JP2642882B2 - 二ホウ化タングステン単結晶の育成法 - Google Patents
二ホウ化タングステン単結晶の育成法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フローティング・ゾ
ーン法による二ホウ化タングステン（ＷＢ2）単結晶の
育成方法に関するものである。さらに詳しくは、この発
明は、高温構造材や複合体の強化材、さらに長寿命・高
輝度電子放射材料として有用な、良質で大型な二ホウ化
タングステン単結晶の育成方法に関するものである。
ーン法による二ホウ化タングステン（ＷＢ2）単結晶の
育成方法に関するものである。さらに詳しくは、この発
明は、高温構造材や複合体の強化材、さらに長寿命・高
輝度電子放射材料として有用な、良質で大型な二ホウ化
タングステン単結晶の育成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】従来より、純度の高い二ホウ
化タングステンの単結晶を育成する方法として、育成温
度が高く、不純物を蒸発によって除去できるフローティ
ング・ゾーン法が適しているとされてきた。しかしなが
ら、この従来の方法の場合には、育成された単結晶には
多くの結晶欠陥（方位が２〜３°ずれた亜粒界）が含ま
れ、良質な大型結晶を得ることができなかった。
化タングステンの単結晶を育成する方法として、育成温
度が高く、不純物を蒸発によって除去できるフローティ
ング・ゾーン法が適しているとされてきた。しかしなが
ら、この従来の方法の場合には、育成された単結晶には
多くの結晶欠陥（方位が２〜３°ずれた亜粒界）が含ま
れ、良質な大型結晶を得ることができなかった。
【０００３】二ホウ化タングステンは、高温構造材や複
合体の強化材、さらに長寿命・高輝度電子放射材料への
利用が期待されており、そのためには高品質で大型な二
ホウ化タングステン単結晶を育成する新しい方法が必要
とされている。この発明は、以上の通りの事情に鑑みて
なされたものであり、フローティング・ゾーン法を用
い、結晶欠陥が少なく、良質で大型な二ホウ化タングス
テン単結晶を育成する方法を提供することを目的として
いる。
合体の強化材、さらに長寿命・高輝度電子放射材料への
利用が期待されており、そのためには高品質で大型な二
ホウ化タングステン単結晶を育成する新しい方法が必要
とされている。この発明は、以上の通りの事情に鑑みて
なされたものであり、フローティング・ゾーン法を用
い、結晶欠陥が少なく、良質で大型な二ホウ化タングス
テン単結晶を育成する方法を提供することを目的として
いる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、フローティング・ゾーン法によ
る二ホウ化タングステン単結晶の育成において、融帯組
成（Ｂ／Ｗ原子比）を２．６〜４とすることを特徴とす
る二ホウ化タングステンの単結晶の育成方法を提供す
る。
を解決するものとして、フローティング・ゾーン法によ
る二ホウ化タングステン単結晶の育成において、融帯組
成（Ｂ／Ｗ原子比）を２．６〜４とすることを特徴とす
る二ホウ化タングステンの単結晶の育成方法を提供す
る。
【０００５】そしてまた、この発明は、上記の育成にお
いて、育成速度を０．５〜２ｃｍ／ｈとすることを特徴
とする二ホウ化タングステン単結晶の育成方法をも提供
する。
いて、育成速度を０．５〜２ｃｍ／ｈとすることを特徴
とする二ホウ化タングステン単結晶の育成方法をも提供
する。
【０００６】
【作用】この発明においては、フローティング・ゾーン
法による二ホウ化タングステン単結晶の育成プロセスに
おいて、タングステンとホウ素の融帯組成をＢ／Ｗ（原
子比）２．６〜４に制御することにより育成温度を下
げ、熱応力の発生を抑制し、さらに育成速度を０．５〜
２ｃｍ／ｈとすることにより、成長した単結晶が発生し
た熱応力を受ける時間を短縮する。
