JPH0684647A - インダクタンス素子 - Google Patents
インダクタンス素子Info
- Publication number
- JPH0684647A JPH0684647A JP25894692A JP25894692A JPH0684647A JP H0684647 A JPH0684647 A JP H0684647A JP 25894692 A JP25894692 A JP 25894692A JP 25894692 A JP25894692 A JP 25894692A JP H0684647 A JPH0684647 A JP H0684647A
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- JP
- Japan
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- inductance element
- spiral
- inductance
- circular
- conductors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小形で大きなインダクタンスを有するインダ
クタンス素子を半導体集積回路上に実現すること。 【構成】 絶縁基板１上に円形又は矩形の複数のほぼ同
一大きさのパターンの導体２をずらしながらエアーブリ
ッジで絶縁分離して重ねて形成し、これを繰り返してス
パイラル状に配線する。また、絶縁基板上に円形又は矩
形のパターンの導体からなるスパイラル配線を複数形成
してこれを直列接続し、隣接する該スパイラル配線によ
り形成される磁束が逆向きとなるようにする。
クタンス素子を半導体集積回路上に実現すること。 【構成】 絶縁基板１上に円形又は矩形の複数のほぼ同
一大きさのパターンの導体２をずらしながらエアーブリ
ッジで絶縁分離して重ねて形成し、これを繰り返してス
パイラル状に配線する。また、絶縁基板上に円形又は矩
形のパターンの導体からなるスパイラル配線を複数形成
してこれを直列接続し、隣接する該スパイラル配線によ
り形成される磁束が逆向きとなるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に通信
用混成ＧａＡｓ−ＩＣ等の半導体集積回路に作り込むイ
ンダクタンス素子に関するものである。
用混成ＧａＡｓ−ＩＣ等の半導体集積回路に作り込むイ
ンダクタンス素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、インダクタンス素子は、スパイラ
ル形状のものが多く用いられていた。（J.S.Joshi et.a
l., " Monolithic Microwave Gallium Arsenide FET Os
cilla-tors " IEEE Trans. on Electron Devices, vol.
ED-28,no.2, Feb 1981.R.A.Pucel " Design Considera
tions for Monolithic Microwave Circuits " ,IEEE Tr
ans. on Microwave Theory and Techniques, vol.MTT-2
9, no.6, June1981.)これは、図７に示すように、平面
形状にするために、矩形状（又は円形状）に、絶縁基板
１の上面に導体２を互いに重なり合わないように径を順
次小さくしながら内側に配線して形成したものである。
３は引出し用のエアーブリッジである。またこのインダ
クタンス素子は１つのスパイラル毎に独立に（隣接せ
ず、接地線で分断されて）構成されていた。
ル形状のものが多く用いられていた。（J.S.Joshi et.a
l., " Monolithic Microwave Gallium Arsenide FET Os
cilla-tors " IEEE Trans. on Electron Devices, vol.
