CCには別電源からの低圧の制御電
圧、例えば15Vが供給される。
圧、例えば15Vが供給される。
そして、この制御回路CCからの制御信号が直交トラン
スPRTの制御巻線N、に供給され、直交トランスPR
Tのインダクタンスが制御され、発振駆動回路ODの発
振周波数が制御される。
スPRTの制御巻線N、に供給され、直交トランスPR
Tのインダクタンスが制御され、発振駆動回路ODの発
振周波数が制御される。
ところで、近年テレビジョン受像機の大形化。
プロ・ジェツタの高輝度化、あるいはマルチスキャンシ
ステムの対応等によって従来のフライバックトランスか
ら水平同期周波数に同期して高圧を供給するシステムで
は部品の大型化、高圧レギュレータ回路の制御範囲の問
題等があり動作周波数フリーの小形で高性能な高圧スイ
ッチング電源装置が要求されている。
ステムの対応等によって従来のフライバックトランスか
ら水平同期周波数に同期して高圧を供給するシステムで
は部品の大型化、高圧レギュレータ回路の制御範囲の問
題等があり動作周波数フリーの小形で高性能な高圧スイ
ッチング電源装置が要求されている。
そこで、中圧(4kV〜8kV)で設計された第4図例
の従来の2倍圧整流回路Rc2で例えば、高圧出力32
k V X 3.3m A = 105.6W (7
)安定化した高圧出力を得るためには、昇圧トランスH
VTの2次側に16kVp−pの正弦波電圧を発生せね
ばならず2次巻線N+IVを3000ターンとして密結
合の1次巻線NIは88ターンとし、470〜500
V F−P (7)正弦波の励磁が必要である。すると
このトランスHVTの巻数比は約1:34.1となり2
次巻線NHvの分布容量が多く第5図に示す如く分布容
量とトランスHVTの漏洩インダクタンスによって高周
波成分が1次側共振電流11に重畳してしまう。この場
合には、次の欠点がある。
の従来の2倍圧整流回路Rc2で例えば、高圧出力32
k V X 3.3m A = 105.6W (7
)安定化した高圧出力を得るためには、昇圧トランスH
VTの2次側に16kVp−pの正弦波電圧を発生せね
ばならず2次巻線N+IVを3000ターンとして密結
合の1次巻線NIは88ターンとし、470〜500
V F−P (7)正弦波の励磁が必要である。すると
このトランスHVTの巻数比は約1:34.1となり2
次巻線NHvの分布容量が多く第5図に示す如く分布容
量とトランスHVTの漏洩インダクタンスによって高周
波成分が1次側共振電流11に重畳してしまう。この場
合には、次の欠点がある。
(1)密結合のトランスHVTで安全規格を満足する1
次、2次間の絶縁距離を確保すればトランスHVTが大
形化しさらに1次側の漏洩インダクタンスを増加するた
めパワーチョークコイルFCCが必要である。
次、2次間の絶縁距離を確保すればトランスHVTが大
形化しさらに1次側の漏洩インダクタンスを増加するた
めパワーチョークコイルFCCが必要である。
(2)トランスHVTの巻数比が増大するため高周波損
失がパワーチョークコイルFCC,)ランスHVT、2
倍圧整流回路RC2内で生じ無効電力が増加する。
失がパワーチョークコイルFCC,)ランスHVT、2
倍圧整流回路RC2内で生じ無効電力が増加する。
(3)高圧検出、過電圧検出用高抵抗RHVI I R
HV2+RHV3+ RHV4が大形化する。
HV2+RHV3+ RHV4が大形化する。
実験によれば、第4図例の場合、2倍圧整流回路PC,
の高圧整流ダイオードD *、D a、D s、 D
bを20kV耐圧品、平滑用コンデンサC,,C,を2
000 p F /20 k V 、 コンデンサC
3を3000pF/40kV、コイルL、L、を1mH
,抵抗R□1+Rovz * Rnvz+Rnv*をそ
れぞれ600MΩとし、トランスHVTを2次巻線N
Hv= 3000ターン/70 u 。
の高圧整流ダイオードD *、D a、D s、 D
bを20kV耐圧品、平滑用コンデンサC,,C,を2
000 p F /20 k V 、 コンデンサC
3を3000pF/40kV、コイルL、L、を1mH
,抵抗R□1+Rovz * Rnvz+Rnv*をそ
れぞれ600MΩとし、トランスHVTを2次巻線N
Hv= 3000ターン/70 u 。
1次巻線N、=88ターン/リッツ線として、巻数比を
l:34とすれば、1ターン当りの誘起電圧は5.3V
/ターンとなり、2次巻線N14vの分布容量Cは1次
側巻線N1に対して34”XCで影響するため第5図に
示す如く1次側共振電流Itにリンギング成分が重畳し
、この高周波成分がコイルPcc、 トランスHVT
、2倍圧整流回路RC,内で無効電力となった。
l:34とすれば、1ターン当りの誘起電圧は5.3V
/ターンとなり、2次巻線N14vの分布容量Cは1次
