JPH02272753A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02272753A JPH02272753A JP9468689A JP9468689A JPH02272753A JP H02272753 A JPH02272753 A JP H02272753A JP 9468689 A JP9468689 A JP 9468689A JP 9468689 A JP9468689 A JP 9468689A JP H02272753 A JPH02272753 A JP H02272753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- coil
- inductance
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、半導体基板上にインダクタンスを得るため
のコイルを形成した半導体装置に関する。
のコイルを形成した半導体装置に関する。
例えば、特開昭６３−４８８０９号、同６３−４８８５
５号、同６３−４８８５６号公報に開示されるように、
半導体基板上にスパイラルインダクタやコンデンサを形
成した半導体装置がある。 ところで、半導体装置を外部の装置と接続したとき、一
種のＲＬＣ共振回路ができあがって、半導体装置からの
出力波に対する反射波が発生し、これによって、出力波
の波形がダンピングを起こしてしまうということがある
。 このため、出力のアウトプットバッファとして、半導体
装置側に、インダクタンスを入れることにより、上記ダ
ンピングを解消することが考えられる。
５号、同６３−４８８５６号公報に開示されるように、
半導体基板上にスパイラルインダクタやコンデンサを形
成した半導体装置がある。 ところで、半導体装置を外部の装置と接続したとき、一
種のＲＬＣ共振回路ができあがって、半導体装置からの
出力波に対する反射波が発生し、これによって、出力波
の波形がダンピングを起こしてしまうということがある
。 このため、出力のアウトプットバッファとして、半導体
装置側に、インダクタンスを入れることにより、上記ダ
ンピングを解消することが考えられる。
出力のアウトプットバッファとしてのインダクタンスは
、半導体装置に応じて最適量が得られるようにしなけれ
ばならない。 しかしながら、上記のようなスパイラルインダクタやコ
ンデンサを形成した半導体装置においては、コイルが半
導体基板表面と平行且つ一つの面内に配置されていて、
インダクタンスＬを変えるためには、コイルの巻き数を
変えなければならず、このようにすると、大きなインダ
クタンスＬを得るためには、半導体基板表面のかなりの
面積か占められてしまうという問題点が生じる。 この発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって
、半導体基板表面の大きな面積を占めることなく、且つ
、容易に任意のインダクタンスＬを得ることができるよ
うにした半導体装置を提供することを目的とする。
、半導体装置に応じて最適量が得られるようにしなけれ
ばならない。 しかしながら、上記のようなスパイラルインダクタやコ
ンデンサを形成した半導体装置においては、コイルが半
導体基板表面と平行且つ一つの面内に配置されていて、
インダクタンスＬを変えるためには、コイルの巻き数を
変えなければならず、このようにすると、大きなインダ
クタンスＬを得るためには、半導体基板表面のかなりの
面積か占められてしまうという問題点が生じる。 この発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって
、半導体基板表面の大きな面積を占めることなく、且つ
、容易に任意のインダクタンスＬを得ることができるよ
うにした半導体装置を提供することを目的とする。
この発明は、半導体基板上に、少なくとも一層の絶縁層
を間にして、第１及び第２の導電層を、磁束が該第１及
び第２の導電層間に発生するコイル形のパターンで形成
してなる半導体装置により上記目的を達成するものであ
る。
を間にして、第１及び第２の導電層を、磁束が該第１及
び第２の導電層間に発生するコイル形のパターンで形成
してなる半導体装置により上記目的を達成するものであ
る。
この発明においては、インダクタンスを得るためのコイ
ルが第１及び第２の導電層から、立体的に形成されてい
るので、半導体基板表面の大きな面積を占めることがな
い。 又、コイルのパターンをスパイラル状に形成する従来の
スパイラルインダクタに比較して、巻き線数の増大量に
対応する、該コイルのパターンの面積増加率が少なく、
従って、コイル巻き数の増大に対しても、半導体基板表
面の占有面積の増加が少ない。 更に又、コイルが第１及び第２の導電層によって形成さ
れるので、両導電層間に磁性体膜を形成することによっ
て、コイルのパターンの占める面積を増大させることな
く、インダクタンスを大幅に増大させることができる。 又、磁性体膜の種類、サイズによって、任意のインダク
タンスを容易に得ることができる。
ルが第１及び第２の導電層から、立体的に形成されてい
るので、半導体基板表面の大きな面積を占めることがな
い。 又、コイルのパターンをスパイラル状に形成する従来の
スパイラルインダクタに比較して、巻き線数の増大量に
対応する、該コイルのパターンの面積増加率が少なく、
従って、コイル巻き数の増大に対しても、半導体基板表
面の占有面積の増加が少ない。 更に又、コイルが第１及び第２の導電層によって形成さ
れるので、両導電層間に磁性体膜を形成することによっ
て、コイルのパターンの占める面積を増大させることな
く、インダクタンスを大幅に増大させることができる。 又、磁性体膜の種類、サイズによって、任意のインダク
タンスを容易に得ることができる。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
この実施例は、第１図及び第２図に示されるように、半
導体基板１０上に、絶縁層１２を間にして、第１の導電
層１４及び第２の導電層１６を、磁束が該第１及び第２
の導＄１１４．１６間に発生するコイル形のパターンで
形成して、半導体装置１８を構成したものである。 即ち、第１の導電層１４は、半導体基板１０上に、縦長
クランク形状の等間陽繰返しパターンでもって形成され
、絶縁層１２はこの第１の導電層１４を被うようにして
形成され、前記第２の導電層１６は、絶縁層１２の更に
上側に、第１の導電層１４と等しいピッチで、且つ、位
相をずらした格子状パターンで形成されている。 前記第２の導電層１６の上端は、コンタクトホール２Ｏ
Ａを介して図において右側に隣接する第１の導電層１４
