JPH0227617A - 透明導電性フイルムの製造法 - Google Patents
透明導電性フイルムの製造法Info
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- JPH0227617A JPH0227617A JP17654588A JP17654588A JPH0227617A JP H0227617 A JPH0227617 A JP H0227617A JP 17654588 A JP17654588 A JP 17654588A JP 17654588 A JP17654588 A JP 17654588A JP H0227617 A JPH0227617 A JP H0227617A
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はポリエチレンテレフタレートフィルムを基材
とする透明導電性フィルムの製造法に関する。
とする透明導電性フィルムの製造法に関する。
一般に、可視光線領域で透明であり、かつ導電性を有す
る薄膜は、液晶デイスプレィ、エレクトロルミネッセン
スデイスプレィなどの新しいデイスプレィ方式における
透明電極のほか、透明物品の帯電防止や電磁波遮断など
のために用いられている。
る薄膜は、液晶デイスプレィ、エレクトロルミネッセン
スデイスプレィなどの新しいデイスプレィ方式における
透明電極のほか、透明物品の帯電防止や電磁波遮断など
のために用いられている。
従来、このような透明導電性薄膜として、ガラス上に酸
化インジウム薄膜を形成した、いわゆる導電性ガラスが
よく知られているが、基材がガラスであるために、可撓
性、加工性に劣り、用途によっては好ましくない場合が
ある。
化インジウム薄膜を形成した、いわゆる導電性ガラスが
よく知られているが、基材がガラスであるために、可撓
性、加工性に劣り、用途によっては好ましくない場合が
ある。
このため、近年では、可撓性、加工性に加えて、耐衝撃
性にすぐれ、軽量であるなどの利点から、合成樹脂を基
材とする透明導電性薄膜が使用されるようになり、中で
もポリエチレンテレフタレートフィルムが耐熱性9強度
などにすぐれることから、基材フィルムとして特に好ま
しく用いられている。
性にすぐれ、軽量であるなどの利点から、合成樹脂を基
材とする透明導電性薄膜が使用されるようになり、中で
もポリエチレンテレフタレートフィルムが耐熱性9強度
などにすぐれることから、基材フィルムとして特に好ま
しく用いられている。
しかるに、ポリエチレンテレフタレートフィルムを基材
とした透明導電性フィルムは、耐擦傷性に劣り、使用中
に傷がついて電気抵抗が増大したリ、断線を生じるなど
の欠点を有していた。
とした透明導電性フィルムは、耐擦傷性に劣り、使用中
に傷がついて電気抵抗が増大したリ、断線を生じるなど
の欠点を有していた。
また、この種の導電性フィルムは、これをたとえば透明
電極として使用する場合、所定の形状を有するようにパ
ターン化されるが、その際酸やアルカリが多く用いられ
るため、基材としてのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムが上記のElによって加水分解されて、その表面が
粗面化されやすい。このため、この基材フィルムと導電
性薄膜との密着性に劣るときには、上記パターン化の過
程やその後においてフィルムの透明性が失われたり、導
電性薄膜の部分的あるいは全体的な剥離が生じて、電気
抵抗の増大や透明電極としての使用が困難となるなどの
弊害を招く結果となる。
電極として使用する場合、所定の形状を有するようにパ
ターン化されるが、その際酸やアルカリが多く用いられ
るため、基材としてのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムが上記のElによって加水分解されて、その表面が
粗面化されやすい。このため、この基材フィルムと導電
性薄膜との密着性に劣るときには、上記パターン化の過
程やその後においてフィルムの透明性が失われたり、導
電性薄膜の部分的あるいは全体的な剥離が生じて、電気
抵抗の増大や透明電極としての使用が困難となるなどの
弊害を招く結果となる。
この発明は、上記従来の透明導電性フィルムの問題点に
鑑み、ポリエチレンテレフタレートフィルムからなる基
材と導電性薄膜との密着性にすぐれて非常に良好な耐薬
品性、特に耐アルカリ性を有するとともに、改善された
耐擦傷性を有し、しかもこの種フィルムに望まれる高い
透明性をも備えた透明導電性フィルムの製造法を提供す
ることを目的としている。
鑑み、ポリエチレンテレフタレートフィルムからなる基
材と導電性薄膜との密着性にすぐれて非常に良好な耐薬
品性、特に耐アルカリ性を有するとともに、改善された
耐擦傷性を有し、しかもこの種フィルムに望まれる高い
