JPH0226899A - Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法 - Google Patents
Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法Info
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- JPH0226899A JPH0226899A JP63176767A JP17676788A JPH0226899A JP H0226899 A JPH0226899 A JP H0226899A JP 63176767 A JP63176767 A JP 63176767A JP 17676788 A JP17676788 A JP 17676788A JP H0226899 A JPH0226899 A JP H0226899A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッド等の磁気製品に使用されるＦｅ−３
ｔ−Ａｌ系合金単結晶の育成法に関し、とくに大口径で
合金組成の偏析等が少なく、かつ結晶方位が揃った良好
な単結晶を形成するに適したＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単
結晶の育成法に関する。
ｔ−Ａｌ系合金単結晶の育成法に関し、とくに大口径で
合金組成の偏析等が少なく、かつ結晶方位が揃った良好
な単結晶を形成するに適したＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単
結晶の育成法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕Ｆ
ｅ−３１−ＡＮ系磁性合金（登録商標センダスト）は、
きわめてすぐれた高透磁率、高硬度の合金であり、オー
ディオ用の磁気ヘッド、ＶＴＲ又はＲ−ＤＡＴ用の磁気
ヘッドの材料として使用されている。
ｅ−３１−ＡＮ系磁性合金（登録商標センダスト）は、
きわめてすぐれた高透磁率、高硬度の合金であり、オー
ディオ用の磁気ヘッド、ＶＴＲ又はＲ−ＤＡＴ用の磁気
ヘッドの材料として使用されている。
しかしながら、上記Ｆｅ−３ｔ−Ａｊ２系磁外磁性合金
多結晶材であり、このため磁気ヘッド材として使用した
場合は、磁気ヘッドのギャップ形成時に存在する結晶粒
の面方位により磁気テープへの磁力のバラツキが生じた
り、あるいは結晶粒界の存在により、互いの結合力が弱
まって機械的強度が脆く研削、切削加工時のカケ、チッ
ピング、クラック等の問題点がある。
多結晶材であり、このため磁気ヘッド材として使用した
場合は、磁気ヘッドのギャップ形成時に存在する結晶粒
の面方位により磁気テープへの磁力のバラツキが生じた
り、あるいは結晶粒界の存在により、互いの結合力が弱
まって機械的強度が脆く研削、切削加工時のカケ、チッ
ピング、クラック等の問題点がある。
一方、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶は、結晶粒界が
存在しないため機械的強度が強いこと、又特定な面方位
を選ぶことにより磁気テープへの磁力のバラツキが小さ
くなり耐摩耗性が向上することが知られているが、その
単結晶の育成が充分ではなく、形成される単結晶棒の径
が小さいことや、合金組成に偏析が生じたりして上記単
結晶特有の効果が得られず、又育成時の結晶方位にバラ
ツキがあって生産に適さなかった。
存在しないため機械的強度が強いこと、又特定な面方位
を選ぶことにより磁気テープへの磁力のバラツキが小さ
くなり耐摩耗性が向上することが知られているが、その
単結晶の育成が充分ではなく、形成される単結晶棒の径
が小さいことや、合金組成に偏析が生じたりして上記単
結晶特有の効果が得られず、又育成時の結晶方位にバラ
ツキがあって生産に適さなかった。
例えば、一般に電子ビーム帯溶融法による育成では、試
料の径を大きくしようとすると育成時における溶融物が
外へ流れ出したり、蒸発による組成偏析が大きくなり、
又一般に、ブリッジマン法による育成では外気に開放さ
れた状態でルツボ内の試料を一度全体溶融し、その後除
々に冷却する方法なので、とくに蒸発等による組成偏析
が太き（なる。
料の径を大きくしようとすると育成時における溶融物が
外へ流れ出したり、蒸発による組成偏析が大きくなり、
又一般に、ブリッジマン法による育成では外気に開放さ
れた状態でルツボ内の試料を一度全体溶融し、その後除
々に冷却する方法なので、とくに蒸発等による組成偏析
が太き（なる。
そこで本発明は、上記問題点を解決すべく大口径で合金