の上端に接続され、又、第２の導電層１６の下端は、コ
ンタクトホール２ＯＢを介して、図において左側に隣接
する第１の導電層１４の下端に接続され、これによって
、第１の導電層１４と第２の導電層１６は、磁束が前記
絶縁層１２内を通る立体的コイルを形成している。 第２図の符号１５．１７は第１の導電層２４の各パター
ン間、及び第２の導電層１６の各パターン間を埋める絶
縁層を示す。 この第１図及び第２図に示される実施例の半導体装置１
８は、コイルの巻き数を増減する場合は、繰返パターン
の数を増減させればよく、又、絶縁層１２の膜圧を変え
ることによって、コイル径を変え、これによってもイン
ダクタンスＬを増減できる。 次に第３図及び第４図に示される本発明の第２実施例に
つき説明する。 この第２実施例は、半導体基板２２上に前記第１図に示
される実施例と同様のパターンで第１及び第２の導電Ｎ
２４．２６を形成すると共に、これら第１及び第２の導
電層２４．２６の間に、磁性体層２８を形成したもので
ある。 第１及び第２の導電層２４．２６と磁性体層２８との間
には第１及び第２の絶縁層３０．３２が形成されている
。 この実施例においても、前記第１実施例と同様に、第１
の導電層２４及び第２の導電層２６は、コンタクトホー
ル３４Ａ、３４Ｂによりコイル上に接続されている。 この実施例においては、磁性体層２８によってコイルの
コアが形成されるので、前記第１図の実施例と比較して
、更におおきなインダクタンスＬを得ることができる。 又この実施例においては、この磁性体層２８の材質、例
えば、鉄、侠合金、或いは磁性体層２８の厚さ、幅など
の寸法を変えることによって、任意のインダクタンスＬ
を容易に得ることができる。
導体基板１０上に、絶縁層１２を間にして、第１の導電
層１４及び第２の導電層１６を、磁束が該第１及び第２
の導＄１１４．１６間に発生するコイル形のパターンで
形成して、半導体装置１８を構成したものである。 即ち、第１の導電層１４は、半導体基板１０上に、縦長
クランク形状の等間陽繰返しパターンでもって形成され
、絶縁層１２はこの第１の導電層１４を被うようにして
形成され、前記第２の導電層１６は、絶縁層１２の更に
上側に、第１の導電層１４と等しいピッチで、且つ、位
相をずらした格子状パターンで形成されている。 前記第２の導電層１６の上端は、コンタクトホール２Ｏ
Ａを介して図において右側に隣接する第１の導電層１４
の上端に接続され、又、第２の導電層１６の下端は、コ
ンタクトホール２ＯＢを介して、図において左側に隣接
する第１の導電層１４の下端に接続され、これによって
、第１の導電層１４と第２の導電層１６は、磁束が前記
絶縁層１２内を通る立体的コイルを形成している。 第２図の符号１５．１７は第１の導電層２４の各パター
ン間、及び第２の導電層１６の各パターン間を埋める絶
縁層を示す。 この第１図及び第２図に示される実施例の半導体装置１
８は、コイルの巻き数を増減する場合は、繰返パターン
の数を増減させればよく、又、絶縁層１２の膜圧を変え
ることによって、コイル径を変え、これによってもイン
ダクタンスＬを増減できる。 次に第３図及び第４図に示される本発明の第２実施例に
つき説明する。 この第２実施例は、半導体基板２２上に前記第１図に示
される実施例と同様のパターンで第１及び第２の導電Ｎ
２４．２６を形成すると共に、これら第１及び第２の導
電層２４．２６の間に、磁性体層２８を形成したもので
ある。 第１及び第２の導電層２４．２６と磁性体層２８との間
には第１及び第２の絶縁層３０．３２が形成されている
。 この実施例においても、前記第１実施例と同様に、第１
の導電層２４及び第２の導電層２６は、コンタクトホー
ル３４Ａ、３４Ｂによりコイル上に接続されている。 この実施例においては、磁性体層２８によってコイルの
コアが形成されるので、前記第１図の実施例と比較して
、更におおきなインダクタンスＬを得ることができる。 又この実施例においては、この磁性体層２８の材質、例
えば、鉄、侠合金、或いは磁性体層２８の厚さ、幅など
の寸法を変えることによって、任意のインダクタンスＬ
を容易に得ることができる。
本発明は上記のように構成したので、半導体基板上で、
大きな面積を占めることなく、比較的任意に、且つ容易
に、最適のインダクタンスを得ることができるという優
れた効果を有する。
大きな面積を占めることなく、比較的任意に、且つ容易
に、最適のインダクタンスを得ることができるという優
れた効果を有する。
第１図は本発明に係る半導体装置の実施例を示す平面図
、第２図は第１図の■−■線に沿う断面図、第３図は本
発明の第２実施例を示す平面図、第４図は第３図のＩＶ
−ＩＶ線に沿う断面図である。 ０．２２・・・半導体基板、 ２・・・絶縁層、 ４．２４・・・第１の導電層、 ６．２６・・・第２の導電層、 ８・・・半導体装置、 ８・・・磁性体層、 ０・・・第１の絶縁層、 ２・・・第２の絶縁層。 第２図
、第２図は第１図の■−■線に沿う断面図、第３図は本
発明の第２実施例を示す平面図、第４図は第３図のＩＶ
−ＩＶ線に沿う断面図である。 ０．２２・・・半導体基板、 ２・・・絶縁層、 ４．２４・・・第１の導電層、 ６．２６・・・第２の導電層、 ８・・・半導体装置、 ８・・・磁性体層、 ０・・・第１の絶縁層、 ２・・・第２の絶縁層。 第２図
Claims (1)
- （１）半導体基板上に、少なくとも一層の絶縁層を間に
して、第１及び第２の導電層を、磁束が該第１及び第２
の導電層間に発生するコイル形のパターンで形成してな
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9468689A JPH02272753A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9468689A JPH02272753A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272753A true JPH02272753A (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=14117084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9468689A Pending JPH02272753A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02272753A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1153752A3 (en) * | 2000-04-14 | 2003-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, ink tank provided with such device and method of manufacturing such device |
