TWI726873B - 單端電感器 - Google Patents

單端電感器 Download PDF

Info

Publication number
TWI726873B
TWI726873B TW105108391A TW105108391A TWI726873B TW I726873 B TWI726873 B TW I726873B TW 105108391 A TW105108391 A TW 105108391A TW 105108391 A TW105108391 A TW 105108391A TW I726873 B TWI726873 B TW I726873B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
coil
partial coil
partial
metal layer
ended inductor
Prior art date
Application number
TW105108391A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201735070A (zh
Inventor
羅正瑋
顏孝璁
葉達勳
簡育生
Original Assignee
瑞昱半導體股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 瑞昱半導體股份有限公司 filed Critical 瑞昱半導體股份有限公司
Priority to TW105108391A priority Critical patent/TWI726873B/zh
Priority to US15/462,344 priority patent/US10943730B2/en
Publication of TW201735070A publication Critical patent/TW201735070A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI726873B publication Critical patent/TWI726873B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/34Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
    • H01F27/346Preventing or reducing leakage fields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006Printed inductances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28Coils; Windings; Conductive connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F5/00Coils
    • H01F5/04Arrangements of electric connections to coils, e.g. leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006Printed inductances
    • H01F2017/0046Printed inductances with a conductive path having a bridge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006Printed inductances
    • H01F2017/0073Printed inductances with a special conductive pattern, e.g. flat spiral

Abstract

本發明之實施例提供了一種單端電感器,包含一第一部分線圈,該第一部分線圈是沿一第一方向繞設;以及一第二部分線圈,該第二部分線圈是沿一第二方向繞設,且與該第一部分線圈相鄰,其中該第二方向與該第一方向相反,以減少單端電感器與週邊線路之耦合,減少訊號干擾。

Description

單端電感器
本發明係關於一種電感器;特別關於一種利用繞線設計消除與週邊線路耦合現象之單端電感器。
習知非差動(Differential)操作之電感器,即一般單端(Single-ended)電感器常會與電感器週邊的線路發生耦合(Couple)現象,例如經由本身的電磁場(EM Field)、或經由耦合電容與線路耦合、或在單端電感器的基板形成渦(Eddy Current)再與旁邊的線路耦合,其中以電磁場與線路耦合的影響最大。
第1A圖顯示一習知單端電感器與週邊線路之磁場耦合示意圖。該圖中習知單端電感器100之繞線依據安培右手定則來推導,可得到當電流流過單端電感器100時會在其繞線的周圍產生環繞磁場。如第1A圖所示,當單端電感器100周圍有其他線路LO時,單端電感器100之環繞磁場會與週邊之其他線路LO產生之環繞磁場產生耦合現象,而影響線路訊號品質。
第1B圖顯示第1A圖區域A之寄生電容Cu之示意圖。該圖中單端電感器100與其他線路LO透過寄生電容Cu發生耦合,造成電路訊號干擾。
因此,如何消除單端電感器與週邊線路之耦合現象,實為急需解決之問題。
本發明之目的之一在提供一種單端電感器,用以消除單端電感與週邊線路繞線之耦合問題,減少訊號干擾,以提升訊號品質。
本發明之實施例提供了一種單端電感器,包含一第一部分線圈,該第一部分線圈是沿一第一方向繞設;以及一第二部分線圈,該第 二部分線圈是沿一第二方向繞設,且與該第一部分線圈相鄰,其中該第二方向與該第一方向相反,以減少單端電感器與週邊線路之耦合,減少訊號干擾。
依此方式本發明實施例之單端電感器,利用相鄰之部分線圈繞線的方向相反,抵銷電感器與週邊線路繞線之耦合現象,可達成提升訊號品質之功效,解決習知技術之問題。
100:習知單端電感器
200、300、400、500、600、700:單端電感器
201、202、301、302、401、402、501、502、503、504、601、602、603: 部分線圈
P1、P2、P3:端點
M1、M2:金屬層
LO:線路
Cu、Cu1、Cu2:電容
第1A圖顯示一習知單端電感器與週邊線路之磁場耦合示意圖。
第1B圖顯示習知單端電感與週邊線路繞線間耦合電容之示意圖。
第2A圖顯示本發明一實施例之一種單端電感器之示意圖。
第2B圖顯示本發明一實施例之單端電感與週邊線路繞線間耦合電容之示意圖。
第2C圖顯示本發明第2A圖之單端電感器之俯視圖。
第3圖顯示本發明另一實施例之單端電感器之俯視圖。
第4圖顯示本發明另一實施例之單端電感器之俯視圖。
第5圖顯示本發明另一實施例之單端電感器之俯視圖。
第6圖顯示本發明另一實施例之單端電感器之俯視圖。
第7圖顯示本發明另一實施例之單端電感器之俯視圖。
第2A圖顯示本發明一實施例之一種單端電感器之示意圖。該圖中,單端電感器200包含複數個部分線圈201、202,第一部分線圈201耦接一第一端P1,且第一部分線圈201設置於一第一金屬層M1。第二部分線圈202耦接一第二端P2,且第二部分線圈202設置於第一金屬層M1。其 中,第一部分線圈201與第二部分線圈202係透過一第二金屬層M2之導線耦接。
再者,每一相鄰之部分線圈201、202繞線的方向相反、每一相鄰之部分線圈201、202電流流動方向相反。該圖之示例中,第一部分線圈201是沿順時針方向CW繞設,而第二部分線圈202是沿逆時針方向CCW繞設,因此第一部分線圈201與第二部分線圈相鄰位置之繞線方向相反。依此方式,當第一電流I1由第一端P1流入時,第一電流I1在位於第一金屬層M1之第一部分線圈201上沿著順時針方向CW流動,經過線段AB位置時,依據安培右手定則於線段AB位置將產生一向上UP的磁力線方向。接著第一電流I1沿著第二金屬層M2之導線流入第二部分線圈202,由於第二部分線圈202是採逆時針方向CCW繞設,因此第一電流I1之流動方向將被反向設定而產生方向相反之第二電流I2,第二電流I2流過線段AB時,依據安培右手定則於線段AB位置將產生一向下DN的磁力線方向。依此方式第一部分線圈201與第二部分線圈202於基板產生方向相反之渦電流,此二方向相反之渦電流可相互抵消以達成減少基板渦電流之功效。
而在第一部分線圈201與第二部分線圈202內的磁力線將在第一部分線圈201與第二部分線圈202之間環繞,如圖磁力線X所示,而減少如第1A圖中整體線圈產生之磁場與其他線路導線之耦合。
再者,如第2B圖所示,當本實施例之單端電感器200週邊有其他線路LO經過時,因為第一部分線圈201與第二部分線圈202之電流I1、I2流向相反,而造成電場方向相反,而藉由寄生電容Cu1、Cu2傳送到其他線路LO的磁場方向也會因為反向而達成抵銷的效果,減少干擾線路的問題,提升線路訊號品質之功效,解決習知單端電感器與週邊線路繞線發生耦合影響電路訊號品質之問題。
需注意,本發明實施例之單端電感器電流輸入方向與磁場方向均不限於上述說明之方向,可任意調整與配置。另外第一部分區域與第二部分區域之繞線方向也可任意調整。
如第2C圖所示,為第2A圖單端電感器之俯視圖,假設由第一端P1開始繞線,第一部分線圈201之繞線方向為順時針方向CW,第二部分線圈202之繞線方向為逆時針方向CCW。
第3圖顯示另一實施例之單端電感器之俯視圖,如第3圖所示,單端電感器300是與第2C圖單端電感器200起始繞線方向相反之俯視圖,假設由第一端P1開始繞線,第一部分線圈201之繞線方向為逆時針方向CCW,第二部分線圈202之繞線方向為順時針方向CW。且第一部分線圈201與第二部分線圈202透過一第二金屬層M2之導線耦接。依此方式,當有線路經過單端電感器300之側邊時,單端電感器300會因兩個部分線圈之電流方向相反,產生相反的磁場方向,讓側邊經過的線路磁場感應之磁場抵銷,達成提升訊號品質之功效。
第4圖顯示另一實施例之單端電感器之俯視圖,單端電感器400之一第一部分線圈401,透過一第二金屬層M2之導線耦接一第一端P1,且該第一部分線圈401設置於一第一金屬層M1;以及一第二部分線圈402,透過第二金屬層M2之導線耦接一第二端P2,且第二部分線圈402設置於第一金屬層M1:第一部分線圈401與第二部分線圈402係透過第一金屬層M1之導線耦接。假設由第一端P1開始繞線,第一部分線圈401之繞線方向為順時針方向CW,第二部分線圈402之繞線方向為逆時針方向CCW。依此方式,當有線路經過單端電感器400之側邊時,單端電感器400會因兩個部分線圈之電流方向相反,產生相反的磁場方向,讓側邊經過的線路磁場感應之磁場抵銷,達成提升訊號品質之功效。
第5圖顯示另一實施例之單端電感器之俯視圖,單端電感器500之一第一部分線圈501,透過一第二金屬層M2之導線耦接一第一端P1,且第一部分線圈501設置於一第一金屬層M1。第二部分線圈502透過第二金屬層M2之導線耦接一第二端P2,且第二部分線圈502設置於第一金屬層M1。第三部分線圈503設置於第一金屬層M1,第三部分線圈503之一端耦接第一部分線圈501。第四部分線圈504設置於第一金屬層M1,第四部分線圈504之一端耦接第二部分線圈502,另一端透過第二金屬層M2之導線耦接第三部分線圈503之另一端。假設由第一端P1開始繞線,第一部分線圈501之繞線方向為順時針方向CW、第三部分線圈503之繞線方向為逆時針方向CCW、第四部分線圈504之繞線方向為逆時針方向CCW、第二部分線圈502之繞線方向為順時針方向CW。依此方式,當有線路經過單端電感器500之側邊時,單端電感器500會因兩個部分線圈之電流方向相 反,產生相反的磁場方向,讓側邊經過的線路磁場感應之磁場抵銷,達成提升訊號品質之功效。
需注意,本發明之單端電感器之部分線圈不限於偶數個,亦可為奇數個,如第6圖顯示之單端電感器之俯視圖,單端電感器600包含有三個部分線圈。單端電感器600之第一部分線圈601與第二部分線圈602繞線方式同於第3圖之一部分線圈301與第二部分線圈302不再贅述。第三部分線圈603,一端耦接第二部分線圈602之另一端,第三部分線圈603之另一端耦接第二端P2,且第二端P2位於第二金屬層M2。假設由第一端P1開始繞線,第一部分線圈601是沿逆時針方向CCW繞設、第二部分線圈602是沿順時針方向CW繞設、第三部分線圈603是沿逆時針方向CCW繞設。依此方式,當有線路經過單端電感器600之側邊時,單端電感器600會因三個部分線圈之電流方向相反,如該圖所示由左而右依序為右方R、左方L、右方R,產生相反的磁場方向,讓側邊經過的線路磁場感應之磁場抵銷,達成提升訊號品質之功效。
另外,若有其他功能上之需求亦可任意調整設計方式,例如增加中心抽頭(Center tap),如第7圖所示單端電感器700增加了中心抽頭P3。
本發明實施例之單端電感器,利用每一相鄰之該部分線圈繞線的方向相反,以抵銷電感器與週邊線路繞線之耦合現象,達成提升訊號品質之功效,解決習知技術之問題。
以上雖以實施例說明本發明,但並不因此限定本發明之範圍,只要不脫離本發明之要旨,該行業者進行之各種變形或變更均落入本發明之申請專利範圍。
200:單端電感器
201、202:部分線圈

Claims (3)

  1. 一種單端電感器,包含:一第一部分線圈,該第一部分線圈是沿一第一方向繞設;一第二部分線圈,該第二部分線圈是沿一第二方向繞設,且與該第一部分線圈相鄰,其中該第二方向與該第一方向相反;以及一金屬層,跨越該第一部分線圈與該第二部分線圈相鄰處;其中,該第一部分線圈之兩端與該第二部分線圈之兩端均在同一軸上,該第一部分線圈與該第二部分線圈相對稱,且該第一部分線圈與該第二部分線圈其中之一端朝向相反方向延伸;該第一部分線圈耦接一第一端,且該第一部分線圈設置於一第一金屬層;該第二部分線圈耦接一第二端,且該第二部分線圈設置於該第一金屬層;該第一部分線圈與該第二部分線圈係透過一第二金屬層之一導線耦接;該第二金屬層跨越兩個電流同向的部分線圈;以及該第二金屬層上具有一中間抽頭。
  2. 一種單端電感器,包含:一第一部分線圈,該第一部分線圈是沿一第一方向繞設;以及一第二部分線圈,該第二部分線圈是沿該第一方向繞設,且與該第一部分線圈相鄰;一第三部分線圈,該第三部分線圈是沿一第二方向繞設,且與該第一部分線圈相鄰,其中該第二方向與該第一方向相反;以及一第四部分線圈,該第四部分線圈是沿該第二方向繞設,且與該第三部分線圈及該第二部分線圈相鄰;其中,該單端電感器被分成四個像限,該第一部分線圈位於一第三像限,該第二部分線圈位於一第二像限,該第三部分線圈位於一第四像限,該第四部分線圈位於一第一像限;位於該第一像限 的該第四部分線圈繞設方向相反於位於該第二像限之該第二部分線圈,且該該第四部分線圈繞設方向相同於位於該第四像限的該第三部分線圈;位於該第二像限之該第二部分線圈繞設方向相反於位於該第三像限之該該第一部分線圈;一金屬層跨越該第三部分線圈與該第四部分線圈以及兩個電流反向的部分線圈;該第三部分線圈之一端與該第四部分線圈之一端均在同一軸上,該第一部分線圈與該第三部分線圈對稱於該第二部分線圈與該第四部分線圈,且該第三部分線圈與該第四部分線圈其中之一端朝向相反方向延伸。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之單端電感器,其中:該第一部分線圈透過一第二金屬層之一第一導線耦接一第一端,且該第一部分線圈設置於一第一金屬層;該第二部分線圈透過該第二金屬層之一第二導線耦接一第二端,且該第二部分線圈設置於該第一金屬層;該第三部分線圈設置於該第一金屬層,且該第三部分線圈之一端耦接該第一部分線圈;以及該第四部分線圈設置於該第一金屬層,且該第四部分線圈之一端耦接該第二部分線圈,另一端透過該第二金屬層之一第三導線耦接該第三部分線圈之另一端。
TW105108391A 2016-03-18 2016-03-18 單端電感器 TWI726873B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105108391A TWI726873B (zh) 2016-03-18 2016-03-18 單端電感器
US15/462,344 US10943730B2 (en) 2016-03-18 2017-03-17 Single-ended inductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105108391A TWI726873B (zh) 2016-03-18 2016-03-18 單端電感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201735070A TW201735070A (zh) 2017-10-01
TWI726873B true TWI726873B (zh) 2021-05-11

Family

ID=59855983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105108391A TWI726873B (zh) 2016-03-18 2016-03-18 單端電感器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10943730B2 (zh)
TW (1) TWI726873B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0684647A (ja) * 1992-09-02 1994-03-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> インダクタンス素子
TWI410986B (zh) * 2011-05-23 2013-10-01 矽品精密工業股份有限公司 對稱式差動電感結構

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE512699C2 (sv) * 1998-03-24 2000-05-02 Ericsson Telefon Ab L M En induktansanordning
SE517170C2 (sv) * 1999-03-23 2002-04-23 Ericsson Telefon Ab L M Induktans
JP2004221475A (ja) * 2003-01-17 2004-08-05 Mitsubishi Electric Corp 誘導素子
FR2851078A1 (fr) * 2003-02-07 2004-08-13 St Microelectronics Sa Inductance integree et circuit electronique l'incorporant
US7486167B2 (en) * 2005-08-24 2009-02-03 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Cross-coupled inductor pair formed in an integrated circuit
JP4842052B2 (ja) * 2006-08-28 2011-12-21 富士通株式会社 インダクタ素子および集積型電子部品
FR2911992A1 (fr) * 2007-01-30 2008-08-01 St Microelectronics Sa Inductance multiniveaux
WO2009125324A1 (en) 2008-04-10 2009-10-15 Nxp B.V. 8-shaped inductor
US7796007B2 (en) * 2008-12-08 2010-09-14 National Semiconductor Corporation Transformer with signal immunity to external magnetic fields
JP6115057B2 (ja) * 2012-09-18 2017-04-19 Tdk株式会社 コイル部品
TWI519060B (zh) * 2013-08-06 2016-01-21 國立臺灣大學 功率混合器
US9697938B2 (en) * 2014-01-17 2017-07-04 Marvell World Trade Ltd. Pseudo-8-shaped inductor
TWI553679B (zh) 2014-06-13 2016-10-11 瑞昱半導體股份有限公司 具有兩平面式電感的電子裝置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0684647A (ja) * 1992-09-02 1994-03-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> インダクタンス素子
TWI410986B (zh) * 2011-05-23 2013-10-01 矽品精密工業股份有限公司 對稱式差動電感結構

Also Published As

Publication number Publication date
TW201735070A (zh) 2017-10-01
US10943730B2 (en) 2021-03-09
US20170271076A1 (en) 2017-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11631517B2 (en) 8-shaped inductive coil device
US7812701B2 (en) Compact multiple transformers
US11302470B2 (en) Semiconductor element
JP5353947B2 (ja) コイル部品及び表面実装型パルストランス
US11250985B2 (en) Semiconductor element
JPWO2010084677A1 (ja) 積層インダクタ
KR20090086595A (ko) 적층형 트랜스 부품
US10497507B2 (en) Semiconductor element
JP6113292B2 (ja) ノイズフィルタ
CN108695309B (zh) 高度隔离的集成电感器及其制作方法
TWI611438B (zh) 複合平滑電感器及平滑化電路
TW202111740A (zh) 半導體裝置
JP6551256B2 (ja) コイル部品、コイル部品を内蔵した回路基板、並びに、コイル部品を備える電源回路
TWI697920B (zh) 積體電感
JP6459116B2 (ja) トランス
TWI726873B (zh) 單端電感器
JP2020043178A (ja) トランス及び信号伝送システム
JP7033656B2 (ja) 変圧器装置、回路装置および変圧器装置を動作させる方法
JP6210464B2 (ja) 電気回路
JP2010165711A (ja) コイル及び変圧器
US20200312540A1 (en) Transformer
TWI666662B (zh) 可變電感裝置
US20230042967A1 (en) Overlapped inductor structure
TWI743979B (zh) 半導體結構
US9112459B2 (en) Transformer power amplifier