法による二ホウ化タングステン単結晶の育成プロセスに
おいて、タングステンとホウ素の融帯組成をＢ／Ｗ（原
子比）２．６〜４に制御することにより育成温度を下
げ、熱応力の発生を抑制し、さらに育成速度を０．５〜
２ｃｍ／ｈとすることにより、成長した単結晶が発生し
た熱応力を受ける時間を短縮する。
【０００７】これにより、フローティング・ゾーン法に
より育成される二ホウ化タングステン単結晶中に存在す
る結晶欠陥（亜粒界）の形成要因であると推測されてい
る熱応力による負荷を抑えることが可能となり、良質で
大型な二ホウ化タングステン単結晶が得られるようにす
る。添付した図面の図１は、この発明の二ホウ化タング
ステン単結晶の育成のための装置を例示した概略図であ
る。この図１に沿ってフローティングゾーン法を用いた
単結晶の育成方法を説明すると以下の通りである。
より育成される二ホウ化タングステン単結晶中に存在す
る結晶欠陥（亜粒界）の形成要因であると推測されてい
る熱応力による負荷を抑えることが可能となり、良質で
大型な二ホウ化タングステン単結晶が得られるようにす
る。添付した図面の図１は、この発明の二ホウ化タング
ステン単結晶の育成のための装置を例示した概略図であ
る。この図１に沿ってフローティングゾーン法を用いた
単結晶の育成方法を説明すると以下の通りである。
【０００８】まず二ホウ化タングステン粉末とホウ素粉
末（またはタングステン金属粉末）を混合後、結合材と
して少量の樟脳を加え、ラバープレス（２０００ｋｇ／
ｃｍ 2 ）により圧粉棒を作製する。この圧粉棒を真空中
または不活性ガス中で千数百℃に加熱し、原料焼結棒を
作製する。次いで、図１に示した通り、この原料焼結棒
（５）をホルダー（３）を介して上軸（２）にセット
し、下軸（２０）には種結晶または初期融帯形成用の焼
結棒（８）をホルダー（３０）を介してセットする。こ
の場合、原料焼結棒（５）と種結晶または初期融帯形成
用の焼結棒（８）との間に、初期融帯の組成を制御する
ためのホウ素焼結体（またはタングステン金属円盤）を
挟むのが好ましい。次に、ホウ素焼結体（またはタング
ステン金属円盤）とその周辺を、ワークコイル（４）に
高周波電流を流し、試料に誘導電流を生じさせることで
発生するジュール熱によって加熱することで溶融させ
る。これによって、融帯（６）が形成され、上軸（２）
と下軸（２０）を下方に移動させて単結晶（７）を育成
する。
末（またはタングステン金属粉末）を混合後、結合材と
して少量の樟脳を加え、ラバープレス（２０００ｋｇ／
ｃｍ 2 ）により圧粉棒を作製する。この圧粉棒を真空中
または不活性ガス中で千数百℃に加熱し、原料焼結棒を
作製する。次いで、図１に示した通り、この原料焼結棒
（５）をホルダー（３）を介して上軸（２）にセット
し、下軸（２０）には種結晶または初期融帯形成用の焼
結棒（８）をホルダー（３０）を介してセットする。こ
の場合、原料焼結棒（５）と種結晶または初期融帯形成
用の焼結棒（８）との間に、初期融帯の組成を制御する
ためのホウ素焼結体（またはタングステン金属円盤）を
挟むのが好ましい。次に、ホウ素焼結体（またはタング
ステン金属円盤）とその周辺を、ワークコイル（４）に
高周波電流を流し、試料に誘導電流を生じさせることで
発生するジュール熱によって加熱することで溶融させ
る。これによって、融帯（６）が形成され、上軸（２）
と下軸（２０）を下方に移動させて単結晶（７）を育成
する。
【０００９】このとき、融帯組成（Ｂ／Ｗ原子比）を
２．６〜４とする。この融帯組成の制御は、結晶育成速
度、原料棒の供給速度、原料棒組成等によって制御可能
となるが、なかでも、結晶育成時に見出した最良の育成
条件において原料棒組成を制御すること、育成速度を
０．５〜２ｃｍ／ｈとすること等が有効である。結晶育
成に際しては、その育成速度、すなわち、下軸（２０）
の移動速度はその範囲として０．５〜２．０ｃｍ／ｈで