組成偏析が少なく、育成時の結晶方位が揃ったＦｅ−Ｓ
ｉ−Ａ、ｊ！系磁性合金単結晶の育成法を目的としたも
のである。
組成偏析が少なく、育成時の結晶方位が揃ったＦｅ−Ｓ
ｉ−Ａ、ｊ！系磁性合金単結晶の育成法を目的としたも
のである。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記問題点を
解決するため本発明では、Ｆｅ、Ｓｔ、ＡＩＡの原料を
非酸化性の雰囲気中で加熱溶解してＦｅ−５ｔ−Ａｌ系
合金の多結晶棒を作製する工程と、該多結晶棒及びＦｅ
−Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶からなる種結晶をルツボ内
に収納する工程と、該多結晶棒及びルツボを加圧炉に設
置する工程と、加熱手段で該ルツボを介して咳多結晶捧
を加圧した状態で溶解する工程と、該加熱手段と該多結
晶棒とを該多結晶棒の長手方向に沿って相対的に除々に
移動させてＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶を成長させ
る工程とからなるＦｅ５ｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法
である。
解決するため本発明では、Ｆｅ、Ｓｔ、ＡＩＡの原料を
非酸化性の雰囲気中で加熱溶解してＦｅ−５ｔ−Ａｌ系
合金の多結晶棒を作製する工程と、該多結晶棒及びＦｅ
−Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶からなる種結晶をルツボ内
に収納する工程と、該多結晶棒及びルツボを加圧炉に設
置する工程と、加熱手段で該ルツボを介して咳多結晶捧
を加圧した状態で溶解する工程と、該加熱手段と該多結
晶棒とを該多結晶棒の長手方向に沿って相対的に除々に
移動させてＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶を成長させ
る工程とからなるＦｅ５ｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法
である。
Ｆｅ−３ｔ−Ａｌ系合金単結晶を上記育成法とすること
により、形成される単結晶棒の径を大きくとれ、又組成
偏析の少ない均一な組成で結晶方位が揃ったＦｅ−Ｓｉ
−Ａｆｆｉ系合金単結晶を形成する。
により、形成される単結晶棒の径を大きくとれ、又組成
偏析の少ない均一な組成で結晶方位が揃ったＦｅ−Ｓｉ
−Ａｆｆｉ系合金単結晶を形成する。
次に本発明になるＦｅ−Ｓｉ−ＡＩ！、系合金単結晶の
育成法の実施例について説明する。第１図は原料から育
成までのフローチャートである。このフローチャートに
従って本実施例を述べる。まず、高純度の原料例えば、
Ｆ ｅ ９９．９８％、５ｉ９９゜９９９％、Ａ Ｉ！
、９９．９９９％を用意する。次に上記原料をＦｅ８３
．５％、Ｓｉ９．５％、／１６．０％の割合で秤量して
、これら秤量したＦｅ、Ｓｉ、Ａｌ原料を第２図に示す
真空溶解鋳造装置のアルミナ製ルツボ９に入れ、真空状
態又は不活性ガス中の非酸化性雰囲気で高周波コイル１
０により加熱溶解（溶湯１４）する。次に、第２図の矢
印イ、口、ハの如くアルミナ製ルツボ９内の溶湯１４を
鉄製金型に鋳込んで多結晶の丸棒試料１１を作成する。
育成法の実施例について説明する。第１図は原料から育
成までのフローチャートである。このフローチャートに
従って本実施例を述べる。まず、高純度の原料例えば、
Ｆ ｅ ９９．９８％、５ｉ９９゜９９９％、Ａ Ｉ！
、９９．９９９％を用意する。次に上記原料をＦｅ８３
．５％、Ｓｉ９．５％、／１６．０％の割合で秤量して
、これら秤量したＦｅ、Ｓｉ、Ａｌ原料を第２図に示す
真空溶解鋳造装置のアルミナ製ルツボ９に入れ、真空状
態又は不活性ガス中の非酸化性雰囲気で高周波コイル１
０により加熱溶解（溶湯１４）する。次に、第２図の矢
印イ、口、ハの如くアルミナ製ルツボ９内の溶湯１４を
鉄製金型に鋳込んで多結晶の丸棒試料１１を作成する。
次に、第３図の如く予め用意したＦｅ−Ｓｉ−Ａ２系合
金単結晶の種結晶１６をアルミナ製のタソマン管と呼ば
れるルツボ２０の細径部２０ａに収納し、丸棒試料１１
を大径部２０ｂへ収納して、そのルツボ２０をカーボン
ヒータ３０内に収納後、モリブデンワイヤ３１でルツボ
２０とカーボンヒータ３０を結ぶ。ここで種結晶１６は
（１１１）、（１１０）、（１００）あるいは（２１１
）等の適当な面方位が選ばれる。
金単結晶の種結晶１６をアルミナ製のタソマン管と呼ば
れるルツボ２０の細径部２０ａに収納し、丸棒試料１１
を大径部２０ｂへ収納して、そのルツボ２０をカーボン