ED-28,no.2, Feb 1981.R.A.Pucel " Design Considera
tions for Monolithic Microwave Circuits " ,IEEE Tr
ans. on Microwave Theory and Techniques, vol.MTT-2
9, no.6, June1981.)これは、図７に示すように、平面
形状にするために、矩形状（又は円形状）に、絶縁基板
１の上面に導体２を互いに重なり合わないように径を順
次小さくしながら内側に配線して形成したものである。
３は引出し用のエアーブリッジである。またこのインダ
クタンス素子は１つのスパイラル毎に独立に（隣接せ
ず、接地線で分断されて）構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
構成のインダクタンス素子は、矩形或いは円形状に巻か
れる配線の径が内側になるほど小さくなるので、その分
インダクタンスが減少して、大きなインダクタンスを得
ることが困難であった。
構成のインダクタンス素子は、矩形或いは円形状に巻か
れる配線の径が内側になるほど小さくなるので、その分
インダクタンスが減少して、大きなインダクタンスを得
ることが困難であった。
【０００４】本発明の目的は、小型でしかも大きなイン
ダクタンスを得ることができるようにしたインダクタン
ス素子を提供することである。
ダクタンスを得ることができるようにしたインダクタン
ス素子を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このために第１の発明の
インダクタンス素子は、絶縁基板上に円形又は矩形の複
数のほぼ同一大きさのパターンの導体をずらしながら絶
縁分離して重ねて形成し、これを繰り返してスパイラル
状に配線して構成した。
インダクタンス素子は、絶縁基板上に円形又は矩形の複
数のほぼ同一大きさのパターンの導体をずらしながら絶
縁分離して重ねて形成し、これを繰り返してスパイラル
状に配線して構成した。
【０００６】第２のインダクタンス素子は、絶縁基板上
に円形又は矩形のパターンの導体からなるスパイラル配
線を複数形成してこれを直列接続し、隣接する該スパイ
ラル配線により形成される磁束が逆向きとなるようにし
て構成した。
に円形又は矩形のパターンの導体からなるスパイラル配
線を複数形成してこれを直列接続し、隣接する該スパイ
ラル配線により形成される磁束が逆向きとなるようにし
て構成した。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１はその一実施例のインダクタンス素子の説明図であ
る。このインダクタンス素子は、絶縁基板１上に、同一
の矩形パターンの導体２を所定のピッチで同一方向にず
らせて繰り返し配置配線し、配線の重なり部分を絶縁分
離したものである。この絶縁分離部分はエアーブリッジ
３で形成している。
１はその一実施例のインダクタンス素子の説明図であ
る。このインダクタンス素子は、絶縁基板１上に、同一
の矩形パターンの導体２を所定のピッチで同一方向にず
らせて繰り返し配置配線し、配線の重なり部分を絶縁分
離したものである。この絶縁分離部分はエアーブリッジ
３で形成している。
【０００８】このようなインダクタンス素子の形成方法
としては、まず図２の（ａ）に示すように、導体２の部
分を絶縁基板１上に下層配線として形成し、その形成後
に、図２（ｂ）に示すように、エアーブリッジ３部分を
上層配線として形成する。
としては、まず図２の（ａ）に示すように、導体２の部
分を絶縁基板１上に下層配線として形成し、その形成後
に、図２（ｂ）に示すように、エアーブリッジ３部分を
上層配線として形成する。
【０００９】このようにエアーブリッジ３を使用するの
は、重なり部分の静電容量を低減するためであるが、特
に、アエーブリッジ３を構成する上層配線を、その横断
面形状を中央部に比べて両端部が厚いＵ字形状に形成す
れば、低抵抗（特に高周波）でブリッジ長の大きな（強
度大）エアーブリッジを形成できる。なお、図２の
（ｂ）に示すアエーブリッジ３のパターンを下層配線と
し、図２の（ａ）に示す導体２のパターンを上層配線と
して同様にインダクタンス素子を形成することもでき
る。
は、重なり部分の静電容量を低減するためであるが、特
に、アエーブリッジ３を構成する上層配線を、その横断
面形状を中央部に比べて両端部が厚いＵ字形状に形成す
れば、低抵抗（特に高周波）でブリッジ長の大きな（強
度大）エアーブリッジを形成できる。なお、図２の
（ｂ）に示すアエーブリッジ３のパターンを下層配線と
し、図２の（ａ）に示す導体２のパターンを上層配線と
して同様にインダクタンス素子を形成することもでき
る。
【００１０】図３は変形例を示す図であり、図１に示す
ものと同様に同一パターンの配線を所定ピッチで同一方
向にずらせて繰り返し配置配線したものであるが、２本
の配線４、５により二重のスパイラル状のインダクタン
ス素子としたものである。この例のインダクタンス素子
は、２個のコイルを有することになるので、カプラーと
して利用することができる。
ものと同様に同一パターンの配線を所定ピッチで同一方
向にずらせて繰り返し配置配線したものであるが、２本
の配線４、５により二重のスパイラル状のインダクタン
ス素子としたものである。この例のインダクタンス素子
は、２個のコイルを有することになるので、カプラーと
して利用することができる。
【００１１】図４は別の変形例を示す図であり、１本の
導体２で８の字形状のパターンを所定ピッチで同一方向