透明性をも備えた透明導電性フィルムの製造法を提供す
ることを目的としている。
この発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討
した結果、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に透
明な導電性薄膜を形成するに先立って、予め上記フィル
ムの表面に特定のエツチング処理を施しておき、この処
理面に上記薄膜を形成する一方、この薄膜上にさらに特
定膜厚の誘導体薄膜を形成することにより、上記フィル
ムと導電性薄膜との密着性にすぐれて良好な耐薬品性、
特に耐アルカリ性を有するとともに、耐擦傷性にもすぐ
れ、そのうえ高い透明性を備えた透明導電性フィルムが
得られるものであることを知り、この発明を完成するに
至った。
した結果、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に透
明な導電性薄膜を形成するに先立って、予め上記フィル
ムの表面に特定のエツチング処理を施しておき、この処
理面に上記薄膜を形成する一方、この薄膜上にさらに特
定膜厚の誘導体薄膜を形成することにより、上記フィル
ムと導電性薄膜との密着性にすぐれて良好な耐薬品性、
特に耐アルカリ性を有するとともに、耐擦傷性にもすぐ
れ、そのうえ高い透明性を備えた透明導電性フィルムが
得られるものであることを知り、この発明を完成するに
至った。
すなわち、この発明は、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム(以下、PETフィルムという)の表面に、アル
ゴンガスを少な(とも50%含有するI X 10−3
〜I X 10−’To r rの雰囲気において、0
.1〜30W・秒/cm2の範囲の放電処理量で高周波
スパッタエツチング処理を施したのちに、透明な導電性
薄膜を形成し、ついでこの薄膜上に膜!100Å以上の
透明な誘電体薄膜を形成することを特徴とする透明導電
性フィルムの製造法に係るものである。
ィルム(以下、PETフィルムという)の表面に、アル
ゴンガスを少な(とも50%含有するI X 10−3
〜I X 10−’To r rの雰囲気において、0
.1〜30W・秒/cm2の範囲の放電処理量で高周波
スパッタエツチング処理を施したのちに、透明な導電性
薄膜を形成し、ついでこの薄膜上に膜!100Å以上の
透明な誘電体薄膜を形成することを特徴とする透明導電
性フィルムの製造法に係るものである。
この発明において基材として使用するPETフィルムは
、既述のように耐熱性や強度さらには表面平滑性などに
すぐれるものとして各種用途の基材フィルムとして汎用
されており、市販品として容易に入手可能なものである
。その厚さは特に限定するものではないが、一般に2〜
300μm程度のものを用いるのが好ましい。
、既述のように耐熱性や強度さらには表面平滑性などに
すぐれるものとして各種用途の基材フィルムとして汎用
されており、市販品として容易に入手可能なものである
。その厚さは特に限定するものではないが、一般に2〜
300μm程度のものを用いるのが好ましい。
また、この発明では、上記PETフィルムの単体からな
るもののほか、透明な導電性薄膜を形成するべき表面側
がポリエチレンテレフタレートとされたもの、つまりポ
リエチレンテレフタレートを表面層として有する複合フ
ィルム、たとえば上記PETフィルムと他の樹脂フィル
ムとの積層フィルムなどを使用することもできる。
るもののほか、透明な導電性薄膜を形成するべき表面側
がポリエチレンテレフタレートとされたもの、つまりポ
リエチレンテレフタレートを表面層として有する複合フ
ィルム、たとえば上記PETフィルムと他の樹脂フィル
ムとの積層フィルムなどを使用することもできる。
この発明においては、まずこのPETフィルムの表面に
高周波スパッタエツチング処理を施すが、この処理にお
ける第1の特徴は、アルゴンガスを少なくとも50%、
好ましくは80%以上含有する雰囲気とすることである
。すなわち、このようなアルゴンガスを主体とする雰囲
気とすることにより、PETフィルムと導電性薄膜との
密着性の改善が図れて耐薬品性、特に耐アルカリ性にす
ぐれた透明導電性フィルムが得られるもので、アルゴン
ガスと同じく不活性な窒素ガスやヘリウムガスなどを主
体とした雰囲気では上述の効果は得られない。
高周波スパッタエツチング処理を施すが、この処理にお
ける第1の特徴は、アルゴンガスを少なくとも50%、
好ましくは80%以上含有する雰囲気とすることである
。すなわち、このようなアルゴンガスを主体とする雰囲
気とすることにより、PETフィルムと導電性薄膜との
密着性の改善が図れて耐薬品性、特に耐アルカリ性にす
ぐれた透明導電性フィルムが得られるもので、アルゴン
ガスと同じく不活性な窒素ガスやヘリウムガスなどを主
