JPH0227357A - パターン形成方法及びパターン形成材料 - Google Patents
パターン形成方法及びパターン形成材料Info
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- JPH0227357A JPH0227357A JP17710288A JP17710288A JPH0227357A JP H0227357 A JPH0227357 A JP H0227357A JP 17710288 A JP17710288 A JP 17710288A JP 17710288 A JP17710288 A JP 17710288A JP H0227357 A JPH0227357 A JP H0227357A
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- pattern forming
- resin
- forming material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体製造のうち、リングラフィ工程におけ
るパターン形成方法及びこれに用いたパターン形成材料
に関する。
るパターン形成方法及びこれに用いたパターン形成材料
に関する。
（従来の技術）
従来、紫外光や遠紫外光、エキシマレーザ光に使用する
ポジ型のパターン形成材料としては、ジアゾナフトキノ
ンエステルがアルカリ水溶液に対する樹脂の溶解阻止材
、及び感光体としての役割を担っていた。
ポジ型のパターン形成材料としては、ジアゾナフトキノ
ンエステルがアルカリ水溶液に対する樹脂の溶解阻止材
、及び感光体としての役割を担っていた。
ところが、従来のこのようなジアゾナフトキノンエステ
ルを用いたパターン形成材料（レジスト）は、パターン
が微細化するにつれて、そのパターン形状や解像性に限
界があることが判明した。
ルを用いたパターン形成材料（レジスト）は、パターン
が微細化するにつれて、そのパターン形状や解像性に限
界があることが判明した。
第２図を用いて、このような従来のパターン形成材料を
用いた場合のパターン形成方法について説明する。
用いた場合のパターン形成方法について説明する。
基板１上にジアゾナフトキノンエステルを感光体とする
従来のパターン形成材料であるＭＰ２４００（シブレイ
）３を１．２μｍ厚に形成する（第２図（ａ））。
従来のパターン形成材料であるＭＰ２４００（シブレイ
）３を１．２μｍ厚に形成する（第２図（ａ））。
次に、マスク４を介してＮＡｏ、３６のＫ ｒ Ｆエキ
シマレーザステッパで所望のパターンを露光５する（第
２図（ｂ））。最後に、Ｍ Ｐ ２４０１の２０％現像
液（シブレイ）で６０秒のパドル現像を行ない、パター
ン３Ａを形成した（第２図（Ｃ））。
シマレーザステッパで所望のパターンを露光５する（第
２図（ｂ））。最後に、Ｍ Ｐ ２４０１の２０％現像
液（シブレイ）で６０秒のパドル現像を行ない、パター
ン３Ａを形成した（第２図（Ｃ））。
ところが、得られたパターン３Ａは、０．５μｍのライ
ン・アンド・スペースパターンではあったが、アスペク
ト比６０’で膜減りは１０％という不良パターンであっ
た。このようなパターン不良の原因としたは、感光体で
あるジアゾナフトキノンエステルの光退色作用の不良、
及び未露光部の樹脂のアルカリ溶解阻止能の少なさなど
が考えられる。
ン・アンド・スペースパターンではあったが、アスペク
ト比６０’で膜減りは１０％という不良パターンであっ
た。このようなパターン不良の原因としたは、感光体で
あるジアゾナフトキノンエステルの光退色作用の不良、
及び未露光部の樹脂のアルカリ溶解阻止能の少なさなど
が考えられる。
従来の不良パターン３Ａは、後工程でのパターン欠陥な
寸法変動につながる可能性が大きく、半導体素子製造の
歩留まり低下の原因となるために危惧すべき事態であっ
た。
寸法変動につながる可能性が大きく、半導体素子製造の
歩留まり低下の原因となるために危惧すべき事態であっ
た。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、従来のパターン形成材料及びパターン形成方
法が有していたパターン不良の問題点を解決することを
目的とする。
法が有していたパターン不良の問題点を解決することを
目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記従来の問題点を解決するために、感光体
としてオニウム塩を使用したものである。
としてオニウム塩を使用したものである。
（作 用）
本発明に係るオニウム塩とアルカリ可溶樹脂と溶媒より
成るパターン形成材料は、材料中のオニウム塩が、露光
（遠紫外光や紫外光）に対しての光退色作用が従来のジ
アゾナフトキノンエステルに比べて５割以上大きく、ま
た、樹脂のアルカリ可溶阻止能についても５割程大きい
ことがら、露光部・未露光部の差がはっきりとついたコ
ントラストの良好なパターンが得られることになる。
成るパターン形成材料は、材料中のオニウム塩が、露光
（遠紫外光や紫外光）に対しての光退色作用が従来のジ
アゾナフトキノンエステルに比べて５割以上大きく、ま
た、樹脂のアルカリ可溶阻止能についても５割程大きい
ことがら、露光部・未露光部の差がはっきりとついたコ
ントラストの良好なパターンが得られることになる。
（Ｘはハロゲン原子）などが挙げられるが、これらに限
定されることはない。
定されることはない。
アルカリ可溶樹脂としては何れでもよいが、例えば、ク
レゾール・ノボラック樹脂またはキシレノール樹脂また
はポリビニルフェノール樹脂またはスチレン樹脂や、こ
れらの混合体が考えられる。
レゾール・ノボラック樹脂またはキシレノール樹脂また
はポリビニルフェノール樹脂またはスチレン樹脂や、こ
れらの混合体が考えられる。
スチレン樹脂としては１例えばアルカリ可溶なものとし
て、スチレンとマイレン酸、マイレン酸ハーフエステル
、マイレン酸ハーフエステルとの共重合樹脂が考えられ
る。
て、スチレンとマイレン酸、マイレン酸ハーフエステル
、マイレン酸ハーフエステルとの共重合樹脂が考えられ