ヒータ３０内に収納後、モリブデンワイヤ３１でルツボ
２０とカーボンヒータ３０を結ぶ。ここで種結晶１６は
（１１１）、（１１０）、（１００）あるいは（２１１
）等の適当な面方位が選ばれる。
次に第４図の如く、丸棒試料１１を収納したカーボンヒ
ータ３０を単結晶育成装置である高圧高周波誘導加熱装
置５０にセットする。高圧高周波誘導加熱装置５０は、
炉４０内にカーボンヒータ３０を固定する上部チャック
１３、下部チャック１２及びカーボンヒータ３ｏの周囲
に配される高周波加熱コイル２１を有する。上記装置５
０は、更に外部にカーボンヒータ３０を回転する上部試
料回転上下駆動部２４、下部試料回転上下駆動部２５、
炉４０内にＡｒ（アルゴン）ガスを供給するＡｒガスボ
ンベ４１、炉４０内を真空にするロータリーポンプ４２
、炉４０内の圧力を測る圧力計４３、高周波加熱コイル
２１の電源４４及び炉４０の外周に配され、炉４０の外
部を水流によって冷却する銅バイブ４５を備えている。
ータ３０を単結晶育成装置である高圧高周波誘導加熱装
置５０にセットする。高圧高周波誘導加熱装置５０は、
炉４０内にカーボンヒータ３０を固定する上部チャック
１３、下部チャック１２及びカーボンヒータ３ｏの周囲
に配される高周波加熱コイル２１を有する。上記装置５
０は、更に外部にカーボンヒータ３０を回転する上部試
料回転上下駆動部２４、下部試料回転上下駆動部２５、
炉４０内にＡｒ（アルゴン）ガスを供給するＡｒガスボ
ンベ４１、炉４０内を真空にするロータリーポンプ４２
、炉４０内の圧力を測る圧力計４３、高周波加熱コイル
２１の電源４４及び炉４０の外周に配され、炉４０の外
部を水流によって冷却する銅バイブ４５を備えている。
なお、説明上、カーボンヒータ３０、ルツボ２０．試料
１１及び高周波加熱コイル２１の図は炉４ｏに比して拡
大しである。
１１及び高周波加熱コイル２１の図は炉４ｏに比して拡
大しである。
上記装置５０に丸棒試料１１及びルツボ２゜を収納した
カーボンヒータ３０をセットした後、炉４０の内部はロ
ータリーポンプ４２により適度の真空雰囲気にし、その
後Ａｒガスボンベ４１により炉４０内部にＡｒガスを供
給し、炉内を例えば１気圧、５気圧、１０気圧に加圧す
る。加圧により溶融したＦｅ、Ｓｉ、Ａｌの蒸発が一層
防止される０次に、高周波加熱コイル２１に高周波電流
を流し、高周波加熱コイル２１付近のカーボンヒータ３
０の温度を上昇させ、その熱がルツボ２０を伝わって丸
棒試料１１の一部を溶融し溶融部Ａを形成する。すなわ
ち、ルツボ２０は高周波加熱コイルによりカーボンヒー
タ３０を介して間接的に加熱され、この間接加熱により
ルツボ２０が割れるのを防止している。溶融部Ａは初め
、丸棒試料１１と種結晶１６との接合付近に形成される
。
カーボンヒータ３０をセットした後、炉４０の内部はロ
ータリーポンプ４２により適度の真空雰囲気にし、その
後Ａｒガスボンベ４１により炉４０内部にＡｒガスを供
給し、炉内を例えば１気圧、５気圧、１０気圧に加圧す
る。加圧により溶融したＦｅ、Ｓｉ、Ａｌの蒸発が一層
防止される０次に、高周波加熱コイル２１に高周波電流
を流し、高周波加熱コイル２１付近のカーボンヒータ３
０の温度を上昇させ、その熱がルツボ２０を伝わって丸
棒試料１１の一部を溶融し溶融部Ａを形成する。すなわ
ち、ルツボ２０は高周波加熱コイルによりカーボンヒー
タ３０を介して間接的に加熱され、この間接加熱により
ルツボ２０が割れるのを防止している。溶融部Ａは初め
、丸棒試料１１と種結晶１６との接合付近に形成される
。
このとき、上部試料回転上下駆動部２４を駆動させてカ
ーボンヒータ３０を回転させ、同時にルツボ２０、丸棒
試料１１が回転し、温度分布を均一にする。次に、第４
図の状態で上部試料回転上下駆動部２４を駆動させてカ
ーボンヒータ３０を回転させながら矢印Ｂの如く下方に
除々に移動させ、溶融部Ａを冷却させ上述した種結晶１
６と同じ面方位をもった単結晶を形成する。ここで、高
周波加熱コイル２１と対応する丸棒試料１１の一部は新
たな溶融部を形成するが カーボンヒータ３０が更に
Ｂ方向に移動するとその溶融部が冷却されて単結晶が形
成される。丸棒試料１１の溶融部Ａを一部とすることに
より、Ｆｅ、Ｓｔ、Ａ２の蒸発を防止している。こうし
て、高周波加熱コイルが丸棒試料１１の上部に対応する
まで上記駆動部２４によりカーボンヒータ３０を移動さ
せ、その後炉４０内のＡｒガスを抜き、ロータリーポン
プ４２で一度真空にしたあと常圧にし、炉４０から単結
晶化された丸棒を取り出し、単結晶の育成が終了する。
ーボンヒータ３０を回転させ、同時にルツボ２０、丸棒
試料１１が回転し、温度分布を均一にする。次に、第４
図の状態で上部試料回転上下駆動部２４を駆動させてカ