| US7102647B2 (en) | 2001-06-26 | 2006-09-05 | Microsoft Corporation | Interactive horizon mapping |
| JP2009135523A (ja) * | 2009-03-09 | 2009-06-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | コイルおよびそれを用いた電流センサ |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP9468689A patent/JPH02272753A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1153752A3 (en) * | 2000-04-14 | 2003-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, ink tank provided with such device and method of manufacturing such device |
| US6719394B2 (en) | 2000-04-14 | 2004-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, ink tank provided with such semiconductor device, ink jet cartridge, ink jet recording apparatus, method for manufacturing such semiconductor device, and communication system, method for controlling pressure, memory element, security system of ink jet recording apparatus |
| US7102647B2 (en) | 2001-06-26 | 2006-09-05 | Microsoft Corporation | Interactive horizon mapping |
| JP2009135523A (ja) * | 2009-03-09 | 2009-06-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | コイルおよびそれを用いた電流センサ |
| JP4710996B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2011-06-29 | パナソニック電工株式会社 | 電流センサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8274352B2 (en) | Inductor devices | |
| US9269485B2 (en) | Method of creating spiral inductor having high Q value | |
| EP0716433A1 (en) | High Q integrated inductor | |
| US8325002B2 (en) | Power inductor structure | |
| KR100420948B1 (ko) | 병렬 분기 구조의 나선형 인덕터 | |
| US20010013821A1 (en) | High efficiency thin film inductor | |
| US3638156A (en) | Microinductor device | |
| WO1996028832A1 (en) | High q integrated inductor | |
| CA1139383A (en) | Spiralled printed inductance | |
| US10553353B2 (en) | Parallel stacked inductor for high-Q and high current handling and method of making the same | |
| WO1994007349A1 (en) | Magnetic vias within multi-layer, 3-dimensional structures/substrates | |
| KR20030007400A (ko) | 초소형 회로에 집적되는 코일, 코일 시스템 및 초소형 회로 | |
| US6292084B1 (en) | Fine inductor having 3-dimensional coil structure and method for producing the same | |
| JPH1140438A (ja) | 平面型磁気素子 | |
| US20030234436A1 (en) | Semiconductor device with a spiral inductor and magnetic material | |
| WO1999022565A2 (en) | Planar magnetic component with transverse winding pattern | |
| JPS62154607A (ja) | 高周波コイル | |
| US20020002771A1 (en) | Method for making a planar inductor/transformer in a laminated printed circuit board | |
| JPH02272753A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60136363A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0684647A (ja) | インダクタンス素子 | |
| JPS59114807A (ja) | プリント多層コイル | |
| JP4560848B2 (ja) | インダクタアレイ | |
| JP3383930B2 (ja) | 薄膜コイルおよび薄膜コイル実装モジュール | |
| JPH1074624A (ja) | インダクタ素子 |