適当であり、特に、１．０〜１．５ｃｍ／ｈであること
が最も望ましい。上軸（２）の移動速度、すなわち、原
料焼結棒（５）の融帯（６）への供給速度は、原料焼結
棒（５）の密度が低いため、それを補償して原料焼結棒
（５）とほぼ同じ直径の単結晶が育成されるように設定
することができる。
２．６〜４とする。この融帯組成の制御は、結晶育成速
度、原料棒の供給速度、原料棒組成等によって制御可能
となるが、なかでも、結晶育成時に見出した最良の育成
条件において原料棒組成を制御すること、育成速度を
０．５〜２ｃｍ／ｈとすること等が有効である。結晶育
成に際しては、その育成速度、すなわち、下軸（２０）
の移動速度はその範囲として０．５〜２．０ｃｍ／ｈで
適当であり、特に、１．０〜１．５ｃｍ／ｈであること
が最も望ましい。上軸（２）の移動速度、すなわち、原
料焼結棒（５）の融帯（６）への供給速度は、原料焼結
棒（５）の密度が低いため、それを補償して原料焼結棒
（５）とほぼ同じ直径の単結晶が育成されるように設定
することができる。
【００１０】雰囲気としてはＡｒガスを用いるが、これ
はワークコイル（４）で発生する放電を防止するためで
ある。また、育成温度条件については、たとえば図２に
示したＷ−Ｂ系相図において、融帯組成と結晶組成とが
一致する組成（一致溶融組成）で、育成温度の最も高い
組成時の２３６５℃以下の条件を目安とすることができ
る。実際には、この発明では、たとえばこの温度よりも
２００℃程度も低い温度で育成が可能となる。
はワークコイル（４）で発生する放電を防止するためで
ある。また、育成温度条件については、たとえば図２に
示したＷ−Ｂ系相図において、融帯組成と結晶組成とが
一致する組成（一致溶融組成）で、育成温度の最も高い
組成時の２３６５℃以下の条件を目安とすることができ
る。実際には、この発明では、たとえばこの温度よりも
２００℃程度も低い温度で育成が可能となる。
【００１１】以上の実施例を示し、さらに詳しくこの発
明の二ホウ化タングステン単結晶の育成方法を説明す
る。
明の二ホウ化タングステン単結晶の育成方法を説明す
る。
【００１２】
【実施例】市販の二ホウ化タングステン粉末６０ｇにホ
ウ素０．６４ｇを添加混合した後、結合材として樟脳を
小量加え、直径１０ｍｍのゴム袋詰めて円柱状に成形し
た。これに２０００ｋｇ／ｃｍ2 のラバープレスを行い
圧粉体を得た。この圧粉体を真空中で１７００℃で加熱
し、直径９ｍｍ、長さ１５０ｍｍ程度の原料焼結体を得
た。この原料焼結体の密度は約６０％であった。
ウ素０．６４ｇを添加混合した後、結合材として樟脳を
小量加え、直径１０ｍｍのゴム袋詰めて円柱状に成形し
た。これに２０００ｋｇ／ｃｍ2 のラバープレスを行い
圧粉体を得た。この圧粉体を真空中で１７００℃で加熱
し、直径９ｍｍ、長さ１５０ｍｍ程度の原料焼結体を得
た。この原料焼結体の密度は約６０％であった。
【００１３】図１に示した装置を用い、この原料焼結棒
（５）を育成炉の上軸（２）にホルダー（３）を介して
固定し、下軸（２０）にはホルダー（３０）を介して二
ホウ化タングステン焼結体を固定した。両者の間に０．
０５ｇのホウ素焼結体をはさみ、融帯組成を制御した。
育成炉に６ａｔｍのＡｒガスを充填した後、ワークコイ
ル（４）（直径１６ｍｍ、３巻２段）によりホウ素焼結
体とその周辺部を溶融して初期融帯を形成した。上軸
（２）と下軸（２０）を１．２ｃｍ／ｈの速度で下方に
移動させて、全長６０ｍｍ、直径９ｍｍの単結晶（７）
を育成した。得られた単結晶の結晶組成はＢ／Ｗ＝１．
９６であり、その育成の際の融帯組成はＢ／Ｗ＝３．３
であった。
（５）を育成炉の上軸（２）にホルダー（３）を介して
固定し、下軸（２０）にはホルダー（３０）を介して二
ホウ化タングステン焼結体を固定した。両者の間に０．
０５ｇのホウ素焼結体をはさみ、融帯組成を制御した。