にずらせて繰り返し形成して配置配線したものである。
このインダクタンス素子では、２個のスパイラル部Ａ、
Ｂが形成され、しかも両スパイラル部Ａ、Ｂの磁束の向
き（極性）が反対となるので、両スパイラル部Ａ、Ｂの
相互インダクタンスが大きくなって、全体として占有面
積当たりのインダクタンスが大きなインダクタンス素子
を得ることができる。
導体２で８の字形状のパターンを所定ピッチで同一方向
にずらせて繰り返し形成して配置配線したものである。
このインダクタンス素子では、２個のスパイラル部Ａ、
Ｂが形成され、しかも両スパイラル部Ａ、Ｂの磁束の向
き（極性）が反対となるので、両スパイラル部Ａ、Ｂの
相互インダクタンスが大きくなって、全体として占有面
積当たりのインダクタンスが大きなインダクタンス素子
を得ることができる。
【００１２】図５は第２の実施例のインダクタンス素子
を示す図である。このインダクタンス素子は、導体２を
互いに重なり合わないように径を小さくしながら内側に
配線して形成し直列接続した２個のスパイラル部Ｃ、Ｄ
の中心部相互をエアーブリッジ３で接続したものであ
る。このインダクタンス素子では、両スパイラル部Ｃ、
Ｄにより発生する磁束の向きが逆方向となるので、図４
に示したインダクタンス素子と同様に、相互インダクタ
ンスが大きくなり、全体で大きなインダクタンスを得る
ことができる。
を示す図である。このインダクタンス素子は、導体２を
互いに重なり合わないように径を小さくしながら内側に
配線して形成し直列接続した２個のスパイラル部Ｃ、Ｄ
の中心部相互をエアーブリッジ３で接続したものであ
る。このインダクタンス素子では、両スパイラル部Ｃ、
Ｄにより発生する磁束の向きが逆方向となるので、図４
に示したインダクタンス素子と同様に、相互インダクタ
ンスが大きくなり、全体で大きなインダクタンスを得る
ことができる。
【００１３】図６は図５の変形例を示す図であって、そ
の（ａ）は３個のスパイラル部Ｃ〜Ｅを直列接続して横
一列に配線したもの、（ｂ）は４個のスパイラル部Ｃ〜
Ｆを同様に直列接続して横一列に配線したもの、（ｃ）
はこの４個のスパイラル部Ｃ〜Ｆを直列接続して特定の
点を囲むようにまとめたものである。これら図６の
（ａ）〜（ｃ）のいずれにおいても、隣接するスパイラ
ル部で発生する磁束の向きが逆方向となるので、上記同
様に大きなインダクタンスを得ることができる。
の（ａ）は３個のスパイラル部Ｃ〜Ｅを直列接続して横
一列に配線したもの、（ｂ）は４個のスパイラル部Ｃ〜
Ｆを同様に直列接続して横一列に配線したもの、（ｃ）
はこの４個のスパイラル部Ｃ〜Ｆを直列接続して特定の
点を囲むようにまとめたものである。これら図６の
（ａ）〜（ｃ）のいずれにおいても、隣接するスパイラ
ル部で発生する磁束の向きが逆方向となるので、上記同
様に大きなインダクタンスを得ることができる。
【００１４】以上に示したインダクタンス素子は、分波
器、トランス、カプラ等に比較的容易に適用することが
できる。これは、平面的に幾つかの部分に分けて構成さ
れるため、その分離及び結線の工夫により、自由に各部
分を分けて素子構成ができるめである。
器、トランス、カプラ等に比較的容易に適用することが
できる。これは、平面的に幾つかの部分に分けて構成さ
れるため、その分離及び結線の工夫により、自由に各部
分を分けて素子構成ができるめである。
【００１５】
【発明の効果】以上から本発明によれば、小形で大きな
インダクタンスのインダクタンス素子を半導体集積回路
上に実現することができるようになり、マイクロ波通信
用混成ＩＣ等の半導体集積回路の高性能化を図ることが
できる。
インダクタンスのインダクタンス素子を半導体集積回路
上に実現することができるようになり、マイクロ波通信
用混成ＩＣ等の半導体集積回路の高性能化を図ることが
できる。
【図１】 本発明の一実施例のインダクタンス素子の平
面図である。
面図である。
【図２】 同実施例のインダクタンス素子の形成の説明
図である。
図である。
【図３】 同実施例のインダクタンス素子の変形例の平
面図である。
面図である。
【図４】 同実施例のインダクタンス素子の別の変形例
の平面図である。
の平面図である。
【図５】 別の実施例のインダクタンス素子の平面図で
ある。
ある。
【図６】 同実施例のインダクタンス素子の変形例の平
面図である。
面図である。
【図７】 従来のインダクタンス素子の平面図である。
１：絶縁基板、２：導体、３：エアーブリッジ、４、
５：導体、Ａ〜Ｆ：スパイラル部。
５：導体、Ａ〜Ｆ：スパイラル部。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に円形又は矩形の複数のほぼ同一
大きさのパターンの導体をずらしながら絶縁分離して重
ねて形成し、これを繰り返してスパイラル状に配線して
成ることを特徴とするインダクタンス素子。 - 【請求項２】 基板上に円形又は矩形のパターンの導体
からなるスパイラル配線を複数形成してこれを直列接続
し、隣接する該スパイラル配線により形成される磁束が
逆向きとなるようにしたことを特徴とするインダクタン
ス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25894692A JPH0684647A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25894692A JPH0684647A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | インダクタンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684647A true JPH0684647A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17327236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25894692A Pending JPH0684647A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684647A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236297B1 (en) * | 1998-07-08 | 2001-05-22 | Winbond Electronics Corp. | Combinational inductor |
| WO2008069098A1 (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Holy Loyalty International Co., Ltd. | コイル装置 |
| JP2008141201A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-19 | Holy Loyalty Internatl Co Ltd | コイル装置 |
| WO2012124870A1 (ko) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 숭실대학교산학협력단 | 셀 구조 인덕터 |
| CN102800645A (zh) * | 2011-05-23 | 2012-11-28 | 矽品精密工业股份有限公司 | 对称式差动电感结构 |
| WO2013057913A1 (ja) * | 2011-10-17 | 2013-04-25 | パナソニック 株式会社 | 非接触給電装置及び非接触給電装置の１次コイルブロック |
| JP2014197613A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 富士通株式会社 | インダクタ装置及びインダクタ装置の製造方法 |
| US10943730B2 (en) | 2016-03-18 | 2021-03-09 | Realtek Semiconductor Corp. | Single-ended inductor |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP25894692A patent/JPH0684647A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236297B1 (en) * | 1998-07-08 | 2001-05-22 | Winbond Electronics Corp. | Combinational inductor |
| WO2008069098A1 (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Holy Loyalty International Co., Ltd. | コイル装置 |
| JP2008141201A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-19 | Holy Loyalty Internatl Co Ltd | コイル装置 |
| US7982573B2 (en) | 2006-11-29 | 2011-07-19 | Ryutaro Mori | Coil device |
| WO2012124870A1 (ko) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 숭실대학교산학협력단 | 셀 구조 인덕터 |
| CN102800645A (zh) * | 2011-05-23 | 2012-11-28 | 矽品精密工业股份有限公司 | 对称式差动电感结构 |
| WO2013057913A1 (ja) * | 2011-10-17 | 2013-04-25 | パナソニック 株式会社 | 非接触給電装置及び非接触給電装置の１次コイルブロック |
| JP2013089728A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-13 | Panasonic Corp | 非接触給電装置及び非接触給電装置の１次コイルブロック |
| JP2014197613A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 富士通株式会社 | インダクタ装置及びインダクタ装置の製造方法 |
| US10943730B2 (en) | 2016-03-18 | 2021-03-09 | Realtek Semiconductor Corp. | Single-ended inductor |
| TWI726873B (zh) * | 2016-03-18 | 2021-05-11 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 單端電感器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001010 |