側巻線N1に対して34”XCで影響するため第5図に
示す如く1次側共振電流Itにリンギング成分が重畳し
、この高周波成分がコイルPcc、 トランスHVT
、2倍圧整流回路RC,内で無効電力となった。
そこで、この発明は、4倍圧整流回路を用いて高圧検出
及び過電圧検出用抵抗を複数の平滑コンデンサの接続中
点に接続しトランスHVTの1次側を絶縁トランスPI
Tの2次巻線と2次側直列共振コンデンサに接続すると
ともに2次側アースに接続し、さらにトランスPITで
絶縁距離を確保してトランスPITの1次巻線を漏洩イ
ンダクタンスによって、結合して1次側直列共振コンデ
ンサと直列共振回路を構成するようにしたものである。
及び過電圧検出用抵抗を複数の平滑コンデンサの接続中
点に接続しトランスHVTの1次側を絶縁トランスPI
Tの2次巻線と2次側直列共振コンデンサに接続すると
ともに2次側アースに接続し、さらにトランスPITで
絶縁距離を確保してトランスPITの1次巻線を漏洩イ
ンダクタンスによって、結合して1次側直列共振コンデ
ンサと直列共振回路を構成するようにしたものである。
絶縁トランスPITで絶縁がとられるためトランスHV
Tを小形化することができ、トランスPITから制御用
低電圧15Vを取り出すことができる。
Tを小形化することができ、トランスPITから制御用
低電圧15Vを取り出すことができる。
また、4倍圧整流回路を用いたのでトランスI]VTの
巻数比が小さくでき、トランスHVTの分布容量による
影響が低減し、無効電力の低下及び電力損失の低減化が
行なえる。
巻数比が小さくでき、トランスHVTの分布容量による
影響が低減し、無効電力の低下及び電力損失の低減化が
行なえる。
さらに、トランスPITとHVTとの中間に共振コンデ
ンサを追加することにより制御感度を向上して高圧変動
特性の改善及び制御範囲の縮小化が行なえる。
ンサを追加することにより制御感度を向上して高圧変動
特性の改善及び制御範囲の縮小化が行なえる。
そして、さらに、高圧検出用及び過電圧検出用抵抗器を
小形化することができる。
小形化することができる。
第1図は、この発明の一実施例の回路図であり、第4図
例と同等なものには同一の符号を付しである。そして、
第1図例と第4図例との異なるところは、直交トランス
PRTと昇圧トランスHVTとの間に直列共振コンデン
サC2及び絶縁トランスPITを接続し、絶縁トランス
PITの1次巻線N□を直列共振コンデンサCIと接続
し、昇圧トランスHVTの2次巻線N’ ovに4倍圧
整流回路RC,を接続したことである。
例と同等なものには同一の符号を付しである。そして、
第1図例と第4図例との異なるところは、直交トランス
PRTと昇圧トランスHVTとの間に直列共振コンデン
サC2及び絶縁トランスPITを接続し、絶縁トランス
PITの1次巻線N□を直列共振コンデンサCIと接続
し、昇圧トランスHVTの2次巻線N’ ovに4倍圧
整流回路RC,を接続したことである。
つまり、絶縁トランスPITの1次巻線N□の一端は、
直交トランスPRTの1次巻線NAに接続され、1次巻
線N、の他端は直列共振用のコンデンサC7を介して接
地される。そして、絶縁トランスPITの2次巻線NF
、の一端は直列共振コンデンサC2を介して昇圧トラン
ス)(VTの1次巻線N′1の一端に接続され、2次巻
線NF!の他端は昇圧トランスHVTの1次巻線N’t
の他端に接続されるとともに接地される。また、2次巻
線NF!はダイオードD7及びコンデンサC11を介し
て接地され、ダイオードD、とコンデンサC11との接
続中点から、例えば15Vの制御用電圧が制御回路CC
に供給される。
直交トランスPRTの1次巻線NAに接続され、1次巻
線N、の他端は直列共振用のコンデンサC7を介して接
地される。そして、絶縁トランスPITの2次巻線NF
、の一端は直列共振コンデンサC2を介して昇圧トラン
ス)(VTの1次巻線N′1の一端に接続され、2次巻
線NF!の他端は昇圧トランスHVTの1次巻線N’t
の他端に接続されるとともに接地される。また、2次巻
線NF!はダイオードD7及びコンデンサC11を介し
て接地され、ダイオードD、とコンデンサC11との接
続中点から、例えば15Vの制御用電圧が制御回路CC
に供給される。
また、昇圧トランスHVTの2次巻■6vの一端は、4
倍圧整流回路RCaのコンデンサC6+ダイオードD′
、、チョークコイルL’ l + L’ 3を介して出
力端子T、に接続される。そして、2次巻劇6vの他端
は、ダイオードD’sを介してコンデンサC6とダイオ
ードD’hとの接続中点に接続され、平滑用のコンデン
サC’sを介してダイオードo16とチョークコイルL
’+ との接続中点に接続される。また、2次巻線N′
□の他端は、平滑用のコンデンサc′4.抵抗R′6.