体とした雰囲気では上述の効果は得られない。
なお、アルゴンガスが少なくとも50%を占める限りは
、残余のガス組成は窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガ
ス、水素ガス、空気など通常のスパッタエツチング処理
に用いられるガスであってもよい、また、雰囲気ガス中
に水蒸気が含まれていてもよい。
、残余のガス組成は窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガ
ス、水素ガス、空気など通常のスパッタエツチング処理
に用いられるガスであってもよい、また、雰囲気ガス中
に水蒸気が含まれていてもよい。
また、第2の特徴は、上記ガス組成からなる雰囲気圧を
I X 10−”I X 10−’To r rの範囲
に設定することである。これは、上記範囲より高真空で
はグロー放電が不安定となりやすく、一方上記範囲より
低真空では基材フィルムと導電性薄膜との密着性向上に
基づく耐アルカリ性改善効果が充分に発現されないため
である。
I X 10−”I X 10−’To r rの範囲
に設定することである。これは、上記範囲より高真空で
はグロー放電が不安定となりやすく、一方上記範囲より
低真空では基材フィルムと導電性薄膜との密着性向上に
基づく耐アルカリ性改善効果が充分に発現されないため
である。
さらに、第3の特徴として、電極単位面積当たりの高周
波出力(W/aJ)と放電処理時間との積で表される放
電処理量を、0.1〜30W・秒/cm2の範囲に設定
することが重要である。これは、上記範囲より小さくな
ると処理効果が充分に得られず、逆に上記範囲より大き
くなるとフィルムが変形したり、着色したりするためで
ある。
波出力(W/aJ)と放電処理時間との積で表される放
電処理量を、0.1〜30W・秒/cm2の範囲に設定
することが重要である。これは、上記範囲より小さくな
ると処理効果が充分に得られず、逆に上記範囲より大き
くなるとフィルムが変形したり、着色したりするためで
ある。
このように、この発明においては、PETフィルムの表
面に上述の如き第1〜第3の特徴を有する特定の高周波
スパッタエツチング処理を施すものであるが、この処理
法自体は公知の方法に準じて行うことができ、その際の
高周波電源としては、実用上、工業用割当周波数である
1 3.56 MHzを使用するのが好都合である。
面に上述の如き第1〜第3の特徴を有する特定の高周波
スパッタエツチング処理を施すものであるが、この処理
法自体は公知の方法に準じて行うことができ、その際の
高周波電源としては、実用上、工業用割当周波数である
1 3.56 MHzを使用するのが好都合である。
この発明においては、上記の如き高周波スパッタエツチ
ング処理を施したのち、その処理面に透明な導電性薄膜
を形成する。この形成は、上記処理後−旦大気中に取り
出し、その後再度上記処理時とほぼ同じ雰囲気圧に戻し
て行ってもよいし、上記処理時の雰囲気圧を実質的に保
持したまま、つまりI X 1 (I’〜I X 10
−’To r rの真空度を破ることなくそのままの状
態で連続して行ってもよく、いずれの場合も耐アルカリ
性などの改善効果が得られる。しかし、後者つまり雰囲
気圧を維持したままで行った方がより好ましい結果が得
られるため、特に推奨されるゆ なお、導電性薄膜を形成する際の雰囲気ガス組成は、高
周波スパッタエツチング処理時と必ずしも同一である必
要はなく、採用する導電性薄膜の形成方法にしたがって
適宜に変更されてよい。
ング処理を施したのち、その処理面に透明な導電性薄膜
を形成する。この形成は、上記処理後−旦大気中に取り
出し、その後再度上記処理時とほぼ同じ雰囲気圧に戻し
て行ってもよいし、上記処理時の雰囲気圧を実質的に保
持したまま、つまりI X 1 (I’〜I X 10
−’To r rの真空度を破ることなくそのままの状
態で連続して行ってもよく、いずれの場合も耐アルカリ
性などの改善効果が得られる。しかし、後者つまり雰囲
気圧を維持したままで行った方がより好ましい結果が得
られるため、特に推奨されるゆ なお、導電性薄膜を形成する際の雰囲気ガス組成は、高
周波スパッタエツチング処理時と必ずしも同一である必
要はなく、採用する導電性薄膜の形成方法にしたがって
適宜に変更されてよい。
導電性薄膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンブレーティング法などの従来公知の技
術をいずれも採用できる。また、用いる薄膜材料も特に
制限されるものではなく、たとえば酸化スズを含有する
酸化インジウム、アンチモンを含有する酸化スズなどが
好ましく用いられる。この導電性薄膜の厚さとしては、
一般に100〜2.000人程度である。
リング法、イオンブレーティング法などの従来公知の技
術をいずれも採用できる。また、用いる薄膜材料も特に