ーボンヒータ３０を回転させながら矢印Ｂの如く下方に
除々に移動させ、溶融部Ａを冷却させ上述した種結晶１
６と同じ面方位をもった単結晶を形成する。ここで、高
周波加熱コイル２１と対応する丸棒試料１１の一部は新
たな溶融部を形成するが カーボンヒータ３０が更に
Ｂ方向に移動するとその溶融部が冷却されて単結晶が形
成される。丸棒試料１１の溶融部Ａを一部とすることに
より、Ｆｅ、Ｓｔ、Ａ２の蒸発を防止している。こうし
て、高周波加熱コイルが丸棒試料１１の上部に対応する
まで上記駆動部２４によりカーボンヒータ３０を移動さ
せ、その後炉４０内のＡｒガスを抜き、ロータリーポン
プ４２で一度真空にしたあと常圧にし、炉４０から単結
晶化された丸棒を取り出し、単結晶の育成が終了する。
なお、上記説明中、高周波コイル２１を固定して丸棒試
料１１及びルツボ２０を上、下部チャック１２．１３と
共に移動させたが、高周波加熱コイル２１を移動させて
もよい。
料１１及びルツボ２０を上、下部チャック１２．１３と
共に移動させたが、高周波加熱コイル２１を移動させて
もよい。
第５図は本発明になるＦｅ−３ｔ−Ａｆｆｉ系合金単結
晶の育成法の他の実施例を示す高圧高周波加熱装置の図
である。図中、第４図と同一部分には同一符号を付し、
その説明を省略する。本実施例においては モリブデ
ンワイヤ４６をルツボ２０のみに結び、又カーボンヒー
タ３０の下部を筒状のアルミナ磁性管等からなる絶縁物
４７及び筒状のステンレス治具４８からなる下部チャッ
ク４９に固定している。ここで、絶縁物４７はカーボン
ヒータ３０の電気的絶縁のために、又ステンレス治具は
絶縁ｌ＃４７及びカーボンヒータ３０を固定するために
夫々用いられる。
晶の育成法の他の実施例を示す高圧高周波加熱装置の図
である。図中、第４図と同一部分には同一符号を付し、
その説明を省略する。本実施例においては モリブデ
ンワイヤ４６をルツボ２０のみに結び、又カーボンヒー
タ３０の下部を筒状のアルミナ磁性管等からなる絶縁物
４７及び筒状のステンレス治具４８からなる下部チャッ
ク４９に固定している。ここで、絶縁物４７はカーボン
ヒータ３０の電気的絶縁のために、又ステンレス治具は
絶縁ｌ＃４７及びカーボンヒータ３０を固定するために
夫々用いられる。
上記装置を用いることにより、単結晶育成時にカーボン
ヒータ３０を固定してルツボ２０のみを回転、昇降させ
たり、またはルツボ２０を固定してカーボンヒータ３０
のみを回転、昇降させたり すなわちカーボンヒータ
３０とルツボ２０とを独立に回転、昇降させて溶融され
る丸棒試料１１の内部温度を均一にし−様な単結晶を育
成する。又符号６１は拡散ポンプで、拡散ポンプ６１は
Ａｒガスを供給する前に炉４０内部の真空度を高めるた
めに使用され、この場合はローターポンプ４２により適
度の真空雰囲気にした後、拡散ポンプ６１により約６．
６Ｘ１０−”気圧の真空度にするものである。
ヒータ３０を固定してルツボ２０のみを回転、昇降させ
たり、またはルツボ２０を固定してカーボンヒータ３０
のみを回転、昇降させたり すなわちカーボンヒータ
３０とルツボ２０とを独立に回転、昇降させて溶融され
る丸棒試料１１の内部温度を均一にし−様な単結晶を育
成する。又符号６１は拡散ポンプで、拡散ポンプ６１は
Ａｒガスを供給する前に炉４０内部の真空度を高めるた
めに使用され、この場合はローターポンプ４２により適
度の真空雰囲気にした後、拡散ポンプ６１により約６．
６Ｘ１０−”気圧の真空度にするものである。
本実施例においても、初め丸棒試料１１と種結晶１６と
の接合付近に溶融部Ａを形成し、その溶融部を冷却して
上記種結晶と同し面方向をもった単結晶を形成すること
は上述の実施例と同様である。
の接合付近に溶融部Ａを形成し、その溶融部を冷却して
上記種結晶と同し面方向をもった単結晶を形成すること
は上述の実施例と同様である。
なお、上記説明中、第１実施例、第２実施例ともカーボ
ンヒータ３０はカーボンに限定されることなく、高周波
が人力して発熱する金属等の材質でもよい。
ンヒータ３０はカーボンに限定されることなく、高周波
が人力して発熱する金属等の材質でもよい。
上述の如く、本発明になるＦｅ−Ｓｉ−Ａｆｆｉ系合金
単結晶の育成法は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌの原料を非酸化性
の雰囲気中で加熱溶融してＦＦｅ−Ｓｉ−Ａ系合金の多
結晶棒を作製する工程と、該多結晶棒及びＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ系合金の単結晶からなる種結晶をルツボ内に収納す
る工程と、該多結晶棒及びルツボを加圧炉に設置する工
程と、加熱手段で該ルツボを介して該多結晶棒を加圧し
た状態で溶解する工程と、該加熱手段と該多結晶棒とを
該多結晶棒の長手方向に沿って相対的に除々に移動させ
てＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶を成長させる工程と
からなるため、単結晶育成時における溶融物の流出を防
止し得、大口径で組成偏析の少ない単結晶を育成できる
と共に、面方位の揃った単結晶を歩留りよく育成できる
等の効果を有する。
単結晶の育成法は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌの原料を非酸化性
の雰囲気中で加熱溶融してＦＦｅ−Ｓｉ−Ａ系合金の多
結晶棒を作製する工程と、該多結晶棒及びＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ系合金の単結晶からなる種結晶をルツボ内に収納す
る工程と、該多結晶棒及びルツボを加圧炉に設置する工
程と、加熱手段で該ルツボを介して該多結晶棒を加圧し
た状態で溶解する工程と、該加熱手段と該多結晶棒とを
該多結晶棒の長手方向に沿って相対的に除々に移動させ
てＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶を成長させる工程と
からなるため、単結晶育成時における溶融物の流出を防
止し得、大口径で組成偏析の少ない単結晶を育成できる
と共に、面方位の揃った単結晶を歩留りよく育成できる
等の効果を有する。
第１図〜第４回は本発明に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金
の単結晶の育成法の実施例を示し、第１図は原料から育
成までのフローチャート、第２図は真空溶解鋳造装置の
概略図、第３図は多結晶の丸棒試料をルツボ及びカーボ
ンヒータに収納した様子を示す図、第４図は高圧高周波
加熱装置の概略図である。第５図は本発明に係るＦｅ−
Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶の育成法の他の実施例を示し
、高圧高周波加熱装置の概略図である。 １１・・・丸棒試料 １６・・・種結晶筒 図 ・ルツボ ５０ 、 ・高周波加熱コイル ０・・・高圧高周波誘導加熱装置
の単結晶の育成法の実施例を示し、第１図は原料から育
成までのフローチャート、第２図は真空溶解鋳造装置の
概略図、第３図は多結晶の丸棒試料をルツボ及びカーボ
ンヒータに収納した様子を示す図、第４図は高圧高周波
加熱装置の概略図である。第５図は本発明に係るＦｅ−
Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶の育成法の他の実施例を示し
、高圧高周波加熱装置の概略図である。 １１・・・丸棒試料 １６・・・種結晶筒 図 ・ルツボ ５０ 、 ・高周波加熱コイル ０・・・高圧高周波誘導加熱装置
Claims (1)
- Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌの原料を非酸化性の雰囲気中で加熱溶
融してＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の多結晶棒を作製する工
程と、該多結晶棒及びＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶
からなる種結晶をルツボ内に収納する工程と、該多結晶
棒及びルツボを加圧炉に設置する工程と、加熱手段で該
ルツボを介し該多結晶棒を加圧した状態で溶解する工程
と、該加熱手段と該多結晶棒とを該多結晶棒の長手方向
に沿って相対的に除々に移動させてＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系
合金の単結晶を成長させる工程とからなるＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ系合金単結晶の育成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176767A JPH0226899A (ja) | 1988-07-16 | 1988-07-16 | Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176767A JPH0226899A (ja) | 1988-07-16 | 1988-07-16 | Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226899A