ダイオードD’ s + コンデンサC?を介して2次
巻線の一端に接続される。そして、ダイオードD’3と
コンデンサC1との接続中点はダイオードD’sを介し
て2次巻線N′、Ivの他端に接続される。また、平滑
用のコンデンサC’sとC’sとの接続中点は、直列接
続された高圧検出用抵抗R’HVI及びR’ u v
2と、直列接続された過電圧検出用抵抗R’Hvz及び
R’ 、V 4とからなる並列回路を介して、コンデン
サC’aと抵抗R/、との接続中点に接続される。さら
に、コンデンサC’sとC’sとの接続中点はチョーク
コイルL′2.出力端子T41抵抗R0を介して接地さ
れる。また、コンデンサC’aと抵抗R’cとの接続中
点はコンデンサC’sを介してチョークコイルL’+
とL’sとの接続中点に接続される。
倍圧整流回路RCaのコンデンサC6+ダイオードD′
、、チョークコイルL’ l + L’ 3を介して出
力端子T、に接続される。そして、2次巻劇6vの他端
は、ダイオードD’sを介してコンデンサC6とダイオ
ードD’hとの接続中点に接続され、平滑用のコンデン
サC’sを介してダイオードo16とチョークコイルL
’+ との接続中点に接続される。また、2次巻線N′
□の他端は、平滑用のコンデンサc′4.抵抗R′6.
ダイオードD’ s + コンデンサC?を介して2次
巻線の一端に接続される。そして、ダイオードD’3と
コンデンサC1との接続中点はダイオードD’sを介し
て2次巻線N′、Ivの他端に接続される。また、平滑
用のコンデンサC’sとC’sとの接続中点は、直列接
続された高圧検出用抵抗R’HVI及びR’ u v
2と、直列接続された過電圧検出用抵抗R’Hvz及び
R’ 、V 4とからなる並列回路を介して、コンデン
サC’aと抵抗R/、との接続中点に接続される。さら
に、コンデンサC’sとC’sとの接続中点はチョーク
コイルL′2.出力端子T41抵抗R0を介して接地さ
れる。また、コンデンサC’aと抵抗R’cとの接続中
点はコンデンサC’sを介してチョークコイルL’+
とL’sとの接続中点に接続される。
そして、抵抗R’cとダイオードD’3との接続中点と
、高圧検出用抵抗R’ HV I とR′□、との接続
中点と、過電圧検出用抵抗R’ HV zとR’ Hv
aとの接続中点とが制御回路CCに接続され、この制
御回路CCからの制御信号が直交トランスPRTの制御
巻線Ncに供給され、インダクタンスが制御されて発振
駆動回路ODの発振周波数が制御される。
、高圧検出用抵抗R’ HV I とR′□、との接続
中点と、過電圧検出用抵抗R’ HV zとR’ Hv
aとの接続中点とが制御回路CCに接続され、この制
御回路CCからの制御信号が直交トランスPRTの制御
巻線Ncに供給され、インダクタンスが制御されて発振
駆動回路ODの発振周波数が制御される。
そして、この第1図例の場合、共振用コンデンサC5に
流れる1次電流1’+は第3図に示すようなものとなる
。また、4倍圧整流回路RC,のコンデンサC’+とC
’4 との接続中点に高圧検出用抵抗R’nvt *
R’)IV3及び過電圧検出用抵抗R’Hvz 。
流れる1次電流1’+は第3図に示すようなものとなる
。また、4倍圧整流回路RC,のコンデンサC’+とC
’4 との接続中点に高圧検出用抵抗R’nvt *
R’)IV3及び過電圧検出用抵抗R’Hvz 。
R′□、が接続されているので、抵抗R’ Hv 1〜
R’ n v aに印加される電圧は出力電圧の2分の
1となり、これら抵抗R’HVI−R’、lvaを小形
にすることができる。
R’ n v aに印加される電圧は出力電圧の2分の
1となり、これら抵抗R’HVI−R’、lvaを小形
にすることができる。
そして、この第1図例において、例えば、コンデンサC
8及びC1のそれぞれを2000p F/10k V。
8及びC1のそれぞれを2000p F/10k V。
チョークコイルL’3を1mH,抵抗R’HVI +
R’1lV3及び抵抗R′□よ+R′□4のそれぞれを
150MΩとし、トランスHVTの2次巻線N′□を2
600ターン/100μ、1次巻線N′1を140ター
ンとして巻数比を約1:18.6で1ターン当りの誘起
電圧を3.IVとしてトランスHVTの磁束密度が低下
して動作するようにする。そして、トランスPITのコ
アをフェライトコアのBE−40とし、1次巻線NPl
を100ターン、2次巻線N、を140ターンでリンツ
線で巻装し、コンデンサC1及びCtをそれぞれ0.0
14μFとした。この場合、例えば105.6W +1
.7Wの出力を得るためには、第1図例の装置の入力電
力は117Wであり、効率は約92%となり、電圧変動
は32.0kV〜32.05kVであった。これに対し
、第4図に示した従来例の場合には、105.6W+1
.7Wの出力を得るためには入力電力は122W必要で
あり、効率は約88%で、電圧変動は32.0kV〜3
2.30kVであった。このように、第1図例の装置は
、第4図例の装置と比較して、必要な入力電力が低減さ
れるとともに、電圧変動も小さ(なっている。
R’1lV3及び抵抗R′□よ+R′□4のそれぞれを
150MΩとし、トランスHVTの2次巻線N′□を2
600ターン/100μ、1次巻線N′1を140ター
ンとして巻数比を約1:18.6で1ターン当りの誘起
電圧を3.IVとしてトランスHVTの磁束密度が低下
して動作するようにする。そして、トランスPITのコ
アをフェライトコアのBE−40とし、1次巻線NPl
を100ターン、2次巻線N、を140ターンでリンツ
線で巻装し、コンデンサC1及びCtをそれぞれ0.0
14μFとした。この場合、例えば105.6W +1
.7Wの出力を得るためには、第1図例の装置の入力電
力は117Wであり、効率は約92%となり、電圧変動
は32.0kV〜32.05kVであった。これに対し
、第4図に示した従来例の場合には、105.6W+1
.7Wの出力を得るためには入力電力は122W必要で
あり、効率は約88%で、電圧変動は32.0kV〜3
2.30kVであった。このように、第1図例の装置は
、第4図例の装置と比較して、必要な入力電力が低減さ
れるとともに、電圧変動も小さ(なっている。
第2図は、この発明の他の実施例であり、第1図例と同
等なものは同一の符号を付しである。
等なものは同一の符号を付しである。
そして、この第2図例と第1図例との異なるところは、
昇圧トランス及び4倍圧整流回路の構成である。
昇圧トランス及び4倍圧整流回路の構成である。
つまり、昇圧トランスHVT’の2次側には第1の2次
巻線NNV+及び第2の2次巻線NHv□が備えられて
いる。そして、第1の2次巻線Nov+の一端は4倍圧
整流回路RC’4のダイオードが、及びチョークコイル
L′、を介して出力端子T’3に接続される。そして、
第1の2次巻線NHv、の他端は4倍圧整流回路Rc’
aの平滑用のコンデンサC’aを介して、ダイオードゴ
、とチョーク・コイルL’+との接続中点に接続される
とともに、巻線N HV 1の他端は平滑用のコンデン
サC’?及びダイオードゴ、を介して巻線N Hy H
の一端に接続される。
巻線NNV+及び第2の2次巻線NHv□が備えられて
いる。そして、第1の2次巻線Nov+の一端は4倍圧
整流回路RC’4のダイオードが、及びチョークコイル
L′、を介して出力端子T’3に接続される。そして、
第1の2次巻線NHv、の他端は4倍圧整流回路Rc’
aの平滑用のコンデンサC’aを介して、ダイオードゴ
、とチョーク・コイルL’+との接続中点に接続される
とともに、巻線N HV 1の他端は平滑用のコンデン
サC’?及びダイオードゴ、を介して巻線N Hy H
の一端に接続される。
また、トランスHvT″の第2の2次巻線NHV!の一
端はダイオードD#4.チョークコイルL′よ。
端はダイオードD#4.チョークコイルL′よ。
出力端子T’a及び抵抗Raを介して接地される。
そして、第2の2次巻線N工v2の他端は平滑用のコン
デンサσ3を介して、ダイオードD#4 とチョークコ
イルL’zとの接続中点に接続されるとともに、巻線N
、Ivzの他端は平滑用のコンデンサσ4゜抵抗R′6
.及びダイオード1:f”sを介して巻線N、Vtの一
端に接続される。また、コンデンサC’、とダイオード
ゴ、との接続中点と、コンデンサσ、とダイオードD#
4との接続中点とは接続される。そして、コンデンサσ
4と抵抗R’cとの接続中点は端子T’sを介して接地
される。また、コンデンサσ4と抵抗R/、との接続中
点と、ダイオードD’ aとチョークコイルL’zとの
接続中点との間には、高圧検出用抵抗R′□r + R
’1lV3ならびに過電圧検出用抵抗R′□t + R
’MV4が接続される。また、コンデンサσ4と抵抗R
′との接続中点はコンデンサσ、を介して、チョークコ
イルL/1 と端子T’ 3との接続中点に接続される