育成炉に６ａｔｍのＡｒガスを充填した後、ワークコイ
ル（４）（直径１６ｍｍ、３巻２段）によりホウ素焼結
体とその周辺部を溶融して初期融帯を形成した。上軸
（２）と下軸（２０）を１．２ｃｍ／ｈの速度で下方に
移動させて、全長６０ｍｍ、直径９ｍｍの単結晶（７）
を育成した。得られた単結晶の結晶組成はＢ／Ｗ＝１．
９６であり、その育成の際の融帯組成はＢ／Ｗ＝３．３
であった。
【００１４】結晶棒の終端部から（０００１）面を切り
出し、鏡面研磨した後エッチングを行い、育成した単結
晶の粒界を観察したところ、表面は厚さ１ｍｍの多結晶
によっておおわれているが、内部は結晶欠陥を全く含ま
ない良質な単結晶であった。図３は、種々の組成を持つ
原料焼結棒（５）より、単結晶（７）を１．２ｃｍ／ｈ
の速度で育成し、得られた単結晶の組成と格子定数（六
方晶系）の関係を示したものである。この結果から、不
定比組成領域はＢ／Ｗ＝１．７７〜１．９７であること
が確認された。格子定数は、ホウ素含有量の増加ととも
に増加し、Ｂ／Ｗ＞１．９の領域では増加の程度が小さ
くなった。結晶欠陥のない良質な単結晶はこの領域にお
いて得られた。すなわち、この領域は、融帯組成（Ｂ／
Ｗ）が２．６〜４の範囲のものであって、この範囲にお
いてＷＢ1.9 からＷＢ1.97組成の良質な単結晶が得られ
た。育成温度は、最も高い育成温度（図２における一致
溶融温度）と比較して２００℃以上低下した。この育成
温度の低下によって結晶性の低下が抑えられたものと思
われる。
出し、鏡面研磨した後エッチングを行い、育成した単結
晶の粒界を観察したところ、表面は厚さ１ｍｍの多結晶
によっておおわれているが、内部は結晶欠陥を全く含ま
ない良質な単結晶であった。図３は、種々の組成を持つ
原料焼結棒（５）より、単結晶（７）を１．２ｃｍ／ｈ
の速度で育成し、得られた単結晶の組成と格子定数（六
方晶系）の関係を示したものである。この結果から、不
定比組成領域はＢ／Ｗ＝１．７７〜１．９７であること
が確認された。格子定数は、ホウ素含有量の増加ととも
に増加し、Ｂ／Ｗ＞１．９の領域では増加の程度が小さ
くなった。結晶欠陥のない良質な単結晶はこの領域にお
いて得られた。すなわち、この領域は、融帯組成（Ｂ／
Ｗ）が２．６〜４の範囲のものであって、この範囲にお
いてＷＢ1.9 からＷＢ1.97組成の良質な単結晶が得られ
た。育成温度は、最も高い育成温度（図２における一致
溶融温度）と比較して２００℃以上低下した。この育成
温度の低下によって結晶性の低下が抑えられたものと思
われる。
【００１５】一方、結晶組成がＢ／Ｗ＜１．９の領域で
は、ホウ素の含有量が少ないほど結晶欠陥が増加し、か
つ粒界における方位のずれが大きくなった。育成速度の
結晶性への影響を見ると、１．２ｃｍ／ｈの速度で良質
な結晶の得られる組成領域、すなわち、Ｂ／Ｗ＝１．９
５の組成をもつ結晶の育成を０．５ｃｍ／ｈ未満および
２ｃｍ／ｈ超の速度において行うと、０．５ｃｍ／ｈ未
満では、結晶に結晶欠陥が発生し、２ｃｍ／ｈ超の結晶
では、多数のクラックが発生することが確認された。こ
のような結晶欠陥、クラックの発生しない育成速度は、
０．５〜２ｃｍ／ｈであること、なかでも１〜１．５ｃ
ｍ／ｈが最適育成速度であることが確認された。
は、ホウ素の含有量が少ないほど結晶欠陥が増加し、か
つ粒界における方位のずれが大きくなった。育成速度の
結晶性への影響を見ると、１．２ｃｍ／ｈの速度で良質
な結晶の得られる組成領域、すなわち、Ｂ／Ｗ＝１．９
５の組成をもつ結晶の育成を０．５ｃｍ／ｈ未満および
２ｃｍ／ｈ超の速度において行うと、０．５ｃｍ／ｈ未
満では、結晶に結晶欠陥が発生し、２ｃｍ／ｈ超の結晶
では、多数のクラックが発生することが確認された。こ
のような結晶欠陥、クラックの発生しない育成速度は、
０．５〜２ｃｍ／ｈであること、なかでも１〜１．５ｃ
ｍ／ｈが最適育成速度であることが確認された。
【００１６】