true JPH0226899A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=16019465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63176767A Pending JPH0226899A (ja) | 1988-07-16 | 1988-07-16 | Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226899A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5205872A (en) * | 1988-12-10 | 1993-04-27 | Kawasaki Steel Corporation | Method of producing crystal bodies having controlled crystalline orientation |
| JP2004262684A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-24 | Univ Waseda | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶成長方法 |
| US7713353B2 (en) | 2003-02-24 | 2010-05-11 | Waseda University | β-Ga2O3 single crystal growing method, thin-film single crystal growing method, Ga2O3 light-emitting device, and its manufacturing method |
-
1988
- 1988-07-16 JP JP63176767A patent/JPH0226899A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5205872A (en) * | 1988-12-10 | 1993-04-27 | Kawasaki Steel Corporation | Method of producing crystal bodies having controlled crystalline orientation |
| JP2004262684A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-24 | Univ Waseda | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶成長方法 |
| US7713353B2 (en) | 2003-02-24 | 2010-05-11 | Waseda University | β-Ga2O3 single crystal growing method, thin-film single crystal growing method, Ga2O3 light-emitting device, and its manufacturing method |
| JP4630986B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2011-02-09 | 学校法人早稲田大学 | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶成長方法 |
| US8262796B2 (en) | 2003-02-24 | 2012-09-11 | Waseda University | β-Ga2O3 single crystal growing method, thin-film single crystal growing method, Ga2O3 light-emitting device, and its manufacturing method |
| US8747553B2 (en) | 2003-02-24 | 2014-06-10 | Waseda University | β-Ga2O3 single crystal growing method including crystal growth method |
| TWI450865B (zh) * | 2003-02-24 | 2014-09-01 | Univ Waseda | β氧化鎵系單結晶生長方法 |
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