。そして、抵抗R’cとダイオードゴ、との接続中点と
、高圧検出用抵抗R’HVI とR’ II V 2と
の接続中点と、過電圧検出用抵抗R’Ns+gとR′□
4との接続中点とが制御回路CCに接続される。
デンサσ3を介して、ダイオードD#4 とチョークコ
イルL’zとの接続中点に接続されるとともに、巻線N
、Ivzの他端は平滑用のコンデンサσ4゜抵抗R′6
.及びダイオード1:f”sを介して巻線N、Vtの一
端に接続される。また、コンデンサC’、とダイオード
ゴ、との接続中点と、コンデンサσ、とダイオードD#
4との接続中点とは接続される。そして、コンデンサσ
4と抵抗R’cとの接続中点は端子T’sを介して接地
される。また、コンデンサσ4と抵抗R/、との接続中
点と、ダイオードD’ aとチョークコイルL’zとの
接続中点との間には、高圧検出用抵抗R′□r + R
’1lV3ならびに過電圧検出用抵抗R′□t + R
’MV4が接続される。また、コンデンサσ4と抵抗R
′との接続中点はコンデンサσ、を介して、チョークコ
イルL/1 と端子T’ 3との接続中点に接続される
。そして、抵抗R’cとダイオードゴ、との接続中点と
、高圧検出用抵抗R’HVI とR’ II V 2と
の接続中点と、過電圧検出用抵抗R’Ns+gとR′□
4との接続中点とが制御回路CCに接続される。
そして、この第2図例の場合は、第1図例の4倍圧整流
回路RC,の出力電圧に発生するリップル分が改善され
るものである。
回路RC,の出力電圧に発生するリップル分が改善され
るものである。
なお、この第2図例の構成素子の具体的な数値列を以下
に示す。
に示す。
昇圧トランスHVT’の第1及び第2の2次巻線N□、
及びNHv2の巻数はそれぞれ1500ターン、) ラ
7スHv7”の1次巻&’!N’、 ノ巻数ハBB)−
ン、絶縁トランスPITの1次巻線N□の巻数は100
ターン、2次巻線NP2の巻数は140ターン、共振用
コンデンサC1の容量値は0.014μF、共振用コン
デンサC2の容量値は0.033μFである。
及びNHv2の巻数はそれぞれ1500ターン、) ラ
7スHv7”の1次巻&’!N’、 ノ巻数ハBB)−
ン、絶縁トランスPITの1次巻線N□の巻数は100
ターン、2次巻線NP2の巻数は140ターン、共振用
コンデンサC1の容量値は0.014μF、共振用コン
デンサC2の容量値は0.033μFである。
こうして、この発明によれば、4倍圧整流回路を用いて
、高圧検出及び過電圧検出用抵抗を複数の平滑コンデン
サの接続中点に接続し、昇圧トランスHVTの1次側を
絶縁トランスPITの2次巻線と2次側直列共振コンデ
ンサに接続するとともに2次側アースに接続し、絶縁ト
ランスPITによって絶縁距離を確保して、トランスP
ITの1次巻線を漏洩インダクタンスによって結合して
、1次側直列共振コンデンサと直列共振回路を構成する
ようにしたので、昇圧トランス)IVTを小形化するこ
とができ、巻数比を小さくすることができるので、トラ
ンスHVTの分布容量による影響が低減し、無効電力の
低下及び電力損失の低減化が行なえる。
、高圧検出及び過電圧検出用抵抗を複数の平滑コンデン
サの接続中点に接続し、昇圧トランスHVTの1次側を
絶縁トランスPITの2次巻線と2次側直列共振コンデ
ンサに接続するとともに2次側アースに接続し、絶縁ト
ランスPITによって絶縁距離を確保して、トランスP
ITの1次巻線を漏洩インダクタンスによって結合して
、1次側直列共振コンデンサと直列共振回路を構成する
ようにしたので、昇圧トランス)IVTを小形化するこ
とができ、巻数比を小さくすることができるので、トラ
ンスHVTの分布容量による影響が低減し、無効電力の
低下及び電力損失の低減化が行なえる。
また、この発明によれば、制御感度を向上して高圧変動
特性の改善及び制御範囲の縮小化が行なえる。
特性の改善及び制御範囲の縮小化が行なえる。
さらに、この発明によれば、高圧検出用及び過電圧検出
用の抵抗を小形化することができる。
用の抵抗を小形化することができる。
第1図はこの発明の一実施例の回路図、第2図はこの発
明の他の実施例の回路図、第3図は電流波形図、第4図
及び第5図は従来技術の説明図である。 PSは直流電源、ODは発振駆動回路、PRTは発振周
波数制御用の直交トランス、PITは絶縁トランス、C
r 、Czは共振用のコンデンサ、HVT、HVT’は
昇圧トランス、RC,、RC’4は4倍圧整流回路、C