制限されるものではなく、たとえば酸化スズを含有する
酸化インジウム、アンチモンを含有する酸化スズなどが
好ましく用いられる。この導電性薄膜の厚さとしては、
一般に100〜2.000人程度である。
この発明においては、上記の如く透明な導電性薄膜を形
成したのち、さらにこの薄膜上に透明な誘電体薄膜を形
成する。この誘電体薄膜の形成により、主に耐擦傷性が
向上するとともに、透明性の改善も図られる。この観点
から、誘電体薄膜の材料としては、上記透明な導電性薄
膜の屈折率より小さいもの、通常1.3〜2.0、好ま
しくは1.3〜1.6の屈折率を有するものがよく、た
とえばCaFz゛、MgFt 、NaAfF、 、5t
oX (1≦X≦2) 、ThF4などが好ましく、こ
の中でも5iOX (1≦X≦2)が最も好適である。
成したのち、さらにこの薄膜上に透明な誘電体薄膜を形
成する。この誘電体薄膜の形成により、主に耐擦傷性が
向上するとともに、透明性の改善も図られる。この観点
から、誘電体薄膜の材料としては、上記透明な導電性薄
膜の屈折率より小さいもの、通常1.3〜2.0、好ま
しくは1.3〜1.6の屈折率を有するものがよく、た
とえばCaFz゛、MgFt 、NaAfF、 、5t
oX (1≦X≦2) 、ThF4などが好ましく、こ
の中でも5iOX (1≦X≦2)が最も好適である。
なお、これら材料は一種に限らず、二種以上を併用して
もよい。
もよい。
誘電体薄膜の膜厚は、100Å以上とすることが必要で
、通常100〜2,000人、好ましくは200〜i、
ooo人の範囲とするのがよい。100人未満では連続
膜とならないため、耐擦傷性や透明性の向上効果を期待
できない。また、厚くなりすぎると、膜表面の導電性や
透明性が悪くなったり、クラックを生じるおそれがあり
、好ましくない。
、通常100〜2,000人、好ましくは200〜i、
ooo人の範囲とするのがよい。100人未満では連続
膜とならないため、耐擦傷性や透明性の向上効果を期待
できない。また、厚くなりすぎると、膜表面の導電性や
透明性が悪くなったり、クラックを生じるおそれがあり
、好ましくない。
誘電体薄膜の形成方法としては、たとえば真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンブレーティング法、塗工法な
どがあり、上記材料の種類および必要とする膜厚に応じ
て適宜の方法を採用することができる。
スパッタリング法、イオンブレーティング法、塗工法な
どがあり、上記材料の種類および必要とする膜厚に応じ
て適宜の方法を採用することができる。
以上のように、この発明においては、PETフィルムの
表面に特定の高周波スパッタエツチング処理を施したち
に透明な導電性薄膜を形成し、さらにこの上に特定膜厚
の誘電体薄膜を形成するようにしたことにより、良好な
耐薬品性、特に耐アルカリ性を有するとともに、耐擦傷
性にもすぐれ、そのうえ高い透明性を備えて、かつ導電
性をも満足する透明導電性フィルムを提供することがで
きる。
表面に特定の高周波スパッタエツチング処理を施したち
に透明な導電性薄膜を形成し、さらにこの上に特定膜厚
の誘電体薄膜を形成するようにしたことにより、良好な
耐薬品性、特に耐アルカリ性を有するとともに、耐擦傷
性にもすぐれ、そのうえ高い透明性を備えて、かつ導電
性をも満足する透明導電性フィルムを提供することがで
きる。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。
する。
実施例1
厚さ75μmのPETフィルムの表面をアルゴンガス8
0%と酸素ガス20%とからなる4×10−”Torr
の雰囲気中で、放電処理13W・秒/−にて高周波スパ
ッタエツチング処理した。その後、この処理面上に、上
記真空度を破ることなく同一の雰囲気ガス中で、インジ
ウム−スズ合金を用いた反応性スパッタリング法により
、厚さ400人の酸化インジウムと酸化スズとの複合酸
化物からなる透明な導電性情l1l(以下、ITO薄膜
という)を形成した。
0%と酸素ガス20%とからなる4×10−”Torr
の雰囲気中で、放電処理13W・秒/−にて高周波スパ
ッタエツチング処理した。その後、この処理面上に、上
記真空度を破ることなく同一の雰囲気ガス中で、インジ
ウム−スズ合金を用いた反応性スパッタリング法により
、厚さ400人の酸化インジウムと酸化スズとの複合酸
化物からなる透明な導電性情l1l(以下、ITO薄膜
という)を形成した。
つぎに、上記のITO薄膜上に、SiO□を電子ビーム
加熱法により、1〜2X10−3〜1×10−1Tor
rの真空度で真空蒸着して、厚さ約400人のSiO3
からなる透明な誘電体薄膜(以下、SiO□薄膜という
)を形成し、この発明の透明導電性フィルムを得た。
加熱法により、1〜2X10−3〜1×10−1Tor
rの真空度で真空蒸着して、厚さ約400人のSiO3
からなる透明な誘電体薄膜(以下、SiO□薄膜という
)を形成し、この発明の透明導電性フィルムを得た。
実施例2.3
SiO1薄膜の厚さをそれぞれ200人(実施例2)、
1,000人(実施例3)に変更した以外は、実施例1
と全く同様にして透明導電性フィルムを作製した。
1,000人(実施例3)に変更した以外は、実施例1
と全く同様にして透明導電性フィルムを作製した。
比較例l
5iO□薄膜の厚さを50人に変更した以外は、実施例
1と同様にして透明導電性フィルムを作製した。
1と同様にして透明導電性フィルムを作製した。
比較例2
高周波スパッタエツチング処理時の雰囲気ガスを、窒素
ガス80%と酸素ガス20%とに変更した以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを作製した。
ガス80%と酸素ガス20%とに変更した以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを作製した。
比較例3
高周波スパッタエツチング処理時の雰囲気圧を、3X1
0−3〜1×10−1Torrに変更した以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを作製した。
0−3〜1×10−1Torrに変更した以外は、実施
例1と同様にして透明導電性フィルムを作製した。
比較例4
高周波スパッタエツチング処理時の放電処理量を0.0
5W・秒/dに変更した以外は、実施例1と同様にして
透明導電性フィルムを作製した。
5W・秒/dに変更した以外は、実施例1と同様にして
透明導電性フィルムを作製した。
比較例5
高周波スパッタエツチング処理とS i O,薄膜の形
成とを共に省いた以外は、実施例1と同様にして透明導
電性フィルムを作製した。
成とを共に省いた以外は、実施例1と同様にして透明導
電性フィルムを作製した。
比較例6
高周波スパッタエツチング処理だけを省いた以外は、実
施例1と同様にして透明導電性フィルムを作製した。
施例1と同様にして透明導電性フィルムを作製した。
比較例7
stozviI膜の形成を省いた以外は、実施例1と同
様にして透明導電性フィルムを作製した。
様にして透明導電性フィルムを作製した。
つぎに、以上の実施例および比較例の各透明導電性フィ
ルムにつき、フィルム抵抗、透過率、耐アルカリ性およ
び耐擦傷性を下記の要領で測定評価した。
ルムにつき、フィルム抵抗、透過率、耐アルカリ性およ
び耐擦傷性を下記の要領で測定評価した。
〈フィルム抵抗〉
四端子法を用いて、フィルムの表面電気抵抗(Ω/口)
を測定した。
を測定した。
〈透過率〉
島原製作所製の分光分析装置UV−240を用いて、光
波長550nmにおける可視光線透過率を測定した。
波長550nmにおける可視光線透過率を測定した。
〈耐アルカリ性〉
透明導電性フィルムを幅IC11の短冊状に切断し、5
重量%KOH水溶液(20℃)に20分間浸漬したのち
、フィルム抵抗(Ra)を測定し、初期のフィルム抵抗
(RO)に対する変化率(Ra /Ro)を求めて、耐
アルカリ性を評価した。
重量%KOH水溶液(20℃)に20分間浸漬したのち
、フィルム抵抗(Ra)を測定し、初期のフィルム抵抗
(RO)に対する変化率(Ra /Ro)を求めて、耐
アルカリ性を評価した。
〈耐擦傷性〉
新来科学社製のヘイトン表面性測定機TYPE−HE
I DON 14を用いて、■擦傷子:ガーゼ(日本薬
局方タイプI)、■荷重:100g/cut、■擦傷速
度:30C11/分、■擦傷回数=100回(往復50
回)の条件で、薄膜表面を擦ったのちにフィルム抵抗(
Rs)を測定し、初期のフィルム抵抗(RO)に対する
変化率(Rs/Ro)を求めて、耐擦傷性を評価した。
I DON 14を用いて、■擦傷子:ガーゼ(日本薬
局方タイプI)、■荷重:100g/cut、■擦傷速
度:30C11/分、■擦傷回数=100回(往復50
回)の条件で、薄膜表面を擦ったのちにフィルム抵抗(
Rs)を測定し、初期のフィルム抵抗(RO)に対する
変化率(Rs/Ro)を求めて、耐擦傷性を評価した。
上記表の結果から明らかなように、この発明の方法によ
れば、透明性、耐薬品性特に耐アルカリ性、耐擦傷性の
いずれの特性にもすぐれた、SiOx薄膜の膜厚に応じ
た導電性フィルムとして適用可能な種々のフィルム抵抗
を有する透明導電性フィルムが得られるものであること
が判る。
れば、透明性、耐薬品性特に耐アルカリ性、耐擦傷性の
いずれの特性にもすぐれた、SiOx薄膜の膜厚に応じ
た導電性フィルムとして適用可能な種々のフィルム抵抗
を有する透明導電性フィルムが得られるものであること
が判る。
Claims (1)
- (1)ポリエチレンテレフタレートフィルムの表面に、
アルゴンガスを少なくとも50%含有する1×10^−
^3〜1×10^−^1Torrの雰囲気において、0