る。
なお、オニウム塩を用いた場合のパターン形成材料とし
ての感度は、何れの波長においても従来例とほとんど差
異なく良好であった。
ての感度は、何れの波長においても従来例とほとんど差
異なく良好であった。
（実施例）
第１図を用いて、本発明の一実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法について説明する。
を用いたパターン形成方法について説明する。
なお、パターン形成材料の組成は以下の通りであった。
パラ・メタ・共重合クレゾール・ノボラック樹脂 ５
．０ｇ（パラ：メタ＝ｌ：４．分子量６０００）料２を
１．２μｍ厚形成する（第１図（ａ））。次に、マスク
４を介してＮＡｏ、３６のＫｒＦエキシマレーザステッ
パで所望のパターンを露光５する（第１図（ｂ））。最
後に、Ｍ Ｐ ２４０１の２０％現像液（シブレイ）で
６０秒のパドル現像を行ない、パターン２Ａを得た（第
１図（Ｃ））。得られたパターン２Ａは、膜減りのない
アスペクト比で８８°の良好な０．５μｍライン・アン
ド・スペースパターンであった。
．０ｇ（パラ：メタ＝ｌ：４．分子量６０００）料２を
１．２μｍ厚形成する（第１図（ａ））。次に、マスク
４を介してＮＡｏ、３６のＫｒＦエキシマレーザステッ
パで所望のパターンを露光５する（第１図（ｂ））。最
後に、Ｍ Ｐ ２４０１の２０％現像液（シブレイ）で
６０秒のパドル現像を行ない、パターン２Ａを得た（第
１図（Ｃ））。得られたパターン２Ａは、膜減りのない
アスペクト比で８８°の良好な０．５μｍライン・アン
ド・スペースパターンであった。
なお、本発明の形成材料中のポリマーとして、下記のポ
リマーを使用しても同様の良好な結果を得た。
リマーを使用しても同様の良好な結果を得た。
Ｈ３
エチルセロソルブアセテート ３５．０ ｇ半
導体等の基板１上に本発明のパターン形成材（発明の効
果） 本発明のパターン形成材料及び方法により、微細パター
ンが形状良く得られ、半専体素子製造の歩留まり向上に
つながることから、工業的価値が大きい。
導体等の基板１上に本発明のパターン形成材（発明の効
果） 本発明のパターン形成材料及び方法により、微細パター
ンが形状良く得られ、半専体素子製造の歩留まり向上に
つながることから、工業的価値が大きい。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例のパターン形
成材料を用いたパターン形成方法の工程断面図、第２図
（ａ）〜（ｃ）は従来のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法の工程断面図である。 １・・・基板、 ２・・・本発明のパターン形成材料、
４・・・マスク、 ５・・・ＫｒＦエキシマレーザ光
、 ２Ａ・・・パターン。 特許出願人 松下電器産業株式会社 −■■■１■替）−４ マスク
成材料を用いたパターン形成方法の工程断面図、第２図
（ａ）〜（ｃ）は従来のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法の工程断面図である。 １・・・基板、 ２・・・本発明のパターン形成材料、
４・・・マスク、 ５・・・ＫｒＦエキシマレーザ光
、 ２Ａ・・・パターン。 特許出願人 松下電器産業株式会社 −■■■１■替）−４ マスク
Claims (4)
- （１）基板上に、オニウム塩とアルカリ可溶樹脂と溶媒
より成るパターン形成材料を形成し、露光・現像を行な
ってパターンを形成することを特徴とするパターン形成
方法。 - （２）アルカリ可溶樹脂が、クレゾール・ノボラック樹
脂またはキシレノール樹脂またはポリビニルフェノール
樹脂またはスチレン樹脂であることを特徴とする請求項
（１）記載のパターン形成方法。 - （３）オニウム塩とアルカリ可溶樹脂と溶媒より成るこ
とを特徴とするパターン形成材料。 - （４）アルカリ可溶樹脂が、クレゾール・ノボラック樹
脂またはキシレノール樹脂またはポリビニルフェノール
樹脂またはスチレン樹脂であることを特徴とする請求項
（３）記載のパターン形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17710288A JPH0227357A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | パターン形成方法及びパターン形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17710288A JPH0227357A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | パターン形成方法及びパターン形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227357A true JPH0227357A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16025183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17710288A Pending JPH0227357A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | パターン形成方法及びパターン形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03223857A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP17710288A patent/JPH0227357A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03223857A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
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