Cは制御回路、C’ 3 + C’ 4 +σ1.σ4
゜C’ 6 + C’ 1は平滑用コンデンサである。
明の他の実施例の回路図、第3図は電流波形図、第4図
及び第5図は従来技術の説明図である。 PSは直流電源、ODは発振駆動回路、PRTは発振周
波数制御用の直交トランス、PITは絶縁トランス、C
r 、Czは共振用のコンデンサ、HVT、HVT’は
昇圧トランス、RC,、RC’4は4倍圧整流回路、C
Cは制御回路、C’ 3 + C’ 4 +σ1.σ4
゜C’ 6 + C’ 1は平滑用コンデンサである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 直流電源と、 上記直流電源に接続される発振駆動回路と、上記発振駆
動回路の発振周波数を制御する発振周波数制御用のトラ
ンスと、 上記発振周波数制御用のトランスの1次巻線に、その1
次巻線が接続される絶縁トランスと、昇圧トランスと、 上記絶縁トランスの2次巻線と上記昇圧トランスの1次
巻線との間に接続される直列共振コンデンサと、 上記昇圧トランスの2次巻線に接続され、複数の平滑コ
ンデンサと、この平滑コンデンサどうしの接続中点に接
続される高圧検出用及び過電圧検出用の抵抗を有する整
流回路と、 上記整流回路からの出力信号に従って、上記発振周波数
制御用のトランスのインダクタンスを制御して、上記発
振駆動回路の発振周波数を制御する制御回路とを備えた
高圧スイッチング電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9700789A JPH02276471A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 高圧スイッチング電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9700789A JPH02276471A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 高圧スイッチング電源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02276471A true JPH02276471A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14180203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9700789A Pending JPH02276471A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 高圧スイッチング電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02276471A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1172921A2 (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-16 | Sony Corporation | Switching power supply circuit for generating DC high voltage |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP9700789A patent/JPH02276471A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1172921A2 (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-16 | Sony Corporation | Switching power supply circuit for generating DC high voltage |
EP1172921A3 (en) * | 2000-07-11 | 2002-09-25 | Sony Corporation | Switching power supply circuit for generating DC high voltage |
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