.1〜30W・秒/cm^2の範囲の放電処理量で高周
波スパッタエッチング処理を施したのちに、透明な導電
性薄膜を形成し、ついでこの薄膜上に膜厚100Å以上
の透明な誘電体薄膜を形成することを特徴とする透明導
電性フィルムの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63176545A JP2944668B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 透明導電性フイルムの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63176545A JP2944668B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 透明導電性フイルムの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0227617A true JPH0227617A (ja) | 1990-01-30 |
JP2944668B2 JP2944668B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=16015460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63176545A Expired - Lifetime JP2944668B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 透明導電性フイルムの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2944668B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8795786B2 (en) | 2010-05-12 | 2014-08-05 | Meihan Shinku Kogyo Co., Ltd. | Transparent conductive substrate |
KR20160053941A (ko) | 2013-09-10 | 2016-05-13 | 록 기켄 고교 가부시키가이샤 | 투명 도전성 기재 및 투명 도전성 기재의 제조방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5956313A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-31 | 日東電工株式会社 | 導電性薄膜の製造方法 |
JPS61279004A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-09 | 帝人株式会社 | 導電性積層体 |
JPS62263610A (ja) * | 1986-05-10 | 1987-11-16 | 日本板硝子株式会社 | 透明導電性積層体タブレツト |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63176545A patent/JP2944668B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5956313A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-31 | 日東電工株式会社 | 導電性薄膜の製造方法 |
JPS61279004A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-09 | 帝人株式会社 | 導電性積層体 |
JPS62263610A (ja) * | 1986-05-10 | 1987-11-16 | 日本板硝子株式会社 | 透明導電性積層体タブレツト |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8795786B2 (en) | 2010-05-12 | 2014-08-05 | Meihan Shinku Kogyo Co., Ltd. | Transparent conductive substrate |
KR20160053941A (ko) | 2013-09-10 | 2016-05-13 | 록 기켄 고교 가부시키가이샤 | 투명 도전성 기재 및 투명 도전성 기재의 제조방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2944668B2 (ja) | 1999-09-06 |
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