【発明の効果】この発明により、以上詳しく説明したと
おり、結晶欠陥（亜粒界）を含まない良質で大型な二ホ
ウ化タングステン単結晶が得られる。これにより、二ホ
ウ化タングステン単結晶を高温構造材や複合体の強化
材、さらに長寿命・高輝度電子放射材料として利用する
ことが可能となる。
おり、結晶欠陥（亜粒界）を含まない良質で大型な二ホ
ウ化タングステン単結晶が得られる。これにより、二ホ
ウ化タングステン単結晶を高温構造材や複合体の強化
材、さらに長寿命・高輝度電子放射材料として利用する
ことが可能となる。
【図１】この発明のホウ化タングステン単結晶の育成装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図２】Ｗ−Ｂ系相図である。
【図３】結晶組成（Ｂ／Ｗ原子比）と格子定数（六方晶
系）の関係を示した図である。
系）の関係を示した図である。
１ 上軸駆動部 １０ 下軸駆動部 ２ 上軸 ２０ 下軸 ３ ホルダー ３０ ホルダー ４ ワークコイル ５ 原料焼結棒 ６ 融帯 ７ 単結晶 ８ 種結晶または初期融帯形成用の焼結棒
Claims (2)
- 【請求項１】 フローティング・ゾーン法による二ホウ
化タングステン単結晶の育成において、融帯組成（Ｂ／
Ｗ原子比）を２．６〜４とすることを特徴とする二ホウ
化タングステン単結晶の育成方法。 - 【請求項２】 フローティング・ゾーン法による二ホウ
化タングステン単結晶の育成において、育成速度を０．
５〜２ｃｍ／ｈとすることを特徴とする二ホウ化タング
ステン単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26322594A JP2642882B2 (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | 二ホウ化タングステン単結晶の育成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26322594A JP2642882B2 (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | 二ホウ化タングステン単結晶の育成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08104599A JPH08104599A (ja) | 1996-04-23 |
| JP2642882B2 true JP2642882B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=17386524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26322594A Expired - Lifetime JP2642882B2 (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | 二ホウ化タングステン単結晶の育成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2642882B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107285329B (zh) * | 2017-05-27 | 2020-07-28 | 广东工业大学 | 一种二硼化钨硬质材料及其制备方法和应用 |
-
1994
- 1994-10-03 JP JP26322594A patent/JP2642882B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08104599A (ja) | 1996-04-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |